DE69727748T2

DE69727748T2 - Vielseitige Gruppenantenne

Info

Publication number: DE69727748T2
Application number: DE69727748T
Authority: DE
Inventors: Patrick Pons
Original assignee: Thales Systemes Aeroportes SA
Current assignee: Thales Systemes Aeroportes SA
Priority date: 1996-09-19
Filing date: 1997-09-17
Publication date: 2005-01-05
Anticipated expiration: 2017-09-18
Also published as: FR2753568B1; FR2753568A1; EP0831550A1; ATE260515T1; DE69727748D1; EP0831550B1

Description

Die Erfindung betrifft Hochleistungsantennen.
In der Regel sind diese Antennen in einem großflächigen Netz angeordnet, das zu einer elektronischen Strahlschwenkung über einen Erfassungswinkel bis zu +/– 40°, wenn nicht mehr, geeignet ist. Die einzelnen Strahlungselemente des Netzes weisen kleine Abmessungen auf im Verhältnis zur Arbeitswellenlänge. Die Art der Strahlungselemente unterscheidet sich entsprechend dem Frequenzbereich und/oder der Anwendung, die man betrachtet.
Schmalbandige Anwendungen (+/– 10% um eine Mittenfrequenz) favorisieren den Gewinn und das Fehlen von Nebenkeulen. Sie sind auf abgestimmte Strahlungselemente gerichtet, vom Typ Planarantenne oder vom Dipoltyp, im Bestreben darauf, mit diesen einen mit dem gewünschten Strahlschwenkungsbereich kompatiblen Erfassungswinkel zu erreichen.
Bei breitbandigen Anwendungen (über eine Oktave hinaus) ist die Hauptproblematik, das beabsichtigte Band so gut wie möglich abzudecken, auch dort mit einem mit dem gewünschten Strahlschwenkungsbereich kompatiblen Erfassungswinkel, im allgemeinen auf Kosten des Gewinns und auf Kosten von mehr Nebenkeulen.
Es existiert somit ein Widerspruch zwischen diesen beiden großen Anwendungsklassen. Mit anderen Worten war es, ungeachtet verschiedener Versuche, bisher nicht möglich, Strahlungselemente zu erhalten, die für schmalbandige Anwendungen wirklich befriedigende Leistungen bieten, und dabei gleichzeitig für breitbandigen Betrieb geeignet sind, auf kontinuierliche Weise und/oder im Multifrequenzmodus.
Die vorliegende Erfindung hat zum Ziel, Einrichtungen für die Lösung dieses Problems zu schaffen.
Die vorgeschlagene strahlende Vorrichtung enthält einen Träger, ein ebenes dielek trisches Substrat, das senkrecht zum Träger angebracht ist, um im Abstand zum Träger einen freien Rand parallel zu diesem zu definieren, mit einer Metallschicht auf wenigstens einer der beiden großen Seiten des Substrats, versehen mit einer Ausnehmung, die sich bis zum freien Rand aufweitet, wobei das Substrat somit eine strahlende Struktur bildet, wo das Profil der Ausnehmung eine Anpassung zwischen einer Kupplungszone mit einer höchstfrequenten Einspeisung und einer breitbandigen Strahlungszone in der Nähe des freien Randes bildet.
Gemäß einer allgemeinen Definition der Erfindung, ist das Profil der Ausnehmung ausgewählt, um ein im wesentlichen festes Phasenzentrum zu besitzen, in einem schmalen Frequenzband, das sich um ungefähr 10% um eine gewählte Mittenfrequenz erstreckt, und dieses im wesentlichen über die Gesamtheit des Erfassungswinkels; der Träger weist eine Masseebene auf, die entlang eines Durchtritts ausgenommen ist, der in der Lage ist, das Substrat aufzunehmen, wobei der Abstand zwischen diesem Durchtritt und dem freien Rand des Substrats gewählt ist, um die Strahlungsausbeute im schmalen Band zu optimieren.
Sehr vorteilhafterweise sind die beiden großen Seiten des Substrats mit zwei Metallisierungen mit Ausnehmungen von derselben Form in entsprechenden Positionen versehen, was ein Einkerbungsprofil liefert. In einer speziellen, derzeit bevorzugten Ausführungsform ist die Ausnehmung vom Typ genannt "MONSER"-Einkerbung, die ein zweistufiges Anpassungsprofil an den freien Raum aufweist.
Vorzugsweise liegt der Abstand zwischen dem Durchtritt der Masseebene und dem freien Rand des Substrats in der Nähe der halben Wellenlänge in Luft bei der Mittenfrequenz des schmalen Bandes.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist der seitliche Abstand zwischen dem Längsrand des Durchtritts der Masseebene und der großen Seite des Substrats, die gegenüberliegt, eingestellt, um eine niedriges Stehwellenverhältnis zu erhalten, unter Vergrößern des Durchtrittsbandes beim Vorhandensein der Masseebene.
Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden beim Studium der detaillierten, nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen im Anhang klar, in de nen:
1 schematisch einen ersten Typ eines strahlenden Elements mit einem „exponentiell" genannten Profil zeigt;
2 schematisch die Anordnung eines strahlenden Elements in einem Antennennetz darstellt;
3 teilweise, mit genauen Abmessungen, eine bevorzugte Ausführungsform eines strahlenden Elements gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
die 4A und 4B das strahlende Element aus 3 vollständig darstellen, mit bzw. ohne Verbinder;
5 schematisch die Anordnung des strahlenden Elements aus den 3 und 4 auf einer Masseebene zeigt;
6 eine Maschenanordnung im Netz des erfindungsgemäßen strahlenden Elementes darstellt;
7 einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Antennennetzes zeigt; und
die 8 und 9 zwei weitere strahlende Elemente darstellt, die für andere Ausführungsformen verwendbar sind.
Die begleitenden Zeichnungen enthalten Elemente mit bestimmter Eigenschaft. Sie können nicht nur das Verständnis dieser Beschreibung erleichtern, sondern tragen auch zur Definition der Erfindung bei.
Die strahlenden Elemente von Antennennetzen, die im Radar oder in der Telekommunikation verwendet werden, sind abgestimmten Typs: Mikrostreifen-Planarantennen ("patches"); Dipolantennen. Es sind Mittel bekannt, deren Arbeitsband in einem gewissen Maß zu erweitern oder diese multifrequenzfähig zu machen. Wenn man die über eine Oktave hinausgehenden breitbandigen Eigenschaften untersucht, offenbaren die Planar- und Dipolantennen einen sehr wichtigen und für ihre radioelektrischen Eigenschaften hinderlichen Verlust.
Andere Anwendungen machen von breitbandigen Antennennetzen Gebrauch. Deren strahlende Elemente sind entweder von einem Typ, der Strahlungseigenschaften aufweist, die frequenzunabhängig sind (Elemente vom Typ "Spirale" oder vom Typ "logarithmisch-periodisch"), oder von einem Typ, der mit Wanderwellen arbeitet (Elemente vom Typ "VIVALDI", oder vom Typ "Kerbe").
Diese Elemente sind schwer im schmalen Band zu verwenden, sei es aufgrund ihres niedrigen Gewinns (Spiralantenne), sei es aufgrund ihrer übergroßen Abmessung (logarithmisch-periodische Antenne), oder aufgrund der Schwierigkeiten, denen man begegnet, wenn man dahinter anstelle des üblichen Höchstfrequenz-Absorbtionsmittels eine Masseebene anbringen möchte (VIVALDI, Kerbe).
Beim Versuch, die Leistungen und Möglichkeiten von schmalbandigen Antennen mit elektronischer Strahlschwenkung im Ganzen zu verbessern, hat die Anmelderin das Mittel gefunden, solche Antennen auf der Basis von strahlenden Elementen zu konstruieren, die von Hause aus breitbandig sind.
1 zeigt ein prinzipielles Schema eines strahlenden Elementes mit exponentiellem Einkerbungsprofil (insbesondere beschrieben in dem Artikel "A BROADBAND STRIPLINE ANTENNA", L. R. LEWIS, M. FASSETT, J. HUNT, IEEE Symposium on Antenna Propagation, 1974, S. 335–337).
Ein dielektrisches Substrat SU ist auf seinen beiden großen Seiten, bei M1 und M2, metallisiert bis auf zwei gleichartige Ausnehmungen E1 und E2, die sich exponentiell bis zu einem freien Rand BL aufweiten, der senkrecht zu den großen Seiten ist.
Dahinter, d. h. auf Höhe des schmalen Anteils der Ausnehmungen, sind diese in einer Kopplungszone CZ an eine Einspeisungsleitung LA gekoppelt, die in einem Dreischichtmodus ("stripline") zwischen den Metallisierungen M1 und M2 mit einem TEM-Ausbreitungsmodus ankommt.
Zwischen den gegenüberliegenden Rändern derselben Ausnehmung ist ein Spalt definiert, der sich verbreitert. Die Strahlungseigenschaften sind prinzipiell einer Ausbreitung von Wanderwellen (Oberflächenwellen) entlang dem sich zum freien Rand hin verbreiternden Spalt geschuldet, sowie der Unterbrechung der Ausnehmung auf Höhe des freien Randes.
Ebenfalls sind leicht unterschiedliche Einkerbungsprofile bekannt:

