DE69630943D1 - Zeitcharakterisierungsschaltung und -verfahren für Speicheranlagen - Google Patents

Zeitcharakterisierungsschaltung und -verfahren für Speicheranlagen

Info

Publication number
DE69630943D1
DE69630943D1 DE69630943T DE69630943T DE69630943D1 DE 69630943 D1 DE69630943 D1 DE 69630943D1 DE 69630943 T DE69630943 T DE 69630943T DE 69630943 T DE69630943 T DE 69630943T DE 69630943 D1 DE69630943 D1 DE 69630943D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
storage systems
characterization circuit
time characterization
time
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69630943T
Other languages
English (en)
Inventor
Luigi Pascucci
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69630943D1 publication Critical patent/DE69630943D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32Timing circuits
DE69630943T 1996-03-29 1996-03-29 Zeitcharakterisierungsschaltung und -verfahren für Speicheranlagen Expired - Lifetime DE69630943D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96830176A EP0798744B1 (de) 1996-03-29 1996-03-29 Zeitcharakterisierungsschaltung und -verfahren für Speicheranlagen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69630943D1 true DE69630943D1 (de) 2004-01-15

Family

ID=8225862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69630943T Expired - Lifetime DE69630943D1 (de) 1996-03-29 1996-03-29 Zeitcharakterisierungsschaltung und -verfahren für Speicheranlagen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5886945A (de)
EP (1) EP0798744B1 (de)
DE (1) DE69630943D1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5034233B2 (ja) * 2005-12-28 2012-09-26 富士通株式会社 アドレスデコーダ,記憶装置,処理装置及び記憶装置におけるアドレスデコード方法
KR100735024B1 (ko) * 2005-12-29 2007-07-03 삼성전자주식회사 반도체 장치의 어드레스 변환기 및 반도체 메모리 장치
US8694812B2 (en) * 2010-03-29 2014-04-08 Dot Hill Systems Corporation Memory calibration method and apparatus for power reduction during flash operation

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4425633A (en) * 1980-10-06 1984-01-10 Mostek Corporation Variable delay circuit for emulating word line delay
US4575812A (en) * 1984-05-31 1986-03-11 Motorola, Inc. X×Y Bit array multiplier/accumulator circuit
US4687951A (en) * 1984-10-29 1987-08-18 Texas Instruments Incorporated Fuse link for varying chip operating parameters
JP2803466B2 (ja) * 1992-04-28 1998-09-24 日本電気株式会社 半導体記憶装置の救済方法
US5452311A (en) * 1992-10-30 1995-09-19 Intel Corporation Method and apparatus to improve read reliability in semiconductor memories
EP0678873B1 (de) * 1994-02-18 2000-06-07 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren und Schaltung zur Erzeugung eines Ladesignals für nichtflüchtige Speichern
US5487038A (en) * 1994-08-15 1996-01-23 Creative Integrated Systems, Inc. Method for read cycle interrupts in a dynamic read-only memory

Also Published As

Publication number Publication date
EP0798744B1 (de) 2003-12-03
US5886945A (en) 1999-03-23
EP0798744A1 (de) 1997-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19581288T1 (de) Automatisches Testsystem und -verfahren für Halbleitervorrichtungen
DE69709363D1 (de) Echocompensator für nicht-lineare schaltungen
DE19781229T1 (de) Elektrochemische Testvorrichtung und diesbezügliche Verfahren
NO985435D0 (no) FremgangsmÕte og system for overvÕking av flere bevegelige gjenstander
TW372627U (en) Flash memory test system
DE69616019D1 (de) Bereitschaftsbetrieb-Spannungserhöhungsstufe und -methode für eine Speichervorrichtung
DE69729943D1 (de) Schaltung und verfahren für zeitmultiplex-vielfachzugriffsystem
DE69630784D1 (de) Datenverarbeitungsgerät und -verfahren
DE19782128T1 (de) Akkumulatoreinrichtung und entsprechendes Verfahren
DE69623284D1 (de) Datenverarbeitungsgerät und -verfahren
DE69732708D1 (de) Magnetischer träger zur fassung von mikrosubstanzen und verfahren zur kontrolle des trägersstandorts
DE69710834D1 (de) Speicherverwaltungsverfahren für tragbares Datenendgerät
SG63746A1 (en) Method and system for testing memory
DE69707677T2 (de) Verzögerungsschaltung und -verfahren
DE69617677D1 (de) Datenverarbeitungsgerät und -verfahren
DE69717216D1 (de) Schaltplatinenprüfvorrichtung und Verfahren dafür
GB2318876B (en) Method for testing electronic circuits
DE69834465D1 (de) System und verfahren für drahtschneidefunkenerosionsbearbeitung
DE69731803D1 (de) Entwurfssystem und -verfahren für optische Schaltungen
DE69706987D1 (de) Speichersystem und speicherverfahren für ein verteiltes speichersystem
EP0694787A3 (de) Prüfanordnung und -verfahren für integrierte Schaltungen auf Systemebene
GB9417269D0 (en) Memory and test method therefor
DE69630943D1 (de) Zeitcharakterisierungsschaltung und -verfahren für Speicheranlagen
DE69616021D1 (de) Spannungserhöhungsschaltung für Speichervorrichtung
DE69718846T2 (de) Verfahren zum Speicherzugriff

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de