DE69635591T2 - Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand Download PDFInfo
- Publication number
- DE69635591T2 DE69635591T2 DE69635591T DE69635591T DE69635591T2 DE 69635591 T2 DE69635591 T2 DE 69635591T2 DE 69635591 T DE69635591 T DE 69635591T DE 69635591 T DE69635591 T DE 69635591T DE 69635591 T2 DE69635591 T2 DE 69635591T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- wall
- reaction chamber
- coolant
- error signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf einen Apparat zur Temperatursteuerung und ein begleitendes Verfahren zum Steuern der Temperatur der Wände einer CVD-Reaktionskammer.
- In einem herkömmlichen System zur Gasphasen-Deposition (CVD) umschließt eine Reaktionskammer, ein Volumen, in dem der Abscheidungsprozess stattfindet. Die Kammer ist üblicherweise aus transparentem Quarz gefertigt. Deshalb sagt man, die Reaktionskammer hat Quarzfenster (zugängliche Oberflächen der Kammer), durch die die Temperatur der Vorrichtung innerhalb der Kammer mit einem optischen Pyrometer optisch überwacht werden kann. Im allgemeinen zeigt die Temperatur dieser Fenster die Temperatur der Kammerwände an, da die Fenster in die Kammerwände eingebaut sind. Die Temperatur der Fenster und der Kammerwände variieren in Abhängigkeit von der Temperatur des Werkstücks innerhalb der Kammer, des Prozesses, der gerade durchgeführt wird, der Gase, die in den laufenden Prozess einbezogen sind, und der Laufzeit des Prozesses.
- Ganz besonders ist es wünschenswert, dass während eines Abscheidungsprozesses die Temperatur der Quarzwand in einem engen Temperaturbereich gehalten wird, um Ablagerungen auf der Kammerwand zu mininieren. Desweiteren ist es wünschenswert, dass während Reinigungschritten die Temperatur der Quarzwand auf einer anderen Temperatur gehalten wird, um den Ätzgrad eines jeglichen Filmes, der auf den Kammerwänden abgeschieden worden sein kann, zu maximieren. Solches Aufrechterhalten der Temperatur minimiert Probleme mit Verunreinigung durch Partikel.
- Üblicherweise wird die Temperatur der Kammerwände durch einen Luftstrom nahe an der äußeren Oberfläche der Kammer auf einem Nominalwert gehalten. Dieser Luftstrom ist für den jeweiligen Prozess, der in der Kammer durchgeführt wird, festgelegt. Folglich variiert die Temperatur der Kammerwände mit Bedingungen innerhalb der Kammer, beispielsweise weicht die Wandtemperatur ab, je nach dem, ob der Prozess in der Kammer Material abscheidet oder Material vom Werkstück abätzt.
- Durch empirische Studien wurde gezeigt, dass die in der Kammer durchgeführten Prozesse optimiert werden können, wenn die Temperatur der Kammerwand auf einer für einen bestimmten Prozess optimalen Temperatur gehalten wird. Jedoch wird es bei CVD-Systemen nach dem Stand der Technik für sinnvoll erachtet, den Luftstrom entlang der Kammer auf einer festgelegten Durchflussmenge aufrechtzuerhalten. Als solche weisen diese Systeme erhebliche Änderungen der Temperaturen der Kammerwände auf, die einen hohen Grad der Temperaturoptimierung ausschließen.
- Deshalb besteht im Stand der Technik das Bedürfrnis nach geschlossenen Regelvorrichtungen und einem begleitenden Verfahren zum Steuern des Luftstroms nahe an einer Reaktionskammer, so dass die Temperatur der Kammerwände für den jeweiligen der innerhalb der Kammer durchgeführten Prozesse leicht optimiert werden kann.
- Es ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, die oben beschriebenen Beeinträchtigungen und die Nachteile, die mit CVD-Systemen nach dem Stand der Technik verknüpft sind, zu bewältigen und eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Verfügung zu stellen welche den obigen Erfordernissen nachkommen.
- Einem Ziel der vorliegenden Erfindung gemäß wird beabsichtigt, eine Vorrichtung und ein begleitendes Verfahren zum Steuern des Luftstrom unmittelbar an einer Reaktionskammer bereitzustellen, so dass die Temperatur der Kammerwände fortlaufend leicht optimiert werden kann.
- Dieses Ziel wird mit der Vorrichtung zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer gemäß unabhängigem Anspruch 1 und dem Verfahren zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer gemäß unabhängigem Anspruch 14 erreicht.
- Weitere nützliche Eigenschaften, Aspekte und Details der Erfindung sind aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den Zeichnungen ersichtlich. Die Ansprüche sind als ein erster nicht einschränkender Ansatz zu verstehen, die Erfindung in allgemeinen Begriffen zu definieren.
- Besonders die vorliegende Erfindung stellt eine Vorrichtung und ein begleitendes Verfahren zum Steuern von Kühlmittelstrom, vorzugsweise Luftstrom, unmittelbar an einer Reaktionskammer in einem CVD-System zur Verfügung, so dass die Temperatur der Wände der Reaktionskammer auf einer vordefinierten Zieltemperatur gehalten wird. Die Zieltemperatur ist üblicherweise eine Temperatur die einen gerade in der Kammer durchgeführten Prozess optimiert.
- Dementsprechend umfasst die Vorrichtung zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer:
einen mit einem Leitblech verbundenen Einlaßkanal zum Heranführen eines Kühlmittels an das Leitblech, wobei das Leitblech den Kühlmittelstrom nahe der Reaktionskammer begrenzt und steuert;
einen mit dem Leitblech verbundenen Auslaßkanal zum Auslassen des Kühlmittels aus dem Leitblech;
ein innerhalb des Einlaßkanals angeordnetes Kühlmittelstrom-Steuergerät zum Steuern einer Menge an Kühlmittel, die in das Leitblech einströmt;
Mittel zum Messen einer Temperatur der Wand der Reaktionskammer; und
Mittel zum Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts in Antwort auf die gemessene Temperatur, so daß die gemessene Temperatur durch Veränderung des Kühlmittelstroms nahe der Reaktionskammer solange verändert wird bis die gemessene Temperatur eine Zieltemperatur erreicht. - Einem zweiten Aspekt gemäß umfasst die Vorrichtung zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer, die mit einem Leitblech zum Leiten eines Kühlmittelstroms entlang der Wand ausgestattet ist:
einen Temperaturfühler nahe der Wand, um die Temperatur der Wand zu erfassen und ein erstes Signal zu erzeugen, das die erfaßte Wandtemperatur anzeigt;
eine Zieltemperatursignalquelle zum Liefern eines zweiten Signals, das die Wandzieltemperatur anzeigt;
einen Vergleicher zum Aufnehmen des ersten und zweiten Signals und zum Erzeugen eines Fehlersignals, das den Unterschied zwischen der erfaßten Wandtemperatur und der Wandzieltemperatur anzeigt;
ein auf das Fehlersignal ansprechendes einstellbares Steuerventil zum Einstellen des Verschlußgrades des Ventils und angeordnet, um den Grad des Flusses des Kühlmittelstroms durch das Leitblech zu steuern, wodurch erreicht wird, daß die Temperatur der Reaktionskammer sich der Zieltemperatur annähert. - Einem dritten Aspekt gemäß umfasst das Verfahren zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer die Schritte:
Bereitstellen von Kühlmittel an ein Leitblech, das das Kühlmittel entlang der Reaktionskammer leitet, durch einen Einlaßkanal;
Auslassen des Kühlmittels aus dem Gehäuse durch einen Auslaßkanal, nachdem das Kühlmittel entlang der Wand der Reaktionskammer geströmt ist;
Messen einer Temperatur der Wand der Reaktionskammer
Auswählen einer Zieltemperatur; und
Einstellen eines Kühlmittelstrom-Steuergeräts, so daß der Kühlmittelstrom entlang der Wand der Reaktionskammer geregelt wird und die gemessene Temperatur im wesentlichen gleich der Zieltemperatur wird. - Einem vierten Aspekt gemäß umfasst das Verfahren zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer, wobei die Kammer mit einem Leitblech zum Leiten eines Kühlmittelstroms entlang der Wand ausgestattet ist, die Schritte:
Erfassen der Temperatur der Wand;
Erzeugen eines ersten Signals, das die erfaßte Wandtemperatur anzeigt;
Liefern eines zweiten Signals, das die Zielwandtemperatur anzeigt;
Vergleichen des ersten und des zweiten Signals;
Erzeugen eines Fehlersignals in Antwort auf den Vergleich, das den Unterschied zwischen der erfaßten Wandtemperatur und der Zielwandtemperatur anzeigt;
in Antwort auf das Fehlersignal das Einstellen des Verschlußgrades eines einstellbaren Steuerventils, das angeordnet ist, um den Grad des Flusses eines Kühlmittelstroms durch das Leitblech zu steuern, wodurch erreicht wird, daß die Temperatur der Reaktionskammer sich der Zieltemperatur annähert. - Speziell benutzt die vorliegende Erfindung ein Thermoelement, um die Temperatur einer Wand der Reaktionskammer zu messen. Die gemessene Temperatur wird mit der Zieltemperatur verglichen. Vorzugsweise steuert eine geschlossene Regelvorrichtung den Luftstrom entlang der äußeren Oberfläche der Reaktionskammer, so dass sich die gemessene Temperatur im wesentlichen an die Zieltemperatur angleicht. Vorteilhaft wird Luftstromsteuerung durch eine einstellbare Luftleitschaufel bereitgestellt, die innerhalb eines Einlasskanals, der Luft für ein Leitblech zum Leiten von Luft entlang einer Reaktionskammer zuführt. Als solches regelt das Einstellen der Luftleitschaufel den Luftstrom nahe der Reaktionskammer und demzufolge regelt es die Temperatur der Wände der Reaktionskammer.
- Im Betrieb kann ein Benutzer eine Anzahl von Zieltemperaturen festlegen, die für einzelne Prozesse optimal sind, welche innerhalb der Kammer durchgeführt werden. Vorrichtung und Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung stellen den Luftstrom ein, um die jeweilige Zieltemperatur während eines zugeordneten Prozesses zu erreichen und aufrechtzuerhalten. Infolgedessen wird während eines jeweiligen Prozesses eine optimale Reaktionskammerwandtemperatur verwendet.
- Die Lehren und der Hintergrund der vorliegenden Erfindung können leicht verstanden werden bei Betrachtung der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen, in denen
-
1 einen vereinfachten Schnitt einer thermischen Reaktionskammer zeigt, die nur ein optisches Pyrometer zum Überwachen der Temperatur einer Kammerwand enthält; -
2 einen vereinfachten Schnitt einer thermischen Reaktionskammer zeigt, die ein Thermoelement zum Überwachen der Temperatur der Kammerwand, gemäß der Erfindung, zeigt -
3 ein Blockdiagramm einer Schaltung beschreibt, welches verwendet wird, um ein geschlossenes Temperaturregelsystem bereitzustellen; und -
4 einen Ablaufplan einer geschlossenen Steuerroutine beschreibt. - Um das Verstehen zu erleichtern, werden, wo möglich, gleiche Referenznummern zum Bezeichnen gleicher Elemente, die den Figuren gemein sind, benutzt.
-
1 zeigt einen Querschnitt einer thermischen Reaktionskammer102 , die in einem Gasphasen-Depositionssystem (CVD)100 verwendet wird. Die Kammer hat Wände, die ein Innenvolumen103 definieren, in dem die reaktiven CVD-Prozesse ausgeführt werden. Ein Gehäuse118 umhüllt und hält die Kammer102 . Im Innenvolumen103 der Kammer102 wird eine Werkstück-Trägerkonstruktion104 verwendet, um während der CVD-Bearbeitung ein Werkstück106 zu halten. Solche Werkstück-Trägerkonstruktionen werden in der Technik üblicherweise als Suszeptoren bezeichnet. Die Werkstück-Trägerkonstruktion104 erstreckt sich durch eine Bodenöffnung108 der Kammer102 . Solch eine Verlängerung ermöglicht einer Antriebsgruppe (nicht dargestellt) die Werkstück-Trägerkonstruktion104 und so das Werkstück106 während der Bearbeitung zu rotieren. Solche Rotation ist geeignet, die Gleichmäßigkeit des Prozesses zu steigern. - Während der Bearbeitung treten Gase durch einen Eintrittsanschluss
110 in die Kammer und werden durch einen Austrittsanschluss112 entfernt. Ebenso wird während der Bearbeitung Wärme durch Infrarotstrahlungslampen114 bereitgestellt. Die Infrarotstrahlungslampen sind nahe der Kammer auf einer Trägeranordnung116 befestigt, die mit einem Gehäuse118 verbunden ist. Die Wände der Kammer sind transparent, so dass sie Infrarotstrahlung von den Strahlungslampen erlauben frei in die Reaktionskammer zu gelangen und das Werkstück zu erhitzen. - Eine umfassendere Beschreibung der thermischen Reaktoren und ihres Betriebes ist offengelegt im gemeinsam übertragenen U.S. Patent 5,258,824 mit dem Titel „In-situ-Messung einer dünnen Schicht auf einem Substrat" und U.S. Patent 5,108,792 mit dem Titel Zwei Kuppeln aufweisender Reaktor zur Halbleiterbehandlung
