DE4224518C2 - Strömungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Strömungssensor und ein Ver­ fahren zu seiner Herstellung.

Zur Messung einer Gas- oder Flüssigkeitsströmung sind Anemometer bekannt. Bei einem Anemometer werden ein oder mehrere elektrisch beheizte Widerstandselemente in der Strömung angeordnet. Diese Widerstandselemente können als dünne Widerstandsdrähte oder auch als Dünnschicht-Wider­ stände ausgebildet sein. Durch eine vorgegebene elektri­ sche Heizleistung werden die Widerstandselemente beheizt und es stellt sich im Wärmegleichgewicht eine bestimmte Temperaturverteilung an den Widerstandselementen ein. Eine Gas- oder Flüssigkeitsströmung verursacht nun durch er­ zwungene Konvektion eine Änderung der Wärmeverteilung und damit der Temperaturen an den Widerstandselementen, die abhängig ist von der Fließgeschwindigkeit und der Wärmekapazität des Gases oder der Flüssigkeit. Zum Erfas­ sen dieser Temperaturänderung ist wenigstens ein Wider­ standselement mit einem von Null verschiedenen Temperatur­ koeffizienten als Detektor vorgesehen. Die Temperaturände­ rung am Detektor bewirkt eine Änderung seines elektrischen Widerstandes, die gemessen und ausgewertet wird.

Es sind Anemometer mit zwei Widerstandselementen bekannt, die beide zugleich als Heizer und Detektor vorgesehen sind und bezüglich der Strömungsrichtung hintereinander ange­ ordnet sind. Die Strömung führt in dieser Anordnung Wärme von dem stromaufwärts angeordneten Element ab und dem stromabwärts angeordneten Element zu. Die detektierten Temperaturänderungen an den beiden Widerstandselementen sind somit unterschiedlich groß und ermöglichen deshalb zusätzlich zur Messung des Flusses auch eine Aussage über die Strömungsrichtung. Durch Abgleichen mit Hilfe einer Brückenschaltung wird im allgemeinen der Grundwiderstand der detektierenden Widerstandselemente eliminiert, so daß nur die im Vergleich zum Grundwiderstand kleine strö­ mungsabhängige Widerstandsänderung gemessen wird.

An ein ideales Anemometer sind bestimmte Anforderungen zu stellen, die einander sogar zum Teil widersprechen können. Um ein ausreichend großes Sensorsignal zu erhalten, muß der Temperaturkoeffizient der detektierenden Widerstands­ elemente hinreichend groß sein. Außerdem muß der elektri­ sche Widerstand dieser Elemente der Auswerteelektronik angepaßt sein und insbesondere größer als die Zuleitungs­ widerstände sein. Dies entspricht einer Forderung nach einer Mindestlänge der Widerstandselemente bei vorgegebe­ nem Querschnitt und Material. Um einen hohen thermischen Wirkungsgrad zu erreichen, sollen die Widerstandselemente thermisch gut isoliert sein. Die Wärmekapazität der Wi­ derstandselemente und ihrer Stützeinrichtungen ist überdies klein zu halten, weil durch sie die Ansprechzeit des Sensors auf Temperaturänderungen bestimmt wird. Schließ­ lich soll das Anemometer auch noch mechanisch stabil und vibrationsfest sein.

Es ist bekannt, daß diese Anforderungen durch die Inte­ gration von Anemometer-Strukturen in Silizium mit Hilfe der Mikrostrukturtechnik hinreichend erfüllt werden können. In einer Ausführungsform eines solchen Anemometers sind als Widerstandselemente zwei in einer Ebene angeord­ nete Mäanderblöcke aus mehreren nebeneinanderliegenden, langgestreckten Sensoreinheiten vorgesehen, die senkrecht zur Strömungsrichtung angeordnet sind. Die Ebene in der die Widerstandselemente angeordnet sind, ist parallel zur Strö­ mungsrichtung, so daß die Strömung über die Mäanderblöcke hinwegströmt und die einzelnen Sensoreinheiten jedes Widerstandselements zeitlich nacheinander erfaßt. Beide Mäanderblöcke dienen zugleich als Heizer und Detektor. Die Widerstandsmäanderblöcke sind auf einer dielektrischen Brückenstruktur abgestützt, die sich über eine Ausnehmung in einem Siliziumkörper erstreckt. Die Ausnehmung dient zur thermischen Isolation der Widerstandselemente gegen den Siliziumkörper (EP-B-0 076 935).

Es ist ein Anemometer zur Messung einer schwachen Gasströ­ mung in einem Gasanalysegerät bekannt, bei dem zwei ebene Widerstandsgitter aus einem elektrisch leitenden, tempera­ turempfindlichen Material in einem Rohr derart angeordnet sind, daß ihre jeweiligen Ebenen senkrecht zur Strömungs­ richtung ausgerichtet sind. Die Widerstandsgitter werden somit von der Strömung durchströmt und der jeweilige de­ tektierende Bereich jedes der beiden Widerstandsgitter wird gleichzeitig von der Strömung erfaßt. Beide Wider­ standsgitter sind als Heizer und Detektor zugleich vor­ gesehen und sind in einem Abstand von etwa 0,15 mm an­ geordnet. Die Durchmesser der Widerstandsgitter betragen jeweils etwa 1 mm (DE-PS 15 73 098).

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, diese be­ kannte Ausführungsform eines Strömungssensor so auszuge­ stalten, daß sie einfach herzustellen und zu miniaturisie­ ren ist.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst durch einen Strömungssensor mit den Merkmalen nach den Anspruch 1 und ein Herstellungsverfahren nach den Anspruch 6. Es ist ein Siliziumkörper aus einkristallinem Silizium vorgese­ hen mit einer Vorderseite und einer Rückseite, die jeweils aus (100)-Kristallflächen gebildet sind. Die beiden Mün­ dungsbereiche eines durch den Siliziumkörper hindurch­ gehenden Strömungskanal für die zu messende Gas- oder Flüssigkeitsströmung an der Vorderseite und an der Rückseite des Siliziumkörpers liegen einander gegenüber und bilden durch eine jeweils darin angeordnete temperaturempfindliche Widerstandsstruktur zwei Sensorbereiche, wobei die Widerstandsstrukturen wenigstens am Rand des jeweiligen Sensorbereiches von einer dielektrischen Stützstruktur getragen werden. Das Gas oder die Flüssigkeit strömt bei der Messung somit in vertikaler Richtung durch die beiden Widerstandstrukturen. Vorzugsweise sind die Widerstands­ strukturen weitgehend freitragend ausgebildet, um ihre Meßempfindlichkeit zu erhöhen.

Ein solcher Strömungssensor wird vorzugsweise mit den folgenden Verfahrensschritten gemäß Anspruch 6 herge­ stellt. Auf eine (100)-Vorderseite und eine (100)-Rück­ seite eines Siliziumkörpers wird jeweils eine dielektri­ sche Schicht aufgebracht und in vorbestimmten, einander gegenüberliegenden Sensorbereichen strukturiert. Dann wird jeweils eine elektrisch leitende Schicht auf die dielek­ trischen Schichten aufgebracht. Die beiden elektrisch leitenden Schichten bestehen dabei wenigstens in den Sen­ sorbereichen aus einem Material mit einem temperaturab­ hängigen elektrischen Widerstand. Die elektrisch leitenden Schichten werden nun ebenfalls in den Sensorbereichen strukturiert. Die beiden Strukturierungsschritte werden dabei so durchge­ führt, daß Widerstandsstrukturen entstehen, die wenigstens am Rand des jeweiligen Sensorbereiches von dielektrischen Stützstrukturen gestützt werden. Anschließend wird in dem Siliziumkörper ein durchgehender Strömungskanal für die zu messende Gas- oder Flüssigkeitsströmung erzeugt, der die beiden Sensorbereiche verbindet. Die Anzahl und Größe der Öffnungen in den beiden Schichten bestimmen den Strömungs­ widerstand und müssen zudem so gewählt werden, daß Reak­ tionsprodukte, die beim Erzeugen des Strömungskanals ent­ stehen, abgeführt werden können. Der Abstand der beiden Widerstandsstrukturen wird in dieser Ausführungsform durch die Dicke des Siliziumkörpers festgelegt.

In einer vorteilhaften Ausführungsform wird der Strömungs­ kanal durch naßchemisches anisotropes Ätzen des Silizium­ körpers vorzugsweise mit Kalilauge (KOH) erzeugt. Da der Strömungskanal bei diesem Ätzverfahren durch die ätzstabi­ len (111)-Kristallflächen des Siliziumkörpers begrenzt wird, ist damit insbesondere der Querschnitt des Strö­ mungskanals gut zu kontrollieren.

