DE69725508T2

DE69725508T2 - Dünnfilm-Mehrschichtelektrode, Hochfrequenzübertragungsleitung, Hochfrequenzresonator, und Hochfrequenzfilter

Info

Publication number: DE69725508T2
Application number: DE69725508T
Authority: DE
Inventors: Yohei Nagaokakyo-shi Ishikawa; Seiji Nagaokakyo-shi Hidaka; Norifumi Nagaokakyo-shi Matsui; Tomoyuki Nagaokakyo-shi Ise
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-06-03
Filing date: 1997-06-03
Publication date: 2004-08-05
Anticipated expiration: 2017-06-04
Also published as: JP3087651B2; CN1176504A; CN1118109C; CA2206615A1; MX9704058A; NO972511D0; EP0812025B1; US5920243A; DE69725508D1; NO972511L; CA2206615C; NO319393B1; EP0812025A1; JPH09326609A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Mehrschicht-Dünnfilmelektrode, die in einem Hochfrequenzband verwendet wird, wie z. B. einem Mikrowellen-, Teilmillimeterwellen- oder Millimeterwellen-Band.
Kürzlich wurden elektronische Teile in ihrer Größe kleiner. Die Größe von Hochfrequenzvorrichtungen, die in einem Hochfrequenzband verwendet werden, wie z. B. einem Mikrowellen, einem Submillimeterwellen- oder einem Millimeterwellen-Band, wird ebenfalls reduziert, durch Verwenden von Materialien, die eine hohe dielektrische Konstante aufweisen. Wenn jedoch eine geringere Größe erreicht wird, durch Erhöhen der dielektrischen Konstante, wird der Energieverlust nachteilhaft erhöht, in umgekehrter Proportion zu der Kubikwurzel des Volumens. Der Energieverlust von Hochfrequenzvorrichtungen kann grob in einen Leiterverlust aufgrund eines Skineffekts und einen dielektrischen Verlust aufgrund dielektrischer Materialien klassifiziert werden. Vor kurzem wurden dielektrische Materialien mit einer hohen dielektrischen Konstante mit niedrigem dielektrischem Verlust in praktische Verwendung gebracht. Daher ist der Leiterverlust dominanter als der dielektrische Verlust beim Bestimmen des ungeladenen Q einer Schaltung.
Unter den obigen Umständen, in einer offengelegten internationalen Anmeldung Nr. WO 95/06336, haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung eine Mehrschichtdünnfilmelektrode vorgeschlagen, die den Leiterverlust bei Hochfrequenzbändern reduzieren kann. 4 ist eine perspektivische Ansicht eines 1/2-λ-Leitungsresonators, der aus der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 aufgebaut ist, die in der internationalen Anmeldung angezeigt ist. Die Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 wird wie folgt vorbereitet:
ein mit Masse verbundener Leiter 11 wird auf der gesamten hinteren Oberfläche eines dielektrischen Substrats 10 gebildet; ein bandförmiger dünner Leiterfilm 3a, dessen Länge λg/2 (λg zeigt die Wellenlänge in dem Wellenleiter an) in der Längsrichtung beträgt, wird auf dem dielektrischen Substrat 10 gebildet; und dann werden ein dünner dielektrischer Film 30a-2, ein dünner Leiterfilm 30a-1 und ein dünner Leiterfilm 1a auf den dünnen Leiterfilm 3a in der gegebenen Reihenfolge laminiert, um die Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 auf dem dielektrischen Substrat 10 fertigzustellen.
Wie oben erwähnt wurde, wird eine Mikrostreifenleitung (hierin nachfolgend bezeichnet als „Hauptübertragungsleitung") LN 10a für einen TEM-Mode durch den dünnen Leiterfilm 3a, den mit Masse verbundenen Leiter 11 und das dielektrische Substrat 10 gebildet, das sandwichartig zwischen dem dünnen Leiterfilm 3a und dem mit Masse verbundenen Leiter 11 angeordnet ist. In der Zwischenzeit wird über der Hauptübertragungsleitung LN 10a eine Nebenübertragungsleitung für den TEM-Mode gebildet, durch sandwichartiges Anordnen des dünnen dielektrischen Films 30a-2 zwischen einem Paar von dünnen Leiterfilmen 2a und 3a, und eine andere Nebenübertragungsleitung für den TEM-Mode wird gebildet, durch sandwichartiges Anordnen des dünnen dielektrischen Films 30a-1 zwischen einem Paar von dünnen Leiterfilmen 1a und 2a. Gemäß einem Verfahren, das in der WO 95/06336 offenbart ist, ist die herkömmliche Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 wie folgt aufgebaut:

(a) Die Dicke und die dielektrischen Konstanten ε_s des dünnen dielektrischen Films 30a-1 und jene des dünnen dielektrischen Films 30a-2 werden jeweils auf vorbestimmte Werte eingestellt, so daß die TEM-Welle, die durch die Hauptübertragungsleitung LN 10a bzw. die Nebenübertragungsleitungen übertragen wird, dieselbe Phasengeschwindigkeit aufweisen; und
(b) Die Dicke des dünnen Leiterfilms 2a und die des dünnen Leiterfilms 3a werden jeweils auf vorbestimmte Werte eingestellt, wobei die Werte dünner sind als die Hauttiefe bei einer Betriebsfrequenz, so daß das elektromagnetische Feld der Hauptübertragungsleitung LN 10a und das der Nebenübertragungsleitung benachbart zu derselben gekoppelt sind und die elektromagnetischen Felder der Nebenübertragungsleitungen benachbart zueinander gekoppelt sind.

Somit fließt die Hochfrequenzenergie, die in die Hauptübertragungsleitung LN 10a fließt, teilweise in die Nebenübertragungsleitungen, so daß ein Hochfrequenzstrom durch jeden der dünnen Leiterfilme 1a–3a fließt. Der Skineffekt bei der Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 wird dadurch bei hohen Frequenzen weitgehend unterdrückt.
Ein 1/2-λ-Leitungsresonator, wie er in 4 gezeigt ist, kann als ein Bandpaßfilter arbeiten, wenn er mit einer externen Schaltung über einen Leiter 12 für einen Eingangsanschluß und einen Leiter 13 für einen Ausgangsanschluß verbunden ist, wobei die Leiter 12 und 13 auf dem dielektrischen Substrat 10 gebildet sind.
Solche herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektroden weisen jedoch nachteilhafterweise eine niedrige Haftfestigkeit zwischen dem dielektrischen Substrat und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben auf und zwischen jedem dünnen dielektrischen Film und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben, was zu einer reduzierten Zuverlässigkeit führt. Zusätzlich dazu, wenn haftende leitfähige Zwischenschichtfilme zum Verbessern der Haftfestigkeit zwischen dem dünnen dielektrischen Substrat und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben und zwischen jedem dünnen dielektrischen Film und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bereitgestellt werden, kann ein Skineffekt nicht zufriedenstellend unterdrückt werden.
Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Mehrschichtdünnfilmelektrode zu schaffen, die eine ausreichende Unterdrückung eines Skineffekts zeigt und die eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit bei einer höheren Haftfestigkeit zwischen dem dielektrischen Substrat und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben und zwischen jedem dünnen dielektrischen Film und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben aufweist, im Vergleich zu der von herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektroden.
Diese Aufgabe wird durch eine Mehrschichtdünnfilmelektrode gemäß Anspruch 1 gelöst.
Eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung weist dünne dielektrische Filme und dünne Leiterfilme auf, wobei jeder derselben abwechselnd mit einem haftenden Leiterfilm zwischen denselben laminiert wird. Die Dicke jeder Schicht ist so eingestellt, daß eine ausreichende Unterdrückung eines Skineffekts beibehalten werden kann.
Anders ausgedrückt ist eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß haftende Leiterfilme, die Bereiter ein Metalloxid bilden als im Vergleich zu dünnen Leiterfilmen, zwischen dem dielektrischen Substrat und den dünnen Leiterfilmen benachbart zu demselben und zwischen jedem der dünnen Leiterfilme und dem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben bereitgestellt werden. Und eine Erhöhung des Oberflächenreaktionsvermögens der dünnen Leiterfilme, die durch die Einfügung der haftenden Leiterfilme verursacht wird, wird beseitigt durch Korrigieren der Dicke von jedem der dünnen dielektrischen Filme basierend auf den dielektrischen Konstanten des dünnen dielektrischen Films und dem dielektrischen Substrat und der Dicke des haftenden Leiterfilms benachbart zu dem dünnen dielektrischen Film.
Gemäß der obigen Struktur weisen ein elektromagnetisches Feld, das in dem dielektrischen Substrat übertragen wird und das, das in jedem Dünnfilm übertragen wird, im wesentlichen dieselbe Phase bei einer vorbestimmten Frequenz auf. Das heißt: wenn Übertragungsleitungen unter Verwendung der obigen Mehrschichtdünnfilmelektrode gebildet werden, weisen die fortschreitenden Wellen, die durch das Innere des dielektrischen Substrats bzw. das Innere der dünnen dielektrischen Filme übertragen werden im wesentlichen dieselbe Phasengeschwindigkeit auf; und wenn ein Resonator unter Verwendung der obigen Mehrschichtdünnfilmelektrode gebildet wird, oszillieren die elektromagnetischen Felder, die in dem dielektrischen Substrat bzw. den dünnen dielektrischen Leiterfilmen übertragen werden, im wesentlichen bei derselben Phase.
Gemäß der vorliegenden Erfindung sind zum Verbessern der Zwischenschicht-Haftfestigkeit haftende Leiterfilme vorzugsweise aus zumindest einem Metall aufgebaut, das aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Zr, Hf, Ti, Ta, Nb, V, und Cr, wobei die Metalle eine hohe Standardenthalpie einer Oxidbildung aufweisen. In diesem Fall wird die Dicke jedes dünnen dielektrischen Films vorzugsweise basierend auf der Dickenkorrektur Δxs korrigiert, die nachfolgend gezeigt ist. Δxs = {(εm/εs) – 1}–1·Δswobei ε_m die dielektrische Konstante des dielektrischen Substrats 10 ist, ε_s die dielektrische Konstante jedes dünnen dielektrischen Films ist und Δs die Dicke des haftenden Leiterfilms benachbart zu jedem dünnen dielektrischen Film ist.
Eine Übertragungsleitung der vorliegenden Erfindung weist eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung auf, die in einer vorbestimmten Form auf zumindest einer Seite eines dielektrischen Substrats gebildet ist.
Ein Hochfrequenzresonator der vorliegenden Erfindung weist eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung auf, die in einer vorbestimmten Form auf zumindest einer Seite eines dielektrischen Substrats gebildet ist.
Ein Hochfrequenzfilter der vorliegenden Erfindung weist folgende Merkmale auf: eine Mehrzahl von Hochfrequenzresonatoren der vorliegenden Erfindung, wobei jedes Paar der Hochfrequenzresonatoren, die benachbart zueinander positioniert sind, elektromagnetisch gekoppelt ist; einen Eingangsanschluß zum Eingeben von Signalen in die Hochfrequenzresonatoren; und einen Ausgangsanschluß zum Ausgeben von Signalen aus den Hochfrequenzresonatoren.
1 ist ein perspektivisches Diagramm eines 1/2-λ-Leitungsresonators, der Mehrschichtdünnfilmelektroden der vorliegenden Erfindung verwendet;
2 ist ein Flußdiagramm, das ein Verfahren zum Einstellen der Dicke jedes dünnen Leiterfilms und der jedes dünnen dielektrischen Films gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
3a bis 3e zeigen Modifikationen unter Verwendung von Mehrschichtdünnfilmelektroden der vorliegenden Erfindung; und
4 ist ein perspektivisches Diagramm eines 1/2-λ-Leitungsresonators, der eine herkömmliche Mehrschichtdünnfilmelektrode verwendet.
Die vorliegende Erfindung ist aus der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen besser verständlich.
1 ist ein perspektivisches Diagramm eines 1/2-λ-Leitungsresonators eines Ausführungsbeispiels, das in die vorliegende Erfindung aufgenommen ist. Der 1/2-λ- Leitungsresonator ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 der vorliegenden Erfindung, in der Haftleiterfilme zwischen einem dielektrischen Substrat 10 und einen dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bzw. zwischen jedem dünnen Leiterfilm und einem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben bereitgestellt sind, anstelle der Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 verwendet wird, die bei herkömmlichen Dünnfilmmehrschichtelektroden verwendet wird.
Gemäß dem 1/2-λ-Leitungsresonator der vorliegenden Erfindung ist ein mit Masse verbundener Leiter 11 auf der gesamten Rückoberfläche eines dielektrischen Substrats 10 gebildet, und ein bandförmiger dünner Leiterfilm 3 λ g/2 lang in der Längsrichtung ist auf dem dielektrischen Substrat 10 mit einem haftenden Leiterfilm 20-5 zwischen denselben gebildet. Ein haftender Leiterfilm 20-4, ein dünner dielektrischer Film 30-2, ein haftender Leiterfilm 20-3, ein dünner Leiterfilm 2, ein haftender Leiterfilm 20-2, ein dünner dielektrischer Film 30-1, ein haftender Leiterfilm 20-1 und ein dünner Leiterfilm 1 werden dann in der gegebenen Reihenfolge auf den dünnen Leiterfilm 3 laminiert. Eine Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 wird dadurch erzeugt, die aus einem haftenden Leiterfilm 20-5, einen dünnen Leiterfilm 3, einem haftenden Leiterfilm 20-4, einem dünnen dielektrischen Film 30-2, einem haftenden Leiterfilm 20-3, einen dünnen Leiterfilm 2, einen haftenden Leiterfilm 20-2, einen dünnen dielektrischen Film 30-1, einem haftenden Leiterfilm 20-1 und einem dünnen Leiterfilm 1 aufgebaut ist, die in dieser Reihenfolge auf das dielektrische Substrat 10 laminiert sind.
Metalle, die ohne weiteres eine Verbindung mit Sauerstoff bilden, werden als Materialien für einen haftenden Leiterfilm verwendet. Je leichter ein Metall eine Verbindung mit Sauerstoff bildet, desto mehr wird die Haftfestigkeit zwischen dem dielektrischen Substrat und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben und zwischen jedem dünnen Lei terfilm und einem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben verbessert. Anders ausgedrückt werden Metalle, die eine hohe Standardenthalpie einer Oxidbildung aufweisen, wie in Tabelle 1 gezeigt ist, bevorzugt. Tabelle 1

Metall Standardbildungsenthalpie (kJ/mol)

Zr –370

Hf –370

Ti –320

Ta –310

Nb –290

V –270

Cr –220
Das dielektrische Substrat 10 weist eine relativ hohe dielektrische Konstante und einen niedrigen dielektrischen Verlust auf und ist vorzugsweise aus einkristallinem Aluminium gebildet, wie z. B. Saphir oder Keramik (z. B. (Zr, Sn) TiO₉). Die dünnen dielektrischen Filme 30-1 und 30-2 sind vorzugsweise aus SiO₂, Ta₂O₅ oder TaSiO hergestellt, wobei jedes derselben einen geringen dielektrischen Verlust aufweist und ohne weiteres in Dünnfilme gebildet wird. Der mit Masse verbundene Leiter 11 und die dünnen Leiterfilme 1–3 sind vorzugsweise aus hochleitfähigen Metallen hergestellt, wie z. B. Cu, Al, Au und Ag.
Bei dem 1/2-λ-Leitungsresonator, der die oben erwähnte Struktur aufweist, wird eine Hauptübertragungsleitung LN 10 gemäß einem TEM-Mode durch den dünnen Leiterfilm 3, den mit Masse verbundenen Leiter 11 und das dielektrische Substrat 10 gebildet, das sandwichartig zwischen dem dünnen Leiterfilm 3 und dem mit Masse verbundenen Leiter 11 angeordnet ist, wobei ein haftender Leiterfilm 20-5 zwischen dem dün nen Leiterfilm 3 und dem dielektrischen Substrat 10 bereitgestellt ist. In der Zwischenzeit wird über der Hauptübertragungsleitung LN 10a eine Nebenübertragungsleitung gemäß einem TEM-Mode gebildet, durch sandwichartiges Anordnen des dünnen dielektrischen Films 30-2 zwischen einem Paar von dünnen Leiterfilmen 2 und 3, derart, daß der haftende Leiterfilm 20-3 zwischen dem dünnen Leiterfilm 2 und dem dünnen dielektrischen Film 30-2 bereitgestellt ist und der haftende Leiterfilm 20-4 zwischen dem dünnen dielektrischen Film 30-2 und dem dünnen Leiterfilm 3 bereitgestellt ist, und eine weitere Nebenübertragungsleitung gemäß einem TEM-Mode wird gebildet, durch sandwichartiges Anordnen des dünnen dielektrischen Films 30-1 zwischen einem Paar von dünnen Leiterfilmen 1 und 2, derart, daß der haftende Leiterfilm 20-1 zwischen dem dünnen Leiterfilm 1 und dem dünnen dielektrischen Film 30-1 vorgesehen ist, und daß der haftende Leiterfilm 20-2 zwischen dem dünnen dielektrischen Film 30-1 und dem dünnen Leiterfilm 2 bereitgestellt ist.
Insbesondere wird die Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 wie folgt aufgebaut:

(a) Unter Verwendung eines Verfahrens, wie bei letzterem erwähnt wurde, werden die Dicke des dünnen dielektrischen Films 30-1 und die des dünnen dielektrischen Films 30-2 auf Werte eingestellt, die durch Korrigieren der Dicke des dünnen dielektrischen Films 30a-1 und der des dünnen dielektrischen Films 30a-2 bei der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode erhalten werden, und dadurch weisen die TEM-Wellen, die durch die Hauptübertragungsleitung LN 10 bzw. die Nebenübertragungsleitungen übertragen werden, im wesentlichen die gleiche Phasengeschwindigkeit auf; und
(b) die Dicke des dünnen Leiterfilms 2 und die des dünnen Leiterfilms 3 werden jeweils auf vorbestimmte Werte eingestellt, die dünner sind als die Hauttiefe bei einer Betriebsfrequenz, so daß das elektromagnetische Feld der Hauptübertragungsleitung LN 10 und das der Nebenübertragungsleitung benachbart zu derselben gekoppelt sind, und daß die elektromagnetischen Felder der Nebenübertragungsleitungen benachbart zueinander ebenfalls gekoppelt sind.

Der Skineffekt bei hohen Frequenzen wird dadurch weitgehend in der Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 unterdrückt, die die haftenden Leiterfilme 20-1 bis 20-5 aufweist. Ferner werden bei diesem Ausführungsbeispiel die dünnen Leiterfilme 1, 2 und 3, die dünnen dielektrischen Filme 30-1 und 30-2 und die haftenden Leiterfilme 20-1 bis 20-5 derart vorbereitet, daß je weiter oben die Schicht eines Films ist, desto dicker dieselbe unter Verwendung des Verfahrens gebildet wird, das in der japanischen Patentanmeldung Nr. 6-310900 beschrieben ist, um den Skineffekt effektiver im Vergleich zu der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 zu unterdrücken.
Ein Verfahren zum Korrigieren der Dicke jedes dünnen dielektrischen Films wird nachfolgend erklärt.
Wenn haftende Leiterfilme zwischen einem dielektrischen Substrat und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bzw. zwischen jedem dünnen Leiterfilm und einem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben vorgesehen sind, zum Verbessern der Haftfestigkeit, während die dünnen dielektrischen Filme eingestellt sind, um dieselbe Dicke aufzuweisen wie die der dünnen dielektrischen Filme, die bei der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 verwendet wurden, verschlechtert sich die Unterdrückung (d. h., Q-Elevationseffekt) des Skineffekts. Aus der Untersuchung durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung wurde aufgedeckt, daß das obige Phänomen an einer Erhöhung des Oberflächenreaktionsvermögens eines dünnen Leiterfilms in Kontakt mit einem haftenden Leiterfilm lag.
Daher wurden praktische Verfahren zum Beseitigen der Erhöhung ΔX bei dem Oberflächenreaktionsvermögen eines dünnen Leiterfilms untersucht, wobei die Erhöhung an der Bildung des haftenden leitfähigen Films liegt. Als ein Ergebnis hat sich herausgestellt, daß die Erhöhung ΔX bei dem Oberflächenreaktionsvermögen beseitigt werden könnte, wenn ein dünner dielektrischer Film in Kontakt mit dem haftenden Leiterfilm, dessen gegenüberliegende Seite in Kontakt mit dem dünnen Leiterfilm war, auf eine vorbestimmte Dicke verdickt werden würde. Anders ausgedrückt, wenn ein haftender Leiterfilm, der eine Filmdicke Δs aufweist, gebildet wird, ist die Erhöhung ΔX bei dem Oberflächenreaktionsvermögen eines dünnen Leiterfilms und Kontakt mit dem haftenden Leiterfilm durch die nachfolgende Gleichung 1 gezeigt: ΔX = Δs/δ0 Gleichung 1wobei δ₀ die Hauttiefe eines dünnen Leiterfilms in Kontakt mit dem haftenden Leiterfilm ist. Es hat sich herausgestellt, daß die Dickenkorrektur Δxs für einen dünnen dielektrischen Film, der zum Beseitigen der Erhöhung ΔX der Gleichung 1 erforderlich ist, ungefähr durch die nachfolgende Gleichung 2 gezeigt werden könnte: Δxs = {(εm/εs) – 1}–1·Δs Gleichung 2wobei ε_m eine dielektrische Konstante des dielektrischen Substrats 10 ist und ε_s eine dielektrische Konstante des dünnen dielektrischen Films ist. Wenn dünne Leiterfilme aus hochleitfähigen Metallen gebildet werden, wie z. B. Cu (Leitfähigkeit σ_cu ≈ 53 × 10⁶), Ag (Leitfähigkeit σ_Ag ≈ 61 × 10⁶), Au (Leitfähigkeit σ_Au ≈ 45 × 10⁶) und Al (Leitfähigkeit σ_Al ≈ 37 × 10⁶), ist die Näherungsgleichung 2 in einem Bereich von ungefähr 10³ < σ_s < 2 bis 5 × 10⁶ s/m gut (d. h. die Leitfähigkeit σ_s ist nicht geringer als 10³ und nicht mehr als ein Zehntel der Leitfähigkeit des dünnen Leiterfilms). Wie oben gezeigt ist, kann durch größeres Einstellen der Dicke eines dünnen dielektrischen Films Δxs, wobei Δxs die Gleichung 2 erfüllt, die Mehrschichtdünnfilmelektrode 100, die haftende Leiterfilme aufweist, ähnlich zu der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 arbeiten, was zu einer Unterdrückung des Skineffekts ähnlich zu der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode 200 führt. Die Dickenkorrektur Δxs, die aus der Gleichung 2 erhalten wird, wird an Fälle zum Bilden eines haftenden Leiterfilms auf der oberen oder unteren Seite eines dünnen dielektrischen Films angewendet. Wenn haftende Leiterfilme an beiden Seiten eines dünnen dielektrischen Films vorgesehen sind, beträgt der Korrekturbetrag des dünnen dielektrischen Films 2 × Δxs.
2 ist ein Flußdiagramm, das ein Verfahren zum Einstellen einer Filmdicke gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, das das oben erwähnten Korrekturverfahren umfaßt. Wie in dem Flußdiagramm gezeigt ist, wird bei Schritt S1 die Dicke und dielektrische Konstante ε_s jedes dünnen dielektrischen Films und die Dicke jedes dünnen Leiterfilms durch ein herkömmliches Verfahren eingestellt, das zum Einstellen der Dicke jedes dünnen Leiterfilms und der jedes dünnen dielektrischen Films in dem Fall verwendet wird, daß kein haftender Leiterfilm gebildet wird. Bei Schritt S2 wird die Dickenkorrektur für jeden dünnen dielektrischen Film berechnet, unter Verwendung der Gleichung 2 basierend auf der dielektrischen Konstante ε_s des dünnen dielektrischen Films, der dielektrischen Konstante ε_m eines dielektrischen Substrats und der Dicke eines haftenden Leiterfilms in Kontakt mit dem dünnen dielektrischen Film. Die Dicke jedes dünnen dielektrischen Films, die bei Schritt S1 eingestellt wird, wird korrigiert, durch Addieren der resultierenden Dickenkorrektur. Die Dicke jedes dünnen Leiterfilms, die bei Schritt S1 eingestellt wird, wird als der Einstellungswert ohne Korrektur verwendet, und die jedes dünnen dielektrischen Films, die durch Korrigieren des Schrittes S2 erhalten wird, wird als der Einstellungswert verwendet. Daher kann die Dicke jedes dünnen Leiterfilms und die jedes dün nen dielektrischen Films gemäß relativ einfacher Schritte eingestellt werden.
Als ein Ergebnis kann ein 1/2-λ-Leitungsresonator mit einem hohen Q-Wert bei Nullast erreicht werden, durch Bilden des Resonators unter Verwendung der Mehrschichtdünnfilmelektrode 100, des mit Masse verbundenen Leiters 11 und des dielektrischen Substrats 10, bereitgestellt zwischen der Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 und dem mit Masse verbundenen Leiter 11. Ferner kann ein Bandpaßfilter unter Verwendung des 1/2-λ-Leitungsresonators wie folgt erhalten werden: ein Leiter 12 für einen Eingangsanschluß wird derart gebildet, daß der Leiter 12 und ein Längsende der Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 mit einer vorbestimmten Distanz zwischen denselben und elektromagnetisch miteinander gekoppelt positioniert sind; und ein Leiter 13 für einen Ausgangsanschluß wird derart gebildet, daß der Leiter 13 und das andere Längsende der Mehrschichtdünnfilmelektrode 10 mit einer vorbestimmten Distanz zwischen denselben und elektromagnetisch miteinander gekoppelt positioniert sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind der Leiter 12 für einen Eingangsanschluß und ein Ende des dünnen Leiterfilms 3 kapazitiv gekoppelt, sowie der Leiter 13 für einen Ausgangsanschluß und das andere Ende des dünnen Leiterfilms 3.
Da Mehrschichtdünnfilmelektroden, die haftende Leiterfilme aufweisen, eine höhere Zwischenschicht-Haftfestigkeit erreichen können, werden die mechanische Festigkeit und der Widerstand gegenüber Umweltänderungen verbessert. Der Bereich von anwendbaren Prozessen nach dem Filmbilden einer Mehrschichtdünnfilmelektrode auf einem keramischen Substrat erhöht sich dadurch. Die Mehrschichtdünnfilmelektrode kann einer mechanischen Verarbeitung standhalten, z. B. kann das Substrat durch eine Vereinzelungsvorrichtung zusammen mit der Mehrschichtdünnfilmelektrode geschnitten werden, und das Substrat kann zusammen mit der Mehrschichtdünnfilmelektrode poliert werden. Daher kann das Substrat verschiedenen Verarbeitungsschritten unterzogen werden, nach dem Bilden der Mehrschichtdünnfilmelektrode auf dem Substrat. Zusätzlich dazu kann die Mehrschichtdünnfilmelektrode extremen Umweltbedingungen standhalten, in denen die Temperatur von ultraniedrig bis hoch variiert, was zu einem breiteren Temperaturbereich für den Vorrichtungsbetrieb führt. Daher kann eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung nicht nur an den oben erwähnten Resonator und Filter angewendet werden, sondern ferner an verschiedene Typen von Resonatoren und Filtern. Resonatoren und Filter, die einen ausgezeichneten Widerstand gegenüber der Umgebung aufweisen, können ebenfalls gemäß einer Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung bereitgestellt werden.
BEISPIELE
Beispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
Bei den nachfolgenden Beispielen wurde die Q-Elevationsrate zwischen einem Fall zum Korrigieren der Dicke von dünnen dielektrischen Filmen und einem Fall des Nichtkorrigierens der Dicke eines dünnen dielektrischen Films verglichen. Parameter, die bei den nachfolgenden Beispielen verwendet werden, sind wie folgt eingestellt:

