DE69815258D1 - Elektrisch programmier- und löschbarer nichtflüchtiger Speicher mit einem lese- und/oder schreibgeschützen Bereich einschliesslich zugehöriger elektronischer Schaltung - Google Patents

Elektrisch programmier- und löschbarer nichtflüchtiger Speicher mit einem lese- und/oder schreibgeschützen Bereich einschliesslich zugehöriger elektronischer Schaltung

Info

Publication number
DE69815258D1
DE69815258D1 DE69815258T DE69815258T DE69815258D1 DE 69815258 D1 DE69815258 D1 DE 69815258D1 DE 69815258 T DE69815258 T DE 69815258T DE 69815258 T DE69815258 T DE 69815258T DE 69815258 D1 DE69815258 D1 DE 69815258D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
read
volatile memory
electronic circuitry
area including
electrically programmable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69815258T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69815258T2 (de
Inventor
Christophe Mani
Mohamad Chehadi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Application granted granted Critical
Publication of DE69815258D1 publication Critical patent/DE69815258D1/de
Publication of DE69815258T2 publication Critical patent/DE69815258T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F21/00Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F21/70Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer
    • G06F21/78Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data
    • G06F21/79Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data in semiconductor storage media, e.g. directly-addressable memories
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/14Protection against unauthorised use of memory or access to memory
    • G06F12/1416Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights
    • G06F12/1425Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block
    • G06F12/1441Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block for a range
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/22Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/20Address safety or protection circuits, i.e. arrangements for preventing unauthorized or accidental access
DE69815258T 1997-10-24 1998-10-21 Elektrisch programmier- und löschbarer nichtflüchtiger Speicher mit einem lese- und/oder schreibgeschützen Bereich einschliesslich zugehöriger elektronischer Schaltung Expired - Fee Related DE69815258T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9713359 1997-10-24
FR9713359A FR2770327B1 (fr) 1997-10-24 1997-10-24 Memoire non volatile programmable et effacable electriquement comprenant une zone protegeable en lecture et/ou en ecriture et systeme electronique l'incorporant

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69815258D1 true DE69815258D1 (de) 2003-07-10
DE69815258T2 DE69815258T2 (de) 2004-04-08

Family

ID=9512612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69815258T Expired - Fee Related DE69815258T2 (de) 1997-10-24 1998-10-21 Elektrisch programmier- und löschbarer nichtflüchtiger Speicher mit einem lese- und/oder schreibgeschützen Bereich einschliesslich zugehöriger elektronischer Schaltung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6034889A (de)
EP (1) EP0918336B1 (de)
JP (1) JPH11203204A (de)
DE (1) DE69815258T2 (de)
FR (1) FR2770327B1 (de)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19804784A1 (de) * 1998-02-06 1999-08-12 Philips Patentverwaltung Chipkarte mit integrierter Schaltung
FR2788353B1 (fr) * 1999-01-11 2001-02-23 St Microelectronics Sa Microprocesseur avec circuits de protection pour securiser l'acces a ses registres
US6654847B1 (en) 2000-06-30 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Top/bottom symmetrical protection scheme for flash
JP3821431B2 (ja) * 2000-03-30 2006-09-13 マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド フラッシュ用のトップ/ボトム対称保護スキーム
JP2002015584A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 不揮発性メモリのリードプロテクト回路
US7137893B2 (en) * 2001-05-09 2006-11-21 Wms Gaming Inc. Method and apparatus for write protecting a gaming storage medium
JP2002342164A (ja) * 2001-05-22 2002-11-29 Hitachi Ltd 記憶装置及びデータ処理装置並びに記憶部制御方法
US20030061527A1 (en) * 2001-09-26 2003-03-27 Intel Corporation Method and apparatus for realigning bits on a parallel bus
DE10162308A1 (de) * 2001-12-19 2003-07-03 Philips Intellectual Property Verfahren und Anordnung zur Zugriffssteuerung auf EEPROMs sowie ein entsprechendes Computerprogrammprodukt und eine entsprechendes computerlesbares Speichermedium
FR2837621A1 (fr) * 2002-03-22 2003-09-26 St Microelectronics Sa Differenciation de puces au niveau d'une reticule
DE10224767A1 (de) * 2002-06-04 2003-12-18 Scm Microsystems Gmbh Personalisiertes digitales Datenverarbeitungssystem
KR100492774B1 (ko) * 2002-12-24 2005-06-07 주식회사 하이닉스반도체 라이트 보호 영역을 구비한 비휘발성 메모리 장치
DE10315727A1 (de) * 2003-04-04 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
DE10315637A1 (de) * 2003-04-04 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
DE10315638A1 (de) * 2003-04-04 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
DE10315726A1 (de) * 2003-04-04 2004-11-04 Infineon Technologies Ag Programmgesteuerte Einheit
FR2859041A1 (fr) * 2003-08-18 2005-02-25 St Microelectronics Sa Circuit memoire a memoire non volatile d'identification et procede associe
GB2405231B (en) * 2003-08-20 2006-05-24 Agilent Technologies Inc Master slave arrangement
US7093091B2 (en) * 2003-09-26 2006-08-15 Atmel Corporation Selectable block protection for non-volatile memory
EP1578051B1 (de) * 2004-03-18 2008-10-29 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Vorrichtung mit einer Schlüsselauswahleniheit und ein Mechanismus zur Aktualisierung der Schüssel für die verschlüsselung/Entschlüsselung von daten die in einen Speicher geschrieben/gelesen werden.
US7890721B2 (en) * 2005-02-16 2011-02-15 Atmel Corporation Implementation of integrated status of a protection register word in a protection register array
DE102007050463A1 (de) 2006-11-16 2008-05-21 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zum Zugriff auf einen tragbaren Speicherdatenträger mit Zusatzmodul und tragbarer Speicherdatenträger
US7483313B2 (en) * 2007-01-31 2009-01-27 Dell Products, Lp Dual ported memory with selective read and write protection
DE602007011887D1 (de) * 2007-03-13 2011-02-24 Em Microelectronic Marin Sa Verfahren zur Blockade von Wörtern eines nichtflüchtigen Speichers in einer elektronischen Vorrichtung, die mit RF-Kommunikationsmitteln ausgestattet ist
US20080250509A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Nokia Corporation Write Protection For Memory Devices
US20160048353A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and method of controlling memory system
US10768831B2 (en) 2018-12-28 2020-09-08 Micron Technology, Inc. Non-persistent unlock for secure memory
US20220113879A1 (en) * 2020-10-14 2022-04-14 Microchip Technology Incorporated System with Increasing Protected Storage Area and Erase Protection

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4812675A (en) * 1987-04-15 1989-03-14 Exel Microelectronics Incorporated Security element circuit for programmable logic array
EP0326053B1 (de) * 1988-01-28 1996-06-26 National Semiconductor Corporation Datensicherungsverfahren für einen programmierbaren Speicher
US5375222A (en) * 1992-03-31 1994-12-20 Intel Corporation Flash memory card with a ready/busy mask register
US5363334A (en) * 1993-04-10 1994-11-08 Microchip Technology Incorporated Write protection security for memory device
US5592641A (en) * 1993-06-30 1997-01-07 Intel Corporation Method and device for selectively locking write access to blocks in a memory array using write protect inputs and block enabled status
JPH0844628A (ja) * 1994-08-03 1996-02-16 Hitachi Ltd 不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法
US5749088A (en) * 1994-09-15 1998-05-05 Intel Corporation Memory card with erasure blocks and circuitry for selectively protecting the blocks from memory operations
FR2726934B1 (fr) * 1994-11-10 1997-01-17 Sgs Thomson Microelectronics Procede de lecture anticipee de memoire a acces serie et memoire s'y rapportant
FR2732487B1 (fr) * 1995-03-31 1997-05-30 Sgs Thomson Microelectronics Procede de protection de zones de memoires non volatiles
US5890191A (en) * 1996-05-10 1999-03-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for providing erasing and programming protection for electrically erasable programmable read only memory
FR2756410B1 (fr) * 1996-11-28 1999-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de protection apres une ecriture de page d'une memoire electriquement programmable

Also Published As

Publication number Publication date
US6034889A (en) 2000-03-07
DE69815258T2 (de) 2004-04-08
FR2770327A1 (fr) 1999-04-30
JPH11203204A (ja) 1999-07-30
EP0918336B1 (de) 2003-06-04
FR2770327B1 (fr) 2000-01-14
EP0918336A1 (de) 1999-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69815258D1 (de) Elektrisch programmier- und löschbarer nichtflüchtiger Speicher mit einem lese- und/oder schreibgeschützen Bereich einschliesslich zugehöriger elektronischer Schaltung
DE68913695T2 (de) Mikrorechner mit einem elektrisch löschbaren und programmierbaren nichtflüchtigen Speicher.
DE69707715D1 (de) Nicht-flüchtiger speicher der gleichzeitiges lesen und schreiben zulässt durch zeitmultiplexierung eines datenpfades
DE60024564D1 (de) Datenschaltung mit einem nichtflüchtigen Speicher und mit einer fehlerkorrigierenden Schaltung
DE4495101T1 (de) Speicherelemente, nichtflüchtige Speicher, nichtflüchtige Speichervorrichtungen und darauf basierende Verfahren zur Informationsspeicherung
DE69932872D1 (de) Magnetisches Dünnfilmelement, Speicherelement damit und Schreibe- und Leseverfahren mit einem solchen Speicherelement
DE69115952T2 (de) Abfühlschaltung zum Lesen von in nichtflüchtigen Speicherzellen gespeicherten Daten
DE69217761T2 (de) Lese- und Schreibschaltung für einen Speicher
DE69610662D1 (de) DIMM Hochleistungsspeicher mit einem Datenspeicher und einem Zustandsspeicher
DE69431735D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher
DE69430668D1 (de) Flash-speicher mit verringerter löschung und überschreibung
DE69726304D1 (de) Nichtflüchtiger schreibbarer speicher mit programmierungsaufhebungsbefehl
DE59903679D1 (de) Integrierter speicher mit einem differentiellen leseverstärker
DE69128021T2 (de) Lese-/Schreibe-Speicher mit einem verbesserten Schreibtreiber
DE69630758D1 (de) Ferroelektrischer Speicher und Datenleseverfahren von diesem Speicher
DE69425341D1 (de) Elektronische Anordnung mit einem ferroelektrischen Speicher
DE69230773T2 (de) Datenverarbeitungseinrichtung mit fortschreitend programmierbarem nichtflüchtigen Speicher und Verfahren dazu
DE69620334T2 (de) Elektronisches Bauelement mit einem elektrisch löschbaren und nichtflüchtigen Speicher
DE69321685D1 (de) Datenlöschverfahren in einem nicht-flüchtigen Halbleiterspeicher
FR2771839B1 (fr) Memoire non volatile programmable et effacable electriquement
DE69227542D1 (de) Speicher mit kapazitiver EEPROM-Speicherzelle und Verfahren zum Lesen dieser Speicherzelle
DE69326749D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher mit Schutzdiode
DE59900443D1 (de) Schaltungsanordnung mit einem sensorelement und einem nichtflüchtigen speichermittel
DE69309623D1 (de) Mehrbitwort organisierter EEPROM Speicher
DE69423307D1 (de) Halbleiterspeicher mit einer sehr schnellen und niedrigen Leistungsdatenschreib und Datenleseschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee