DE69903270T2 - Stromversorgungen für elektronische steuereinrichtungen - Google Patents

Stromversorgungen für elektronische steuereinrichtungen

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Stromversorgungen für Mikroprozessoren, die als elektronische Steuereinheiten/Steuergeräte (ECUs) in Fahrzeugen wirken, und betrifft hauptsächlich den "Lastabwurf"-Schutz und die EIN-AUS-Steuerung solcher Vorrichtungen.
  • Steuergeräte für Kraftfahrzeuge müssen in der Lage sein, großen Energieübergängen an der Versorgung + des Steuergerätes, die als "Lastabwurf" bezeichnet werden, ohne Beschädigung standzuhalten. Es ist häufig erwünscht, dass das Steuergerät während eines "Lastabwurfs" voll funktionsfähig ist. Die meisten Spannungsregler weisen eine Art von eingebautem "Lastabwurf"-Schutz auf, der das Abschalten des Reglers während eines solchen "Lastabwurfs" umfassen kann. Daher besteht die Anforderung, dass das Steuergerät durch einen "Lastabwurf nicht beschädigt werden darf. Außerdem muss das Steuergerät möglicherweise während eines "Lastabwurfs" arbeiten und voll funktionsfähig sein.
  • Der Spannungsregler in dem Steuergerät muss möglicherweise bei einer Umgebungstemperatur von +125ºC arbeiten. Die in dem Regler dissipierte Leistung ist gleich (Versorgungsspannung - Ausgangsspannung) · Durchlassstrom. Wenn das Fahrzeug einen defekten Generator aufweist oder während einer schweren Ladung kann die Spannung an B&spplus; bis zu 18 V betragen. Während eines Starts mit Starthilfe kann die Batteriespannung 5 Minuten lang bis zu 25 V betragen. Das Steuergerät muss unter Umständen während hoher Batteriespannungen und Starts mit Starthilfe voll funktionsfähig sein. Des Weiteren muss das Steuergerät möglicherweise während eines Motorstartvorgangs bei einer niedrigen Batteriespannung arbeiten. Um die niedrigste Betriebsspannung zu erreichen, muss jede Komponente vor dem Spannungsregler einen so kleinen Spannungsabfall wie möglich verursachen, um die Betriebsspannung des Steuergeräts so weit wie möglich zu vergrößern.
  • Das Steuergerät kann jederzeit mit der Versorgung B&spplus; des Fahrzeugs verbunden sein, jedoch ferngesteuert aktiviert werden. Wenn die Vorrichtung ferngesteuert aktiviert wird, kann das Steuergerät dann aktiviert bleiben, nachdem das Aktivierungsfernsteuersignal inaktiv wird. Das Steuergerät muss einen sehr niedrigen Ruhestrom aufweisen, wenn es inaktiv ist.
  • Eine herkömmliche Schaltung zur Bereitstellung der zuvor genannten "Lastabwurf- Funktion umfasst einen Serienwiderstand in der Leitung B&spplus; vor dem Regler und eine Zener-Diode parallel zum Reglereingang. Ein Beispiel einer solchen Schaltung ist in Fig. 1 der beigefügten Zeichnungen gezeigt. Fig. 1 zeigt einen Spannungsregler 10, der mittels einer Diode D&sub1; und eines Widerstands R&sub1; mit einer Spannungsversorgung B&spplus; gekoppelt ist, wobei eine Zener-Diode Z&sub1; und ein Elektrolytkondensator C&sub1; zwischen dem Reglereingang und der anderen Versorgungsleitung 12 angeschlossen sind.
  • Um eine ferngesteuerte Ein- und Ausschaltung des Spannungsreglers zu ermöglichen, umfasst diese Schaltung ebenfalls einen Schalttransistor Tr&sub1; in der Reglereingangsleitung 14, der mit Hilfe eines zweiten Transistors Tr&sub2; gesteuert werden kann, indem Signale eingerichtet werden, die über jeweilige Dioden D&sub2; und D&sub3; eingeführt werden. Die Durchschaltpegel werden mit Hilfe von Widerständen R&sub3;, R&sub4; und R&sub5; geregelt.
  • Unter Verwendung dieser bekannten Schaltung werden Rückwärtsspannungen von der Diode D&sub1; blockiert. Überspannungsübergänge werden von der Kombination aus R&sub1; und D&sub1; absorbiert. Tr&sub1; und Tr&sub2; bilden einen Oberspannungsschalter, der ermöglicht, dass der Spannungsregler selektiv mit der Versorgung B&spplus; verbunden wird. Der Kondensator C&sub1; speichert Ladung derart, dass dem Spannungsregler ermöglicht wird, den Betrieb während negativer Spannungspitzen und während vorübergehender Unterbrechungen in der Versorgung B&spplus; aufrechtzuerhalten.
  • Der Wert des Widerstands R&sub1; wird so gewählt, dass er einen übermäßigen Stromfluss durch die Zener-Diode Z&sub1; und eine Beschädigung derselben verhindert. Der Wert des Widerstands R&sub1; erzeugt einen Spannungsabfall, der die Betriebsleistung des Steuergeräts bei niedriger Spannung beeinträchtigt. Das letztere Problem ist typischerweise schwerwiegender, wenn der Laststrom normalerweise groß ist. Die Nennspannung des Kondensators muss mindestens die maximale Klemmenspannung der Zener-Diode Z&sub1; sein.
  • Diese bekannte Schaltung weist folgende Nachteile auf:
  • a) R&sub1; verhindert einen Betrieb bei niedriger Spannung.
  • b) Wenn Z&sub1; beschädigt ist (offener Stromkreis), ist der Betrieb des Steuergeräts beeinträchtigt und der Spannungsregler kann sich abschalten oder überlastet sein.
  • c) Z&sub1; ist eine redundante Betriebskomponente während Normalbetriebs.
  • d) Die Nennbetriebsspannung von C&sub1; sollte die Klemmenspannung von Z&sub1; sein; dies kann dazu führen, dass die Komponentengröße von C&sub1; physikalisch groß ist.
  • e) Der Spannungsregler erfasst stets die Batteriespannung B&spplus;, wenn die Schaltung eingeschaltet ist; dies kann eine übermäßige Wärmedissipation in der Spannungsreglerverbindung verursachen.
  • Aus DE-A-41 10 495 ist eine elektronische Halbleiterschaltung bekannt, die eine Schutzvorrichtung zum Schutz gegen eine Versorgungsspannungsüberlast aufweist. Mit Hilfe einer ersten Zener-Diode wird eine Versorgungsspannung durch einen ersten Transistor vorgeregelt, der als ein nichtlinearer Widerstand wirkt. Wenn eine Lastabwurfspannung an der Spannungsversorgungsleitung auftritt, wird der Strom durch den nichtlinearen Widerstand durch die Verwendung einer zweiten Zener-Diode blockiert, die leitend wird, wenn die Versorgungsspannung einen Betriebswert überschreitet, wobei ein weiterer Transistor ebenfalls leitend wird und der Steuerstrom an der Basiselektrode des ersten Transistors verringert wird. Schließlich erreicht der nichtlineare Widerstand, der von dem ersten Transistor bereitgestellt wird, effektiv einen nichtleitenden Zustand.
  • Aus JP-A-55112618 ist die Verwendung eines N-MOSFET bekannt, dessen Gateelektrode so angeordnet ist, dass es auf einem im Wesentlichen festen Potential gehalten wird, und dessen Drainelektrode und Sourceelektrode zwischen der Stromquelle und der Last angeschlossen sind. Wenn die Stromversorgungsspannung zunimmt und der Drain strom dabei ist, zuzunehmen, wird das Gatepotential auf das Sourcepotential verringert, der Anstieg des Drainstroms wird beschränkt und die Spannung, die an die Last angelegt wird, wird nicht vergrößert.
  • EP-A-0632562 betrifft keinen Überlastschutz, sondern eine Spannungsreglerschaltung, die eine variable Impedanz umfasst. Eine Reglerschaltung liefert eine geregelte niedrige Gleichspannung, die von einer ungeregelten Spannung abgeleitet wird, die von einem Paar redundanter Batterien bereitgestellt wird. Die Reglerschaltung umfasst eine Regelungssteuerung, die auf ein Rückführungssignal anspricht, das aus der Überwachung der regulierten Spannung entwickelt wird, um die regulierte Spannung auf einem gewünschten Pegel zu halten. Batteriemonitore überwachen die Spannungspegel der verwendeten Batterien und schalten den Regler ab, wenn die Batteriespannungen unter einen vorherbestimmten Spannungspegel abfallen, um die Lebensdauer der Batterie zu erhalten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 1 geschaffen.
  • Demgemäß nimmt der Widerstand, der zwischen der Versorgung B&spplus; und dem Spannungsregler eingeführt ist, mindestens oberhalb eines vorherbestimmten niedrigeren Betriebspegels zum Beispiel 7 V zu, wenn der Wert der Versorgungsspannung B&spplus; zunimmt.
  • Vorteilhafterweise ist ein Aktivierungssignal für die Ladungspumpe ebenfalls so ausgelegt, dass es der Gateelektrode des N-MOSFET für anfängliche Einschaltzwecke zugeführt wird.
  • Die Erfindung wird im Folgenden beispielhaft unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, bei denen:
  • Fig. 1 ein Schaltplan einer bekannten Anordnung ist, die eine EIN-AUS-Funktion und eine "Lastabwurf"-Dissipation bereitstellt; und
  • Fig. 2 ein Schaltplan einer Ausführungsform einer Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 2 umfasst die Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung einen Spannungsregler 10, der über eine Diode D&sub1; mit einer Fahrzeugversorgung B&spplus; gekoppelt ist, und einen Sourceelektrodenfolger des N-MOSFET 16, dessen Sourceelektrode S mit der Eingangsleitung 18 zum Spannungsregler 10 verbunden ist und dessen Drainelektrode D mit der Diode D&sub1; verbunden ist. Die Gateelektrode G des N-MOSFET 16 ist erstens an den Ausgang einer Ladungspumpe 20, zweitens durch den Parallelanschluss einer Zener-Diode Z&sub2; und eines Widerstands R&sub7; an die andere Versorgungsleitung 22 und drittens mit Hilfe eines Widerstands R&sub6; an ein Paar Aktivierungsdioden D&sub4; und D&sub5; angeschlossen. Die Dioden D&sub4; und D&sub5; sind ebenfalls an einen Aktivierungseingang der Ladungspumpe 20 angeschlossen, wobei die letztere Ladungspumpe 20 eine Stromversorgungsleitung 24 aufweist, die an die Reglereingangsleitung 18 angeschlossen ist. Wie zuvor ist ein Elektrolytkondensator C&sub1; zwischen den Schienen 18, 22 angeordnet. Diese Schaltung arbeitet wie folgt.
  • Wenn die Spannung Vs an der Sourceelektrode des N-MOSFET geringer ist als die Spannung VG an seiner Gateelektrode, ist der N-MOSFET leitend. Sonst ist er nichtleitend und stellt effektiv einen hohen Widerstand bereit. Wenn der N-MOSFET nichtleitend ist, wird demgemäß die Spannung an der Leitung 18 niedrig gehalten, und der Spannungsregler ist ausgeschaltet und liefert keinen Strom an die ECU, die nachgeschaltet ist (nicht gezeigt).
  • Zur Einschaltung wird ein Aktivierungssignal (normalerweise die Batteriespannung B&spplus;) an eine der Aktivierungsdioden D&sub4;, D&sub5; angelegt. Dies erhöht die Spannung an der Gateelektrode des N-MOSFET auf Batteriespannung, so dass sie dann auf einer höheren Spannung ist ab die Sourceelektrode Vs. Dadurch wird der N-MOSFET leitfähig. Das Aktivierungssignal wird ebenfalls an die Ladungspumpe angelegt, und dies führt dazu, dass die Ladungspumpe die Gatespannung VG schnell auf 12 V erhöht, wodurch der MOSFET weiter eingeschaltet wird, so dass er als ein VOR-Spannungsregler wirkt.
  • Sobald der MOSFET zu leiten begonnen hat, steigt die Spannung an der Leitung 18 und liefert über die Leitung 24 eine Speisespannung für die Ladungspumpe 20, die im Fall von Aktivierungsimpulsen ihren Betrieb aufrecht hält, wenn der Aktivierungssignalimpuls beendet ist. Die Gateelektrodenspannung VG wird dann mittels der Ladungspumpe und der Zener-Diode Z&sub2; auf einem festen Potential gehalten. Die Spannung an der Sourcelektrode 5 ist typischerweise 2 V kleiner als die Spannung an der Gateelektrode. Wenn die Versorgungsspannung kleiner als die Gateelektrodenspannung ist, wird der N-MOSFET angereicherter, bis er vollständig eingeschaltet (leitend) ist, wenn die Batteriespannung typischerweise etwa 7 Volt (oder weniger) beträgt. Wenn der MOSFET vollständig eingeschaltet ist, befindet sich der Spannungsabfall vor dem Spannungsregler auf einem Minimum. Wenn jedoch die Batteriespannung (aus welchem Grund auch immer) ansteigt, nimmt der Widerstand des MOSFET fortschreitend zu, da die Bedingung, dass Vs kleiner ist als VG, schließlich nicht mehr zutrifft. "Lastabwurf"-Energie, die in der herkömmlichen Schaltung in der Spannungsreglerverbindung absorbiert werden würde, wird dann in der MOSFET-Verbindung absorbiert. Das Ergebnis dieses Vorgangs ist, dass der Widerstand des MOSFET, wenn B&spplus; über ihren Normalpegel ansteigt, fortschreitend zunimmt, so dass Vs auf einer im Wesentlichen festen Spannung gehalten wird, typischerweise im Bereich von 10 V.
  • Die oben beschriebene Schaltung aus Fig. 2 stellt daher folgende Funktionen bereit:
  • a) EIN/AUS-Schalten des Steuergeräts
  • b) Bereitstellen eines "Lastabwurf"-Schutzes vor dem Spannungsregler;
  • c) Erweitern des Betriebsspannungsbereichs des Steuergeräts; und
  • d) Bereitstellen einer VOR-Regelung, um die Wärme zu minimieren, die in dem Spannungsregler dissipiert wird.
  • Des Weiteren können durch die Schaltung aus Fig. 2 die folgenden Vorteile erzielt werden:
  • 1. Die Nennspannung des Kondensators C kann niedriger sein, wodurch die Nutzung des verfügbaren gespeicherten Energiepotentials des Kondensators C bedeutend verbessert wird.
  • 2. Die Leistung, die normalerweise in der Spannungsregler-Verbindung dissipiert wird, wird verringert, da die VOR-Spannungsregelungsfunktion Energie absorbiert, die in der Spannungsregler-Verbindung dissipiert werden würde.
  • 3. Es kann eine größere Auswahl von Spannungsreglern verwendet werden.
  • 4. Das Steuergerät kann bei einer niedrigeren Versorgungsspannung arbeiten.
  • 5. Das Steuergerät kann bei einer höheren Spannung arbeiten.
  • 6. Das Steuergerät ist während eines Lastabwurfs und bei Startbedingungen mit Starthilfe voll funktionsfähig.
  • 7. Das Steuergerät weist bedeutende thermische Vorteile auf.
  • 8. Der Betrieb des "Lastabwurf"-Schutzes kann getestet werden.
  • 9. Die Klemmenspannung eines "Lastabwurfs" ist dieselbe wie die VOR-Reglerspannung.

Claims (2)

1. Spannungsversorgungsschaltung für eine ECU der Art, bei der eine Versorgungsspannung über eine Steuervorrichtung mit einem Spannungsregler (10) verbunden ist, wobei mindestens oberhalb eines vorherbestimmten unteren Betriebswertes die Steuervorrichtung dafür ausgelegt ist, einen Widerstand eines zunehmend höheren Wertes zwischen der Versorgungsspannung (B&spplus;) und dem Spannungsregler abhängig von zunehmenden Werten der Versorgungsspannung (B&spplus;) einzufügen, um dadurch den Spannungsregler (10) fortschreitend von der Versorgungsspannung (B&spplus;) zu isolieren, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuervorrichtung so angeordnet ist, dass sie den Spannungsregler von der Versorgungsleitung (B&spplus;) trennt, bis sie von einem entfernten Aktivierungssignal aktiviert wird, dass die Steuervorrichtung einen N-MOSFET umfasst, dessen Drainelektrode (D) und Sourceelektrode(n) zwischen der einen Seite (B&spplus;) der Versorgungsleitung und dem Spannungsregler (10) angeschlossen sind und dessen Gatelektrode (G) so angeordnet ist, dass sie auf einem im Wesentlichen festen Potential gehalten wird, indem sie erstens mit dem Ausgang einer Ladungspumpe (20) und zweitens über eine Zener-Diode (Z&sub2;) mit der anderen Seite (22) der Versorgungsleitung verbunden ist und die Ladungspumpe (20) so ausgelegt ist, dass sie über eine Verbindung zu der Versorgungsleitung (B&spplus;), die dem N-MOSFET nachgeschaltet ist, gespeist werden kann.
2. Spannungsversorgungsschaltung nach Anspruch 1, wobei ein Aktivierungssignal für die Ladungspumpe (20) ebenfalls so ausgelegt ist, dass es der Gateelektrode des N-MOSFET für anfängliche Einschaltzwecke zugeführt wird.
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