(1) Betriebsfrequenz der Mehrschichtdünnfilmelektrode 2,6 GHz;
(2) relative dielektrische Konstante des dielektrischen Substrats ((Zr, Sn)TiO₄)ε_m 38,0;
(3) relative dielektrische Konstante des dünnen dielektrischen Films (SiO₂)ε_s 4,1;
(4) Leitfähigkeit des dünnen Leiterfilms (Cu)σ₁ 50 × 10⁶ S/m;
(5) Leitfähigkeit des haftenden Leiterfilms (Ti)σ₂ 1 × 10⁶ S/m.

Ferner zeigt jedes der nachfolgenden Beispiele eine Mehrschichtdünnfilmelektrode, bei der eine obere Elektrode dicker ist als andere niedrigere dünne Elektroden innerhalb der Schicht und die niedrigeren Elektroden dieselbe Dicke aufweisen. Ferner sind die Dicken von dünnen dielektrischen Filmen gleich.
Idealerweise, wie in unserer japanischen Anmeldung Nr. 6-310900 angezeigt ist, verringert sich die Dicke von dünnen dielektrischen Filmen allmählich von der oberen zu der unteren Schicht, so daß die Dicke des untersten dünnen dielektrischen Films die geringste ist.
Um jedoch eine praktische mechanische Festigkeit der Schicht einzurichten, können die unteren dielektrischen Schichten dicker sein als ihre ideale Dicke zum Ausführen einer maximalen Unterdrückung des Skineffekts.
Sogar wenn die Mehrschichtdünnfilmelektrode eine Struktur aufweist, die in einem der nachfolgenden Beispiele angezeigt ist, kann eine ausreichende Unterdrückung eines Skineffekts erreicht werden. Ein akzeptabler Bereich der Dicke des dielektrischen Dünnfilms wird ebenfalls in der japanischen Anmeldung beschrieben.
Beispiel 1
Zuerst werden Ergebnisse, die aus der Bewertung einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode erhalten werden, zum Vergleich gezeigt, und dann werden jene aus Beispiel 1 beschrieben. Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse, die aus der Bewertung einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode erhalten werden, die fünf dünne Leiterfilmschichten auf weist (hierin nachfolgend bedeutet die Anzahl von Schichten die Anzahl von dünnen Leiterfilmschichten), und die vorbereitet wird, ohne einen haftenden leitfähigen Film unter den oben erwähnten Parameterbedingungen zu bilden. Tabelle 2 Einstellen von Filmdicken und Q-Elevationsrate bei einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode ( Schichten)

Dicke des dünnen Leiterfilms 1 4,2 μm (oberste Schicht)

Dicke der anderen Leiterfilme 0,756 μm

Dicke der dünnen dielektrischen Filme 0,0968 μm

Q-Elevationsrate 2,39-fach
Bei der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode, wie sie in Tabelle 2 gezeigt ist, wurde die Q-Elevationsrate um das 2,28-fache erhöht, als 40 nm-dicke haftende Leiterfilme zwischen dem dielektrischen Substrat 10 und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bzw. zwischen jedem dünnen Leiterfilm und einem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben gebildet wurden, ohne Korrektur der Dicke jedes dünnen dielektrischen Films. Anders ausgedrückt wurde bestätigt, daß die Q-Elevationsrate der Mehrschichtdünnfilmelektrode verringert wurde, als haftende Leiterfilme für die Mehrschichtdünnfilmelektrode bereitgestellt wurden, ohne Korrektur der Dicke jedes dünnen dielektrischen Films.
Ergebnisse der Gleichung, die aus einer Mehrschichtdünnfilmelektrode aus Beispiel 1 erhalten werden, sind in Tabelle 3 gezeigt, in der die Mehrschichtdünnfilmelektrode mit 40 nm dicken haftenden Leiterfilmen zwischen dem die lektrischen Substrat 10 und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bzw. zwischen jedem dünnen Leiterfilm und einem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben gebildet wurde, mit einer Korrektur der Dicke jedes dünnen dielektrischen Films. Tabelle 3 Einstellen von Filmdicken und Q-Elevationsrate in der Mehrschichtdünnfilmelektrode (5 Schichten) aus Beispiel 1

Dicke des dünnen Leiterfilms 1 7,0 μm (oberste Schicht)

Dicke der anderen dünnen Leiterfilme 0,756 μm

Dicke der dünnen dielektrischen Filme 0,107 μm

Q-Elevationsrate 2,39-fach
Wie aus Tabelle 2 und 3 hervorgeht, wurde ein Q-Elevationseffekt ähnlich zu einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode erhalten, durch Bilden einer Mehrschichtdünnfilmelektrode aus Beispiel 1 mit haftenden Leiterfilmen, während die Dicke jedes dünnen Leiterfilms und die jedes dünnen dielektrischen Films gemäß dem vorangehenden Korrekturverfahren eingestellt wurde.
Beispiel 2
Bei Beispiel 2 wurde die Q-Elevationsrate auf einer Mehrschichtdünnfilmelektrode bewertet, die 10 Schichten aufweist und die gemäß denselben Parametern wie bei Beispiel 1 vorbereitet wurde. Tabelle 4 zeigt die Einstellungsfilmdicken und die Q-Elevationsrate einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode. Tabelle 5 zeigt die Einstellungs filmdicken und die Q-Elevationsrate einer Mehrschichtdünnfilmelektrode aus Beispiel 2, wobei die Mehrschichtdünnfilmelektrode mit haftenden Leiterfilmen versehen wurde und die Dicke jedes dünnen dielektrischen Films auf eine vorbestimmte Dicke korrigiert wurde. Tabelle 4 Einstellung der Filmdicken und Q-Elevationsrate bei einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode (10 Schichten)

Dicke des dünnen Leiterfilms 1 4,2 μm (oberste Schicht)

Dicke der anderen dünnen Leiterfilme 0,556 μm

Dicke der dünnen dielektrischen Filme 0,0686 μm

Q-Elevationsrate 3,33-fach

Tabelle 5 Einstellung der Filmdicken und Q-Elevationsrate bei einer Mehrschichtdünnfilmelektroden (10 Schichten) aus Beispiel 2

Dicke des dünnen Leiterfilms 1 4,2 μm (oberste Schicht)

Dicke der anderen dünnen Leiterfilme 0,556 μm

Dicke der dünnen dielektrischen Filme 0,0783 μm

Q-Elevationsrate 3,33-fach
Bei der herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode, wie sie in Tabelle 4 gezeigt ist, war die Q-Elevationsrate 2,55-fach als 40 nm dicke haftende Leiterfilme zwischen dem dielektrischen Substrat 10 und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bzw. zwischen jedem dünnen Leiterfilm und einem dünnen dielektrischen Film benachbart zu demselben gebildet wurden, ohne Korrektur der Dicke jedes dünnen dielektrischen Films. Wie aus Tabelle 4 und 5 hervorgeht, sogar wenn die Mehrschichtdünnfilmelektrode aus Beispiel 2 10 Schichten aufweist, wurde ein ähnlicher Q-Elevationseffekt zu einer herkömmlichen Mehrschichtdünnfilmelektrode erhalten, durch Bilden einer Mehrschichtdünnfilmelektrode mit haftenden Leiterfilmen, während die Dicke jedes dünnen Leiterfilms und die jedes dünnen dielektrischen Films gemäß dem vorangehenden Korrekturverfahren eingestellt wurde.
Modifizieren einer Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung
Obwohl die Mehrschichtdünnfilmelektrode 100 für einen 1/2-λ-Leitungsresonator bei den obigen Beispielen verwendet wurde, ist dieselbe ebenfalls an andere Übertragungsleitungen und Resonatoren anwendbar, die nachfolgend gezeigt sind.
3a ist eine perspektivische Ansicht einer Mikrostreifenleitung, die Mehrschichtdünnfilmelektroden der vorliegenden Erfindung verwendet. Die Mehrschichtdünnfilmelektroden werden für einen Streifenleiter 51 und einen mit Masse verbundenen Leiter 52 verwendet oder können entweder für den Streifenleiter 51 oder den mit Masse verbundenen Leiter 52 verwendet werden.
3b ist eine perspektivische Ansicht einer Dreiplatten-Typ-Streifenleitung, die Mehrschichtdünnfilmelektroden der vorliegenden Erfindung verwendet. Die Mehrschichtdünnfilmelektroden werden für einen Streifenleiter 61 und mit Masse verbundene Leiter 62 und 63 verwendet, oder können nur für einen des Streifenleiters 61 oder zumindest einen der mit Masse verbundenen Leiter 62 und 63 verwendet werden.
3c ist eine perspektivische Ansicht einer Koaxialleitung, die Mehrschichtdünnfilmelektroden der vorliegenden verwendet. Die Mehrschichtdünnfilmelektroden werden für einen Mittelleiter 71 und einen mit Masse verbundenen Leiter 72 verwendet oder können entweder für den Mittelleiter 71 oder den mit Masse verbundenen Leiter 72 verwendet werden.
3d ist eine Längsquerschnittansicht eines TM₀₁-Modenrundhohlleiters, der die Mehrschichtdünnfilmelektroden 73 der vorliegenden Erfindung verwendet. Die Mehrschichtdünnfilmelektroden 73 werden als Außenoberflächenelektroden des Rundhohlleiters verwendet.
3e ist eine perspektivische Ansicht eines TM₀₁₀-Modenresonators, der Mehrschichtdünnfilmelektroden der vorliegenden Erfindung verwendet. Die Mehrschichtdünnfilmelektroden werden für einen Patch-Leiter 81 und einen mit Masse verbundenen Leiter 82 des Resonators verwendet, oder können entweder für den Patch-Leiter 81 oder den mit Masse verbundenen Leiter 82 verwendet werden.
Zusätzlich dazu, obwohl dies in der Figur nicht gezeigt ist, kann die Mehrschichtdünnfilmelektrode für aufgehängte Leitungen, coplanare Leitungen, Schlitzleitungen, Rechteckwellenleiter, Steghohlleiter, Rundhohlleiter, dielektrische Leitungen, G-Leitungen, Bildleitungen, H-Leitungen und ähnliches verwendet werden. Ferner kann eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung als eine Elektrode für Induktoren und Kondensatoren bei verschiedenen Hochfrequenzvorrichtungen verwendet werden, die eine vorbestimmte Hochfrequenzoperation ausführen, wie z. B. Isolatoren, Antennen und Chipspulen.
Zum Anwenden einer Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung an eine Übertragungsleitung gemäß einem TM-Mode außer dem TEM-Mode, wie in 3d gezeigt ist, wird die Dicke und dielektrische Konstante jedes dünnen dielektrischen Films und die Dicke jedes dünnen Leiterfilms und die jedes haftenden Leiterfilms so eingestellt, um zu ermöglichen, daß die fortschreitende Welle des TM-Modes durch das dielektrische Substrat übertragen wird, und jene, die durch die dünnen dielektrischen Leiterfilme übertragen werden, im wesentlichen dieselbe Phasengeschwindigkeit aufweisen, wenn die Übertragungsleitung bei einer vorbestimmten Frequenz verwendet wird. Zum Anwenden einer Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung an einen Resonator, wie in 3e gezeigt ist, wird die Dicke und die dielektrische Konstante jedes dünnen dielektrischen Films und die Dicke jedes dünnen Leiterfilms und die jedes haftenden Leiterfilms so eingestellt, um zu ermöglichen, daß ein elektromagnetisches Stationärwellenfeld in dem dielektrischen Substrat gebildet wird und elektromagnetische Stationärwellenfelder, die in den dünnen dielektrischen Leiterfilmen gebildet werden, um im wesentlichen dieselbe Oszillationsphase aufzuweisen, wenn der Resonator bei einer vorbestimmten Frequenz in Resonanz ist. Wie oben kann eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung an verschiedene Typen von Hochfrequenzübertragungsleitungen, Hochfrequenzresonatoren und Hochfrequenzfiltern angewendet werden.
Wie aus der obigen Beschreibung offensichtlich ist, werden gemäß einer Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung haftende Filme zwischen einem dielektrischen Substrat und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben und zwischen jedem dünnen dielektrischen Film und einem dünnen Leiterfilm benachbart zu demselben bereitgestellt, wodurch eine höhere Zwischenschichthaftfestigkeit erreicht werden kann, was zu einer zuverlässigen Mehrschichtdünnfilmelektrode führt. Ferner wird der Leiterverlust derart reduziert, daß eine Erhöhung bei dem Oberflächenreaktionsvermögen jedes dünnen Leiterfilms, die durch die Bildung des haftenden Leiterfilms verursacht wird, durch korrigieren der Filmdicke reduziert wird.
Zusätzlich dazu kann die oben erwähnte Haftfestigkeit weiter erhöht werden, durch Verwenden von zumindest einem Metall, das aus der Gruppe bestehend aus Zr, Hf, Ti, Ta, Nb, V und Vr für die haftenden Leiterfilme ausgewählt ist. In diesem Fall kann der Leiterverlust effektiver reduziert werden, durch Korrigieren der Dicke jedes dünnen dielektrischen Films gemäß der nachfolgenden Gleichung: Δxs = {(εm/εs) – 1}–1·Δs
Eine Übertragungsleitung der vorliegenden Erfindung kann den Übertragungsverlust verringern, da sie eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung verwendet, die den Leiterverlust bei einer Betriebsfrequenz reduzieren kann.
Ein Resonator der vorliegenden Erfindung kann den Q-Wert bei Nullast verringern, da er eine Mehrschichtdünnfilmelektrode der vorliegenden Erfindung verwendet, die einen reduzierten Leiterverlust bei einer Oszillationsfrequenz aufweist.
Ein Hochfrequenzfilter der vorliegenden Erfindung kann den Durchlaßbandverlust verringern, da er einen Resonator der vorliegenden Erfindung mit einem hohen nicht-geladenen Q verwendet.

Claims

Eine Mehrschichtdünnfilmelektrode (100), die folgende Merkmale aufweist: dünne Leiterfilme (1–3); und dünne dielektrische Filme (30-1, 30-2), wobei die dünnen Leiterfilme (1–3) und die dünnen dielektrischen Filme (30-1, 30-2) abwechselnd auf ein dielektrisches Substrat (10) laminiert sind, wobei ein elektromagnetisches Feld, das in dem dielektrischen Substrat (10) übertragen wird und das elektromagnetische Feld, das in jedem der dünnen dielektrischen Filme (30-1, 30-2) übertragen wird, im wesentlichen dieselbe Phase bei einer vorbestimmten Frequenz aufweisen; gekennzeichnet durch haftende Leiterfilme (20-1–20-5), die bereiter Metalloxid bilden im Vergleich zu den dünnen Leiterfilmen (1–3), wobei die haftenden Leiterfilme (20-1– 20-5) zwischen dem dielektrischen Substrat (10) und den dünnen Leiterfilmen (1–3) benachbart zu demselben bzw. zwischen jedem der dünnen Leiterfilme (1–3) und dem dünnen dielektrischen Film (30-1, 30-2) vorgesehen sind, der benachbart zu demselben ist; wobei eine Erhöhung des Oberflächenreaktionsvermögens der dünnen Leiterfilme (1–3), die durch die Bildung der haftenden Leiterfilme (20-1–20-5) verursacht wird, im wesentlichen durch Verdicken von jedem der dünnen dielektrischen Filme (30-1, 30-2) auf eine vorbestimmte Dicke aufgehoben wird, wobei die vorbestimmte Dicke auf den dielektrischen Konstanten der dünnen dielektrischen Filme (30-1, 30-2) und des dielektrischen Substrats (10) und der Dicke der haftenden Leiterfilme (20-1–20-5) basiert.
Eine Mehrschichtdünnfilmelektrode (100) gemäß Anspruch 1, bei der die haftenden Leiterfilme (20-1–20-5) aus zumindest einem Metall zusammengesetzt sind, das aus der Gruppe, bestehend aus Zr, Hf, Ti, Ta, Nb, V und Cr, ausgewählt ist.
Eine Mehrschichtdünnfilmelektrode (100) gemäß Anspruch 2, bei der die Dicke von jedem der dünnen dielektrischen Filme (30-1, 30-2) basierend auf der nachfolgenden Gleichung korrigiert wird: Dickenkorrektur Δxs = Δs/{(εm/εs) – 1},wobei ε_m die dielektrische Konstante des dielektrischen Substrats (10) ist, ε_s die dielektrische Konstante von jedem der dünnen dielektrischen Filme (30-1, 30-2) ist und Δs die Dicke der haftenden Leiterfilme (20-1–20-5) ist.
Eine Hochfrequenzübertragungsleitung, die folgende Merkmale aufweist: ein dielektrisches Substrat; eine erste Elektrode (52), die im wesentlichen an der gesamten Hauptoberfläche des dielektrischen Substrats angeordnet ist; und eine zweite Elektrode (51), die an der gegenüberliegenden Oberfläche des Substrats angeordnet ist; wobei eine der ersten und der zweiten Elektroden (51, 52) eine Mehrschichtdünnfilmelektrode (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ist.
Eine Hochfrequenzübertragungsleitung, die folgende Merkmale aufweist: ein dielektrisches Substrat; eine erste Elektrode (63), die im wesentlichen an der gesamten Hauptoberfläche des dielektrischen Substrats angeordnet ist; eine zweite Elektrode (62), die im wesentlichen an der gesamten gegenüberliegenden Oberfläche des dielektrischen Substrats angeordnet ist; und eine dritte Elektrode (61), die in dem dielektrischen Substrat eingebettet ist; wobei zumindest eine der ersten und der zweiten Elektroden (62, 63) eine Mehrschichtdünnfilmelektrode (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ist.
Eine Hochfrequenzkoaxialübertragungsleitung, die folgende Merkmale aufweist: ein dielektrisches Substrat; eine Innenelektrode (71), die in dem Substrat eingebettet ist; und eine Außenelektrode (72), die an der Außenoberfläche des dielektrischen Substrats angeordnet ist, um die Innenelektrode zu umgeben; wobei zumindest eine der Innen- und der Außen-Elektroden (71, 72) eine Mehrschichtdünnfilmelektrode gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ist.
Ein Hochfrequenzresonator, der folgende Merkmale aufweist: ein dielektrisches Substrat; eine erste Elektrode (81), die an einer Oberfläche des Substrats angeordnet ist; und eine zweite Elektrode (82), die an der gegenüberliegenden Oberfläche des Substrats angeordnet ist; wobei zumindest eine der ersten und der zweiten Elektroden eine Mehrschichtdünnfilmelektrode gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ist.
Ein dielektrisches Hochfrequenzfilter, das folgende Merkmale aufweist: ein dielektrisches Substrat; eine erste Elektrode (81), die an einer Oberfläche des Substrats angeordnet ist; und eine zweite Elektrode (82), die an der gegenüberliegenden Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei die erste und die zweite Elektrode sowie das dielektrische Substrat zwischen denselben einen dielektrischen Resonator bilden; eine Eingangselektrode, die an der Oberfläche des Substrats angeordnet ist, um elektromagnetisch mit dem Resonator gekoppelt zu sein; eine Ausgangselektrode, die an der Oberfläche des Substrats angeordnet ist, um elektromagnetisch mit dem Resonator gekoppelt zu sein; wobei zumindest eine der Elektroden eine Mehrschichtdünnfilmelektrode gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ist.