DE69721727D1 - Verfahren zur Feststellung des Verunreinigungsgehaltes in einem Kristall, Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls - Google Patents

Verfahren zur Feststellung des Verunreinigungsgehaltes in einem Kristall, Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6516862B2 (en) * 2001-03-30 2003-02-11 Northrop Grumman Corporation Method of fabricating a mold-cast porous metal structure
KR100415172B1 (ko) * 2001-11-17 2004-01-16 주식회사 실트론 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치
KR100470231B1 (ko) * 2001-12-31 2005-02-05 학교법인 한양학원 자기장을 이용한 초크랄스키 풀러 및 이를 이용한 단결정잉곳 성장방법
DE10250822B4 (de) * 2002-10-31 2006-09-28 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines mit leichtflüchtigem Fremdstoff dotierten Einkristalls aus Silicium
JP4791073B2 (ja) 2005-04-26 2011-10-12 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコンウェーハの製造方法
KR100827028B1 (ko) * 2006-10-17 2008-05-02 주식회사 실트론 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법, 및 이방법에 의해 제조된 반도체 단결정 잉곳 및 웨이퍼
KR100829061B1 (ko) 2006-12-11 2008-05-16 주식회사 실트론 커습 자기장을 이용한 실리콘 단결정 성장 방법
MY159737A (en) * 2010-09-03 2017-01-31 Gtat Ip Holding Llc Silicon single crystal doped with gallium, indium, or aluminum
JP5595318B2 (ja) * 2011-03-29 2014-09-24 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法
DE102011117411A1 (de) * 2011-11-02 2013-05-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Analyse des Erstarrungsverhaltens einer Siliziumsäule
KR101390797B1 (ko) * 2012-01-05 2014-05-02 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 성장 방법
JP6090391B2 (ja) * 2015-08-21 2017-03-08 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
JP6493179B2 (ja) * 2015-11-27 2019-04-03 株式会社Sumco ウェーハの評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶インゴット
US10745823B2 (en) 2015-12-04 2020-08-18 Globalwafers Co., Ltd. Systems and methods for production of low oxygen content silicon
DE112018001044T5 (de) * 2017-02-28 2019-11-28 Sumco Corporation Verfahren zum Herstellen von Silizium-Einkristallbarren, und Silizium-Einkristall-Barren
JP6977619B2 (ja) 2018-02-28 2021-12-08 株式会社Sumco シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、およびシリコン単結晶の製造方法
CN115244229A (zh) 2020-03-17 2022-10-25 信越半导体株式会社 单晶提拉装置及单晶提拉方法
JP2022141151A (ja) 2021-03-15 2022-09-29 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法
CN113564693B (zh) * 2021-08-02 2022-09-27 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 低电阻率重掺砷硅单晶生产方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1644009B2 (de) * 1966-06-13 1975-10-09 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen stabförmiger Siliciumeinkristalle mit homogener Antimondotierung
US4496424A (en) * 1982-03-30 1985-01-29 Agency Of Industrial Science & Technology Method for manufacture of III-V compound semiconducting single crystal
US4794086A (en) * 1985-11-25 1988-12-27 Liquid Air Corporation Method for measurement of impurities in liquids
GB8805478D0 (en) * 1988-03-08 1988-04-07 Secr Defence Method & apparatus for growing semi-conductor crystalline materials
EP0625595B1 (de) * 1993-03-29 2001-09-19 Research Development Corporation Of Japan Regulierung der Sauerstoffkonzentration in einem Einkristall, der aus einer ein Gruppe V Element enthaltenden Schmelze gezogenen wird.
DE4428743A1 (de) * 1994-08-13 1996-02-22 Georg Prof Dr Mueller Verfahren und Vorrichtung zur Messung und Steuerung bzw. Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen

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