Zum Schutz der Widerstandsstrukturen ist in einer weiteren Ausführungsform auf der Vorderseite und auf der Rückseite des Siliziumkörpers jeweils ein entsprechender Deckchip angeordnet, der vorzugsweise ebenfalls aus Silizium be­ steht und eine Durchlaßöffnung aufweist, die vorzugsweise einen mit dem jeweiligen Sensorbereich deckungsgleichen Querschnitt hat. Die Durchlaßöffnung im Deckchip auf der Vorderseite des Siliziumkörpers, der Strömungskanal im Siliziumkörper und die Durchlaßöffnung im Deckchip auf der Rückseite des Siliziumkörpers bilden somit einen ge­ meinsamen Strömungskanal, in dem die beiden Widerstands­ strukturen vertikal zur Strömungsrichtung angeordnet sind.

In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform sind die Widerstandsstrukturen jeweils gegenüber der Vorderseite bzw. Rückseite des Siliziumkörpers in den Strömungskanal hinein zurückgesetzt. Dadurch liegen die Widerstandsstrukturen nicht mehr direkt an den Oberflächen des Siliziumkörpers. Dazu werden vorzugsweise vor dem Aufbringen der dielektrischen Schich­ ten auf dem Siliziumkörper zunächst in dessen Vorderseite und Rückseite in einander gegenüberliegenden Bereichen Ausnehmungen erzeugt, vorzugsweise durch anisotropes Ätzen. Auf den Böden der Ausnehmungen werden die elektrisch leitenden Schichten zu Widerstandsstrukturen strukturiert. Ein solcher Sensor ist mechanisch nicht so empfindlich und ist beispielsweise beim Einbau leichter zu handhaben.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform sind wenigstens die Widerstandsstrukturen und vorzugsweise auch die Stützstrukturen spiegelsymmetrisch bezüglich einer zu der Vorderseite parallelen Mittelebene des Siliziumkörpers angeordnet. Da die Widerstandsstrukturen in dieser Ausfüh­ rungsform in Strömungsrichtung einander über ihre volle Länge gegenüberliegen, erhält man einen Sensor mit einer hohen Meßempfindlichkeit.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeich­ nung Bezug genommen, in deren

Fig. 1 eine Ausführungsform eines Strömungssensors in einer perspektivischen Darstellung,

Fig. 2 und 3 Verfahrensschritte zum Herstellen dieses Strömungssensors,

Fig. 4 eine Ausführungsform eines Strömungssensors mit Deckchips im Querschnitt und

Fig. 5 eine Ausführungsform mit zurückgesetzten Widerstands­ strukturen im Querschnitt schematisch dargestellt sind.

In der Ausführungsform eines Strömungssensors gemäß Fig. 1 sind ein Siliziumkörper aus einkristallinem Silizium mit 2, dessen aus einer (100)-Kristallfläche gebildete Vor­ derseite mit 10 und die dazu parallele Rückseite mit 20, eine auf der Vorderseite 10 angeordnete dielektrische Schicht mit 11 und eine auf der Rückseite 20 angeordnete dielektrische Schicht mit 21 bezeichnet. Auf der Vorder­ seite 10 und der Rückseite 20 ist jeweils ein rechteckiger Sensorbereich 15 bzw. 25 vorgesehen, dessen Seitenkanten entlang der Spuren der (111)-Kristallflächen auf der je­ weiligen (100)-Oberfläche in <110<-Kristallrichtung ver­ laufen. Die beiden Sensorbereiche 15 und 25 sind durch einen Strömungskanal 4 in dem Siliziumkörper 2 miteinander verbunden. In den Sensorbereichen 15 und 25 ist je­ weils eine mäanderförmige Widerstandsstruktur 14 bzw. 24 aus einem Material mit einem temperaturabhängigen elektri­ schen Widerstand vorgesehen. Die Widerstandsstrukturen 14 und 24 erstrecken sich weitgehend freitragend über den Strömungskanal 4 und sind in ihren Randbereichen auf in die Sensorbereiche 15 bzw. 25 als Vorsprünge hineinragen­ den und aus den dielektrischen Schichten 11 bzw. 21 ge­ bildeten Stützstrukturen 13 bzw. 23 angeordnet. Auf der dielektrischen Schicht 11 bzw. 21 sind außerhalb der Sen­ sorbereiche 15 bzw. 25 Anschlüsse 19 bzw. 29 für die Widerstandsstrukturen 14 bzw. 24 vorgesehen. Die Wider­ standsstrukturen 14 und 24 können allerdings auch über ihre gesamte Länge auf ihren zugehörigen dielektrischen Stützstrukturen 13 und 23 angeordnet sein oder auch völlig freitragend in den Sensorbereichen 15 bzw. 25 ausgebildet sein und nur an derem Rand auf der Schicht 11 bzw. 21 ab­ gestützt sein. Die rückseitig angeordneten Strukturen sind in der perspektivischen Darstellung verdeckt und daher ebenso wie der Strömungskanal 4 gestrichelt dargestellt.

Der Strömungskanal 4 wird durch (111)-Kristallflächen des Siliziumkörpers 2 begrenzt und hat die Form zweier umge­ kehrt aufeinandergestellter, rechteckiger Pyramidenstümp­ fe.

In den Fig. 2 und 3 sind zwei Verfahrensschritte zur Her­ stellung einer solchen Ausführungsform eines Strömungssen­ sors erläutert. Ein Siliziumkörper 2 wird auf seiner aus einer (100)-Kristallfläche gebildeten Vorderseite 10 und seiner dazu parallelen Rückseite 20 jeweils mit einer dielektrischen Schicht 11 bzw. 21 versehen. Das Aufbringen der Schichten 11 und 21 kann gleichzeitig oder hinterein­ ander erfolgen. Die Schichten 11 und 21 bestehen vorzugs­ weise aus Siliziumdioxid (SiO₂) oder Siliziumnitrid (Si₃N₄) oder aus einer Sandwich-Struktur aus diesen beiden Materialien. Die dielektrischen Schichten 12 und 22 werden nun in einander gegenüberliegenden Sensorbereichen 15 bzw. 25 zu Stützstrukturen 13 bzw. 23 strukturiert. Anschlie­ ßend werden auf die dielektrische Schicht 11 eine elek­ trisch leitende Schicht 12 und auf die dielektrische Schicht 21 eine leitende Schicht 22 aufgebracht. Wenig­ stens in den Sensorbereichen 15 und 25 bestehen die elek­ trisch leitenden Schichten 12 und 22 jeweils aus einem Material mit einem temperaturabhängigen Widerstand und vorzugsweise aus demselben Material. Diese Materialien können Nickel, Gold, Platin, Tantal, Wolfram oder auch polykristallines Silizium sein. Die elektrisch leitenden Schichten 12 und 22 werden in den Sensorbereichen 15 und 25 so strukturiert, daß Widerstandsstrukturen 14 bzw. 24 entstehen, die wenigstens teilweise auf den Stützstruk­ turen 13 bzw. 23 angeordnet sind. Fig. 2 zeigt die so entstandene Anordnung im Querschnitt, wobei zur besseren Verständlichkeit die leitenden Schichten 12 und 22 auch außerhalb der Sensorbereiche 15 bzw. 25 dargestellt sind. Im allgemeinen werden die Schichten 12 und 22 in diesen Außenbereichen bei der Strukturierung gleich mitentfernt.

Will man in den Sensorbereichen 15 und 25 durchgehend von Stützstrukturen 13 bzw. 23 unterstützte Widerstandsstruk­ turen 14 bzw. 24 erzeugen, so kann man auch zunächst die dielektrische Schicht 11 bzw. 21 und darauf direkt die elektrisch leitende Schicht 12 bzw. 22 aufbringen und dann beide Schichten gemeinsam strukturieren. Die mäander­ förmigen Widerstandsstrukturen 14 und 24 sind in dieser Ausführungsform auf entsprechend mäanderförmigen Stütz­ strukturen 13 bzw. 23 abgestützt, die aus der dielektri­ schen Schicht 11 bzw. 21 gebildet sind.

In einem nächsten Verfahrensschritt gemäß Fig. 3 wird der Siliziumkörper 2 durch die bei der Strukturierung entstan­ denen Öffnungen 16 und 26 in den entsprechenden Sensorbe­ reichen 15 bzw. 25 von seiner Vorderseite 10 und seiner Rückseite 20 in Richtung der dargestellten Pfeile naß­ chemisch anisotrop geätzt, so daß ein seitlich von (111)- Kristallflächen begrenzter Strömungskanal 4 entsteht. Da­ bei sind die Sensorbereiche 15 und 25 in Abhängigkeit von der Dicke D des Siliziumkörpers 2 groß genug zu wählen, damit sich die beiden Ätzfronten in der Mitte des Sili­ ziumkörpers 2 treffen können.

In der Ausführungsform gemäß Fig. 4 ist auf der Vorder­ seite 10 des Siliziumkörpers 2 in einem Bereich um den Sensorbereich 15 ein erster Deckkörper 30 und auf der Rückseite 20 in einem Bereich um den Sensorbereich 25 ist ein zweiter Deckkörper 40 angeordnet. In dem Deckkörper 30 ist eine Durchlaßöffnung 34 und in dem Deckkörper 40 ist eine Durchlaßöffnung 44 vorgesehen. Beide Durchlaßöffnun­ gen 34 und 44 bilden zusammen mit dem Strömungskanal 4 im Siliziumkörper 2 einen gemeinsamen Strömungskanal und schließen vorzugsweise mit den Sensorbereichen 15 bzw. 25 bündig ab. Vorzugsweise bestehen auch die Deckkörper 30 und 40 aus Silizium mit (100)-Oberflächen. Die Durchlaßöffnungen 34 und 44 können dann durch anisotropes Ätzen erzeugt werden durch rechteckige Fenster, deren Seiten­ kanten parallel zu den <110<-Kristallrichtungen gerichtet sind. Die Deckkörper 30 und 40 werden vorzugsweise durch eine Isolationsschicht 32 bzw. 42 von der elektrisch leitenden Schicht 12 bzw. 22 isoliert. Die Anschlüsse 19 und 29 für die Widerstandsstrukturen 14 bzw. 24 sind in einem nicht von den entsprechenden Deckkörpern 30 bzw. 40 bedeckten Bereich der Vorderseite 10 bzw. Rückseite 20 des Siliziumkörpers 2 auf der dielektrischen Schicht 11 bzw. 21 angeordnet. In dieser Ausführungsform mit Deckkörpern sind die Widerstandsstrukturen vor Beschädigungen beim Einbau des Sensors geschützt.

Ebenfalls zum Schutz der Widerstandsstrukturen werden für die besonders vorteilhaften Ausführungsform gemaß Fig. 5 die Sensorbereiche 15 und 25 jeweils am Boden einer Ausnehmung 18 bzw. 28 in der Vorderseite 10 bzw. der Rückseite 20 des Siliziumkörpers 2 ausgebildet. Dadurch erhält man nach der Strukturierung und Ätzung des Strömungskanals im Siliziumkörper 2 versenkte Widerstandsstrukturen 14 bzw. 24.

Zum Herstellen einer solchen Ausführungsform werden vor dem Aufbringen der dielektrischen Schichten 11 und 21 in die Vorderseite und die Rückseite 20 des Siliziumkörpers 2 jeweils eine Ausnehmung 18 bzw. 28 eingearbeitet. Vorzugs­ weise werden die Ausnehmungen 18 und 28 durch rechteckige Fenster in der Vorderseite 10 bzw. der Rückseite 20 mit entlang den <110<-Kristallrichtungen verlaufenden Seiten­ kanten anisotrop geätzt. Dann werden die dielektrischen Schichten 11 bzw. 21 und darauf die elektrischen Schichten 12 bzw. 22 aufgebracht und auf den Böden der Ausnehmungen 18 bzw. 28 strukturiert. Durch die beim Strukturieren ent­ standenen Öffnungen in den beiden Schichten 11 und 12 bzw. 21 und 22 wird der Siliziumkörper 2 anisotrop weiterge­ ätzt, so daß wieder ein von (111)-Kristallflächen begrenz­ ter Strömungskanal 4 entsteht, dessen oberflächennahe Be­ reiche von den Ausnehmungen 18 und 28 gebildet werden. Die Widerstandsstrukturen 14 und 24 sind nun innerhalb des Strömungskanals 4 zwischen der entsprechenden Ausnehmung 18 bzw. 24 und dem später weitergeätzten inneren Teil des Strömungskanals 4 angeordnet. Vorzugsweise werden die in der Fig. 5 noch dargestellten elektrisch leitenden Schich­ ten 12 und 22 außerhalb der Ausnehmung 18 bzw. 28 bis auf die entsprechenden Anschlüsse für die Widerstandsstruktu­ ren 14 bzw. 24 entfernt.

Abweichend von den dargestellten Ausführungsbeispielen können selbstverständlich auch andere Verfahren zur Erzeu­ gung des Strömungskanals im Siliziumkörper angewandt wer­ den. Für den Strömungskanal läßt sich auch eine andere Gestalt vorsehen.

Claims (6)

1. Strömungssensor mit einem Siliziumkörper (2), dessen Vorderseite (10) und Rückseite (20) jeweils von (100)-Kristallflächen des Siliziumkörpers (2) gebildet werden, und einem durch den Siliziumkörper (2) hindurchgehenden Strömungskanal (4) für die zu messende Gas- oder Flüssigkeitsströmung, dessen Mündungsbereiche an der Vorderseite (10) und an der Rückseite (20) des Siliziumkörpers (2) einander gegenüberliegen und durch eine jeweils darin angeordnete temperaturempfindliche Widerstandsstruktur (14, 24) zwei Sensorbereiche (15, 25) bilden, wobei die Widerstandsstrukturen (14, 24) wenigstens am Rand des entsprechenden Sensorbereichs (15, 25) von einer dielektrischen Stützstruktur (13, 23) getragen werden.

2. Strömungssensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsstruk­ turen (14, 24) jeweils gegenüber der Vorderseite (10) bzw. der Rückseite (20) des Siliziumkörpers (2) in den Strömungskanal (4) hinein zurückgesetzt sind.

3. Strömungssensor nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Vorderseite (10) des Siliziumkörpers (2) ein erster Deckkörper (30) mit einer Durchlaßöffnung (34) und auf der Rückseite (20) des Siliziumkörpers (2) ein zweiter Deckkörper (40) mit einer Durchlaßöffnung (44) aufgesetzt sind, wobei die beiden Durchlaßöffnungen (34, 44) jeweils den Strömungskanal (4) in dem Siliziumkörper (2) verlängern und fortsetzen.

4. Strömungssensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsstrukturen (14, 24) bezüglich einer zur Vorderseite (10) parallelen Mittelebene des Silizium­ körpers (2) spiegelsymmetrisch sind.

5. Strömungssensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Strömungskanal (4) von (111)-Kristallflächen des Silizium­ körpers (2) begrenzt wird.

6. Verfahren zum Herstellen eines Strömungssensors nach einem der Ansprüche 1 bis 5 mit folgenden Schritten:

• a) Bereitstellen eines Siliziumkörpers (2), dessen Vorder­ seite (10) und Rückseite (20) jeweils von (100)-Kristallflächen gebildet werden;
• b) Aufbringen von jeweils einer dielektrischen Schicht (11, 21) auf die Vorderseite (10) und die Rückseite (20) und deren Strukturierung in vorbestimmten, einander gegenüberliegenden Sensorbereichen (15, 25) zu einer Stützstruktur (13, 23) für nachfolgend auf­ zubringende Widerstandsstrukturen (14, 24);
• c) Aufbringen von jeweils einer elektrisch leitenden Schicht (12, 22) auf die dielektrischen Schichten (11, 21), wobei die beiden elektrisch leitenden Schichten (12, 22) wenigstens in den Sensorbereichen (15, 25) jeweils aus einem Material mit einem temperaturabhän­ gigen elektrischen Widerstand bestehen, und Struktu­ rierung der elektrisch leitenden Schichten (12, 22) in dem entsprechenden Sensorbereich (15, 25) zu jeweils einer temperaturempfindlichen Widerstandsstruktur (14, 24), die wenigstens am Rand des Sensorbereichs (15, 25) von der aus der entsprechenden dielektrischen Schicht (11, 21) gebildeten Stützstruktur (13, 23) getragen wird;
• d) Entfernung des Siliziums zwischen den Sensorbereichen (15, 25), so daß ein durch den Siliziumkörper (2) hin­ durchgehender Strömungskanal (4) für die zu messende Gas- oder Flüssigkeitsströmung mit den Sensorbereichen (15, 25) als jeweiligen Mündungsbereichen entsteht.