– MONSER-Einkerbung (US-Patent 3 836 976; "DESIGN CONSIDERATIONS FOR BROADBANDING PHASED ARRAY ELEMENTS BEYOND TWO OCTAVES", G. MONSER, Military Microwave Conferences, S. 392–396, Brighton, England, 1986);
– Einkerbung nach POVINELLI ("DESIGN AND PERFORMANCE OF WIDEBAND DUAL POLARIZED STRIPLINE NOTCH ARRAYS", M. J. POVINELLI, J. A. Johnson, IEEE Symposium on antennas and propagation, 1988, S. 200–203).

Die Elemente vom Typ VIVALDI ähneln den Einkerbungsprofilen, weisen aber im Hinblick auf die Einspeisungsleitung nur eine einzige ausgesparte Metallisierung auf.
2 zeigt, wie die strahlenden Elemente R10 ... R19, ... R70 bis R79 auf einem Grundträger BA angeordnet sein können, um ein Antennennetz zu bilden.
Obwohl diese Elemente derzeit nicht modellierbar sind, gelingt es in einem gewissen Maße, diese so einzustellen, daß sie breitbandig arbeiten, mit Änderungen des Gewinns als Funktion der Frequenz und des Strahlungswinkels, die, um erheblich zu sein, dort nicht weniger akzeptabel werden, wo das Breitband die wesentliche Vorgabe ist.
Andererseits müssen diese Elemente, um gut zu funktionieren, auf einem höchstfrequenten Absorbtionsmittel angebaut sein, hier dem Träger BA. Diese Notwendigkeit bringt Probleme mit sich, wenn man dort die für (unter anderen) schmalbandige Anwendungen erforderliche Masseebene anordnen möchte, zumindest in einem ausreichend nahen Abstand, damit sie wirksam ist.
Bei der Durchführung von Versuchen mit solchen Einkerbungen, hat die Anmelderin das Mittel gefunden, diese Schwierigkeiten zu lösen.
3 zeigt das vorgeschlagene strahlende Element in der Form einer Einkerbung nach MONSER. Wie es bereits beobachtet wurde, daß die Eigenschaften des strahlenden Elementes mit einer dreidimensionalen Ähnlichkeitstransformation vom Faktor 2 (oder weniger) beibehalten werden, beziehen sich die Abmessungen auf eine Bezugswellenlänge λ, die jene der Mittenfrequenz des zu erhaltenden schmalen Bandes sein kann.
Das strahlende Element umfaßt ein dielektrisches Substrat SU, das aus zwei übereinander liegenden Schichten besteht, die jede eine Dicke e₀ = 0.026 λ haben. Dieses Substrat kann insbesondere aus Glas-Teflon vom Typ DUROID 5880 (eingetragene Marke) sein.
Das flache (im Prinzip ebene) Substrat, hier in rechteckiger Form, weist einen freien Rand BL auf, im vorliegenden Fall senkrecht zu seinen beiden großen Seiten, dessen Länge (größte Abmessung) hier a₀ = 0.57 λ ist.
Auf den beiden großen Seiten sind die Metallisierungen M1 und M2 vorgesehen. Diese Metallisierungen haben zwei entsprechende übereinanderlegbare Ausnehmungen, die in Bezug auf die Mittelsenkrechte des freien Randes (im dargestellten Beispiel) symmetrisch sind. Im allgemeinen weiten sich diese Ausnehmungen bis zum freien Rand BL hin auf. In der beschriebenen Ausführungsform handelt es sich um ein zweistufiges Profil, das wie folgt dimensioniert ist:

– breiter Spalt nahe am freien Rand BL der Breite a₁, = 0.213 λ, und von der Tiefe (Länge) p₁ = 0.213 λ, gleich seiner Breite;
– verengter Spalt, der dem freien Rand gegenüberliegt, der Breite von etwas weniger als einem Drittel des Vorhergehenden, es sei a₂ = 0.066 λ.
– die Gesamttiefe oder -länge der Ausnehmung ist p₂ = 0.343 λ.

Es ist zu bemerken, daß diese Form der Einkerbung sich von jener des US-Patents 3 836 976 insbesondere in den folgenden Punkten unterscheidet:

– "quadratischere" Form des Teils der Ausnehmung, der den breiten Spalt bil det (hier a₁ = p₁), und
– geringe Tiefe p₂ – p₁ des schmalen Spalts am Ende der Ausnehmung.

Die Einspeisungsleitung LA ist z. B. zwischen den beiden Schichten des Substrats SU aufgedruckt. Sie bildet mit den Metallisierungen M1 und M2 ein Dreischichtensystem ("stripline"), verbunden mit einer höchstfrequenten Ausbreitung vom Typ TEM ("transverse electric mode"). Ihr Endbereich LA9 koppelt auf den schmalen Spalt in der Art eines Übergangs Dreiplatten/Spalt. Dieser Übergang ist angepaßt, um gegenphasige Ströme zwischen den beiden Rändern des schmalen Spalts in der Kopplungszone zu erhalten.
In 3 ist aus dem Träger BA eine leitende Masseebene und ein Reflektor PM geworden. Die Masseebene kann gekrümmt sein, innerhalb der mit der höchstfrequenten Funktion kompatiblen Grenze. Diese Masseebene ist mit Durchtritten PT von allgemein rechteckiger Form versehen (hier mit abgerundeten Enden, um die Fertigung zu erleichtern). Die Abmessungen eines Durchtritts sind wie im Beispiel dargestellt:

– Länge f₁ = 0.636 λ, und
– Breite f₀ = 0,073 λ.

Ein einzelnes strahlendes Element kann an einer ausgewählten Position im Prinzip symmetrisch bezüglich des Durchtritts der Masseebene gehalten werden. Diese Positionierung kann mit Hilfe von Längsführungsflügeln GU, die auf seinem hinteren Verbinder CR (4A) angeordnet sind, erreicht werden. Wie es 4B zeigt, biegt sich die Einspeisungsleitung LA ausgehend von der Einkerbung, um in Längsrichtung auf die Ader CR1 des Verbinders zu treffen, den man in gleicher Weise wie die Löcher CR8 für die Befestigungsschrauben des Verbinders CR sieht.
5 zeigt schematisch die Anordnung auf beiden Seiten der Masseebene PM. Auf dieser ist ein z. B. metallischer Träger für den Verbinder CR aufgebracht.
Die Breite der Antenne ist in diesem Beispiel a₀ = 0,57 λ. 6 zeigt, daß es möglich ist, ein gleichseitiges Maschennetz mit einem vertikalen Abstand pv = 0,536 λ, und einem horizontalen Abstand ph = 0,619 λ zu konstruieren. Und 7 stellt einen Teil eines auf diese Weise erhaltenen Netzes dar. Selbstverständlich kann ein reales Netz eine deutlich höhere Anzahl von Elementen aufweisen, insbesondere mehrere hundert.
Die Anmelderin hat beobachtet, daß dieses Antennennetz in einem Band von 10% um eine Mittenfrequenz (entspricht λ) mit einem Erfassungswinkel von +/– 60° funktioniert, und dieses, ohne auf Nebenkeulen zu stoßen, die durch das Netz herrühren. Dies entspricht gut den Bedürfnissen des schmalen Bandes, in einer relativ einfachen und ökonomischen Ausführung.
Das Antennennetz liefert darüber hinaus den Vorteil, einen Durchlaßbereich zu besitzen, der größer als eine Oktave ist. Dies macht es dazu geeignet, in anderen schmalbandigen Modi zu arbeiten, insbesondere im Multifrequenzmodus.
Bei dem gegenwärtigen Stand ihrer Arbeiten schätzt die Anmelderin, daß die erhaltenen Leistungen sich auf die nachfolgend dargestellte Weise erklären.
Es wurde zunächst beobachtet, daß die Einkerbung ein im wesentlichen festes Phasenzentrum aufweist, im wesentlichen auf Höhe des freien Randes, in einem schmalen Frequenzband, das sich über ungefähr 10% um eine gewählte Mittenfrequenz erstreckt, und dies im wesentlichen über die Gesamtheit des Erfassungswinkels.
Indem man eine Masseebene nahe am strahlenden Teil einer Einkerbung, anstatt des üblichen Absorptionsmittels plaziert, erwartet man, im wesentlichen die Leistungen herabzustufen, und dadurch, daß die Einkerbung noch weniger zu schmalbandigen Anwendungen paßt, insbesondere zu denen, wo der Phase viel Bedeutung zukommt.
Gleichwohl ist es unzweifelhaft, daß der Abstand zwischen dem Durchtritt und dem freien Rand des Substrats gewählt werden kann, um die Strahlungsausbeute in be sagtem schmalen Band zu optimieren, und so die negativen Effekte durch das Vorhandensein der Masseebene zu kompensieren. Vorzugsweise ist der Abstand d₀ zwischen dem Durchtritt PT der Masseebene und dem freien Rand BL des Substrats in der Nähe der halben Wellenlänge in Luft der Mittenfrequenz des schmalen Bandes. In 3 ist d₀ ungefähr 0,44 λ. Unterschiedliche Werte können jedoch in gleicher Weise passend sein.
Dies wurde mit Einkerbungen nach MONSER beobachtet. Man schätzt, daß analoge Anpassungen mit einer Einkerbung nach POVINELLI (8) oder einem exponentiellen Einkerbungsprofil (9) durchgeführt werden können. Derartige Anpassungen sind in gleicher Weise vorstellbar mit VIVALDI-Elementen, die unter gewissen Bedingungen wie Halbkerben betrachtet werden können.
Desweiteren kann der seitliche Abstand zwischen den Längsrändern des Durchtritts PT der Masseebene und jeder großen Seite des Substrats eingestellt werden, um ein niedriges Stehwellenverhältnis zu erhalten, unter Vergrößern des Durchlaßbereichs bei vorhandener Masseebene. Das beschriebene Element weist über eine Bandbreite größer als eine Oktave einen aktiven Reflexionskoeffizienten von 10 dB auf, was einem aktiven Stehwellenverhältnis (TOS) von 2/1 entspricht. Das Strahlungsdiagramm weist eine Öffnung von 90° auf. Man kann es folglich auch im Breitband verwenden, mit einem Erfassungswinkel von +/– 45°, für Nebenkeulen, die mindestens 10 dB unter dem Niveau der Hauptkeule liegen. Die Störimpulsbeseitigung der elektronischen Strahlschwenkung kann für diese Anwendung durch Verzögerungsleitungen erreicht werden. Die Leistungen im Breitband können verbessert werden, wenn die strahlenden Elemente, die auf dem Umkreis des Antennennetzes liegen, nicht auf diese Weise versorgt werden. Das Substrat des strahlenden Elementes kann nach hinten verlängert werden, um für eine gedruckte Schaltung benutzt zu werden, die die aktiven oder passiven Bauteile der elektronischen Schwenkvorrichtung und/oder Verstärkerelemente trägt. Mit anderen Worten, die Erfindung paßt gut für aktive Strahlungsmodule.
Für gewisse Anwendungen, die eine Zirkularpolarisation erfordern, kann man einen Mäanderlinien-Polarisator vor jedes strahlende Element anordnen, d. h. an der Seite seines freien Randes.
Für andere Anwendungen, bei denen eine Vielzahl von Polarisationen notwendig ist, kann man die strahlenden Elemente über Kreuz, entweder zwei an jeder Position, oder indem man eine neben der anderen gekreuzt anordnet, positionieren.
Durch eine passende Auswahl der Abmessungen, ist das strahlende Element geeignet, ungefähr zwischen 1 und 50 GHz zu funktionieren.

Claims

Strahlende Vorrichtung, mit: – einem Träger (PM), – einem ebenen dielektrischen Substrat (SU), das senkrecht zum Träger angebracht ist, um im Abstand des Trägers einen freien Rand (BL) parallel zu diesem zu definieren, – auf wenigstens einer der beiden großen Seiten des Substrats eine Metallschicht (M1, M2), versehen mit einer Ausnehmung (E1, E2), die sich bis zum freien Rand aufweitet, – wobei das Substrat somit eine strahlende Struktur bildet, wo das Profil der Ausnehmung eine Anpassung zwischen einer Kupplungszone mit einer höchstfrequenten Einspeisung und einer breitbandigen Strahlungszone in der Nähe des freien Randes bildet, dadurch gekennzeichnet, daß das Profil der Ausnehmung (E1, E2) ausgewählt ist, um ein im wesentlichen festes Phasenzentrum zu besitzen, in einem schmalen Frequenzband, das sich um ungefähr 10% um eine gewählte Mittenfrequenz erstreckt, und dieses im wesentlichen über die Gesamtheit des Erfassungswinkels, und daß der Träger eine Masseebene (PM) aufweist, die entlang eines Durchtritts (PT) ausgenommen ist, der in der Lage ist, das Substrat aufzunehmen, wobei der Abstand zwischen diesem Durchtritt und dem freien Rand (BL) des Substrats gewählt ist, um die Strahlungsausbeute in dem schmalen Band zu optimieren.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden großen Seiten des Substrats mit zwei Metallisierungen (M1, M2) mit Ausnehmungen (E1, E2) von derselben Form in entsprechenden Positionen versehen sind, was ein Einkerbungsprofil liefert.
Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessung der Ausnehmung (E1, E2) senkrecht zum freien Rand höchstens gleich der Länge des freien Randes (BL) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung vom Typ genannt "MONSER"-Einkerbung ist, die ein zweistufiges Anpassungsprofil an den freien Raum aufweist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem Durchtritt (PT) der Masseebene und dem freien Rand (BL) des Substrats in der Nähe der halben Wellenlänge in Luft bei der Mittenfrequenz des schmalen Bandes liegt.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der seitliche Abstand zwischen dem Längsrand des Durchtritts (PT) der Masseebene und der großen Seite des Substrats, die gegenüberliegt, eingestellt ist, um ein niedriges Stehwellenverhältnis zu erhalten, unter Vergrößern des Durchlaßbereichs beim Vorhandensein der Masseebene.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Kopplungsstreifenleitung (LA) aufweist, die eine Dreischichtenstruktur mit der Metallisierung (M1, M2) des Substrats bildet, und einen Übergang Dreischichten/Spalt mit der Ausnehmung (E1, E2) in der Nähe ihres zum freien Ende des Substrats beabstandeten Endes bildet.
Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungsstreifenleitung (LA) im TEM-Modus arbeitet.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Polarisationsmittel, wie einen Mäanderlinien-Polarisator aufweist, der vor den freien Rand des strahlenden Elements gesetzt ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Mehrzahl von Substraten mit Einkerbung aufweist, die ein zweidimensionales Netz auf einer selben Masseebene bilden, die mit entsprechenden spaltenförmigen Durchtritten dieser Substrate (7) versehen ist.
Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate mit Einkerbung im Hinblick auf verschiedene Polarisationen gekreuzt sind.
Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß sie darüber hinaus elektronische Strahlschwenkungseinrichtungen wenigstens entlang einer Richtung aufweist.