- Während der Bearbeitung werden die Quarzfenster (beispielsweise zugängliche Bereiche der transparenten Kammerwände), obwohl transparent, dennoch aufgeheizt. Ein Kühlmittelstrom zum Kühlen der Kammerwände wird dem Gehäuse
118 von einem Gebläse (nicht dargestellt) über Einlasskanal120 zugeführt, entlang der Kammer geleitet und durch Auslasskanal122 ausgestoßen. Speziell wird der Kühlmittelstrom über Kanal120 durch obere und untere Einlassanschlüsse124 und126 dem Gehäuse118 zugeführt. Der Kühlmittelstrom verlässt das Gehäuse118 durch obere und untere Austrittsanschlüsse128 und130 . Das Gehäuse118 bildet ein Leitblech, welches das Kühlmittel entlang der Kammerwände leitet. Dieser konstante Strom von Kühlmittel nahe einer äußeren Oberfläche der Kammer kühlt die Kammerwände102 . Üblicherweise ist das Kühlmittel Luft. Eine Luftleitschaufel138 oder anderweitiges Kühlmittelstrom-Steuerbauteil, das im Einlasskanal120 angeordnet ist, steuert die Menge des Luftstroms zum Gehäuse, und steuert wiederum die Temperatur der Kammerwände. Alternativ können andere Geräte zum Steuern des Kühlmittelstroms verwendet werden, wie z. B. eine einstellbare Blende, ein Ventil, Gebläse-Steuerschaltung und dergleichen. - In einer parallelen Anwendung wird die Temperatur der Kammerwände aus Quarz mit einem herkömmlichen optischen Pyrometer
132 überwacht. Dieses optische Pyrometer sollte Temperaturen im Bereich von 100 °C bis 800 °C messen und Wellenlängen zwischen 4,8 und 5,2 μm erfassen können. Solch ein optisches Pyrometer ist erhältlich von Ircon Inc. mit einer Geschäftsadresse in 7300 North Natchez Avenue, Niles, Illinois 60648, oder von Linear Labs mit einer Geschäftsadresse in 1290 Hammerwood Avenue, Sunnyvale, California 94089. Ähnliche optische Pyrometer werden verwendet, um die Temperatur des Werkstücks106 (Pyrometer134 ) zu messen und die Temperatur der Werkstück-Trägerkonstruktion104 (Pyrometer136 ). Diese Pyrometer sollten Temperaturen im Bereich von 500 °C bis 1250 °C messen und Wellenlängen zwischen 2 und 4 μm erfassen können. - Alternativ ist das Temperaturmessgerät gemäß der vorliegenden Erfindung, wie in
2 gezeigt, ein abgeschirmtes Thermoelement140 . Das Thermoelement140 ist direkt an der äußeren Oberfläche der Reaktionskammer102 befestigt. Kennzeichnend ist, dass das Thermoelement140 unter einer Abschirmung142 angebracht ist, und direkt oberhalb eines oberen Quarzeinsatzes144 angeordnet ist. Als solche wird die Temperatur der Kammerwand direkt überwacht und das Thermoelement erzeugt ein Signal, das die gemessene Temperatur anzeigt. - Ein Ausgangssignal des Thermoelements
140 wird von der Signalverarbeitungsschaltung (nicht dargestellt) empfangen und verarbeitet. Diese Schaltung kann einfach eine Temperaturanzeige sein, die das elektrische Ausgangssignal des Temperaturmessgerätes in eine Anzeige des vom Signal abgebildeten Temperaturwertes umwandelt, z. B. eine Licht emitierende Diode oder eine numerische Flüssigkeitskristallanzeige. Als Antwort auf die angezeigte Temperatur stellt ein Benutzer das Luftstrom-Steuergerät manuell so ein, dass der Luftstrom über die Reaktionskammer geändert wird. Auf diese Art kann der Benutzer die vom Thermoelement gemessene Temperatur der Kammerwände einstellen, bis die gemessene Temperatur gleich einer Zieltemperatur ist, wie auf der Anzeige angezeigt. Üblicherweise ist die Zieltemperatur eine Temperatur, die den gegenwärtigen CVD-Prozess, der in der Kammer durchgeführt wird, optimiert. - In der vorangehenden einfachen Ausführung der Erfindung bildet ein Benutzer einen Teil des geschlossenen Regelsystems dadurch, dass er die gemessene Temperatur bis zum Erreichen einer Zieltemperatur steuert. Bei Verwenden elektrischer Schaltungstechnik kann ein geschlossener Regelschaltkreis benutzt werden, um diesen Regelkreis zu automatisieren.
- Diesbezüglich beschreibt
3 ein vereinfachtes Blockdiagramm eines geschlossenen Regelsystems, das die Temperatur der Kammerwände steuert.4 beschreibt einen Ablaufplan einer Routine, der den Prozess erläutert nach dem dieses geschlossene Regelsystem funktioniert. Um die Arbeitsweise dieses geschlossenen Regelsystems am Besten zu verstehen, sollte der Leser gleichzeitig auf beide3 und4 Bezug nehmen. - In dieser Ausführungsform der Erfindung überwacht das geschlossene Regelsystem
300 ein vom Thermoelement erzeugtes Temperatursignal (Strecke302 ), vergleicht unter Benutzung einer Subtraktionseinheit308 das Signal der gemessenen Temperatur mit dem Wert einer Zieltemperatur (Strecke304 ) und erzeugt ein Fehlersignal (Strecke306 ), das die Differenz zwischen der Zieltemperatur und der gemessenen Temperatur darstellt. Die Zieltemperatur könnte manuell in das System eingegeben werden, oder durch einen Rechneralgorithmus, der die Bearbeitung innerhalb der Kammer steuert. Auf jeden Fall bildet das Fehlersignal einen Input in einen Motorsteuerungs-Schaltkreis310 . Der Motorsteuerungs-Schaltkreis steuert, als Antwort auf das Fehlersignal einen Schrittmotor312 , der die Luftleitschaufel einstellt. Diese Luftleitschaufelkorrektur bewegt die Luftleitschaufel so, dass das Fehlersignal minimiert wird. Dieses gesamte Verfahren wird in festen Zeitabständen durchgeführt, um das Fehlersignal zu minimieren und jeglicher Veränderung der Wandtemperatur entgegenzuwirken. Somit wird die Wandtemperatur so eingestellt, dass sie der Zieltemperatur entspricht. - Der Prozess, der mit dieser geschlossenen Regelung der Kammerwandtemperatur einhergeht, ist im Fließbild der
4 zusammengefasst. Im Schritt402 wird die Zieltemperatur (TT) in das System eingegeben. Im Schritt404 wird die gemessene Temperatur (MT) vom Pyrometer (oder Thermoelement) erzeugt. Im Schritt406 fragt die Routine ab, ob die Zieltemperatur gleich der gemessenen Temperatur ist. Wenn die Temperaturen gleich sind, führt die Routine eine Schleife entlang des Ja-Pfades 412 zum Beginn der Routine aus und misst wiederholend und vergleicht die Ziel- und gemessenen Temperaturen bis die Abfrage negativ beantwortet wird. - Wenn die Ziel- und gemessenen Temperaturen ungleich sind, läuft die Routine entlang des Nein-Pfades ausgehend von Schritt
406 nach Schritt408 . In Schritt408 bildet die Routine durch Subtrahieren der gemessenen Temperatur von der Zieltemperatur ein Fehlersignal. In Schritt410 erzeugt der Motorsteuerungs-Schaltkreis, als Antwort auf das Fehlersignal, ein entsprechendes Motorsteuerungs-Signal. Dieses Motorsteuerungs-Signal aktiviert den Schrittmotor und stellt die Position der Luftleitschaufel ein. Durch Wiederholen dieser Routine stellt das System den Luftstrom solange ein, bis die Ziel- und gemessenen Temperaturen gleich sind. Anschließend überwacht die Routine fortlaufend die gemessene Temperatur und stellt fortlaufend die Stellung der Luftleitschaufel ein, um die gemessene Temperatur auf der Zieltemperatur zu halten. - Beim Verwenden dieses Verfahrens und Systems kann die Temperatur der Kammerwände auf eine Zieltemperatur festgesetzt werden, die den CVD-Prozess optimiert, der gerade in der Kammer abläuft. Das gleiche System und Verfahren hält diese Temperatur während des Prozesses aufrecht. Anschließend können für andere Prozesse andere Zieltemperaturen ausgewählt werden, die von der Erfindung gebildet und aufrechterhalten werden.
