DE69833294T2 - Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten - Google Patents

Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten Download PDF

Info

Publication number
DE69833294T2
DE69833294T2 DE69833294T DE69833294T DE69833294T2 DE 69833294 T2 DE69833294 T2 DE 69833294T2 DE 69833294 T DE69833294 T DE 69833294T DE 69833294 T DE69833294 T DE 69833294T DE 69833294 T2 DE69833294 T2 DE 69833294T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sputtering
magnetic
plate
substrate
head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69833294T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69833294D1 (de
Inventor
Edgar Frohnmayer
Klaus Rij
Dr. Stephan Spinzig
Irene Springer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HGST Netherlands BV
Original Assignee
Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV filed Critical Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority to DE69833294T priority Critical patent/DE69833294T2/de
Publication of DE69833294D1 publication Critical patent/DE69833294D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69833294T2 publication Critical patent/DE69833294T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

  • Schutzumfang der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung von Magnetplatten. Insbesondere betrifft sie ein Verfahren zur Regelung der Mikrorauigkeit der Oberflächen von Magnetplatten.
  • Stand der Technik
  • Magnetplatten sind Datenspeichervorrichtungen mit einer sehr großen Speicherkapazität. Ca. 400 Millionen Zeichen (Bytes) können auf einer etwa 95 mm großen Magnetplatte gespeichert werden.
  • Neben der hohen Speicherdichte müssen die Platten auch exakte mechanische und auch bestimmte tribologische Eigenschaften aufweisen. Beim späteren praktischen Einsatz bewegen sich die Platten mit etwa 5400 Umdrehungen pro Minute. Das bedeutet, dass der äußere Rand der Platte eine Geschwindigkeit von bis zu 100 km/h erreicht, während der Lese/Schreib-Kopf weniger als ein zehntausendstel Millimeter (< 100 nm) von der Oberfläche der Platte entfernt ist.
  • Nur wenn bei der Herstellung und bei der statistischen Prozesslenkung auf äußerste Genauigkeit geachtet wird, ist es möglich, diese Qualitätsanforderungen zu erfüllen.
  • Aufgrund seiner hohen Dichte wird in modernen Magnetplatten mit hoher Kapazität ein magnetisches Dünnschichtmedium zur Speicherung der Daten verwendet. In einer im Allgemeinen weit verbreiteten Anordnung liegt ein Magnetkopf auf der Oberfläche der Magnetplatte innerhalb einer datenfreien Start-Stopp-Außenrandzone, wenn die Magnetplatte nicht in Betrieb ist.
  • Eine alternative Anordnung ist der so genannte Load/Unload-Mechanismus, bei dem der Dünnschichtkopf außerhalb der Platte aufsitzt und nur über die Plattenoberfläche geführt wird, wenn er eine Lese/Schreibaktivität durchführt.
  • Als Ergebnis der Drehbewegung der Platte wird bei beiden Vorgängen zwischen Kopf und Platte ein Luftpolster gebildet, der den Kopf stützt.
  • Die an der Grenzschicht zwischen Magnetkopf und Platte vorherrschenden Bedingungen werfen eine Reihe von tribologischen Problemen auf. In der beschriebenen Anordnung, bei welcher der Kopf innerhalb der Start/Stopp-Zone aufliegt, gleitet der Kopf über die Oberfläche der Platte, bis die Drehgeschwindigkeit der Platte hoch genug ist, um den Kopf aufzuheben. Eine Verunreinigung der Oberfläche, die aus dem Kontakt des Kopfs mit der Platte resultieren kann, kann zu einem Abrieb der korrosionsbeständigen Beschichtungen auf der Platte und zu einem frühzeitigen Versagen der Platte oder des Kopfs führen.
  • Um Abrieb und Verschleiß zu verringern, wird die Magnetplatte üblicherweise mit einem Gleitmittel versehen. Wenn die Oberfläche der Platte jedoch im Wesentlichen glatt ist, führt die hohe Oberflächenenergie des Gleitmittels zu einer deutlich verstärkten Haftung zwischen Kopf und Platte (Haftreibung). Als Folge nimmt die Kraft zu, die zum Drehen der Platte und Anheben des Kopfs erforderlich ist. Das kann leicht zu einer Verformung und Beschädigung der äußerst empfindlichen Magnetkopfaufhängung und somit zum Ausfall des gesamten Laufwerks führen.
  • Um diese ungewünschte Haftwirkung zu verringern, wird die Oberfläche der Magnetplatte üblicherweise vor Auftragung der magnetisch aktiven Dünnschicht aufgeraut, d.h. ihr wird eine Struktur gegeben, sodass der Kopf, wenn er über die Oberfläche gleitet, auf der er auf der Platte aufliegt, anstatt mit der glatten Plattenoberfläche mit sehr geringer Rauigkeit in Kontakt kommt. Bei solch einem Strukturierungsverfahren werden entweder eine Reihe von sehr kleinen Rillen oder Furchen in die Magnetplatte geschliffen (mechanische Strukturierung) oder erwünschte Erhebungen durch lokales Aufschmelzen erzeugt (Laserstrukturierung). Beispiele für solche Strukturierungsverfahren finden sich in den US-Patenten 4.287.225; 4.698.251: 4.735.840 und 4.973.496.
  • Auch bei der so genannten Load/Unload-Anordnung, bei welcher der Magnetkopf außerhalb der Platte „geparkt" wird, spielt die Strukturierung oder Oberflächenrauigkeit der Magnetplatte eine große Rolle in Bezug auf den geringstmöglichen magnetisch wirksamen Spalt zwischen Magnetkopf und Platte.
  • IBM TDB Bd. 34, Nr. 5, S. 381-382, beschreibt die Verwendung von Plasmaverfahren zur Herstellung von zufälligen Nanostrukturen auf einer Oberfläche.
  • Die EP-A-0 567 748 offenbart die Herstellung und Verwendung von rauen Siliciumoberflächen. Die Herstellung solcher Oberflächen unter Kontrolle der Rauigkeitsdichte umfasst a) ein LPCVD-Verfahren (Low Pressure Chemical Vapour Deposition) im Bereich von 1-5 mTorr und b) die Verwendung einer Oberfläche aus thermischem SiO2, das bei einer Temperatur im Bereich von 500-600 °C nur eine geringe Reaktion mit SiH4 durchläuft. Eine Siliciumoberfläche, die auf solche Weise behandelt wurde, wird beispielsweise unter anderem als Substrat für Magnetplatten mit geringer Haftreibung verwendet.
  • Research Disclosure n289, Mai 1988, offenbart das Aufdampfen einer so genannten Metallgrundierung auf ein Substrat, um eine Strukturierung zu erreichen. Der aufgedampfte Metallfilm erzeugt eine gleichmäßige Mikrorauigkeit, sodass die Magnetschicht und Beschichtung, die danach aufgebracht werden, diese Rauigkeit nachbilden. In einer speziellen Ausführungsform wird Chrom (Cr) auf ein Substrat aus einer Aluminium-Magnesium-Legierung aufgedampft, das einen Nickel-Phosphor-Oberflächenfilm trägt.
  • Die US-A-5456978 offenbart einen magnetischen Dünnschichtmechanismus, der durch Sputtern einer Chrom-Unterschicht mit einer gesputterten Chrom-Unterlage hergestellt wird. Die Unterschicht kann teilweise oxidiert sein. Dieses Dokument entspricht somit dem Oberbegriff aus Anspruch 1.
  • Die oben genannten Verfahren bringen jedoch den Nachteil mit sich, dass sie keine präzise Kontrolle der Mikrorauigkeit der Oberfläche erlauben und/oder sehr zeitaufwendig und deshalb kostenintensiv sind.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Obwohl die vorliegende Erfindung auch für die so genannte Load/Unload-Anordnung geeignet ist, wird nachstehend nur die Verwendung in Anordnungen erläutert, bei denen der Magnetkopf in einer Start/Stopp-Zone auf der Platte ruht.
  • Bei der Herstellung von Magnetplatten für Desktop- und Server-Laufwerke ist das am häufigsten verwendete Substrat NiP-beschichtetes Aluminium, auf das durch Sputtern Metallatome aufgebracht werden. Beispiele für verwendete Sputtermaterialien sind Cr, Ni und Co+Cr+Pt, Co+Cr+Pt+Ta usw., wobei Chrom insbesondere bevorzugt ist. Während des Sputterverfahrens wachsen die Metallatome auf jenen Regionen der Oberfläche der Magnetplatte schneller, die das Wachstum energetisch begünstigen. Das gilt für Regionen, die eine dickere Oxidschicht aufweisen als ihre Umgebung (Oxidinseln). Bevorzugte Oxidation findet auf Regionen mit einer speziellen Topographie (Erhöhungen, Rillen, Kratzer usw. auf atomarer Ebene) oder in Regionen mit einer bestimmten Oberflächenzusammensetzung statt, die thermodynamisch für Metallwachstum förderlich ist. An all diesen Orte, an denen das bevorzugte Wachstum stattfindet, werden kleine Metallatomaggregationen, so genannte Cluster („nodules"), gebildet. Diese Cluster werden dann mit den Schichten (Magnetschicht, Schutzschicht) überzogen, die danach aufgetragen werden, was zu etwa halbkugelförmigen Vorsprüngen auf der fertigen Plattenoberfläche führt.
  • Die Größe und Dichte der Cluster wirken sich deutlich auf die Eigenschaften der Magnetplatte aus. Wenn die Cluster relativ klein und zahlreich sind (Durchmesser 10-20 nm), ist die erhaltene Oberfläche mikroskopisch relativ glatt und homogen, was eine sehr geringe Schwebehöhe für den Magnetkopf und somit eine effiziente magnetische Wechselwirkung zwischen Kopf und Platte ermöglicht. Wenn der Kopf jedoch auf einer Platte mit sehr kleinen Clustern aufsetzt, kann das große Haftvermögen zu einer Erhöhung der Haftreibung führen.
  • Große Cluster (ca. 50-60 mm (sic)) mit einer geringen Verteilungsdichte vergrößern andererseits den magnetisch aktiven Spalt zwischen Kopf und Platte und verringern so die erreichbare Schreibdichte. Außerdem erzeugen sie Oberflächenunebenheiten, welche den tribologisch verursachten Verschleiß der Platte erhöhen, die mit einer Abblätterung am Magnetkopf einhergeht, sodass die Betriebsdauer des Plattenlaufwerks verkürzt wird.
  • Wenn die verwendete Kopf/Platte-Schnittstelle andererseits zu erhöhter Haftreibung neigt, beispielsweise aufgrund von organischer Verunreinigung oder einer sehr glatten Kopfoberfläche, dann dienen große Cluster – durch eine Verkleinerung der effektiven Kontaktoberfläche des Kopfs mit der Platte – dazu, das Kopf/Platte-Haftvermögen zu verringern.
  • Ein weiterer negativer Aspekt von großen Clustern ist die Gefahr einer Oberflächenbeschädigung in den Reinigungsverfahren nach dem Sputtern, bei denen Oberflächenunebenheiten abgeschliffen werden und die zur Beschädigung der obersten Schutzschicht der Platte führen. So wird die Korrosionsbeständigkeit der Platte gegenüber der Einwirkung von Feuchtigkeit und schädlichen Substanzen stark verringert.
  • Daher ist es von großem Interesse, die Größe der Cluster so genau wie möglich kontrollieren zu können, d.h. indem sie in einen Bereich gebracht werden, der einerseits die Gefahr von Haftreibung verringert und andererseits den magnetisch aktiven Abstand im Hinblick auf die bestmögliche Schreib/Lese-Leistung minimiert.
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine Kontrolle der Größe der Cluster und somit eine gezielte Beeinflussung der Mikrorauigkeit der Magnetplatte.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Oberflächenstrukturierung von Magnetplatten bereitgestellt, umfassend einen Schritt des Sputterns von Metallatomen auf die Oberfläche der Magnetplatte, worin bestimmte Bereiche der Oberfläche der Magnetplatte vor dem Sputterverfahren selektiv oxidiert wurden; dadurch gekennzeichnet, dass die selektive Oxidation mithilfe eines Spülverfahrens durchgeführt wird, das vor dem Sputtern ausgeführt wird.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen des Verfahren gemäß der Erfindung sind in den Unteransprüchen dargelegt.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung ermöglicht, falls gewünscht, eine genaue Kontrolle der Oberflächenrauigkeit der Magnetplatte, die durch Cluster verursacht wird. Das bringt den Vorteil einer gezielten Verringerung der Haftreibung, einer Steigerung der Magnetleistung und einer Verbesserung der Korrosionsbeständigkeit der Magnetplatte mit sich.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Abbildungen erläutert.
  • Diese zeigen Folgendes:
  • 1 zeigt die Oberfläche eines Substrats mit einem normalen Sauerstoffgehalt, die bei 60 °C gespült wurde;
  • 2 zeigt die Oberfläche eines Substrats, das mit sauerstoffarmem Wasser gespült wurde;
  • 3 zeigt die Oberfläche einer Magnetplatte, die aus einem in 1 dargestellten Substart hergestellt wurde; und
  • 4 zeigt die Oberfläche einer Magnetplatte, die aus einem in 2 dargestellten Substrat hergestellt wurde.
  • Beschreibung der Erfindung
  • Bei der Herstellung von Desktop- und Server-Magnetplatten wird ein NiP-beschichtetes Al-Substrat mechanisch strukturiert, beispielsweise mit einer Diamantensuspension (Erzeugung von Rillen), kräftig gewaschen (vor dem Sputtern) und dann in einem Sputterverfahren mit einem Metallfilm und einem Schutzfilm aus diamantenähnlichem Kohlenstoff (Kohlenstoff-Deckschicht) vakuumbeschichtet. Nach einer weiteren Reinigung wird die Platte eingefettet und schließlich magnetisch und mechanisch getestet.
  • In einem Waschschritt vor dem eigentlichen Sputterverfahren wird die NiP-Substratoberfläche unter Verwendung eines aggressiven Reinigers (z.B. eines Flussmittels oder einer phosphorsäurehältigen Lösung) geätzt, wodurch Strukturierungsreste und die gesamte Oxidschicht auf der Oberfläche entfernt werden. Darauf folgen weitere Bürst- und Spülschritte. Der letzte Schritt vor dem Waschen umfasst das Eintauchen des gereinigten Substrats in heißes Wasser, wodurch das Substrat ausreichend erwärmt wird, sodass es in sehr kurzer Zeit trocknet.
  • Die Substratoberfläche wird als Ergebnis des im Spülwasser gelösten Sauerstoffs oxidiert, wodurch Oberflächenoxide (NiOx, NiPOx) gebildet werden. Da diese Oxidation nicht gleichmäßig, sondern vorzugsweise an Stellen stattfindet, die entsprechende topographische Merkmale, wie z.B. Rillen, Kratzer usw., oder eine bestimmte Oberflächenzusammensetzung aufweisen, sodass thermodynamisch förderliche Bedingungen herrschen, ist das Ergebnis die Bildung so genannter Oxidinseln, die einen höheren Oxidgehalt aufweisen als ihre Umgebung. Die Oxidinseln reagieren dann vorzugsweise mit dem elementaren hochreaktiven gesputterten Metall. So werden thermodynamisch sehr stabile Oxide, wie z.B. Cr2O3, wenn Chrom als Sputtermetall verwendet wird, erhalten, die Keimpunkte für weiteres Metallwachstum bilden.
  • Die Erfindung beabsichtigt nun eine präzise Kontrolle des Sauerstoffgehalts des wässrigen Mediums im letzten Spülvorgang vor dem Sputterverfahren selbst, wodurch die Oxidation geregelt wird, die auf der Oberfläche des Substrats stattfindet.
  • Auf diese Weise wird eine selektive Oxidation bevorzugter Regionen der Oberfläche erreicht, nämlich jener, auf denen Rillen, Ritzer usw. vorhanden sind, oder thermodynamische Anforderungen werden erfüllt (Oxidinseln). Dazu muss das Spülmaterial eine hohe Temperatur aufweisen, die im Bereich von etwa 30 bis 80 °C liegt, vorzugsweise aber 60 °C beträgt.
  • Unbehandeltes Wasser (d.h. keine Desinfektion durch Ozonbehandlung usw.) weist einen Sauerstoffgehalt bei 60 °C von etwa 4-5 mg/l auf. Eine Reduktion des Gehalts an gelöstem Sauerstoff im Spülwasser auf Werte im Bereich von 0-4 mg O2/l, beispielsweise durch Entgasung (Einführung von Stickstoff) führt zu einer deutlichen Verlangsamung der Oxidation der Oberfläche des Substrats bei Kontakt mit dem Spülwasser. Die Bildung von Regionen mit einer schwereren Oxidbeschichtung ist dann inkomplett, und das Ergebnis ist entweder keine Oxidinseln oder nur sehr kleine und nicht sehr ausgeprägte Inseln. Wenn das Substrat schließlich in einer Standardatmosphäre getrocknet wird, bildet sich auf der Substratoberfläche aufgrund der Wirkung von atmosphärischem Sauerstoff eine dünne und sehr homogene Oxidbeschichtung.
  • In Bezug auf die Metallatome, die während des nachfolgenden Sputterverfahrens auf die Oberfläche des Substrats treffen, ist keine Region mit einer größeren Oxiddicke erkennbar, und viele kleine Metallwachstumspunkte werden gebildet, die dann zur Bildung von kleinen Clustern (Durchmesser ca. 10 nm) mit sehr hoher Oberflächendichte führen.
  • Außerdem ist es möglich, eine Homogenisierung, d.h. eine Reduktion der Clustergrößenverteilung, zu erreichen, wenn das Substrat nach dem Spülvorgang einer Heißlufttrocknung unterzogen wird. Als Ergebnis der Wirkung der heißen Luft wird ein besonders gleichförmiges Wachstum der Oberflächenoxidschicht erreicht, was wiederum zur Hemmung eines bevorzugten Metallwachstums im nachfolgenden Sputterverfahren führt, sodass zahlreiche kleine Cluster mit ähnlicher Größe gebildet werden.
  • Eine Erhöhung des Sauerstoffgehalts im Spülmedium auf Werte im Bereich von etwa 5-10 mg O2/l, beispielsweise durch Abschalten der Entgasung und/oder gegebenenfalls Einführung von weiterem Sauerstoff, führt andererseits zur Bildung von klar erkennbaren Oxidinseln auf der Substratoberfläche. Diese Inseln weisen einen ungefähren Durchmesser von ≤ 10 nm und eine Höhe von etwa 5-10 nm auf. Im nachfolgenden Abscheidungsvorgang können sehr große Cluster (Durchmesser 50-60 nm) mit einer geringen Dichte durch bevorzugtes Wachstum der Metallatome auf den Oxidinseln erzeugt werden.
  • Beispiel
  • Um die Wirksamkeit der vorliegenden Erfindung zu demonstrieren, wurden Substrate und fertig bearbeitete Magnetplatten, die im letzten Spülschritt des Substrat-Waschvorgangs mit unterschiedlichen Mengen Sauerstoff behandelt worden waren, miteinander verglichen. Die Reduktion des Sauerstoffgehalts im Spülwasser wurde erreicht, indem in einer herkömmlichen Entgasungsvorrichtung mit Stickstoff entgast wurde. Das „normale", d.h. nicht entgaste, Spülwasser diente als Referenz. Die Temperatur des Spülwassers betrug in beiden Fällen 60 °C.
  • Das Substrat wurde zuerst strukturiert und dann gewaschen. Der komplette Waschvorgang bestand aus einem Ätzvorgang und einer Abfolge aus Bürst- und Spülschritten.
  • Die topographische Oberflächencharakterisierung wurde unter Verwendung von hochauflösender Rasterelektronenmikroskopie (REM) bei einer Vergrößerung von x 50000 durchgeführt.
  • 1 zeigt die Oberfläche eines Substrats, das mit Wasser mit 60 °C und einem Sauerstoffgehalt von ca. 8 mg O2/l gespült wurde, und 2 zeigt die Oberfläche eines Substrats, das mit Wasser mit einem Sauerstoffgehalt von ca. 1,7 mg O2/l gespült wurde.
  • Ein „normaler" Sauerstoffgehalt bezieht sich in diesem Beispiel auf einen Wert von etwa 8 mg O2/l. „Sauerstoffarmes" Wasser bezieht sich in diesem Beispiel auf einen Wert von ca. 2 mg O2/l.
  • Es ist klar ersichtlich, dass die mit dem höheren Sauerstoffgehalt gespülte Oberfläche kleinere Vorsprünge (Cluster) mit einem Durchmesser von maximal 10 nm aufweist, während auf der Oberfläche, die mit entgastem Wasser gespült wurde, diese Vorsprünge vollkommen fehlen oder durch REM nicht mehr detektierbar sind.
  • Die vorliegenden Substrate wurde dann in nachfolgenden Sputterverfahren mit einer Cr-Schicht (30 nm dick), einer Co/Pt/Cr-Schicht (40 nm dick) und einer Kohlenstoffschicht (10 nm dick) versehen und eingefettet.
  • 3 zeigt die Oberfläche einer Magnetplatte, die aus einem normalen Substrat hergestellt wurde, d.h. einem, das mit sauerstoffhältigem Spülwasser gespült wurde. Halbkugelförmige Vorsprünge (Cluster) mit einem Durchmesser von 50-60 nm sind klar erkennbar. Die Dichte dieser Cluster ist im Großen und Ganzen mit der Dichte der entsprechenden Substratvorsprünge vergleichbar.
  • 4 zeigt die Oberfläche einer Magnetplatte, die aus einem Substrat hergestellt wurde, das mit entgastem Spülwasser behandelt wurde. Sie weist keine mit REM detektierbaren Vorsprünge auf und korreliert so mit der entsprechenden komplett glatten Substratoberfläche.
  • Der Unterschied zwischen den beiden Plattenoberflächen ist deutlich und gut reproduzierbar. Das mit entgastem warmem Wasser behandelte Substrat stellt neben der Strukturrauigkeit komplett glatte Oberflächen bereit, während die mit warmem Wasser mit einem höheren Sauerstoffgehalt gespülten Substrate direkt nach dem Waschvorgang kleine Vorsprünge (Oxidinseln) auf der Oberfläche aufweisen, aus denen während des nachfolgenden Sputterverfahrens relativ große Cluster gebildet werden.
  • Auf diese Weise kann die Oberflächenrauigkeit der Magnetplatten durch die Kontrolle des Sauerstoffgehalts des Spülwassers vor dem Sputterverfahren präzise eingestellt werden.

Claims (7)

  1. Verfahren zur Oberflächenstrukturierung von Magnetplatten, umfassend den Schritt des Sputterns von Metallatomen auf die Oberfläche der Magnetplatte, worin bestimmte Bereiche der Oberfläche der Magnetplatte vor dem Sputterverfahren selektiv oxidiert wurden; dadurch gekennzeichnet, dass die selektive Oxidation mithilfe eines Spülverfahrens durchgeführt wird, das vor dem Sputtern ausgeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die selektive Oxidation durch Regelung des Sauerstoffgehalts während des Spülverfahrens erreicht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, worin die Regelung des Sauerstoffgehalts durch Begasung mit einem nichtreaktiven Gas erreicht wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 4, worin die Regelung des Sauerstoffgehalts durch Regelung der Einführung von Sauerstoff erreicht wird.
  5. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin Chrom als Metall im Sputterverfahren eingesetzt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin die Temperatur der Flüssigkeit, die im Spülverfahren verwendet wird, im Bereich von 30-80 °C liegt und vorzugsweise 60 °C beträgt.
  7. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die bestimmten Bereiche der Oberfläche fehlerhafte Bereiche, wie z.B. Kratzer, Unregelmäßigkeiten usw., sind.
DE69833294T 1997-12-18 1998-11-04 Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten Expired - Fee Related DE69833294T2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69833294T DE69833294T2 (de) 1997-12-18 1998-11-04 Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19756410 1997-12-18
DE19756410A DE19756410A1 (de) 1997-12-18 1997-12-18 Steuerung der Oberflächenrauhigkeit von Magnetplatten
DE69833294T DE69833294T2 (de) 1997-12-18 1998-11-04 Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69833294D1 DE69833294D1 (de) 2006-04-13
DE69833294T2 true DE69833294T2 (de) 2006-11-16

Family

ID=7852448

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19756410A Ceased DE19756410A1 (de) 1997-12-18 1997-12-18 Steuerung der Oberflächenrauhigkeit von Magnetplatten
DE69833294T Expired - Fee Related DE69833294T2 (de) 1997-12-18 1998-11-04 Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19756410A Ceased DE19756410A1 (de) 1997-12-18 1997-12-18 Steuerung der Oberflächenrauhigkeit von Magnetplatten

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6203672B1 (de)
EP (1) EP0924692B1 (de)
DE (2) DE19756410A1 (de)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2909891A1 (de) 1979-03-14 1980-09-25 Basf Ag Magnetischer aufzeichnungstraeger
US4698251A (en) 1985-01-22 1987-10-06 Victor Company Of Japan, Limited Magnetic recording medium and method of producing the same
US4735840A (en) 1985-11-12 1988-04-05 Cyberdisk, Inc. Magnetic recording disk and sputtering process and apparatus for producing same
US4816119A (en) * 1987-09-04 1989-03-28 Digital Equipment Corp. Process for production of magnetic media
US4973496A (en) 1989-11-02 1990-11-27 International Business Machines Corporation Method for texturing magnetic disks
JPH0620958A (ja) * 1992-04-10 1994-01-28 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 粗いシリコン表面の形成およびその応用
US5635037A (en) * 1993-08-02 1997-06-03 Industrial Technology Research Institute Method of texture by in-situ masking and etching for thin film magnetic recording medium
US5456978A (en) * 1993-08-03 1995-10-10 Hmt Technology Corporation Thin-film recording medium with thin metal sublayer
US5441788A (en) * 1993-11-03 1995-08-15 Hewlett-Packard Company Method of preparing recording media for a disk drive and disk drive recording media

Also Published As

Publication number Publication date
DE69833294D1 (de) 2006-04-13
DE19756410A1 (de) 1999-06-24
US6203672B1 (en) 2001-03-20
EP0924692A1 (de) 1999-06-23
EP0924692B1 (de) 2006-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3546325C2 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmedium
DE3787911T2 (de) Aufbau zur Anwendung in einem magnetischen Induktionsaufzeichnungsträger und Methode zur Herstellung eines magnetischen Speicherapparats.
DE69615690T2 (de) Mehrschichtiger überzug für magnetische platten
DE19723209A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrats für eine Magnet-Disk
DE1965482C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Aufzeichnungsträgers
DE3875161T2 (de) Verfahren zur herstellung einer magnetischen aufzeichnungsplatte aus einem duennen film einer metallegierung mit einem hydrogenierten kohlenstoffueberzug.
DE3027162A1 (de) Speicherplatte mit einer duennen magnetischen legierungsschicht und verfahren zu ihrer herstellung
DE69029024T2 (de) Magnetischer Dünnfilmspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10122193A1 (de) Mehrlagige Texturschicht
DE4211712A1 (de) Flächige Polyethylenterephthalat-Materialien mit geringer Oberflächenrauhigkeit sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE69729705T2 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Herstellungsverfahren für dasselbe und magnetischer Speicher
EP0303178A2 (de) Verfahren zur Herstellung magnetischer Aufzeichnungsträger
DE69210928T2 (de) Magnetische Aufzeichnungsplatte
US5427867A (en) Substrate used for magnetic disk and magnetic recording medium using the substrate
DE3502852A1 (de) Magnetisches aufzeichnungsmaterial
DE2710629C2 (de)
DE3639682C2 (de) Magnetische Aufzeichnungsplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0258768B1 (de) Verfahren zur Oberflächenbearbeitung schiebenförmiger vernickelter Aluminiumsubstrate
DE69833294T2 (de) Kontrolle der Oberflächenrauheit von Magnetplatten
DE69426174T2 (de) Verfahren zum Polieren einer Edelmetalloberfläche oder einer Legierung mit Edelmetall als Hauptbestandteil
EP0585606A1 (de) Flächige Polyethylenterephthalat-Materialien mit geringer Oberflächenrauhigkeit sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3628225A1 (de) Magnetischer aufzeichnungstraeger und verfahren zu seiner herstellung
DE3519928C2 (de)
DE3710024A1 (de) Magnetisches speichermedium
EP0399747B1 (de) Substrat für eine Magnetplatte und ein magnetischer Aufzeichnungsträger, der dieses Substrat verwendet

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee