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Die
Erfindung bezieht sich auf Gassensoren und insbesondere auf Giftgassensoren.
Genauer gesagt, bezieht sich die Erfindung auf mikrotechnologische
Gas- und Flüssigkeitssensoren
mit integriertem Schaltkreis.
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Vorrichtungen
nach dem Stand der Technik zum Aufspüren von giftigen Gasen wie
CO, CO2, NO, NO2 und
VOCs, die erzeugt werden durch Verbrennungsprozesse, basierten auf
Sensoren, die Änderungen
der Leitfähigkeit
in dünnen
Metalloxydschichten anzeigen, Chemilumineszenz, Fluoreszenz, verschiedene
Formen von IR-Absorption usw. Diese Sensoren waren entweder zu teuer,
zu instabil oder zu unempfindlich, um den Anforderungen eines kostengünstigen,
zuverlässigen
Giftgassensors zu entsprechen. Ihr Aufspüren solcher giftiger Gase in
Konzentrationen, die den Niveaus entsprechen, bei denen sie schädlich für die Gesundheit
sein und eine Lebensgefahr darstellen können, ist schwierig, insbesondere,
wenn dies getan werden muss mit kostengünstigen, erschwinglichen und
zuverlässigen
Sensoren. Oft sind die älteren
Gasmotoren oder Heizgeräte,
die von kostenbewussten Benutzern betrieben werden, am wahrscheinlichsten
eine Quelle von giftigen Gasen, die diese Benutzer und andere gefährden. Bei
diesen Benutzern ist der Kauf von Giftgassensoren am unwahrscheinlichsten,
es sei denn, es gelingt, sie mit einer erschwinglichen und geeigneten Technologie
zu versorgen.
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Optoakustische
Gassensoren spüren
niedrige Konzentrationen von Gasen auf, indem sie eine Veränderung
der Gastemperatur hervorrufen durch Schmalband modulierte Beleuchtung
bei einer Wellenlänge,
welche das Gas absorbiert. Das modulierte Temperatursignal wird
nicht direkt aufgespürt
aber eine geschlossene oder nahezu geschlossene Gasprobenzelle wird
verwendet, die die kleinen Gastemperatursignale in ein Drucksignal
umwandelt, das durch ein Mikrofon ermittelt wird. Eine geschlossene oder
nahezu geschlossene Gaszelle er schwert es dem Gas, in die Gaszelle
einzutreten oder aus ihr auszutreten.
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KURZDARSTELLUNG
DER ERFINDUNG
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Das
direkte Aufspüren
des Gastemperatur-Modulationssignals, das photothermisches Aufspüren genannt
wird, beseitigt die Notwendigkeit einer geschlossenen oder nahezu
geschlossenen Gaszelle. Das direkte Aufspüren des Gastemperatursignals
wird behindert durch das Fehlen von einem geeignet empfindlichen
(d. h. Nanograd-Empfindlichkeit) und schnell ansprechenden Gastemperatursensor.
Die Verwendung einer mikrotechnologischen thermoelektrischen Sensorenanordnung
ermöglicht eine
geeignet empfindliche, schnell ansprechende Ermittlung des kleinen
Gastemperatur-Modulationssignals. Solche Anordnungen werden gut
geeignet hergestellt mit Silizium-Mikrotechnologie.
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Das
internationale Patentdokument WO-A-96/21140 offenbart einen monolithisch
gebauten spektroskopischen Detektor, der eine hermetisch verschlossene
Fabry-Perot-Kavität mit Mikrospiegeln hat,
die eine abstimmbare Distanz haben und einander zugewendet sind.
Licht tritt durch einen Fensterwafer ein, wird gefiltert durch die
Kavität
und dann durch eine CCD-Anordnung ermittelt. Einer der Spiegel ist
beweglich mit einer piezolektrischen dünnen Schicht. Mikrolinsen können mikrotechnologisch
in den Fensterwafer eingebaut sein.
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Diese
Erfindung ist definiert im unabhängigen
Anspruch 1 und stellt ein neues, nützliches, kostengünstiges
und zuverlässiges
direktes Aufspüren des
Gastemperatursignals des vorhandenen Gases bereit, und stellt ebenfalls
die daraus abgeleitete Anzeige des Vorhandenseins eines giftigen
Gases oder unerwünschten
Bestandteils von Verbrennungsprodukten bereit. Es ist nicht notwendig,
die giftigen oder unerwünschten
Gase direkt zu messen, wenn man ein Phänomen identifizieren kann,
das deren Vorhandensein mit einem bedeutenden Wahrscheinlichkeitsniveau
anzeigen oder ableiten würde.
Dieser Sensor stellt folglich eine kompaktere, zuverlässigere,
erschwinglichere Ermittlung bereit, als ein direktes NDIR-Aufspüren von
giftigen Gasen. Es stellt ebenfalls zusätzliche Ermittlung/Alarmschutz
gegen hohe CO2- oder andere Gaskonzentrationen
durch direktes Aufspüren
bereit.
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Der
Sensor nutzt die direkte Anzeige giftiger Verbrennungsprodukte,
wie CO, NOx und VOCs durch CO2-Ermittlung,
und eine kostengünstige,
integrierte Gassensoranordnung wird somit verfügbar gemacht zu einem angemessenen
Preis, um den Bedürfnissen
der Benutzer von schornsteinlosen Heizgeräten (oder Küchenöfen) nach einem Aufspüren von
giftigem Gas oder den Bedürfnissen
von Autofahrern, die Abgase von Autos oder in ihrer Nähe ermitteln
möchten,
zu entsprechen.
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Kohlendioxid
(CO2) zeigt das Vorhandensein von unerwünschten
Konzentrationen von Verbrennungsprodukten an. CO2 wird
erzeugt durch Verbrennungsprozesse, in Konzentrationen, die 10 bis
100 Mal höher
sind, als diejenigen von CO, NOx oder VOCs.
Außerdem
kann man CO2 bei Konzentrationsniveaus messen,
die 3 bis 30 Mal niedriger sind als die oben genannten Gase, insbesondere
durch NDIR. Von Verbrennungsprodukten, insbesondere denjenigen von
Benzin und Dieselkraftstoff ist bekannt, dass sie aus 5–15% CO2, 10–20%
H2O, 0–10%
O2, 70–80%
N2, 0,001 bis 0,4% NOx,
0,001 bis 0,2% CO (der CO-Anteil bei abgenutzten oder schlecht ausgerichteten
Automobilmotoren kann bis zu 2% betragen), und 0,001 bis 0,3% Kohlenwasserstoffen
(HC) bestehen, d. h., die CO2-Konzentrationen
sind immer vorherrschend. Dennoch wird angenommen, dass die Verdünnung von
Abgasen des Autos vorne 10 bis 1000-fach ist, bevor sie die Luftzufuhr
der Fahrgastzelle des nachfolgenden Autos erreichen, derart, dass
es wahrscheinlich ist, dass die CO2-Konzentration
nur 0,005 bis 1,5% beträgt,
was messbar ist, während
die giftige Gaskonzentration in einem Bereich zwischen 0,0001 bis
0,04% liegt. Die letzteren Konzentrationen sind sehr viel schwieriger zu
messen, und insbesondere mit kostengünstigen Sensoren, die oft nicht
mit dem Aufspüren
dieser Gase beginnen würden,
obwohl diese in Konzentrationen vorhanden sind, die Beschwerden
oder ungünstige
Auswirkungen auf die Gesundheit verursachen.
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Die
integrierte Anordnung dieses Sensors steigert seine Herstellbarkeit
und Erschwinglichkeit. Die Gaszelle, der Wärmedetektor und der optische Filter
sind in eine kompakte mikrotechnologische Einheit integriert, die
kostengünstiger
ist, d. h., erschwinglicher, und breiter anwendbar ist als teurere Sensoren.
Die Infrarotstrahlung kann erhalten werden von kleinen Glühlampen,
oder von elektrisch erhitzten Mikrobrücken (Mikroemittern). Elektronische Schaltungen
können
ebenfalls in das Siliziummaterial integriert werden. Die Sensoren
sind kompakter und deshalb robuster und insgesamt nützlicher.
Der integrierte photothermische Sensor, der als Detektor des vorhandenen
Gases verwendet wird, führt
zum Ergebnis einer empfindlicheren, schnelleren Reaktion und einer
stabileren Ermittlung. Die schnellere Reaktion wird erreicht, da
keine geschlossene oder nahezu geschlossene Gaszelle erforderlich
ist.
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Der
integrierte Sensor ist 10 bis 100 Mal kleiner als Sensoren des Stands
der Technik, was diese Erfindung erschwinglicher, tragbarer und
nützlicher macht.
Diese Detektoren sind ebenfalls 10 bis 100 Mal günstiger als die Detektoren
des Stands der Technik, weil sie in Massenproduktion unter Verwendung
von Silzium-Mikrotechnologie hergestellt werden können.
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Dieser
sehr genaue Gasdetektor ist gebildet durch Siliziummikrotechnologie
und ist dadurch viel kleiner als Detektoren des Stands der Technik.
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Zusammenfassend,
ist die Erfindung ein kostengünstiges
photothermisches Aufspürsystem, welches
ein mikrotechnologisch integrierter Sensor ist, welcher eine pulsierende,
erhitzte Strahlungsquelle, einen geeigneten vielschichtigen Interferenzfilter
(IF), eine dünne
Antireflexions-Schicht (AR), Schattenmaskierung oder reflektierende
Blockierung hat, um zu verhindern, dass Licht die Wärmesensoren
beeinflusst, und besonders geätzte
Silizium-Wafer oder Masken, die dazu bestimmt sind, das Infrarot-Licht
(IR) oder Licht mit anderen Wellenlängen zu maximieren, um eine
Energieeffizienz bereitzustellen bei, zum Beispiel dem 4,3 Mikrometer
Wellenlängenband
von CO2, einem Probegas-Hohlraum, in den Gas
durch Kanäle
ein- und ausfließen
kann, oder diffundieren in die und aus den geätzten Löchern, die vorhergehend bei
der Herstellung verwendet wurden zum Auflösen der zur Bildung des Hohlraums
verwendeten Opferschicht oder durch eine poröse komprimierte Fritte aus
rostfreiem Stahl, und ein mikrotechnologischer Gastemperatursensor,
der auf Einzelausgangs- oder Differentialausgangs-Art wirkt.
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Die
Wirkung von langsamen Veränderungen der
Umgebungstemperatur auf den Sensor wird natürlich zurückgewiesen durch eine thermoelektrische Anschlusspaar-Anordnung.
Die Wirkung von Veränderungen
der Gastemperatur, die verursacht wird durch Luft- und/oder Gaszüge kann
minimiert werden durch geeignete poröse Schutzschirme und durch Lock-In-Ermittlung.
Zur Minimierung von Hintergrundsignalen, können die thermoelektrischen
Temperatursensoren nicht direkt beleuchtet werden durch die optische
Strahlung und können
mit einem reflektierenden Material beschichtet sein, und können auf
eine Differential-Art wirken durch Anordnen von geeigneten IFs zwischen
dem optischen Beleuchter und den Gastemperatursensoren, und einer geeigneten
Gaseinströmungsanordnung.
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Eine
Version des Sensors ist eine mit zwei Hohlräumen. Ein Hohlraum enthält das zu
ermittelnde Gas und der andere Hohlraum ist von der Umweltumgebung
verschlossen und enthält
kein Gas. Die Signale von den Detektoren von den Hohlräumen werden
voneinander subtrahiert mit dem Ergebnis der Beseitigung eines festen
Signals, hervorgerufen durch Strahlung, die die Detektoren beeinflusst.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 zeigt
einen mikrotechnologischen inferentiellen photothermischen Gassensor.
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2 zeigt
eine andere Bauart eines inferentiellen photothermischen Gassensors.
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3 zeigt
noch eine andere Bauart eines photothermischen Gassensors.
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4a, 4b und 4c sind
Wellenformdiagramme von Licht- und Hitzesignalen eines Wärmesensors.
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5 ist
ein Diagramm der Struktur eines Wärmesensorelements.
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6a, 6b, 6c und 6d zeigen ein
Sensorwirken in einer Differential-Art.
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BESCHREIBUNG
DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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1 ist
ein Diagramm, das eine Grundstruktur des inferentiellen photothermischen
Gassensors 10 zeigt. Der Silizium-Wafer 11 hat
einen geätzten
Raum 12 auf einer Seite. Auf dieser Seite, die eine Vertiefung 12 hat,
ist ein Silizium-Wafer 13 gebildet, der eine Reihe von
Mikroemittern 14 auf der dem Wafer 11 benachbarten
Seite hat. Auf der Fläche oder
Seite des Wafers 11 ist, den Mikroemittern 14 benachbart,
eine Anti-Reflexions- Beschichtung
(AR) 15. Auf der anderen Seite des Wafers 11 ist
ein Schmalbandpass-Interferenzfilter (IF) 16, der dazu bestimmt
ist, nur Infrarotlicht zu passieren, das eine Wellenlänge hat,
die die Absorptionswellenlänge
(4,3 Mikrometer) von CO2 hat. Die AR- und
IF-Beschichtungen
oder dünnen
Schichten können
in der Anordnung miteinander vertauscht werden. Der Silizium-Wafer 17 ist
auf dem Filter 16 gebildet. Der Silizium-Wafer 18 ist
auf dem Wafer 17 gebildet. Die Silizium-Wafer 17 und 18 sind
geätzt,
um einen Hohlraum 20 und die Kanäle 114 zu bilden.
Die Kanäle 114 bilden
einen Pfad zwischen dem Hohlraum 20 und dem Umgebungsvolumen
oder Raum außerhalb des
Sensors 10. Gas oder Luft 21 kann durch die Öffnung,
den Pfad oder die Kanäle 114 in
den und aus dem Hohlraum 20 diffundieren oder fließen. Der
Wafer 18 hat die Wärmesensoren 19,
die über
den Gruben 116 gebildet sind. Die Mikroemitter 14 und
Wärmesensoren 19 sind
verbunden mit den Kontaktbacken 24. Ein integrierter Schaltkreis
(IC) oder ein anwendungsspezifischer integrierter Schaltkreis (ASIC) kann
auf dem Wafer 13 oder 18 gebildet sein, um die Elektronik 25 bereitzustellen
für die
Steuerung der Mikroemitter 14 oder zur Verarbeitung der
Signale von den Wärmesensoren 19.
Der Wafer 11 kann mit einer Glasplatte ersetzt werden.
Sogar der Wafer 17 kann mit Glas ersetzt werden. In den
unten offenbarten Ausführungsformen,
können
der IF-Filter und die AR-Beschichtung ebenfalls auf Glas angeordnet oder
gebildet werden.
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Die
Strahlungsquelle 14 ist eine 32 × 32 Anordnung von Mikroemittern,
die als eine Infrarotstrahlungsquelle funktionieren. Die Anordnung 14 stellt eine
Gesamtemission bei 4,3 Mikrometern bereit, die ungefähr 2,8 Mal
derjenigen einer Mini-Wolfram-Glühlampe
entspricht. Der Hohlraum 20 ist ungefähr 100 Mikrometer tief × 500 Mikrometer
breit. Der Hohlraum 20 kann nicht zu klein sein, da ein
Abkühlen
des Gases an den Flächen
des Hohlraums die Empfindlichkeit des Gassensors 10 ver ringern
würde.
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Der
Wärmesensor
ist eine 64 × 64
Anordnung von in Reihe geschalteten NiFe:Cr thermoelektrischen Sensoren 19,
von denen jeder zwei thermoelektrische metallische Anschlüsse für jede 50
Mikrometer × 50
Mikrometer Siliziumnitrid-Mikrobrücke, einen Anschluss an der
Mikrobrücke
und einen am benachbarten Silizium, mit 10 Ohm Widerstand pro Anschlusspaar,
und einen Seebeck-Koeffizient
von 60 Mikrovolt/Grad C für
das Anschlusspaar. Die thermoelektrischen Sensoren 19 sind
beschichtet mit einer reflektierenden Metallschicht, um die direkte
Absorption von Infrarotstrahlung zu minimieren. Der Wärmesensor
hat eine typische Mikrobrücken-Reaktionszeit von
0,5 Millisekunden und eine Beleuchtungsmodulation von 10 Hz. Das
Lock-In elektronische Ermittlungssystem (zum Beispiel Verstärker 102,
Stromquelle 104 und Lock-In-Verstärker 103 in 3 mit den
Quellenelementen 94 anstatt der Lampe 93) hat eine
Reaktionszeit von 30 Sekunden (d. h., eine Bandbreite dF = 0.02
Hz). Das RMS. Spannungsrauschen = Quadratwurzel von (4KT(64 × 64)RdF)
= 2,5 Nanovolt RMS. und Empfindlichkeit = (2,5e – 9)/(64 × 64 × 60e – 6) = 10 Nanograd C. RMS.
Dies ermöglicht die
Ermittlung von typischen Gastemperatursignalen von einer CO2-Konzentration
von ungefähr
100 ppm.
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In 1,
emittiert die Quelle 14 das Licht 118 und 119.
Das Licht 119 wird blockiert durch die Schattenmasken 113.
Das Licht 118 passiert die Schicht 15 und den
Wafer 11. Nur Licht 118, das eine Wellenlänge hat,
die durch einen Schmalbandpass-Interferenzfilter 16 passiert
wird, tritt in den Hohlraum 20 ein und ist in der Lage,
die Luft- und/oder Gas-Moleküle 21 zu beeinflussen.
Wenn dieses Gas 21 eine Absorptionswellenlänge hat,
die gleich ist, wie die Wellenlänge des
Lichts 118, das den Filter 16 passiert und das Gas 21 beeinflusst,
wird dieses Licht 118 durch das Gas 21 absorbiert
und das Gas 21 erhitzt sich. Der Anstieg der Temperatur
des Gases 21 wird durch die Wärmesensoren 19 aufgespürt, die
Signale ausgeben, die das Vorhandensein von Gas 21 anzeigen. Das
Licht 118, das nicht durch das Gas 21 absorbiert wird,
beeinflusst die nicht thermischen Bereiche 117 und hat
keinen Einfluss auf die Sensoren 19. Wenig von dem Licht 118 oder 119 trifft
auf die Sensoren 19, auf Grund der Schattenmasken 113.
Licht 119 von der Quelle 14 passiert die dünne Schicht 15,
den Wafer 11 und den Schmalbandpassfilter 16 und
beeinflusst die Masken 113. Die Masken 113 blockieren weitgehend
das Licht 119, das ansonsten in den Hohlraum 20 eintreten
und die Wärmesensoren 19 beeinflussen
würde.
Die Beeinflussung der Sensoren 19 durch das Licht 119 würde bei
den Sensoren 19 eine Erwärmung verursachen und feste
Signale bereitstellen, die kein Vorhandensein des Gases anzeigen
würden.
Wenn das Licht 119 die Sensoren 19 beeinflussen
würde,
könnte
Elektronik verwendet werden, um die durch solch ein Licht 119 verursachten festen
Signale zu entfernen und lediglich echte Signale, die das Vorhandensein
von Gas 21 anzeigen, übermitteln.
Dieses Wirkungsverfahren erfordert eine sehr konstante Elektronik
zum Entfernen der festen Signale.
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Eine
alternative Vorgehensweise in 6a ist
die Verwendung von zwei Anordnungen, 121 und 122,
der Wärmesensoren 19,
die beide beleuchtet werden durch die gleiche Strahlungsquelle 120 durch den
Infrarotfilter 125 mit einer Anordnung 121, dem Gas 21 ausgesetzt
und der anderen Anordnung 122, dem Gas 21 nicht
ausgesetzt. In 6b können zwei Signale 123 und 124 von
den beiden Anordnungen 121 und beziehungsweise 122 dann
elektronisch subtrahiert werden, um ein Signal 127 herauszugeben
durch einen Differenzverstärker 126,
um die festen Signale, die durch die Beeinflussung der Wärmesensoren
oder Temperaturdetektoren 19 durch Strahlung verursacht
werden, im Wesentlichen zu entfernen.
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6c zeigt
eine andere Differential-Vorgehensweise, in der zwei Anordnungen 128 und 129 der
thermoelektrischen Sensoren 130 in einem gemeinsamen Gashohlraum 139 beleuchtet
sind durch zwei unterschiedliche Wellenlängen, die erhalten werden durch
eine Lampe 134 und zwei unterschiedliche Interferenzfilter 132 und 133,
derart, dass die beiden Wellenlängen
im Wesentlichen in ihrer Intensität gleich sind, aber eine Wellenlänge absorbiert wird
durch das Gas 131, um direkt aufgespürt zu werden, und die andere
Wellenlänge
nicht. Ein erstes elektrisches Signal wird von der Anordnung 128 erhalten,
das ein festes Signal aufweist, das durch die Beeinflussung und
Absorption der Strahlung auf die Sensoren 130 verursacht
wird, zusammen mit einem Signalbestandteil, der abhängig ist
von der Konzentration des Gases, das direkt aufgespürt werden
soll. Ein zweites elektrisches Signal wird von der Anordnung 129 erhalten,
das nur ein festes Signal aufweist, das verursacht wird durch die
Beeinflussung und Absorption der Strahlung auf die Sensoren 130.
Die beiden Signale werden durch die beiden Leitungen 136 und
beziehungsweise 135 entnommen zu einem Differenzverstärker 137,
gezeigt in 6(d), der ein subtrahiertes
Signal 138 herstellt, in dem das feste Signal, das verursacht
wird durch die Beeinflussung und Absorption der Strahlung auf die
Sensoren 130, im Wesentlichen entfernt wird.
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In
den Differential-Vorgehensweisen, gezeigt in den 6(a) bis (d), kann die Magnitude des zweiten Signals
verwendet werden als ein Maß der
Intensität
der Strahlungsquelle, derart, dass Veränderungen in der Intensität der Strahlungsquelle
ermittelt werden können
und die Signale dementsprechend korrigiert werden können.
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Die
Struktur von 6c kompensiert Veränderungen
in der Wärmeleitfähigkeit
des Gases im Hohlraum 139. Solche Veränderungen der Wärmeleitfähigkeit ändern tatsächlich sowohl
das erste als auch das zweite Signal, aber diese Veränderung
des Signals auf Grund der Wärmeleitfähigkeit
des Gases wird effektiv entfernt durch Entnahme des Verhältnisses
der ersten und zweiten Signale 135 und 136.
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Das
zweite Signal ist eine Anzeige der Magnitude der Intensität der Strahlungsquelle 134 und der
Wärmeleitfähigkeit
des Gases im Hohlraum. Die Wärmeleitfähigkeit
des Gases ändert
das zweite Signal 136, und folglich ist es nicht möglich, das
zweite Signal 136 in allen Umständen zu verwenden bei der Messung
der Leuchtdichte der Strahlungsquelle 134. In solchen Fällen, kann
es notwendig sein, einen separaten Photosensor 140 zu verwenden,
um die Leuchtdichte der Strahlungsquelle 134 zu messen. Der
Photosensor 140 stellt eine Anzeige der Magnitude der Strahlung
bereit. Dies stellt eine Möglichkeit bereit,
die Leuchtdichte der Quelle direkt zu messen, unabhängig von
der Wärmeleitfähigkeit
des Gases. Es ermöglicht
ebenfalls eine Messung der Wärmeleitfähigkeit
des Gases, was in einigen Fällen
nützlich sein
kann. Der Photosensor 140 kann, wenn notwendig, die Steuerspannung
steuern, um die Leuchtdichte konstant zu halten. Der Photosensor 140 sollte derart
angeordnet sein, dass er von der Strahlungsquelle 134 beleuchtet
wird. Ein Heizwiderstand 141 und ein Temperatursensor 142 können verwendet werden
zum Beibehalten des Sensors bei einer festen Temperatur. In einigen
Umständen,
kann es nützlich
sein, den Sensor bei einer festen Temperatur beizubehalten, was
normalerweise getan wird, indem er leicht auf eine feste Temperatur
erwärmt
wird. Dies wird getan, um zu gewährleisten,
dass die Sensorenparameter, die temperaturabhängig sind, sich nicht verändern (z.
B. die Empfindlichkeit eines Thermopaars oder Photosensors kann
temperaturabhängig sein).
Die Sensoren 141 und 142 können auf der gleichen Fläche angeordnet
sein, wie diejenige der Thermosensoren.
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Das
Messen eines Verhältnisses 143 der
beiden Signale 135 und 136 vom Sensor von 6c hat gegenüber dem
Unterschied 138 einen Vorteil. Der Grund liegt darin, dass,
wenn man den Unterschied nimmt, das Bleiben eines Restsignals unvermeidlich ist,
da die Signale nie genau gleich sind. Das ist gut, außer, dass
das Restsignal abhängig
ist von der Wärmeleitfähigkeit
des im Sensor vorhandenen Gases 131, und folglich erzeugt
das Vorhandensein eines Gases mit einer markant unterschiedlichen
Wärmeleitfähigkeit
ein Sensorsignal, das nicht unterschieden werden kann von einer
Art von Gas, dessen Aufspüren
erwünscht
ist. Andererseits ist das Verhältnis 143 der
beiden Signale 135 und 136 sehr viel weniger empfindlich
auf die Wärmeleitfähigkeit
der vorhandenen Gase. Das ist so, weil der Zähler und der Nenner mit der
Gasleitfähigkeit
sich sehr gleich verändern
und sich im Verhältnis
gegenseitig aufheben. Versuche bestätigen, dass das Verhältnis besser funktioniert
als der Unterschied, weil das Vorhandensein eines Gases 131 einer
unterschiedlichen Wärmeleitfähigkeit
sehr geringe Auswirkungen hat.
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6c zeigt
die Form des Sensors, die gut zu funktionieren scheint. Wie in den 6a und 6c gezeigt,
kann die Vorrichtung tatsächlich
mit einem Wafer 144, 145 (mit mikrotechnologischen Wärmesensoren)
und einer oberen Haube 146, 147 hergestellt werden.
Der Hauptzweck dieser oberen Haube ist das Schützen der empfindlichen mikrotechnologischen
Wärmesensoren
vor Staub oder Zügen.
Die obere Haube 146, 147 kann ein zweiter Silizium-Wafer
sein, aber jedes IR-transparente Material ist gut. Man kann entweder
einen Glasmikroskop-Objektträger
oder die IR-Filter selbst als obere Haube 146, 147 verwenden.
Der Zweck des Hinzufügens der
dritten und vierten Silizium-Wafer 11 und 13,
wie diejenigen aus 1, ist das Bereitstellen eines
Ersatzes für
die Glühlampe 120, 134,
gezeigt in den 6a und 6c. Diese
Vorgehensweise hat technische Vorteile gegenüber der Glühlampe, ist aber viel schwieriger
auszuführen.
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Wie
bei den Nicht-Differential- und Verhältnis-Vorgehensweisen, können die
in der Differential-Vorgehensweise verwendeten Wärmesensoren ebenfalls mit Strahlungsmasken
bereitgestellt werden oder mit reflektierenden Metallschichten beschichtet
werden, um die direkte Beeinflussung und Absorption der Infrarotstrahlung
zu minimieren.
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2 ist
ein Querschnittsdiagramm eines photothermischen Gassensors 70 mit
Strahlung, die in eine entgegengesetzte Richtung verläuft. Der
Silizium-Wafer 46 ist ungefähr 5 × 5 Millimeter (mm) quadratisch
und ungefähr
20 mm dick. Der Wafer 46 hat auf sich gebildet eine erhitzte
Strahlungsquelle 47 von IR-Strahlung. Die Quelle 47 ist
hergestellt aus einem hoch feuerfesten Material wie Siliziumnitrid
mit Widerstandsheizmaterialien. Kerben oder Gruben 48 sind
in den Wafer 46 geätzt,
um die Hitzeverluste von der Quelle 47 zu minimieren. Die
Leitungen 60, ungefähr
einen Millimeter dick, sind an den Kontakten 49 befestigt,
um ein AC-Signal
bei einer Frequenz von 10 bis 100 Hertz bereitzustellen zum Aktivieren
der Quelle 47, zum Ausstrahlen der Strahlung 51.
Die Befestigungsmaterialien 50 sind am Rand des Chips oder
Wafers 46 gebildet. Ein Silizium-Wafer 52, ungefähr 20 Millimeter
dick, ist in einem Vakuum befestigt, derart, dass der Raum 55 Luft
entleert ist. Eine dünne
AR-Schicht-Beschichtung 53 ist auf einer ersten Seite des
Wafers 52 gebildet und eine aus einer Vielzahl von gestapelten
Schichten bestehende Schmalbandpass-IF-Schicht 54 zum Durchlassen von
4,3 Mikrometern Licht ist auf einer zweiten Seite des Wafers 52 gebildet.
Eine dünnschichtige AR-Schicht 53 besteht
aus ungefähr
2 bis 6 dünnen Schichten
von Viertelwellenlängendicken
von alternierenden Materialien, die unterschiedliche Refraktionsindizes
haben. Die IF-Schicht 54 ist ein Stapel von dünnen Halbwellenlängenschichten
von alternierenden Materialien, die unterschiedliche Refraktionsindizes
haben. Der Wafer 52 wird in die Nähe mit dem Wafer 46 gebracht
beim Kontakt der Befestigungsmaterialien 50 auf dem Wafer 46 bei
einer Randfläche
des Wafers 52 zum Bilden eines luftentleerten wärmeisolierenden
Raums 55.
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Die
erhitzte Strahlungsquelle 47, die innerhalb von 1 bis 2
Mikrometern des festen Si-Substrats ist, hat eine schnelle Reaktion,
ist moduliert bei einer höchstmöglichen
Frequenz (typischerweise zwischen 10 bis 100 Hertz) und füllt den
Hohlraum mit Licht, was wesentlich ist zum Erreichen hoher Sensibilität. Wenn
die Lichtquelle 47 aus einer Mini-Wolfram-Glühlampe bestehen
würde,
läge die
maximale Impulsrate des AC-Anregungssignals bei ungefähr 10 Hertz.
Die gesteigerte Frequenz hat das Ergebnis einer besseren Sensibilität, da elektronisches
Rauschen mit niedriger Frequenz weniger vorhanden ist. Diese Lichtquelle 47 mit
integriertem Schaltkreis kann effektiv geladen und entladen werden
oder die Impulsrate kann auf bis zu 100 Hertz gesteigert werden,
mit dem Ergebnis einer verbesserten Sensibilität des Sensors 70.
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Ein
Silizium-Detektor-Wafer 69 ist gebildet mit einer ersten
Fläche
auf 4,3 Mikrometer Schmalbandpass optischen Interferenzfilter 54 und
Silizium-Wafer 52. Der Wafer 69 hat Kerben oder
Gruben 72, die gebildet oder geätzt sind auf einer zweiten Fläche des
Wafers 69 zur Reflexion der Strahlung 51 und zum
verbesserten Wärmekontakt
der Elemente 71 mit dem Gas. Ein thermoelektrischer (TE)
Temperatursensor oder eine Detektorschicht 73 ist gebildet auf
dem Wafer 69. Die temperaturempfindlichen Elemente 71 sind
gebildet über
den Gruben 72. Die Elemente 71 sind beschichtet
mit reflektierendem Material, zum Minimieren der direkten Absorption
von Infrarotstrahlung. Die temperaturunempfindlichen und gegen die
Strahlung 51 transparenten Teile 74 der Sensorenschicht 73 sind
gebildet auf den nicht geätzten
Teilen der zweiten Fläche
des Wafers 69.
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Die
elektrischen Kontakte 75 sind gebildet auf einer Detektorschicht 73 für die elektrische
Signalübertragung
zu und von der Schicht 73 durch die Leitungen 60.
Die Befestigungsmaterialien 115 sind am Rand der Schicht 73 und
auf der zweiten Schicht des Wafers 69 gebildet. Ein Silizium-Wafer 77 als obere
Haube ist gebildet und befestigt, zur Bildung des Hohlraums 78.
Die Befestigung ist derart, dass ein oder mehrere Wege, Kanäle oder
Löcher 79 gebildet
sind, derart, dass Gas und/oder Luft in den Hohlraum 78 eintreten
kann.
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Die
Funktionsweise des photothermischen Gassensors 70 weist
die Emission von fluktuierender und pulsierender Strahlung 51 auf,
die einen IR-Bestandteil hat. Das Licht 51 geht durch die
AR-Schicht 53 und durch den Wafer 52 zur IF-Schicht 54.
Ein Teil des Lichts 51 wird herausgefiltert durch die dünne Schmalbandpassschicht 54,
die nur Licht passieren lässt,
das eine Wellenlänge
von zum Beispiel 4,3 Mikrometern (zur CO2-Ermittlung)
hat. Filter mit anderen Bandpasswellenlängen können verwendet werden, in Abhängigkeit
von der Art des Gases oder der Flüssigkeit, die ermittelt werden
soll. Der 4,3 Mikrometer Teil des Lichts tritt in den Wafer 69 ein.
Praktisch das gesamte Licht 51, das die Gruben 72 beeinflusst,
wird als das Licht 80 reflektiert. Das Licht 51, das
die nicht geätzten
Teile der zweiten Fläche
des Wafers 69 beeinflusst, passiert durch die Detektorteile 74 in
den Hohlraum 78. Die Gruben 72 reflektieren das
Licht 51 derart, dass die temperaturempfindlichen Teile 71 nicht
durch die Hitze des einfallenden Lichts 51 beeinträchtigt werden.
Luft und/oder Gas 67, wie CO2,
fließt
in und durch den Hohlraum 78 durch die Kanäle 79.
Das Licht 51 wird absorbiert durch das CO2,
welches sich erhitzt und ein Erhitzen der Sensoren 71 verursacht
mit dem Ergebnis der Ermittlung der Hitze und infolgedessen des
Vorhandenseins von CO2, da die Wellenlänge des
Lichts 51 und die Absorptionswellenlänge von CO2 gleich
sind. Wenn das Gas 67 durch den Hohlraum 78 fließt und darin vorhanden
ist, fluktuiert oder pulsiert das Licht 51 in Magnitude
oder Intensität
und verursacht ein Erhitzen und Abkühlen des CO2 des
Gases 67. Die elektrischen Signale von den Detektorelementen 71 gehen
an einen Prozessor 81 durch die Kontakte 75 und
Leitungen 60. Der Prozessor 81 bestimmt das Vorhandensein
und die Menge an CO2 und zeigt inferentiell
das Vorhandensein von giftigen Gasen an, die in der unmittelbaren
Umgebung des Gassensors 70 vorhanden sind. Reflektiertes
Licht 80 wird von den Sensorenelementen 71 abgehalten,
um feste Signale, die an den Prozessor 81 gehen, zu minimieren. Eine
Differentialanordnung wie die der 6a, 6b, 6c und 6d kann
verwendet werden. Änderungen
am Sensor 70 können
vorgenommen werden wie die am Sensor 10, um andere Arten
von Gasen und Flüssigkeiten
direkt aufzuspüren.
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Der
Gassensor 70 kann dazu bestimmt sein, das Vorhandensein
von anderen Gasen oder Flüssigkeiten über CO2 hinaus direkt aufzuspüren und anzuzeigen. Der Schmalbandpassfilter 54 würde umgeändert werden
in einen Filter, der unterschiedliche Wellenlängen von Licht 51 passiert,
was gleichbedeutend wäre
mit der Absorptionswellenlänge
von anderen Arten von zu ermittelndem und zu messendem Gas. Zum
Beispiel, würde
der Filter dazu bestimmt sein 4,6 Mikrometer Wellenlänge von
Licht durchzulassen, wenn CO direkt durch den Sensor 70 ermittelt
werden sollte oder eine Wellenlänge
von 3,2 bis 3,4 Mikrometern, wenn ein Gas oder eine Flüssigkeit
(VOCs), das oder die Kohlenwasserstoff (CH) Bindungen hat, direkt
durch den Sensor 70 ermittelt werden sollte.
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3 veranschaulicht
einen anderen photothermischen Gassensor 82. Ein Silizium-Substrat 83 hat
geätzte
Gruben 84. Über
den geätzten
Gruben 84 angeordnet sind die thermoelektrischen Rezeptoren 85.
Auf dem Substrat 83 angeordnet sind die Distanzstücke 86.
Auf den Distanzstücken 86 ist
ein Siliziumsubstrat 87. Auf einer Fläche des Substrats 87 ist
ein Schmalbandpass-Interferenzfilter 88 gebildet.
Auf der anderen ebenen Fläche
des Substrats 87 ist die dünne Anti-Reflexionsschicht 89 gebildet.
Auf dem Filter 88 sind Schattenmasken 90 gebildet,
die einfallendes Licht, das durch die dünne Schicht 89, das Substrat 87 und
den Filter 88 in den Hohlraum 91 kommt, blockieren,
aber nur in Bereichen direkt über den
thermoelektrischen Sensoren 85. Der Zweck von jeder Schattenmaske 90 ist,
das Licht 92, das in den Hohlraum 90 eintritt,
weitgehend zu blockieren, damit es nicht die Sensorenelemente 85 beeinflusst.
Die Quelle der Strahlung oder des Lichts 92 kann sein von
einer Glühlampe 93 oder
einer Mikroemitter-Anordnung 94, angeordnet auf einem Quellsubstrat oder
Wafer 95. Die Distanzstücke 96 können gebildet sein
auf dem Substrat 87 oder der dünnen Schicht 89 zum
Tragen des Substrats oder Wafers 95, das oder der Licht-
oder Strahlungsquellenelemente 94 umfasst. Das durch die
Distanzstücke 96 getragene Substrat 95,
führt,
wenn es auf dem Wafer 87 oder der dünnen Schicht 89 gebildet
ist, zum Ergebnis eines Wärmeisolierungs-Hohlraums
zwischen dem Wafer 95 und dem Wafer 87 oder der
dünnen
Schicht 89.
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Das
Licht 92 von entweder den Mikroemittern 94 oder
der Glühlampe 93,
wird moduliert mit variierender Intensität oder Impulswellenform. Das Licht 92 geht
durch den Wärmeisolierungs-Hohlraum 97,
wenn Mikroemitter 94 verwendet werden oder geht anfangs
durch die dünne
Anti-Reflexions-Schicht 89, wenn eine Glühlampe 93 verwendet wird.
Nachdem das Licht 92 durch die dünne Schicht 89, das
Substrat 87 und den Interferenzfilter 88 geht, tritt
es in den Hohlraum 86 ein. Das Licht 92, das Wellenlängen hat,
die anders sind als die Absorptionswellenlänge des zu ermittelnden Gases
wird blockiert durch den Schmalbandpassfilter 88. Licht
aller Wellenlängen
wird blockiert durch die Schattenmaske 96, um die Beeinflussung
des Lichts 92 auf die Wärmesensoren 85 zu
verringern. Die Wärmesensoren 85 können beschichtet
sein mit einer reflektierenden Metallschicht zum Minimieren der
direkten Absorption der Infrarotstrahlung. Luft und/oder Gas 112 der Umweltumgebung
um den Sensor 82 kann frei in den Hohlraum 91 und
aus ihm heraus fließen 111.
Wenn das Gas 112 eine Absorptionswellenlänge hat,
die gleich ist wie die Wellenlänge
des Lichts 92, das durch den Filter 88 passiert,
wird das Licht 92 absorbiert durch dieses Gas 112 und
erhitzt sich infolgedessen. Der Anstieg der Temperatur des Gases 112 wird
ermittelt durch die Temperatursensoren 85. Wenn kein Gas
vorhanden ist, das eine Absorptionswellenlänge hat, die gleich ist, wie
die Wellenlänge des
Lichts 92, das durch den Filter 88 passiert, findet keine
Absorption des Lichts durch das Gas und kein Anstieg oder Veränderung
der Temperatur des Gases und/oder der Luft innerhalb des Hohlraums 91 statt.
Deshalb ermitteln die Wärmesensoren 85 keine Veränderung
der Temperatur. Wenn die Schattenmaske 90 indes nicht vorhanden
wäre, würde das Licht 92 die
Wärmesensoren 85 beeinflussen,
die die Anstiege und/oder Veränderungen
der Temperatur im Hohlraum 91 ermitteln und dadurch ein
großes festes
Signal zusätzlich
zum gasabhängigen
Signal bereitstellen würden.
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4a, 4b und 4c veranschaulichen
die Wirkungen des Lichts 92 im Hohlraum 91 mit
und ohne die Schattenmaske 90 und reflektierende Metallschicht.
Die Wellenform von 4a zeigt die Amplitude des Lichts 92,
dass durch den Filter 88 in die Kammer 91 kommt. 4b zeigt
ein Signal 99 vom Wärmesensor 85,
wenn die Schattenmaske 90 nicht vorhanden ist. Wenn sich
ein Gas in der Kammer 91 befindet, das eine Absorptionswellenlänge hat,
die die gleiche ist wie diejenige des Lichts 92, das durch
den Interferenzfilter 88 passiert, wird die gesteigerte
Hitze in der Kammer als ein Ergebnis der Absorption des Lichts 92 durch
das ermittelte Gas überlagert
wie die Kurve 100 auf Kurve 99. Ist die Schattenmaske 90 eingebaut,
und mit einer reflektierenden Schicht, wird das Signal 99 weitgehend entfernt
aufgrund des Blockierens des Lichts 92 vom Beeinflussen
der und Absorbieren durch die Wärmesensoren 85.
Das sich ergebende Sensorsignal mit der Isolierung des Sensors 85 vom
Licht 92, ergibt das in 4c gezeigte
Signal 100.
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Die
Signale der Sensoren 85 gehen an den Verstärker 102 und
auf einen Lock-In-Verstärker 103. Die
Stromquelle 104 gibt ein elektrisches Signal 105 aus,
das bereitgestellt wird für
die Glühlampe 93 oder die
Mikroemitter 94, mit dem Ergebnis von Licht 92 einer
pulsierten oder variierenden Intensität. Ferner wird das Signal 105 in
den Lock-In-Verstärker 103 eingespeist.
Eine Signalausgabe des Lock-In-Verstärkers 103 stellt eine
Anzeige der Konzentrationsmenge des im Hohlraum 91 und
um die Umweltumgebung des Sensors 82 ermittelten Gases
bereit. Das Signal vom Verstärker 103 geht
an den Prozessor 106, der das Vorhandensein und die Mengen
von verschiedenen giftigen Gasen, die in der Umweltumgebung unmittelbar
um den mikrotechnologischen inferentiellen Giftgasanzeiger 82 und
um ihn herum vorhanden sind, inferentiell ermittelt von der Menge an
direkt ermitteltem Gas, zum Beispiel CO2.
Der Prozessor 106 leitet ebenfalls gegenwärtige oder vergangene
chemische oder physische Aktivität
um den Sensor 82 herum ab. Er kann ebenfalls zukünftige chemische
oder physische Aktivität
ankündigen. Der
Prozessor 106 kann eine Informationstabelle haben, die
bestimmte Mengen von Konzentrationen von bestimmten Gasen oder Flüssigkeiten
anzeigt, die auf das Vorhandensein von bestimmten Mengen von Konzentrationen
von anderen Gasen oder Flüssigkeiten
schließen
lassen. Auf das Vorhandensein von bestimmten Mengen von Konzentrationen
von anderen Gasen oder Flüssigkeiten
kann genauer geschlossen werden, durch das Vorhandensein von bestimmten
Mengen von Konzentrationen von den bestimmten Gasen oder Flüssigkeiten
im Hohlraum 91, da die Mengen der ermittelten Konzentrationen,
wie CO2 bis zu mehrere Magnituden größer sind
als bestimmte Mengen von Konzentrationen der anderen abgeleiteten
Gase oder Flüssigkeiten.
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5 zeigt
die Herstellung des thermoelektrischen Sensors 85. Das
Silizium-Substrat 83 hat eine geätzte Grube 84 zum
Zweck der Wärmeisolierung
des Detektors 85. Eine mikrotechnologische Anordnung von
thermoelektrischen Sensoren 85 sind gebildet von überlappenden
dünnschichtigen
Metallen 107 und 108. Diese sind gebildet zwischen Schichten
von Siliziumnitrid 109, das auf dem Silizium-Substrat 83 gebildet
ist. Die Sensorenteile der Metallschichten 107 und 108 sind
isoliert auf die Überlappungs-
und Kontaktbereiche zwischen den Metallen 107 und 108,
die über
den geätzten
Gruben 84, die durch Schnitte definiert 110 werden,
angeordnet sind. Eine reflektierende Metallschicht (Gold) kann aufgetragen
werden (109a), um die direkte Absorption von Strahlung
durch den thermoelektrischen Sensor 85 zu verringern.