DE69631657D1 - Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden - Google Patents

Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden

Info

Publication number
DE69631657D1
DE69631657D1 DE69631657T DE69631657T DE69631657D1 DE 69631657 D1 DE69631657 D1 DE 69631657D1 DE 69631657 T DE69631657 T DE 69631657T DE 69631657 T DE69631657 T DE 69631657T DE 69631657 D1 DE69631657 D1 DE 69631657D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
mos transistor
computing devices
control electrode
charge injection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69631657T
Other languages
English (en)
Inventor
Alan Kramer
Roberto Canegallo
Pier Luigi Rolandi
Mauro Chinosi
Giovanni Gozzini
Marco Sabatini
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69631657D1 publication Critical patent/DE69631657D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0441Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing multiple floating gate devices, e.g. separate read-and-write FAMOS transistors with connected floating gates
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06GANALOGUE COMPUTERS
    • G06G7/00Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
    • G06G7/12Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
    • G06G7/26Arbitrary function generators
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06NCOMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/02Neural networks
    • G06N3/06Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
    • G06N3/063Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons using electronic means
    • G06N3/065Analogue means
DE69631657T 1996-09-30 1996-09-30 Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden Expired - Lifetime DE69631657D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96830492A EP0833267B1 (de) 1996-09-30 1996-09-30 Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69631657D1 true DE69631657D1 (de) 2004-04-01

Family

ID=8226015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69631657T Expired - Lifetime DE69631657D1 (de) 1996-09-30 1996-09-30 Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden

Country Status (3)

Country Link
US (3) US5946235A (de)
EP (1) EP0833267B1 (de)
DE (1) DE69631657D1 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69631657D1 (de) * 1996-09-30 2004-04-01 St Microelectronics Srl Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden
ITTO980068A1 (it) * 1998-01-27 1999-07-27 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di lettura per memorie non volatili analogiche, in particola- re flash-eeprom, a lettura diretta della tensione di soglia e a corren
JP3199707B2 (ja) * 1999-08-09 2001-08-20 株式会社半導体理工学研究センター 半導体演算回路及び演算装置
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
US20010050031A1 (en) * 2000-04-14 2001-12-13 Z Corporation Compositions for three-dimensional printing of solid objects
US7212446B2 (en) * 2002-09-16 2007-05-01 Impinj, Inc. Counteracting overtunneling in nonvolatile memory cells using charge extraction control
US7283390B2 (en) * 2004-04-21 2007-10-16 Impinj, Inc. Hybrid non-volatile memory
US8111558B2 (en) * 2004-05-05 2012-02-07 Synopsys, Inc. pFET nonvolatile memory
US7567458B2 (en) * 2005-09-26 2009-07-28 Silicon Storage Technology, Inc. Flash memory array having control/decode circuitry for disabling top gates of defective memory cells
JP2007193867A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法
US7894261B1 (en) 2008-05-22 2011-02-22 Synopsys, Inc. PFET nonvolatile memory
US9472288B2 (en) 2014-10-29 2016-10-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0148488B1 (de) * 1983-12-23 1992-03-18 Hitachi, Ltd. Halbleiterspeicher mit einer Speicherstruktur mit vielfachen Pegeln
JPH0453096A (ja) * 1990-06-19 1992-02-20 Toshiba Corp アナログ記憶装置
US5253196A (en) * 1991-01-09 1993-10-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy MOS analog memory with injection capacitors
EP0661756B1 (de) * 1993-12-31 1997-10-29 STMicroelectronics S.r.l. Nichtflüchtige Speicherzelle mit zwei Polysiliziumebenen
DE69631657D1 (de) * 1996-09-30 2004-04-01 St Microelectronics Srl Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden

Also Published As

Publication number Publication date
EP0833267A1 (de) 1998-04-01
US6252802B1 (en) 2001-06-26
US5946235A (en) 1999-08-31
EP0833267B1 (de) 2004-02-25
US6236592B1 (en) 2001-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69027240D1 (de) Steuerschaltung für einen MOS-Leistungstransistor mit induktiver Last
DE69404500T3 (de) Hochspannungs-MOS-Transistor mit ausgedehntem Drain
DE69631657D1 (de) Ladungsinjektionsschaltung für einen MOS-Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Berechnungsgeräte, die diese Schaltung verwenden
DE69321171D1 (de) Gate-Treiberschaltung für einen MOS-Leistungstransistor
EP1145324A3 (de) Mos-transistorstruktur mit einer trench-gate-elektrode und einem verringerten spezifischen einschaltwiderstand und verfahren zur herstellung einer mos-transistorstruktur
DE69330564T2 (de) Integrierte Schaltung die eine EEPROM-Zelle und einen MOS-Transistor enthält
WO2003081833A3 (en) Floating-gate analog circuit
DE60335961D1 (de) Treiberschaltung für schaltvorrichtung und ansteuerverfahren dafür
HU9402061D0 (en) Semiconductor device with mos transistor provided with an extended drain region for high voltages
FR2650109B1 (fr) Circuit integre mos a tension de seuil ajustable
DE68910711D1 (de) Zeitlich abweichende Ansteuerung zur Verwendung in integrierten Schaltungen.
DE69600911D1 (de) Isolierte Gate-Transistor-Ansteuerschaltung
EP0327608A1 (de) Cmos-schwellenschaltung.
EP0634795A3 (de) Integrierte Anordnung mit MOS-Transistoren, die positive und negative Spannungsschwingungen erlauben.
DE69223719T2 (de) Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate vom Anreicherungstyp mit gesteuerter Anstiegszeit an der Drain-Ausgangselektrode
DE69329484T2 (de) Steuerelektroden-Abschaltkreis für einen Leistungstransistor
US4219743A (en) Buffer circuit
DE68903243D1 (de) Spannungs-stromumsetzer mit mos-transistoren.
EP0596475A3 (de) Schaltungsanordnung zum Steuern eines MOS-Feldeffekttransistors.
EP0330823A3 (de) Schaltungsvorrichtung mit geringer Absorption zum Steuern eines Leistungstransistors
DE69706979T2 (de) Ansteuerschaltung für einen bipolartransistor mit isoliertem gate
DE69840515D1 (de) Hochspannungsschutzanordnung für einen integrierten MOS-Leistungstransistor
DE3581789D1 (de) Mos-typ integrierte schaltung mit ladungs- und entladungstransistoren.
DE3689410D1 (de) Basissteuerschaltung für einen Leistungsschalttransistor.
EP0874438A3 (de) Elektronische Schaltung mit Verpolschutz

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de