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Die
Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium vom Phasenänderungs-Typ, umfassend ein Aufzeichnungsmaterial,
dessen optischen Merkmale durch dessen Bestrahlung mit einem Lichtstrahl
von einem kristallinen Zustand zu einem amorphen Zustand und umgekehrt
veränderbar
sind, und das in der Lage ist, Information aufzuzeichnen und aufgezeichnete
Information wiederzugeben und wieder zu beschreiben, indem die Veränderungen
in dessen optischen Merkmalen verwendet werden.
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Aufzeichnungsmedien
vom sogenannten Phasenänderungs-Typ,
welche ein Aufzeichnungsmaterial umfassen, das in der Lage ist,
Information aufzuzeichnen und aufgezeichnete Information wiederzugeben
und zu löschen,
indem die Phasenänderung
des Aufzeichnungsmaterials zwischen einem kristallinen Zustand und einem
nicht-kristallinen Zustand oder die Phasenänderung zwischen verschiedenen
kristallinen Zuständen
davon durch die Laserbestrahlung davon benutzt werden, sind gut
bekannt.
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Mit
Bezug auf die vorstehenden optischen Aufzeichnungsmedien vom Phasenänderungs-Typ
kann Überschreiben
unter Verwendung eines einzigen Strahls durchgeführt werden, so dass das optische
System zum Betrieb der Medien sehr einfach in dem Mechanismus ist
und daher die Aufzeichnungsmedien vom Phasenänderungs-Typ als Aufzeichnungsmedien
für Rechner,
darauf bezogene Zusatzgeräte
und Bild- und akustische Geräte
verwendet werden.
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Spezifische
Beispiele von Aufzeichnungsmaterialien zur Verwendung in den Aufzeichnungsmedien vom
Phasenänderungs-Typ
sind GeTe, GeTeSe, GeTeS, GeSeS, GeSeSb, GeAsSe, InTe, SeTe, SeAs, Ge-Te-(Sn,
Au, Pd), GeTeSeSb, GeTeSb und Ag-In-Sb-Te.
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Insbesondere
Ag-In-Sb-Te – Aufzeichnungsmaterialien
haben das Merkmal, dass deren Empfindlichkeit so hoch ist, dass
die Umrisse von amorphen Abschnitten klar umrissen sind. Deshalb
sind Ag-In-Sb-Te-Aufzeichnungsmaterialien zur Verwendung in einer
Aufzeichnungsschicht für
Aufzeichnung mittels des Markierungsrandes entwickelt worden, wie
in der offengelegten japanischen Patentanmeldung 3-231889, der offengelegten
japanischen Patentanmeldung 4-191089, der offengelegten japanischen
Patentanmeldung 4-232779, der offengelegten japanischen Patentanmeldung
4-267192, der offengelegten japanischen Patentanmeldung 5-345478 und der offengelegten
japanischen Patentanmeldung 6-166266 offenbart wird.
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In
der offengelegten japanischen Patentanmeldung 3-231889 wird eine
Aufzeichnungsschicht, umfassend ein Aufzeichnungsmaterial mit der
allgemeinen Formel I·(III1-γVγ)·VI2, in welcher Ι ein Element in der Gruppe Ι; III ein
Element in der Gruppe III; V ein Element in der Gruppe V; und VΙ ein Element
in der Gruppe VΙ ist, darstellt.
Die in dieser offengelegten japanischen Patentanmeldung offenbarte
Aufzeichnungsschicht ist mit einem Problem bei deren Aufzeichnungsmerkmalen,
wenn sie wiederholt verwendet wird, (auf die hierin nachfolgend
als Wiederholtverwendungseigenschaften Bezug genommen wird) behaftet.
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In
der offengelegten japanischen Patentanmeldung 4-191089 wird ein
Informationsaufzeichnungsmedium offenbart, umfassend eine Aufzeichnungsschicht
mit verbessertem Löschverhältnis und
Hochgeschwindigkeits-Aufzeichnung, es ist aber zur Verwendung in
der Praxis immer noch ein Problem bei den Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften
davon zu lösen.
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In
der offengelegten japanischen Patentanmeldung 4-232779 wird ein
Informationsaufzeichnungsmedium offenbart, umfassend eine Aufzeichnungsschicht
mit einem unaufgezeichneten Teil davon (dem kristallisierten Teil)
mit einer Struktur derart, dass diese eine gemischte Phase, zusammengesetzt
aus einer stabilen Phase (AgSbTe2) und einer
um die stabile Phase herum befindlichen amorphen Phase, enthält. Wegen
dieser Struktur werden die Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften verbessert.
Es wird jedoch durch das Vorhandensein von feinkristallinen Korngrenzen
in der Struktur Rauschen verursacht. Das derart verursachte Rauschen
hat nicht ernsthaft nachteilige Auswirkungen auf die Aufzeichnungsmerkmale
eines optischen Aufzeichnungsmediums mit einer verhältnismäßig niedrigen
Aufzeichnungsdichte, wie einer CD-RW (wiederbeschreibbaren CD),
welches einen Laserstrahl mit einer Aufzeichnungs- und Wiedergabewellenlänge von
etwa 780 nm verwendet, hat aber nachteilige Auswirkungen auf das
Erreichen von Hochdichte-Aufzeichnung wie bei der DVD (Digital Versatile
Disk)-RAM, deren Aufzeichnungsdichte etwa das 4-fache von derjenigen
der CD-RW beträgt
und die einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 680 nm oder weniger
verwendet, und auch auf das Erreichen von Hochdichte-Aufzeichnung wie
bei der DVD-RW mit höherer
Aufzeichnungsdichte. In Bezug auf die Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften
davon sind noch einige Probleme zu lösen.
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In
der offengelegten japanischen Patentanmeldung 4-267192 wird ein
Informationsaufzeichnungsmedium offenbart, umfassend eine Aufzeichnungsschicht
mit einem kristallisierten Teil mit einer Struktur derart, dass
diese aus einer AgSbTe2-Phase, getrennt von einer gleichmäßigen amorphen
Phase, und einer anderen Phase (einer stabilen kristallinen Phase
oder der amorphen Phase) in einem gemischtphasigen Zustand, zusammengesetzt
ist. Wenn die andere Phase die amorphe Phase ist, hat das offenbarte
Informationsaufzeichnungsmedium die gleichen Probleme wie diejenigen
bei dem in der vorstehend erwähnten
offengelegten japanischen Patentanmeldung 4-232779 offenbarten Informationsaufzeichnungsmedium,
während
wenn die andere Phase eine stabile kristalline Phase ist, das Problem
besteht, dass gute Aufzeichnungsmerkmale nicht erhalten werden können, wie
in Einzelheiten erklärt
werden wird.
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Die
in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen 5-345478 und
6-166268 offenbarten Informationsaufzeichnungsmedien haben die gleichen
noch zu lösenden
Probleme wie vorstehend erwähnt.
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Unter
optischen Aufzeichnungsmedien mit einer Aufzeichnungsschicht, welche
ein Ag-In-Sb-Te-Aufzeichnungsmaterial oder ein Aufzeichnungsmaterial
umfasst, welches Elemente der Ib-Gruppe, IΙΙb-Gruppe, Vb-Gruppe und VΙb-Gruppe
umfasst, ist üblicher
Weise nicht über
ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht,
umfassend ein Aufzeichnungsmaterial, welches Elemente der Ib-Gruppe, IΙΙb-Gruppe,
Vb-Gruppe und VΙb-Gruppe
und mindestens eine metastabile kristalline Phase, die zu der Raumgruppe
Fm3m gehört
umfasst, berichtet worden. Demgemäss ist kein Stand der Technik
berichtet worden, der klarstellt, ob oder ob nicht die metastabile
kristalline Phase existieren kann, und ob oder ob nicht das Aufzeichnungsmaterial,
umfassend die vorstehenden Elemente und eine metastabile kristalline
Phase oder eine Vielzahl von metastabilen kristallinen Phasen, die
wenn überhaupt
zu irgendeiner Raumgruppe, der Raumgruppe Fm3m gehören, widerstandsfähig gegen
plötzliche
Temperaturänderungen
während
wiederholter Aufzeichnungsschritte ist. Natürlich ist nicht über irgendeinen
Stand der Technik berichtet worden, welcher die Beziehung zwischen
der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht und deren Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften
oder die Beziehung zwischen der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht
und deren Kristallstruktur oder die Beziehung zwischen der kristallinen
Struktur der Aufzeichnungsschicht und deren Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften
oder die Beziehung zwischen dem Zusammensetzungsbereich und der
Aufzeichnungs-Lineargeschwindigkeit zum Erhalten von ausgezeichneten
Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften klarstellt.
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Überdies
ist keine Information über
die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht, um die Kristallisationsgeschwindigkeit
des Aufzeichnungsmaterials zu steuern, während hervorragende Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften
beibehalten werden, bereit gestellt worden.
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Überdies
gibt es derzeit kein optisches Aufzeichnungsmedium, das eine so
hohe Aufzeichnungsdichte und so gute Aufzeichnungsmerkmale wie diejenigen
der DVD-ROM hat.
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Überdies
gibt es keine optische Platte vom Phasenänderungs-Typ mit hervorragenden
Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungseigenschaften und mit hoher Aufzeichnungsdichte über einen
gesamten Bereich, in dem die Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung
sich von Ort zu Ort verändert,
wie bei der CAV-Aufzeichnung (CAV = Constant Angular Velocity, konstante
Winkelgeschwindigkeit).
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Es
ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein optisches Aufzeichnungsmedium
vom Phasenänderungstyp
mit der Fähigkeit
zum wahlfreien Zugriff (random access) bereit zu stellen, bei dem
die Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung sich je nach deren Aufzeichnungsort
verändert,
das in der Lage ist, hohe Aufzeichnungsdichte und hervorragende
Aufzeichnungseigenschaften bei wiederholter Verwendung über einen breiten
Bereich der Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung, wie bei einer
optischen Platte vom Phasenänderungstyp,
die Aufzeichnung und Wiedergabe mit einem CAV-System oder einem
MCAV-System (MCAV = mehrere Winkelgeschwindigkeiten) durchführt, zu
erreichen.
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Das
vorstehende Ziel der vorliegenden Erfindung kann mittels einem optischen
Aufzeichnungsmedium vom Phasenänderungstyp
erreicht werden, das mit einer Aufzeichnungsschicht versehen ist,
welche ein Aufzeichnungsmaterial mit einer metastabilen Phase umfasst,
welche zu der Raumgruppe Fm3m mit einer Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x,
wobei 0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≥ 0,82
gilt, gehört.
Die Aufzeichnungsschicht ist in der Lage, von einem kristallinen
Zustand in einen amorphen Zustand und umgekehrt überzugehen, und deren kennzeichnenden
optischen Merkmale werden gemäß den vorstehenden
Veränderungen
verändert.
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Es
wird angenommen, dass in dem optischen Aufzeichnungsmedium der vorliegenden
Erfindung die in dem Aufzeichnungsmaterial zu der Raumgruppe Fm3m
gehörende
metastabile Phase im wesentlichen aus Sb und Tb gebildet wird.
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In
dem vorstehenden optischen Aufzeichnungsmedium kann das Aufzeichnungsmaterial
ferner mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend
aus Elementen, die zur Gruppe Ib, Gruppe IIb, Gruppe IIIb, Gruppe
IVa, Gruppe IVb, Gruppe Va, Gruppe VIa, Elementen in der Gruppe
Vb anders als Sb, Elementen in der Gruppe VIb anders als Te und
Seltenerdelementen, umfassen.
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Es
ist bevorzugt, dass in dem vorstehenden optischen Aufzeichnungsmedium
der vorliegenden Erfindung zur Verbesserung der Wiederholtverwendungseigenschaften
bei dem Aufzeichnen des optischen Aufzeichnungsmediums das Aufzeichnungsmaterial
eine Zusammensetzung von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x hat, in welcher 0,75 ≤ x + 2a +
7b/6 ≤ 0,76
gilt.
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In
dem optischen Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung kann
das Element für
die Gruppe Ib in der Zusammensetzung von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des Aufzeichnungsmaterials ein Element
sein, das aus der aus Ag und Au bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
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Das
vorstehende optische Aufzeichnungsmedium kann ein scheibenförmiges Aufzeichnungsmedium sein,
und in diesem Fall ist es bevorzugt, dass das Anteilsverhältnis des
Elementes der Gruppe Ib in der Zusammensetzung des Aufzeichnungsmaterials
in der Radiusrichtung von der Innenseite zu der Umfangsseite des
scheibenförmigen
Aufzeichnungsmediums abnimmt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 1 bis 2 m/sec der
Wert a in der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des Aufzeichnungsmaterials in der
Radiusrichtung in einem Bereich von 0,05 bis 0,09 (0,05 ≤ a ≤ 0,09) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 2 bis 3 m/sec der
Wert a in der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des Aufzeichnungsmaterials in der
Radiusrichtung in einem Bereich von 0,03 bis 0,07 (0,03 ≤ a ≤ 0,07) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 3 bis 4 m/sec der
Wert a in der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des Aufzeichnungsmaterials in der
Radiusrichtung in einem Bereich von 0,02 bis 0,06 (0,02 ≤ a ≤ 0,06) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 4 bis 6 m/sec der
Wert a in der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des Aufzeichnungsmaterials in der
Radiusrichtung in einem Bereich von 0,01 bis 0,05 (0,01 ≤ a ≤ 0,05) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 6 bis 8 m/sec der
Wert a in der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des Aufzeichnungsmaterials in der
Radiusrichtung in einem Bereich von 0,005 bis 0,04 (0,005 ≤ a ≤ 0,04) liegt.
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Das
Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler Phase für das optische Aufzeichnungsmedium
der vorliegenden Erfindung kann aus einer metastabilen Aufzeichnungskomponte
in einem einphasigen metastabilen kristallinen Zustand, bevorzugt
einer metastabilen festen Lösung
in einem kristallinen Zustand aus einer einzigen Phase, zusammengesetzt
sein.
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Überdies
kann das Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler Phase für das optische
Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von
metastabilen Aufzeichnungskomponten in einem gemischtphasigen kristallinen
Zustand umfassen.
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Überdies
kann in dem optischen Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung
die Aufzeichnungsschicht ferner ein Aufzeichnungsmaterial mit stabiler
Phase umfassen, welches zu der Raumgruppe Fm3m gehört, vorausgesetzt,
dass in diesem Fall in notwendiger Weise das Aufzeichnungsmaterial
mit metastabiler Phase eine Zusammensetzung von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, hat, in welcher 0,72 ≤ x + 2a +
7b/6 ≤ 0,82 und
auch 4a + 2b < 1,
a > 0 und b > 0 gilt.
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Ein
vollständigeres
Verständnis
der Erfindung und von vielen der damit verbundenen Vorteile werden leicht
erhalten werden, indem diese mit Bezug auf die folgenden Beschreibung
in Einzelheiten und in Verbindung mit der begleitenden Zeichnung
in Erwägung
gezogen wird, wobei: die Abbildung eine schematische Querschnittsansicht
eines Beispiels eines optischen Aufzeichnungsmediums vom Phasenänderungs-Typ
der vorliegenden Erfindung ist.
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Das
optische Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung umfasst
eine Aufzeichnungsschicht, die ein Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler
Phase, das zu der Fm3m-Raumgruppe gehört, mit einer Zusammensetzung
von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, in
welcher 0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,82,
vorzugsweise 0,75 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,76
gilt, umfasst, um über
den gesamten Bereich des Aufzeichnungsmediums hinweg hervorragende
Wiederholtverwendungsmerkmale der Aufzeichnung aufrecht zu erhalten.
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Das
Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler Phase kann ferner mindestens
ein zusätzliches
Element, das aus der Gruppe bestehend aus Elementen, die zur Gruppe
Ib, Gruppe IIb, Gruppe IIIb, Gruppe IVa, Gruppe IVb, Gruppe Va,
Gruppe VIa, Elementen in der Gruppe Vb anders als Sb, Elementen
in der Gruppe VIb anders als Te und Seltenerdelementen ausgewählt ist,
umfassen.
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Es
ist bevorzugt, dass als das Element aus der Gruppe Ib Ag, Cu und/oder
Au, als das Element aus der Gruppe IIIb In, Ga, Ti und/oder Al,
als das Element aus der Gruppe Vb anders als Sb As und/oder Bi und als
das Element aus der Gruppe VIb anders als Te, S und/oder Se verwendet
werden.
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Die
kennzeichnenden optischen Merkmale der Aufzeichnungsschicht des
optischen Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung verändern sich
im Verlauf des Phasenübergangs
in dem Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler Phase in der Aufzeichnungsschicht
zwischen mindestens einer metastabilen kristallinen Phase und einer
metastabilen amorphen Phase davon.
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Es
wird angenommen, dass in dem optischen Aufzeichnungsmedium der vorliegenden
Erfindung die zu der Raumgruppe Fm3m gehörende metastabile Phase in
dem Aufzeichnungsmaterial im Wesentlichen aus Sb und Te gebildet
wird.
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Die
metastabile kristalline Phase kann zum Beispiel durch eine feste
Lösung
von Ib-IIIb-Vb-VIb,
eine feste Lösung
von IIIb-Vb-VIb, eine Lösung
von Vb-VIb und eine kristalline Phase aus (Vb)3(VIb),
in der Sb und Te unverzichtbare Elemente sind, gebildet werden.
Spezifische Beispiele der Materialien zum Erzeugen der metastabilen
Phase sind eine feste Lösung
von Ag-In-Sb-Te, eine feste Lösung
von Ag-In-Sb-Se, eine feste Lösung
von Ag-Sb-Te, eine feste Lösung
von In-Sb-Te, eine feste Lösung
von Sb-Te und Sb3Te. Die metastabile kristalline
Phase in den vorstehenden Materialien gehört zu der Raumgruppe Fm3m und
hat eine Gitterkonstante von 0,615 ± 0,02 nm.
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Es
ist bevorzugt, dass die metastabile Phase in dem kristallisierten
Teil der Aufzeichnungsschicht eine metastabile kristalline Phase
aus einer einzigen Phase ist, die zum Beispiel aus einer festen
Lösung
von Ib-IIIb-Vb-VIb gebildet sein kann. Spezifische Beispiele der
festen Lösung
aus Ib-IIIb-Vb-VIb sind Ag-In-Se-Te, Au-Al-Sb-Te, Au-Ag-In-Sb-Bi-Te-Se, (Au, Ag,
Cu)-(In, Al, Ga, Ti)-(Sb,-Bi, As)-(Te, Se, S).
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Die
Aufzeichnungsschicht kann entweder aus einer metastabilen Aufzeichnungskomponente
in einem einphasigen Kristallzustand oder einer Vielzahl von metastabilen
Aufzeichnungskomponenten in einem gemischtphasigen Kristallzustand,
der aus irgendeiner Kombination der vorstehenden Materialien in
der metastabilen kristallinen Phase zusammengesetzt sein kann, zusammengesetzt
sein.
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In
jedem Fall beruht die kristalline Struktur davon auf einem kubischflächenzentrierten
(face-centered cubic, f.c.c) Gitter mit einer Gitterkonstante von
etwa 0,615 nm. Um eine gute Form der Markierung zu erhalten, ist
es bevorzugt, dass der kristallisierte Teil der Aufzeichnungsschicht
nur aus einer einphasigen, metastabilen festen Lösung aus Ib-IIIb-Vb-VIb zusammengesetzt
ist.
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In
der vorliegenden Erfindung kann die Aufzeichnungsschicht einen Gradienten
in der Zusammensetzung von deren Aufzeichnungsmaterial sowohl in
der Richtung der Oberfläche
(in der Ebene) oder in der Richtung von deren Tiefe aufweisen. Die
Aufzeichnungsschicht kann auch aus einer Vielzahl von überlagerten
Auszeichnungs-Filmschichten zusammengesetzt sein.
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Noch
spezifischer wird ein Gradient in der Zusammensetzung des Aufzeichnungsmaterials
in der Aufzeichnungsschicht in der Ebene bereitgestellt, um eine
geeignete Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht
für eine
vorbestimmte Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung zu erhalten.
Zum Beispiel neigt die Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht
dazu, erniedrigt zu werden, wenn der Gehalt des Elementes der Gruppe
Ib und/oder des Elementes der Gruppe VIb in der Zusammensetzung
des Aufzeichnungsmaterials erhöht
wird. Wenn andererseits der Gehalt des Elementes der Gruppe IIIb
und/oder des Elementes der Gruppe Vb in der Zusammensetzung des
Aufzeichnungsmaterials erhöht
wird, neigt die Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht
dazu, erhöht
zu werden. Außerdem
ist die Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht
auch von dem Atomradius der verwendeten Elemente abhängig. Wenn
zum Beispiel In mit einem verhältnismäßig großen Atomradius
verwendet wird, nimmt die Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht
zu, wenn der Gehalt an In in der Zusammensetzung des Aufzeichnungsmaterials
erhöht
wird.
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Insbesondere
in dem optischen Aufzeichnungsmedium, bei dem die Aufzeichnungsschicht
das Aufzeichnungsmaterial mit der Zusammensetzung von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x umfasst,
in welcher das Element der Gruppe Ib in dem Aufzeichnungsmaterial
Ag und/oder Au ist, hängt
die Kristallisationsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht beträchtlich
von dem Gehalt an Ag und/oder Au ab, und der Gehalt an Ag und/oder
Au wird in einem Gebiet der Hochgeschwindigkeits-Aufzeichnung verringert.
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Noch
spezifischer kann in dem Fall, wo das vorstehende optische Aufzeichnungsmedium
scheibenförmig
ist, wenn der Mengenanteil von Ag und/oder Au in der Zusammensetzung
des Aufzeichnungsmaterials in der Radiusrichtung von der Innenseite
zu der Umfangsseite des scheibenförmigen Aufzeichnungsmediums verringert
wird, die Kristallisationsgeschwindigkeit so gesteuert werden, dass
er bei der CAV-Aufzeichnung, bei welcher die Lineargeschwindigkeit
der Aufzeichnung auf der Innenseite geringer ist als auf der Umfangsseite der
Platte, ausgewogen ist. Auch in diesem Fall werden, um über den
gesamten Bereich des Aufzeichnungsmediums hinweg hervorragende Merkmale
der Aufzeichnung bei Wiederholtverwendung aufrecht zu halten, die
Bereiche von x, a und b in der Zusammensetzung von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x so bestimmt, dass sie die Formel
0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,82,
vorzugsweise 0,75 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,76
wie vorstehend erwähnt,
erfüllen.
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Die
Kristallisationsgeschwindigkeit des Aufzeichnungsmaterials mit der
vorstehend erwähnten
Zusammensetzung in der Aufzeichnungsschicht hängt von dessen Zusammensetzung
ab. Wenn in der Aufzeichnungsschicht der Gehalt des Elementes der
Gruppe Ib oder der Gehalt des Elementes der Gruppe VIb einschließlich Te
erhöht
wird, wird die Aufzeichnungsschicht vorteilhaft für eine niedrige
Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung, während die Aufzeichnungsschicht vorteilhaft
für eine
hohe Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung wird, wenn der Gehalt
des Elementes der Gruppe IIIb oder der Gehalt des Elementes der
Gruppe Vb einschließlich
Sb erhöht
wird. Es besteht ein Zusammenhang zwischen der Kristallisationsgeschwindigkeit und
der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht. Insbesondere der Gehalt
an Ag oder Au und der Gehalt an Ag + Au haben eine deutliche Auswirkung
auf die Kristallisationsgeschwindigkeit. Um spezifischer zu sein, ist
die Kristallisationsgeschwindigkeit um so niedriger, je größer der
Gehalt an Ag oder Au oder Ag + Au ist.
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Insbesondere
für ein
scheibenförmiges
Aufzeichnungsmedium, wie eine CD-RW, welches eine Strategie (ein
Muster der Lichtemission einer Laserdiode) verwendet, ist es in
Bezug auf die Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung und die Zusammensetzung
der Aufzeichnungsschicht bevorzugt, dass der Wert a in der Zusammensetzung
aus (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des
Aufzeichnungsmaterials, in welchem 0,72 ≤ x + 2a + 7b/6 ≤ 0,82 gilt
und das Element der Gruppe Ib Ag und/oder Au ist, für eine Lineargeschwindigkeit
der Aufzeichnung von 1 bis 2 m/sec in der Radiusrichtung in einem
Bereich von 0,05 bis 0,09 (0,05 ≤ a ≤ 0,09) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass der Wert a in der Zusammensetzung aus (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des
Aufzeichnungsmaterials für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 2 bis 3 m/sec in
der Radiusrichtung in einem Bereich von 0,03 bis 0,07 (0,03 ≤ a ≤ 0,07) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass der Wert a in der Zusammensetzung aus (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des
Aufzeichnungsmaterials für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 3 bis 4 m/sec in
der Radiusrichtung in einem Bereich von 0,02 bis 0,06 (0,02 ≤ a ≤ 0,06) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass der Wert a in der Zusammensetzung aus (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des
Aufzeichnungsmaterials für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 4 bis 6 m/sec in
der Radiusrichtung in einem Bereich von 0,01 bis 0,05 (0,01 ≤ a ≤ 0,05) liegt.
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Für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
ist es bevorzugt, dass der Wert a in der Zusammensetzung aus (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x des
Aufzeichnungsmaterials für
eine Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung von 6 bis 8 m/sec in
der Radiusrichtung in einem Bereich von 0,005 bis 0,04 (0,005 ≤ a ≤ 0,04) liegt.
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In
dem optischen Aufzeichnungsmedium, welches das Aufzeichnungsmaterial
mit der vorstehend erwähnten
Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet, sind sogar
wenn das Aufzeichnungsmedium unvermeidbarer Weise einer Kristallisation
zur Initiierung unterworfen wird, welche einen derart übermäßigen plötzlichen
Temperaturwechsel auf das Aufzeichnungsmaterial aufbringt, dass
einige Materialien vom dem Aufzeichnungsmaterial getrennt werden
und daher bewirkt wird, dass die Aufzeichnung in einem gemischtphasigen
Zustand erfolgt, die getrennten Materialien in einer kristallinen
Phase, die zu der Raumgruppe Fm3m gehört und in einer Gitterübereinstimmungs-Beziehung
mit dem Aufzeichnungsmaterial steht, und Materialien, welche nicht
in einer Gitterübereinstimmungs-Beziehung
mit der kristallinen Phase stehen, die zu der Raumgruppe Fm3m gehört, wie
Sb, Sb2Te3, InSb,
eine amorphe Phase, werden in dem gemischtphasigen Zustand kaum
gebildet.
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Die
Materialien, welche von dem Aufzeichnungsmaterial zur Verwendung
in der vorliegenden Erfindung getrennt werden können, sind ein einzelnes Element,
eine Zweielement- oder Dreielement-Verbindung, eine Legierung oder
eine feste Lösung.
Von diesen Materialien neigen Ib-Vb-VIb, IIIb-Vb-VIb, IIIb-VIb,
Ib-IIIb-VIb, IIIb-Vb, Ib-IIIb-Vb-VIb
feste Lösungen,
Vb, zum Beispiel AgSbTe2, In3SbTe2, AlSbTe2, In4Sb1,2Te2,8,
InTe, die in einem stabilen Zustand sind, metastabile Ag-In-Te feste
Lösung,
metastabile In-Sb-Te feste Lösung,
metastabile Ag-In-Sb-Te feste Lösung,
metastabile Sb3Te feste Lösung, metastabile
Sb-Te feste Lösung,
Sb2Te3, InSb und
Sb dazu, getrennt zu werden.
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Außerdem gehören von
den vorstehenden Materialien die Kristallstrukturen, die durch die
allgemeinen Formeln stabiles IbVbVIb2, stabiles
IIIb3VbVIb2, stabiles
IIIbVIb, metastabiles Vb3VIb, metastabile
Vb-VIb feste Lösung,
metastabile Ib-Vb-VIb feste Lösung,
metastabile IIIb-Vb-VIb feste Lösung
und metastabile Ib-IIIb-Vb-VIb feste Lösung dargestellt werden, wie
AgSbTe2, In3SbTe2, AlSbTe2, In4Sb1,2Te2,8 und InTe,
welche stabil sind, metastabile Ag-In-Te feste Lösung, metastabile In-Sb-Te
feste Lösung,
metastabile Ag-In-Sb-Te feste Lösung,
metastabile Sb3Te feste Lösung, und
metastabile Sb-Te feste Lösung,
zu der Raumgruppe Fm3m und haben eine Gitterkonstante von von etwa
0,615 nm, so dass diese Kristalle in einer Gitterübereinstimmungs-Beziehung
mit dem Aufzeichnungsmaterial des Aufzeichnungsmediums der vorliegenden
Erfindung stehen.
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In
dem Fall, wo der kristallisierte Teil der Aufzeichnungsschicht nur
aus einer einphasigen metastabilen Ib-IIIb-Vb-VIb festen Lösung zusammengesetzt
ist, gibt es keine Korngrenzen, oder sogar wenn irgendwelche kristallinen
Korngrenzen bestehen, bilden die kristallinen Korngrenzen eine verhältnismäßig gute
Gitterverbindung, so dass keine großen Lücken in den Korngrenzen vorhanden
sind und daher ungleichmäßige Wärmeleitfähigkeit
nicht verursacht wird. In diesem Fall kann eine sanfte Grenze zwischen
einem amorphen Teil und einem kristallisierten Teil erhalten werden,
welche eine Intensitätsverteilung
eines Lichtstrahls und ein Zeitprofil davon getreulich wiedergibt,
so dass in Gebieten hoher Aufzeichnungsdichte hervorragende Jitter-Werte
erhalten werden können.
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Das
Aufzeichnungsmaterial mit der Zusammensetzung mit der Formel (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x in welcher
0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,82
und 4a + 2b < 1
gelten, weist eine hervorragende Stabilität gegenüber dem plötzlichen Temperaturwechsel
zum Zeitpunkt der Aufzeichnung unter Verwendung von dessen metastabiler kristallinen
Phase auf.
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Sogar
wenn ein Phasenübergang
in einer metastabilen Ib-IIIb-Vb-VIb festen Lösung stattfindet, und ein gemischtphasiger
Zustand darin gebildet wird, welcher eine Vielzahl von kristallinen
Phasen, einschließlich metastabiler
Phasen und einer stabilen kristallinen Phase, wie In3SbTe2, InTe, In4Sb1,2Te2,8 und Al3SbTe2 beinhaltet,
sind die kristallinen Phasen in der vorstehend erwähnten Gitterübereinstimmungs-Beziehung, so dass das
Aufzeichnungsmaterial mit der vorstehenden Zusammensetzung verhältnismäßig gute
Aufzeichnungsmerkmale behalten kann.
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In
anderen Worten kann die Aufzeichnungsschicht des optischen Aufzeichnungsmediums
der vorliegenden Erfindung ferner ein Aufzeichnungsmaterial mit
stabiler Phase, die zu der Raumgruppe Fm3m gehört, umfassen, so lange das
Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler Phase mit der Zusammensetzung
von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x in welcher
0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,82
gilt, auch die Bedingungen 4a + 2b < 1, a > 0 und b > 0 erfüllen
kann.
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Es
besteht ein Unterschied in der Kristallisationsgeschwindigkeit zwischen
einer Vielzahl von kristallinen Phasen, zum Beispiel zwischen einer
stabilen kristallinen Ib-Vb-VIb
Phase und einer metastabilen kristallinen Vb-VIb Phase, so dass
es bevorzugt ist, dass die metastabile Phase den Hauptteil des Aufzeichnungsmaterials
einnimmt. In der vorstehend erwähnten
Zusammensetzungsformel ist ein Bereich, der die Bedingungen 4a +
2b < 0,5 und a ≤ 0,09 erfüllt, vorzuziehen.
Insbesondere bei einem auf Ag-In-Sb-Te beruhenden Aufzeichnungsmaterial
sind hervorragende Aufzeichnungsmerkmale in einem Bereich hoher
Aufzeichnungsdichte schwierig zu erhalten, wenn die Zusammensetzung
davon die Bedingung 4a + 2b = 1 erfüllt, innerhalb deren es für die metastabile
Phase zum Beispiel wegen einem Unterschied der Kristallisationsgeschwindigkeit
zwischen In3SbTe2 und
AgSbTe2 schwierig ist, zu existieren.
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Wenn
der kristallisierte Teil der Aufzeichnungsschicht aus einer Vielzahl
von kristallinen Phasen, die wie nach dem Stand der Technik nicht
in der Gitterübereinstimmungs-Beziehung
stehen, zusammengesetzt ist, und daher die Übereinstimmung an den Oberflächen der
Korngrenzen nicht gut ist, werden unbesetzte Löcher gebildet und/oder es erfolgt
Absonderung, so dass die Wärmeleitfähigkeit
in dem Korngrenzengebiet ungleichmäßig wird.
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Außerdem unterscheidet
sich die Kristallisationsgeschwindigkeit allgemein in jedem Korn,
so dass die Grenze zwischen dem kristallinen Teil und dem amorphen
Teil dazu neigt, die Kristallkorngrenze wiederzugeben, und demgemäss wird
die Grenze zwischen dem kristallinen Teil und dem amorphen Teil
ungleichmäßig. Als
ein Ergebnis können
in dem vorstehend erwähnten
Fall in dem Gebiet hoher Aufzeichnungsdichte hervorragende Aufzeichnungsmerkmale
nicht erhalten werden. Wenn die Kristallkörner fein gemacht werden, so dass
sie einen Korndurchmesser in der Größenordnung von einigen nm haben,
kann die Kristallkorngrenze sanft gemacht werden, das Problem in
Bezug auf die Erreichung hoher Aufzeichnungsdichte bleibt aber ungelöst. Außerdem findet
an der Grenze von Körnern,
die nicht in der Gitterübereinstimmungs-Beziehung
stehen, Verwerfung statt, und die Grenzschicht-Energie an der Grenze
wird erhöht,
so dass nachteilige Erscheinungen, wie die Erniedrigung der Kristallisationsgeschwindigkeit
und die Korrosion der Korngrenze, auftreten. Daher ist das Verfahren,
die kristallinen Körner
fein zu machen, für
das Erreichen hoher Aufzeichnungsdichte nicht geeignet.
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Im
Gegensatz dazu gehören
in der vorliegenden Erfindung die kristallinen Phasen zu der gleichen Raumgruppe
Fm3m und die Gitterkonstanten davon liegen so nahe beieinander,
dass die Verbindung der Korngrenze so gut wie in einem einphasigen
Zustand ist, sogar wenn der kristallisierte Teil der Aufzeichnungsschicht
aus einer Vielzahl von kristallinen Phasen, wie einer Vielzahl von
metastabilen Aufzeichnungskomponenten und einer Kombination von
metastabilen Aufzeichnungskomponenten und einem Aufzeichnungsmaterial
mit stabiler Phase zusammengesetzt ist. Daher ist, sogar wenn ein
Unterschied im Kristallisationsgrad zwischen der Vielzahl von kristallinen
Phasen vorhanden ist, die Ungleichmäßigkeit der Wärmeleitfähigkeit
verhältnismäßig gering,
und es können
in dem vorstehend erwähnten
Fall die denjenigen in einem einphasigen Zustand gleichwertigen
Aufzeichnungsmerkmale erreicht werden.
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Bei
der Initialisierungs-Kristallisation des optischen Aufzeichnungsmediums
vom Phasenänderungstyp
der vorliegenden Erfindung wird zum Beispiel eine Laserstrahl-Initialisierung verwendet,
weil sie geeignet für
die Bildung der metastabilen Phase ist. Es ist besonders bevorzugt,
dass das Aufzeichnungsmaterial für
die vorliegende Erfindung mit der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x die Struktur einer einphasigen, metastabilen
festen Lösung
hat.
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Andere
Merkmale der Erfindung werden im Verlauf der folgenden Beschreibung
von beispielhaften Ausführungsformen
ersichtlich werden, die zur Veranschaulichung der Erfindung geboten
werden und nicht dazu gedacht sind, diese zu beschränken.
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Die
Abbildung ist eine schematische Querschnittsansicht eines Beispiels
eines optischen Aufzeichnungsmediums vom Phasenänderungs-Typ 1 der
vorliegenden Erfindung.
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Das
optische Aufzeichnungsmedium vom Phasenänderungs-Typ 1 ist
aus einem Polycarbonat-Substrat 2 mit Führungsrillen und einer ersten
Schutzschicht 3, die aus ZnS·SiO2 mit
einer Dicke von 160 nm zusammengesetzt ist, einer Aufzeichnungsschicht 4 aus
AgInSnTe mit einer Dicke von 20 nm, einer zweiten Schutzschicht 5,
die aus ZnS·SiO2 mit einer Dicke von 20 nm zusammengesetzt
ist, einer Reflexions- und Wärmeabfuhrschicht 6,
die aus Al·Ti
mit einer Dicke von 100 nm zusammengesetzt ist, und einer Schutzschicht 7 gegenüber der
Umgebung, die aus einem UV-härtbaren
Harz mit einer Dicke von 5 mm hergestellt ist, die aufeinanderfolgend
auf dem Polycarbonat-Substrat 2 überlagert sind, zusammengesetzt.
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Das
optische Aufzeichnungsmedium 1, das mit der vorstehend erwähnten geschichteten
Struktur hergestellt ist, wird auf eine Temperatur von 30° bis 80°C erwärmt und
dann initialisiert, wodurch ein optisches Aufzeichnungsmedium der
vorliegenden Erfindung erhalten werden kann. Das optische Aufzeichnungsmedium
1 wird so hergestellt, dass es gemäß dem CAV-System zu verwenden
ist, bei welchem die Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung sich
in der Radiusrichtung des Aufzeichnungsmediums 1 unterscheidet.
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Die
Aufzeichnungsschicht 4 ist aus dem Aufzeichnungsmaterial mit metastabiler
Phase, das zu der Fm3m-Raumgruppe gehört, mit einer Zusammensetzung
von (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, in
welchem 0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,82
gilt, zusammengesetzt, und es werden die Veränderungen in dessen optischen
Merkmalen bei dem Phasenübergang
von dem kristallinen Zustand zu einem amorphen Zustand und umgekehrt
verwendet. Die kristalline Struktur des metastabilen Aufzeichnungsmaterials
zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung kann mit einem herkömmlichen
Verfahren identifiziert werden.
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Das
Aufzeichnungsmedium 1 ist scheibenförmig und bildet so ein scheibenförmiges optisches
Aufzeichnungsmedium vom Phasenänderungstyp,
und die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht 4 wird in der Radiusrichtung
des scheibenförmigen
Aufzeichnungsmediums 1 gemäß den Veränderungen
der Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung für das scheibenförmige Aufzeichnungsmedium
verändert.
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Tabelle
1 zeigt die Zusammensetzung des Aufzeichnungsmaterials und dessen
kristalline Struktur, das in jedem der Aufzeichnungsmedien mit den
Aufzeichnungsschichten 1 bis 13 der vorliegenden Erfindung und einem
zum Vergleich dienenden Aufzeichnungsmedium mit der Aufzeichnungsschicht
14 verwendet wird, und die Leistung von jedem Aufzeichnungsmedium.
Bei der Ermittlung der Leistung von jedem der Aufzeichnungsmedien
wurde die gleiche Aufzeichnungsstrategie (das Muster der Lichtemission
der Laserdiode zum Zeitpunkt der Aufzeichnung), wie diejenige, die
bei der CD-RW verwendet wird, verwendet. Wievielmal Aufzeichnungen
möglich
sind, wurde auf der Grundlage einer maximalen Anzahl der Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungen,
bei welcher ein Jitter-Wert σ/TW,
standardisiert mit einer Fensterbreite TW davon, 13% nicht übertrifft, bestimmt
und bewertet.
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Die
in Tabelle 1 gezeigten Ergebnisse zeigen an, dass die Lineargeschwindigkeit
der Aufzeichnung, bei welcher die Anzahl der möglichen Aufzeichnungswiederholungen
mit Sicherheit 1000fach übersteigt,
1 bis 2 m/sec war, wenn der Silbergehalt in der Aufzeichnungsschicht
Nr. 1 0,09 war (a = 0,09), 1 bis 3 m/sec war, wenn der Silbergehalt
in der Aufzeichnungsschicht Nr. 2 0,07 war (a = 0,07), 1 bis 4 m/sec
war, wenn der Silbergehalt in der Aufzeichnungsschicht Nr. 3 0,06
war (a = 0,06), 1 bis 6 m/sec war, wenn der Silbergehalt in der
Aufzeichnungsschicht Nr. 4 0,05 war (a = 0,05), 2 bis 8 m/sec war,
wenn der Silbergehalt in den Aufzeichnungsschichten Nr. 5, Nr. 6
und den Nr. 10 bis 14 0,04 (a = 0,04) und 0,3 (a = 0,03) war, 3
bis 8 m/sec war, wenn der Silbergehalt in der Aufzeichnungsschicht
Nr. 7 0,02 war (a = 0,02), 4 bis 8 m/sec war, wenn der Silbergehalt
in der Aufzeichnungsschicht Nr. 8 0,01 war (a = 0,01) und 6 bis
8 m/sec war, wenn der Silbergehalt in der Aufzeichnungsschicht Nr.
9 0,005 war (a = 0,005). In anderen Worten liegt für die Lineargeschwindigkeiten
von 1 bis 2 m/s, 2 bis 3 m/s, 3 bis 4 m/s, 4 bis 6 m/s, und 6 bis
8 m/s der Bereich des Gehaltes (a) an Silber jeweils in dem Bereich
von 0,05 ≤ a ≤ 0,09, 0,03 ≤ a ≤ 0,07, 0,02 ≤ a ≤ 0,06, 0,01 ≤ a ≤ 0,05 und
0,005 ≤ a ≤ 0,04. Ein
Teil des Ag oder dessen Gesamtheit kann durch Au ersetzt sein, um
die gleichen Ergebnisse wie vorstehend erwähnt zu erhalten.
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Die
Kristallisation zur Initialisation der Aufzeichnungsschichten Nr.
1 bis 13 wurde mittels Laserstrahl-Bestrahlung durchgeführt, und
die Kristallisation zur Initialisation der Aufzeichnungsschicht
Nr. 14 wurde mittels Lampen-Tempern durchgeführt. Die in TABELLE 1 gezeigten
Ergebnisse zeigen an, dass die Wiederholtverwendungseigenschaften
der Aufzeichnungsmaterialien mit der Zusammensetzung (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, in
welchen 0,72 ≤ x
+ 2a + 7b/6 ≤ 0,82
gilt, gut sind. Um hervorragend gleichmäßige Wiederholtverwendungseigenschaften
zu gewährleisten,
ist es bevorzugt, dass der Wert von x + 2a + 7b/6 konstant ist,
noch bevorzugter, dass der Wert innerhalb eines Abweichungsbereiches
von ±0,02
gleichmäßig ist.
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Wie
in TABELLE 1 gezeigt, hat das in der Aufzeichnungsschicht 14 verwendete
Aufzeichnungsmaterial eine kristalline Struktur von f.c.c + rhomboedrische
Struktur, welche von fm3m gänzlich
verschieden ist, so dass das in der Aufzeichnungsschicht 14 verwendete
Aufzeichnungsmaterial nicht verwendet werden kann, obwohl die Zusammensetzung
des in der Aufzeichnungsschicht 14 verwendeten Aufzeichnungs materials
innerhalb des Bereichs der Zusammensetzung des Aufzeichnungsmaterials
mit metastabiler Phase zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung
liegt, das zu der Raumgruppe fm3m gehört.
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Beispiele 1 bis 4
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Es
wurden scheibenförmige
optische Aufzeichnungsmedien vom Phasenänderungstyp Nr. 1 bis Nr. 4 mit
einer geschichteten Struktur, wie in der Abbildung gezeigt, hergestellt,
wobei die Zusammensetzung des Aufzeichnungsmaterials in der Aufzeichnungsschicht
4 sich in deren Radiusrichtung unterschied, wie in TABELLE 2 gezeigt.
In TABELLE 2 zeigt zum Beispiel „r = 23" eine Stelle mit 23 mm Abstand in der
Radiusrichtung von der Mitte von jedem der scheibenförmigen optischen
Aufzeichnungsmedien vom Phasenänderungstyp
Nr. 1 bis Nr. 4 an.
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Unter
Verwendung dieser optischen Aufzeichnungsmedien wurde der Zusammenhang
zwischen der Anzahl der Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungen, der
Zusammensetzung und der kristallinen Struktur nach der Initialisierung
des in jedem der scheibenförmigen
optischen Aufzeichnungsmedien vom Phasenänderungstyp Nr. 1 bis 4 verwendeten
Aufzeichnungsmaterials untersucht. Die Ergebnisse werden in TABELLE 2
gezeigt.
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In
Beispiel 1 wurde der Gehalt an Ag (Gruppe Ib) so verändert, dass
er von der Position in der Radiusrichtung des Aufzeichnungsmediums
Nr. 1 abhing, und demgemäss
wurden der Gehalt an Sb (Gruppe Vb) und der Gehalt an Te (Gruppe
VIb) verändert,
um eine optimale Anzahl von Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungen zu
erhalten. Auf diese Weise wurde auf der gesamten Oberfläche des
Aufzeichnungsmediums Nr. 1 bei CAV-Aufzeichnung mit 900 Upm eine
hohe Anzahl von Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungen erhalten.
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In
Beispiel 2 wurde in dem Aufzeichnungsmaterial in der Aufzeichnungsschicht
des Aufzeichnungsmediums Nr. 2 ein Teil des Ag durch Au ersetzt.
Mit Bezug auf die Aufzeichnungsleistung wurden die gleichen Ergebnisse
wie in Beispiel 1 erhalten.
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In
Beispiel 3 wurden die Gehalte an Ag und Au in der Radiusrichtung
des Aufzeichnungsmediums Nr. 3 verändert, und es wurden auch Bi
(Gruppe Vb) und Se (Gruppe VIb) dem Aufzeichnungsmaterial zugesetzt, und
das Aufzeichnungsmedium Nr. 3 wurde der CAV-Aufzeichnung bei 1200
Upm unterworfen. Das Ergebnis war, dass die Leistung der Wiederholtverwendungs-Aufzeichnung
auf dessen gesamter Oberfläche
gut war.
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In
Beispiel 4 wurden die Gehalte an Ag (Gruppe Ib) und In (Gruppe IIIb)
so verändert,
dass sie von der Position in der Radiusrichtung des Aufzeichnungsmediums
Nr. 4 abhingen, und demgemäss
wurden auch der Gehalt an Sb (Gruppe Vb) und der Gehalt an Te (Gruppe
VIb) verändert,
um eine optimale Anzahl von Wiederholtverwendungs-Aufzeichnungen
zu erhalten. Das Ergebnis war, dass die Leistung der Wiederholtverwendungs-Aufzeichnung
bei hoher Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung um so besser war,
je höher
der Gehalt an In war.