- Aus der vorangehenden Offenlegung sollten in der Technik Erfahrene erkennen, dass das Fehlersignal benutzt werden kann, um andere Formen von Luftstrom-Steuergeräten zu steuern, wie Gebläsedrehzahl, Luftventile, einstellbare Blenden und dergleichen. Zusätzlich kann die offengelegte Routine als ein auf einem Mikroprozessor (Rechner) ausgeführtes Softwareprogramm implementiert werden, das die CVD-Bearbeitung steuert. Als solcher bildet der Mikroprozessor die Signale, die die Luftstrom-Steuereinheit steuern.
Claims (24)
- Vorrichtung zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer (
102 ), umfassend: einen mit einem Leitblech verbundenen Einlaßkanal (120 ) zum Heranführen eines Kühlmittels an das Leitblech, wobei das Leitblech den Kühlmittelstrom nahe der Reaktionskammer (102 ) begrenzt und steuert; einen mit dem Leitblech verbundenen Auslaßkanal (122 ) zum Auslassen des Kühlmittels aus dem Leitblech; ein innerhalb des Einlaßkanals (120 ) angeordnetes Kühlmittelstrom-Steuergerät (138 ) zum Steuern einer Menge an Kühlmittel, die in das Leitblech einströmt; ein direkt and der äußeren Oberfläche der Reaktionskammer (102 ) angebrachtes abgeschirmtes Thermoelement (140 ) zum Messen einer Temperatur der Wand der Reaktionskammer (102 ); und Mittel (300 ) zum Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts (138 ) in Antwort auf die gemessene Temperatur, so daß die gemessene Temperatur durch Veränderung des Kühlmittelstroms nahe der Reaktionskammer (102 ) solange verändert wird bis die gemessene Temperatur eine Zieltemperatur erreicht. - Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Leitblech einen Bereich eines Gehäuses (
118 ) für die Reaktionskammer bildet. - Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Kühlmittel Luft ist.
- Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Kühlmittelstrom-Steuergerät (
138 ) eine Luftleitschaufel ist, die wahlweise positionierbar ist, um den Luftstrom durch den Einlaßkanal (120 ) in das Leitblech zu begrenzen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin umfassend ein optisches Pyrometer (
132 ). - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Mittel (
300 ) zum Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts (138 ) ein geschlossenes Regelsystem ist, das die gemessene Temperatur und die Zieltemperatur als Eingangssignale aufweist und das ein Fehlersignal erzeugt, das für den Unterschied zwischen der Zieltemperatur und der gemessenen Temperatur anzeigend ist. - Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Mittel (
300 ) zum Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts (138 ) das Kühlmittelstrom-Steuergerät (138 ) in Antwort auf das Fehlersignal so einstellt, daß das Fehlersignal minimiert wird. - Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Mittel zum Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts die Luftleitschaufel in Antwort auf das Fehlersignal so einstellt, daß das Fehlersignal minimiert wird.
- Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei das Mittel (
300 ) zum Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts (138 ) weiterhin einen Motorsteuerungs-Schaltkreis (310 ) umfaßt, der mit einem Schrittmotor (312 ), der die Luftleitschaufel wahlweise positioniert, elektrisch verschaltet ist, wobei der Motorsteuerungs-Schaltkreis (310 ) in Antwort auf das Fehlersignal ein Motorantriebssignal zum Positionieren des Schrittmotors (312 ) erzeugt, so daß die Luftleitschaufel positioniert wird, um das Fehlersignal zu minimieren. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer (
102 ), wonach die Reaktionskammer mit dem Leitblech zum Leiten eines Kühlmittelstroms entlang der Wand ausgestattet ist, und wobei das abgeschirmte Thermoelement (140 ) nahe der Wand in geeigneter Weise angeordnet ist, um die Temperatur der Wand zu erfassen und ein erstes Signal zu erzeugen, das die erfaßte Wandtemperatur anzeigt; wobei die Vorrichtung weiterhin umfaßt: eine Zieltemperatursignalquelle zum Liefern eines zweiten Signals, das die Wandzieltemperatur anzeigt; und ein Vergleicher (308 ) zum Aufnehmen des ersten und zweiten Signals und zum Erzeugen eines Fehlersignals, das den Unterschied zwischen der erfaßten Wandtemperatur und der Wandzieltemperatur anzeigt; wobei das Kühlmittelstrom-Steuergerät ein auf das Fehlersignal ansprechendes einstellbares Steuerventil (138 ) zum Einstellen des Verschlußgrades des Ventils ist und angeordnet ist, um den Grad des Flusses des Kühlmittelstroms durch das Leitblech zu steuern, wodurch erreicht wird, daß die Temperatur der Reaktionskammer (102 ) sich der Zieltemperatur annähert. - Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei das einstellbare Steuerventil (
138 ) eine Luftleitschaufel ist, die wählbar positionierbar ist, um den Luftstrom durch das Leitblech zu begrenzen. - Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, weiterhin umfassend ein optisches Pyrometer (
132 ). - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das abgeschirmte Thermoelement zum Messen einer Temperatur der Wand der Reaktionskammer (
102 ) direkt auf der äußeren Oberfläche der Reaktionskammer (102 ) angebracht ist. - Verfahren zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer, umfassend die Schritte: Bereitstellen von Kühlmittel an ein Leitblech, das das Kühlmittel entlang der Reaktionskammer leitet, durch einen Einlaßkanal; Auslassen des Kühlmittels aus dem Gehäuse durch einen Auslaßkanal, nachdem das Kühlmittel entlang der Wand der Reaktionskammer geströmt ist; Messen einer Temperatur der Wand der Reaktionskammer mit einem abgeschirmten Thermoelement, das direkt an der äußeren Oberfläche der Reaktionskammer (
102 ) angebracht ist; Auswählen einer Zieltemperatur; und Einstellen eines Kühlmittelstrom-Steuergeräts, so daß der Kühlmittelstrom entlang der Wand der Reaktionskammer geregelt wird und die gemessene Temperatur im wesentlichen gleich der Zieltemperatur wird. - Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Kühlmittel Luft ist.
- Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei das Leitblech einen Bereich eines Gehäuses für die Reaktionskammer bildet.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei der Einstellschritt weiterhin die Schritte umfaßt: Berechnen eines Fehlersignals, das den Unterschied zwischen der gemessenen Temperatur und der Zieltemperatur anzeigt; und Steuern des Kühlmittelstrom-Steuergeräts in Antwort auf das Fehlersignal, so daß das Fehlersignal minimiert wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei das Kühlmittelstrom-Steuergerät eine Luftleitschaufel ist.
- Verfahren nach Anspruch 18, wobei der Berechnungsschritt weiterhin umfaßt: Bereitstellen des Fehlersignals an einen Motorsteuerungs-Schaltkreis; Erzeugen eines Motorsteuersignals, das auf das Fehlersignal anspricht, in dem Motorsteuerungs-Schaltkreis; Aktivieren eines mit der Luftleitschaufel gekoppelten Motors in Antwort auf das Motorsteuersignal, so daß die Luftleitschaufel positioniert wird, um den Luftstrom zu regeln und das Fehlersignal zu minimieren.
- Verfahren zum Steuern der Temperatur einer Wand einer Reaktionskammer gemäß Anspruch 15, wobei die Kammer mit einem Leitblech zum Leiten eines Kühlmittelstroms entlang der Wand ausgestattet ist, wobei das Verfahren weiterhin die Schritte umfaßt: Erfassen der Temperatur der Wand mit dem abgeschirmten Thermoelement; Erzeugen eines ersten Signals, das die erfaßte Wandtemperatur anzeigt; Liefern eines zweiten Signals, das die Zielwandtemperatur anzeigt; Vergleichen des ersten und des zweiten Signals; Erzeugen eines Fehlersignals in Antwort auf den Vergleich, das den Unterschied zwischen der erfaßten Wandtemperatur und der Zielwandtemperatur anzeigt; wobei in Antwort auf das Fehlersignal das Einstellen eines Kühlmittelstrom-Steuergeräts durchgeführt wird durch das Einstellen des Verschlußgrades eines einstellbaren Steuerventils, das angeordnet ist, um den Grad des Flusses eines Kühlmittelstroms durch das Leitblech zu steuern, wodurch erreicht wird, daß die Temperatur der Reaktionskammer sich der Zieltemperatur annähert.
- Verfahren nach Anspruch 20, wobei das Kühlmittel Luft ist.
- Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, wobei das Leitblech einen Bereich eines Gehäuses für die Reaktionskammer bildet.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, wobei das einstellbare Steuerventil eine Luftleitschaufel ist.
- Verfahren nach Anspruch 23, wobei der Einstellschritt weiterhin umfaßt: Bereitstellen des Fehlersignals an einen Motorsteuerungs-Schaltkreis; Erzeugen eines Motorsteuersignals, das auf das Fehlersignal anspricht, in dem Motorsteuerungs-Schaltkreis; Aktivieren eines mit der Luftleitschaufel gekoppelten Motors in Antwort auf das Motorsteuersignal, so daß die Luftleitschaufel positioniert wird, um den Luftstrom zu regeln und das Fehlersignal zu minimieren.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01109786A EP1143035B1 (de) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand |
EP96108108A EP0808917B1 (de) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69635591D1 DE69635591D1 (de) | 2006-01-19 |
DE69635591T2 true DE69635591T2 (de) | 2006-08-31 |
Family
ID=36794461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69635591T Expired - Fee Related DE69635591T2 (de) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE69635591T2 (de) |
-
1996
- 1996-05-21 DE DE69635591T patent/DE69635591T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69635591D1 (de) | 2006-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5047612A (en) | Apparatus and method for controlling powder deposition in a plasma spray process | |
DE69811577T2 (de) | Reaktor und Verfahren zum Behandlung eines Halbleitersubstrats | |
US5374315A (en) | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment | |
US6344232B1 (en) | Computer controlled temperature and oxygen maintenance for fiber coating CVD | |
EP0592017B1 (de) | Verwendung eines drehbaren Mechanismusses als Substratträger mit Vorrichtung für Temperaturmessung in einer chemischen Bedampfungseinrichtung | |
DE102011083245B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium durch Gasphasenabscheidung in einer Prozesskammer | |
EP1335997A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur temperatursteuerung der oberflächentemperaturen von substraten in einem cvd-reaktor | |
US10975494B2 (en) | Ingot growth control device and control method thereof | |
DE102017105333A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrates | |
WO2013127891A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur regelung der oberflächentemperatur eines suszeptors einer substratbeschichtungseinrichtung | |
EP0915498A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erkennen einer Fehllage einer Halbleiterscheibe | |
CA1249491A (en) | Method of rapidly changing deposition amount in a continuous vacuum deposition process | |
DE10124609A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner aktiver Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten aus gasförmigen Ausgangsstoffen | |
DE69635591T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand | |
EP1143035B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Temperatur einer Reaktorwand | |
DE10329107B4 (de) | Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems | |
US4993355A (en) | Susceptor with temperature sensing device | |
DE102007034171A1 (de) | Thermische Analysevorrichtung | |
DE4018802A1 (de) | System zum einstellen von analysenbedingungen fuer eine thermische analyse eines fluids in einer vorrichtng | |
KR920007846B1 (ko) | 아연도금 강판의 아연응고 최적화방법과 장치 | |
JP2960285B2 (ja) | 放射率による合金化度制御方法および装置 | |
US20010033373A1 (en) | Furnace-type atomic absorption spectrophotometer | |
Kasper et al. | Diameters of airborne latex spheres measured with a cylindrical aerosol centrifuge | |
JPS6179770A (ja) | 蒸着用装置 | |
JPS5947369A (ja) | 溶射被膜の再溶融処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |