DE69535448T2 - Vorrichtung zur Unterdrückung von stimulierter Brillouin Streuung - Google Patents

Vorrichtung zur Unterdrückung von stimulierter Brillouin Streuung Download PDF

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • ERFINDUNGSGEBIET
  • Diese Offenbarung betrifft abstimmbare Laser, und insbesondere einen kontinuierlich abstimmbaren, verteilten Bragg-Reflektor(DBR)-Laser zur Unterdrückung von stimulierter Brillouinstreuung.
  • BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
  • Stimulierte Brillouinstreuung (SBS) erfordert typischerweise eine künstliche Verbreiterung der Linienbreite eines transmittierenden Lasers bei Durchschnittsleistungsleveln von 8–10 dBm und mehr, sowie für nicht-zurück-zu-0 (non-return-to-zero) (NRZ)-Signale. Oftmals erfolgt eine künstliche Verbreiterung durch direkte Modulation des Lasers. Ein großer Linienbreitenverbesserungsfaktor α ist wünschenswert, um die assoziierte Amplitudensimulation (AM) zu minimieren, welches einen Kraftnachteil in der Empfängerempfindlichkeit erzeugen kann. Für sehr hohe Startleistung kann die verbleibende AM relativ bedeutend sein, wenn hohe α-Laser angewendet werden, und kann Verluste von mehreren dB's erzeugen.
  • Einstellbare Halbleiterlaser sind dem Fachmann allgemein bekannt zum selektiven Abstimmen auf spezifische Laserwellenlängen. S.L. Woodward et al., "A DBR Laser Tunable by Resistive Heating", IEEE PHOTONICS TECH. LETTERS; Vol. 4, No. 12, Dezember 1992, Seiten 1330–1332, beschreibt die Abstimmung eines Lasers auf diskrete Laserwellen durch das selektierte Heizen des passiven Wellenleiterbereiches und/oder des Braggbereiches eines DBR-Lasers.
  • EP-A-0595536 beschreibt eine Vorrichtung und einen Vorgang zur Unterdrückung von stimulierter Brillouinstreuung innerhalb eines optischen Fasers, aufweisend einen Pumplaser, dessen Vormagnetisierungsstrom gedithert wird, um auf diese Weise die effektive Linienbreite des Lasers zu erhalten.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die Erfindung wird in den Ansprüchen 1 und 11 definiert. Mehrere Ausführungsformen werden in den Unteransprüchen definiert.
  • Eine Vorrichtung und ein Verfahren werden beschrieben zur Unterdrückung von SBS in einer optischen Faser mittels eines Halbleiterlasers mit einem Tuner, welcher auf ein Dithersignal reagiert, um den Halbleiterlaser kontinuierlich abzustimmen, um die enthaltene stimulierte Brillouinstreuung zu reduzieren. Der Tuner reagiert auf einen kontinuierlich applizierten sinusförmigen Strom, der das Dithersignal zur Abstimmung des Halbleiterlasers ist durch Steuerung der Laserwellenlänge. Der Tuner weist eine Eingangsregion zum Empfangen des Dithersignales auf.
  • In einer ersten Ausführungsform weist der Tuner einen Widerstand auf, der thermisch verbunden ist mit einem passiven Wellenleiter des Halbleiterlasers, einen Widerstand der auf das Dithersignal reagiert zum Heizen des passiven Wellenleiters, um die Abstimmung des Halbleiterlasers zu steuern. In einer zweiten Ausführungsform reagiert der Tuner auf ein Dithersignal, um den passiven Wellenleiter des Halbleiterlasers kontinuierlich vorzubelasten, um dadurch die Abstimmung des Halbleiterlasers zu steuern. Der Tuner gibt kontinuierlich eine Vorbelastungsströmung in den passiven Wellenleiter des Halbleiterlasers aus, um den passiven Wellenleiter kontinuierlich vorzubelasten.
  • KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Die Merkmale der offenbarten abstimmbaren DBR-Laservorrichtung und die Methode werden anhand der von der ausführlichen Beschreibung eines illustrierten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnung näher erläutert, wobei:
  • 1 illustriert den offenbarten, kontinuierlich abstimmbaren DBR-Laser mit einem Widerstand für lokales Erhitzen;
  • 2 beschreibt eine alternative Ausführungsform des offenbarten DBR-Lasers, wo eine Vorspannung eines passiven Wellenleiters angewendet wird;
  • 3 illustriert die Änderung in der Laserfrequenz als Funktion eines Gleichstrom-Widerstandstromes;
  • 4 illustriert eine korrespondierende Änderung in der Leistungsausgabe;
  • 5 illustriert eine Änderung in der optischen Leistungsabgabe im Gegensatz zur Änderung der Laserfrequenz;
  • 6 illustriert ein optisches Spektrum, gemessen von einem optischen Spektrumsanalyzer;
  • 7 zeigt das spektrische FWHM im Verhältnis zu Spitze-Spitze Widerstandsstrom für eines sinusförmigen 10 kHz-Stroms;
  • 8 zeigt ein zeitgemitteltes Spektrum mit 27,7 mApp Ditherung bei 10 kHz;
  • 9 illustriert ein Augenmuster mit 6,7 GHz Wellenlänge-Ditherung für einen 27,7 mApp Ditherungsstrom bei 10 kHz; und
  • 10 zeigt ein Augenmuster ohne Wellenlängenditherung.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • In Bezug auf den spezifischen Details der Zeichnungen, worin gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente darstellen, beschreibt die vorliegende Offenbarung eine abstimmbare DBR-Laservorrichtung und eine Methode zur Wellenlängenditherung, um SBS in Systemen mit hohen Startleistungen zu unterdrücken, wie aus der 1 zu entnehmen ist.
  • In Bezug auf die 1–2, weist der abstimmbare Halbleiter-DBR-Laser 10 eine aktive Region 16, einen passiven Wellenleiterbereich 12, einen Braggreflektor 14 und einen Modulator 20 zum Erzeugen des Laseroutputs auf. Der Bragg-Reflektor 14 mit einer Gitterregion ist zwischen der aktiven Region oder Verstärkungsbereich 16 mit einem Gleichstrom-Vorstrom 18 Eingang dazu, und den Modulatorbereich 20 positioniert zur Erzeugung einer Laserausgabe in Antwort auf Eingabe-Datensignale 22.
  • Tabelle 1 zeigt unten beispielhafte Ausgangslei stungsdaten des Lasers 10 als Funktion des Eingangsgleichstrom-Stromes 18 bei einer Temperatur von 20°C: Tabelle 1
    Figure 00050001
  • Eine Ditherquelle 24 stellt ein kontinuierliches Dithersignal bereit, so wie beispielsweise ein kontinuierliches, sinusförmiges Signal. Ein Tuner 26 ist bereitgestellt, der operativ an eine Eingangsregion gekoppelt ist, und reagiert auf das Dithersignal, um die Laserwellenlänge kontinuierlich abzustimmen, um dabei SBS zu reduzieren, die resultiert aus einer Einspeisung eines hohen Leistungslevels in eine Faserüberbrückung.
  • In einer ersten Ausführungsform, wie in der 1 dargestellt, wird die SBS-Unterdrückung ausgeführt von einem Abstimmungsschaltkreis 26, der den DBR-Laser 10 kontinuierlich abstimmt durch lokales Heizen an der Eingangsregion 28 in ein passives Wellenleitersegment unter Verwendung eines Widerstandes 30. Alternativ dazu wie in der 2 dargestellt, wird die kontinuierliche Abstimmung in einer zweiten Ausführungsform durchgeführt durch Stromeinspeisung an der Eingangsregion 28 zum passiven Wellenleitersegment. Für den Fachmann ist klar, daß andere Mittel für die kontinuierliche Abstimmung des DBR-Lasers 10 auch angewendet werden können.
  • In der ersten Ausführungsform wird die Wellenlängenditherung gesteuert durch die Amplitude des sinusförmigen Ditheringeingangssignales von der Ditherquelle 24 bei ungefähr 10 kHz, welches dann auf einen 47 Ohm Chipwiderstand 30 angewendet wird, der benachbart zum passiven Wellenleiter 12 positioniert ist. Die Anwendung des sinusförmigen Eingangssignales zum Dithern der Laserausgabewellenlängen hat keine erheblichen Auswirkungen auf andere Leistungseigenschaften des DBR-Lasers 10. Dem Fachmann ist klar, daß auch andere kontinuierlich variierende Dithersignale zum Dithern des DBR-Lasers 10 angewendet werden können.
  • Der Laser 10 beinhaltet eine aktive Region 16 und den Bragg-Reflektor 14 mit einer Kavität, gebildet durch die linke Facette 34 und den Bragg-Reflektor 14. Der 47 Ohm-Chip-Widerstand 30 erlaubt es der Umlaufzeit der Laserenergie in der Kavität 32, gesteuert zu werden durch lokales Heizen, das durch das Anbringen einer Spannung am Widerstand 30 erzeugt wird. Dies wendet das bekannte Prinzip der Variierung des Brechungsindex des Lasers 10 an, in dem die Temperatur variiert und dadurch die Laserwellenlänge variiert wird.
  • In einer dritten Ausführungsform wird das Heizen der aktiven Region angewendet, um die Laserwellenlänge zu beeinflußen. Alternativ hierzu stellt das lokale Heizen des Gitters 14 des Lasers 10 eine Abstimmbarkeit bereit, durch Auswählen des Lasermodus ohne dabei signifikant die Umlaufzeit im Hohlraum 32 zu verändern. Daraus folgt, daß kontinuierliche Abstimmung mit gleichbleibender Ausgangsleistung vorzugsweise erhalten wird durch Positionieren des Widerstandes 30 und/oder der Eingangsregion 28 des passiven Wellenleitersegments vom Bragg-Reflektor 14 minimiert entfernt.
  • Als Alternative, wie aus der 2 zu erkennen, kann die Wellenlänge abgestimmt werden durch den Tuner 26, applizierend eine Vorwärts- oder eine Rückwärtsvorbelastung durch Stromeinspeisung an der Eingangsregion 28 zu den Schichten des passiven Wellenleiters in einer Art, die dem Fachmann bekannt ist.
  • Die 1–2 zeigen die offenbarte abstimmbare DBR-Laservorrichtung in beispielhaften Ausführungsformen zur Nutzung mit einem monolitisch integrierten Elektroabsorbtionsmodulator 20. Die Ausführungsergebnisse des offenbarten abstimmbaren DBR-Lasers 10, welche hierin beschrieben werden, wurden mit einer Vorrichtung wie beispielsweise einem Modulator 20 gemessen. Wie in der beispielhaften Ausführungsform in den 1–2 gezeigt, wurde das erzeugte Laserlicht ausgekoppelt aus einer Ausgangsfacette 34, wobei ein externer NRZ-Modulator zur Codierung der Eingangsdatensignale 22 verwendet wurde.
  • Hinsichtlich der dritten beispielhaften Ausführungsform mit dem Heizen der aktiven Region 16, beschreibt die folgende Offenbarung im Zusammenhang mit den 3–10, die erhaltenen Ausgangsleistungsdaten. Wie unten offenbart, beträgt die restliche AM, welche die Wellenlängenditherung begleitet, in diesem Fall weniger als 1 % für eine vorgegebene Verbreiterung von bis zu 10 GHz. Die 3–4 zeigen die Änderung der Laserwellenlänge in GHz und die Änderung in der Ausgangsleistung in % im Verhältnis zum DC-Strom 18, angewendet am Widerstand 30 in der ersten Ausführungsform. Frequenzänderungen von 10 GHz können auf diese Weise erhalten werden mit nur 1% Änderung in der optischen Ausgangsleistung des offenbarten abstimmbaren Lasers 10.
  • Tabelle 2 illustriert beispielhafte Abstimmungsdaten entsprechend den 3–4 bei einer Temperatur T = 20°C, mit einem konstanten DC-Strom (Gleichstrom) ILD = 53,3 mA.
  • 3 zeigt die vierte Säule im Verhältnis zur ersten Säule der Tabelle 2, wobei jeder Wert in der vierten Säule mit der ersten Eintragung in der Säule versehen ist; d. h. jeder Wert wird bei 192,4089 reduziert, um in der 3 graphisch dargestellt zu werden. 4 zeigt die zweite Säule im Verhältnis zur ersten Säule der Tabelle 2, wo jeder Wert in der zweiten Säule versehen und normalisiert ist durch die erste Eintragung in der Säule; d. h. jeder Wert wird bei/um 2,20 Punkten reduziert, und der reduzierte Wert wird durch 2,20 dividiert, um dann in der 4 graphisch dargestellt zu werden.
  • Tabelle 2
    Figure 00090001
  • 5 illustriert die Amplitudenmodulation aufgetragen als Funktion der Frequenzverschiebung. In dem offenbarten Beispiel hat eine optimal lineare Anpassung eine Neigung von 0,083%/GHz. 6 illustriert ein beispielhaftes optisches Spektrum vom offenbarten abstimmbaren Laser 10, wo das optische Spektrum in einem Einzel-Modus über den gesamten 50 mA Abstimmungsbereich der Ströme verbleibt.
  • Tabelle 3 illustriert beispielhafte Ditherdaten für den Laser 10, betrieben bei 10 kHz, einer Temperatur von 20°C, und einem Gleichstrom ILD = 62 mA. Ein Isolator mit 1,5 dBm Verlust ist verwendet worden, um Reflexion zu verhindern. Unterdrückung von SBS erfordert im allgemeinen eine Ditheringfrequenz von über ungefähr 7 kHz. Die Kalibrierung beträgt 957 μs für annähernd 4,97 GHz.
  • Tabelle 3
    Figure 00100001
  • 7 illustriert die Daten der Tabelle 3, wobei die dritte Säule aufgetragen ist gegen die erste Säule, aufzeigend die ganze Breite bei Halbmaximum(FWHM)-Spektralbreite als Funktion des Spitzen-Spitzen-Stroms eines sinusförmigen 10 kHz-Signals als das Dithersignal von der Ditherquelle. Eine Spektral-Breite von 14,4 GHz wird gemessen für Spitzen-Spitzen-Ströme von 40 mA. Die Spektral-Breite, gemessen für eine sinusförmige 10 kHz-Modulation, beträgt ungefähr 3 dB weniger als die Änderung in der Wellenlänge mit einem Gleichstrom 18 durch den Widerstand 30, aufgrund der thermischen Diffusionszeitkontanten. Jedoch reagiert der Index und der Verstärkungsfaktor (oder Verlust) des Halbleiterlasers 10 lokal auf die Temperatur des Materials bei Zeitmaßstäben von unter Picosekunde (ps). Demzufolge ist es zu erwarten, daß das Verhältnis zwischen der Frequenz und der Amplituden-Variation unabhängig von der Ditheringfrequenz ist.
  • 8 zeigt ein ungefähr 6,7 GHz breites Spektrum erhalten mit 27,7 mApp als Dithersignal von der Ditherquelle 24, mit einer korrespondierenden Spannung von 1,3 Vpp. Aus der 5 ist zu entnehmen, daß das Rest-AM-Signal weniger als 0,7 % beträgt. Wie in der 9 gezeigt, zeigt das korrespondierende Augenmuster der Performance des Lasers 10 mit solch einem Dithersignal von 27,7 mApp kein sichtbares AM. Im Vergleich dazu, wird das ohne ein auf den Widerstand appliziertes Dithersignal gemessene Augenmuster in 10 gezeigt. Die 9–10 sind im wesentlichen identisch, welches darauf deutet, daß die Unterdrückung von SBS durch kontinuierliche Ditherung wie hier offenbart ist, nicht zum AM des Laserausgangs beiträgt.
  • Obwohl die offenbarte abstimmbare DBR-Laservorrichtung und Methode insbesondere gezeigt und beschrieben wurden unter Bezugnahme auf die bevorzugten Ausführungsformen, ist es für den Fachmann klar, daß verschiedene Modifikationen in der Form und in den Einzelheiten durchgeführt werden könnten, ohne den Schutzbereich/Umfang der Erfindung zu verlassen.

Claims (15)

  1. Vorrichtung, geeignet um stimulierte Brillouin-Streuung in einer optischen Faser zu unterdrücken, hervorgerufen durch einen verteilten Bragg-Reflektorhalbleiterlaser (10), mit einer Ausgangsleistung, etabliert durch einen Gleichstrom-Vorstrom, wobei die Vorrichtung aufweist den verteilten Bragg-Reflektorhalbleiterlaser, eine Quelle (24) eines kontinuierlich variierenden Dither-Signals; und einen Tuner/Abstimmer (26), der betrieblich verbunden ist mit dem Halbleiterlaser (10) und auf das Dither-Signal anspricht, zum kontinuierlichen Abstimmen des Lasers (10), derart daß die effektive Laserlinienbreite vergrößert wird, was die stimulierte Brillouin-Streuung unterdrücken kann, verursacht in einer optischen Faser ohne wesentliche Änderung der Ausgangsleistung, die etabliert wird durch den Gleichstrom-Vorstrom.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Tuner antwortet auf einen kontinuierlich applizierten Strom als das Dither-Signal, um den Laser abzustimmen mittels Steuerung der Laserwellenlänge.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der kontinuierlich applizierte Strom ein kontinuierlicher sinusförmiger Strom ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Tuner bein haltet eine Eingangsregion (28) zum Empfangen des Dither-Signals.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Tuner beinhaltet einen Widerstand (30), der thermisch verbunden ist mit einem Bereich des Lasers, wobei der Widerstand (30) ansprechend ist auf das Dither-Signal zum kontinuierlichen Heizen, um die Abstimmung des Halbleiterlasers zu steuern.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Widerstand (30) thermisch verbunden ist mit einem passiven Wellenleiter des Lasers zum kontinuierlichen Heizen.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Widerstand (30) thermisch verbunden ist mit einer aktiven Region des Lasers zum kontinuierlichen Heizen.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Widerstand (30) thermisch verbunden ist mit einer Bragg-Reflektorregion (14) des Lasers (10) zum kontinuierlichen Heizen.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Tuner (26) anspricht auf das Dither-Signal zum kontinuierlichen Vorbestromen eines passiven Wellenleiters (12) des Lasers (10) zum Steuern der Abstimmung des Lasers.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Tuner (26) kontinuierlich einen Vorstrom in einen passiven Wellenleiter (12) des Lasers (10) einbringt, um den passiven Wellenleiter kontinuierlich vorzubestromen.
  11. Verfahren, das geeignet ist zum Unterdrücken sti mulierter Brillouin-Streuung, verursacht durch einen Ausgang eines verteilten Bragg-Reflektorlasers (10), mit einer aktiven Region (16) zum Empfangen eines Gleichstrom-Vorstromes, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Empfangen eines kontinuierlich variierten Dither-Signals; das kontinuierliche Abstimmen des Lasers (10) unter Verwendung eines Tuners (26) in Ansprache zum Dither-Signal, derart daß die effektive Laserlinienbreite vergrößert wird, die stimulierte Brillouin-Streuung unterdrücken kann in einer optischen Faser ohne wesentliche Änderung der Ausgangsleistung, die etabliert wird durch den Gleichstrom-Vorstrom.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das kontinuierlich variierte Dither-Signal ein Strom ist; und der Schritt des kontinuierlichen Abstimmens beinhaltet den Schritt des Steuerns der Laserwellenlänge als Antwort zum Dither-Signal.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Dither-Signal ein sinusförmiger Strom ist.
  14. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Dither-Signal empfangen wird an einer Eingangsregion (28).
  15. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Schritt des kontinuierlichen Abstimmens beinhaltet die Schritte des: kontinuierlichen Erwärmens eines Bereiches des Lasers unter Verwendung eines Widerstandes (30) als Antwort auf das Dither-Signal; und der Steuerung des Abstimmens des Lasers durch das kontinuierliche Erwärmen.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5737109A (en) * 1996-01-16 1998-04-07 Northern Telecom Limited Thermal down-mixing in diode laser transmitters to suppress stimulated brillouin scattering
JPH09214038A (ja) * 1996-01-29 1997-08-15 Fujitsu Ltd 光送信機、光通信システム及び光通信方法
DE19617956A1 (de) * 1996-05-04 1997-11-13 Bosch Gmbh Robert Optischer Sender
JP3707775B2 (ja) * 1996-05-22 2005-10-19 松下電器産業株式会社 光ディスクシステム
JP3707774B2 (ja) * 1996-05-22 2005-10-19 松下電器産業株式会社 光ディスクシステム
WO1998026316A1 (en) * 1996-12-13 1998-06-18 Massachusetts Institute Of Technology Tunable microcavity using nonlinear materials in a photonic crystal
US5832014A (en) * 1997-02-11 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Wavelength stabilization in tunable semiconductor lasers
DE19717545A1 (de) * 1997-02-27 1998-09-03 Deutsche Telekom Ag Optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung
WO2005022705A2 (en) 1997-03-21 2005-03-10 Imra America, Inc. High energy optical fiber amplifier for picosecond-nanosecond pulses for advanced material processing applications
US5991061A (en) * 1997-10-20 1999-11-23 Lucent Technologies Inc. Laser transmitter for reduced SBS
DE19755457A1 (de) * 1997-12-01 1999-06-10 Deutsche Telekom Ag Verfahren und Anordnung zur Wellenlängenabstimmung einer optoelektronischen Bauelemente-Anordnung
US6185232B1 (en) 1998-06-30 2001-02-06 Scientific-Atlanta, Inc. Wavelength modulated laser for minimizing effects of Rayleigh backscattering
EP1149443A4 (de) 1998-09-11 2006-03-22 New Focus Inc Abstimmbarer laser
SE515435C2 (sv) * 1999-02-17 2001-08-06 Altitun Ab Metod för att våglängdslåsa och modkontrollera en avstämbar laser
SE518827C2 (sv) 1999-02-17 2002-11-26 Altitun Ab Metod för karakterisering av en avstämbar laser
US6853654B2 (en) 1999-07-27 2005-02-08 Intel Corporation Tunable external cavity laser
US6879619B1 (en) 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
US6847661B2 (en) 1999-09-20 2005-01-25 Iolon, Inc. Tunable laser with microactuator
US6856632B1 (en) 1999-09-20 2005-02-15 Iolon, Inc. Widely tunable laser
US6331908B1 (en) 1999-11-22 2001-12-18 Lucent Technologies Inc. Optical system for reduced SBS
US7209498B1 (en) 2000-05-04 2007-04-24 Intel Corporation Method and apparatus for tuning a laser
US7120176B2 (en) 2000-07-27 2006-10-10 Intel Corporation Wavelength reference apparatus and method
US6728290B1 (en) 2000-09-13 2004-04-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Current biased dual DBR grating semiconductor laser
US6678294B1 (en) 2000-11-06 2004-01-13 Northrop Grumman Corporation Distributed feedback laser apparatus for avoiding stimulated brillouin scattering
US6658031B2 (en) 2001-07-06 2003-12-02 Intel Corporation Laser apparatus with active thermal tuning of external cavity
US6901088B2 (en) 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US6804278B2 (en) 2001-07-06 2004-10-12 Intel Corporation Evaluation and adjustment of laser losses according to voltage across gain medium
US6724797B2 (en) 2001-07-06 2004-04-20 Intel Corporation External cavity laser with selective thermal control
US6822979B2 (en) 2001-07-06 2004-11-23 Intel Corporation External cavity laser with continuous tuning of grid generator
US6665105B2 (en) * 2001-07-31 2003-12-16 Agility Communications, Inc. Tunable electro-absorption modulator
US7230959B2 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Intel Corporation Tunable laser with magnetically coupled filter
US6661815B1 (en) * 2002-12-31 2003-12-09 Intel Corporation Servo technique for concurrent wavelength locking and stimulated brillouin scattering suppression
US7146110B2 (en) * 2003-02-11 2006-12-05 Optium Corporation Optical transmitter with SBS suppression
US8498046B2 (en) 2008-12-04 2013-07-30 Imra America, Inc. Highly rare-earth-doped optical fibers for fiber lasers and amplifiers
US7450813B2 (en) 2006-09-20 2008-11-11 Imra America, Inc. Rare earth doped and large effective area optical fibers for fiber lasers and amplifiers
US7420997B2 (en) * 2006-10-16 2008-09-02 Corning Incorporated Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers
US7586960B2 (en) * 2007-01-23 2009-09-08 Corning Incorporated Forced wavelength chirping in semiconductor lasers
WO2008126275A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujitsu Limited 波長可変レーザーの駆動方法および光送信器
US7715453B2 (en) * 2007-11-20 2010-05-11 Corning Incorporated Wavelength control in phase region of semiconductor lasers
KR100953559B1 (ko) * 2007-12-13 2010-04-21 한국전자통신연구원 파장 가변 반도체 레이저 장치
US8204091B2 (en) * 2008-07-03 2012-06-19 Corning Incorporated Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers
US8824034B2 (en) 2009-09-11 2014-09-02 Xieon Networks S.A.R.L. Method of operating a laser in an optical component, optical component, and optical communication system
JP5556137B2 (ja) * 2009-11-18 2014-07-23 住友電気工業株式会社 半導体レーザ装置
CA2795337A1 (en) * 2010-04-21 2011-10-27 Aurora Networks, Inc. Chirp compensation and sbs suppression using a multi-section laser
US8948222B1 (en) * 2013-09-30 2015-02-03 Jds Uniphase Corporation Laser diode light source
AU2016230025B2 (en) * 2015-03-06 2018-05-10 Apple Inc. Independent control of emission wavelength and output power of a semiconductor laser
JP2018530932A (ja) * 2015-07-27 2018-10-18 フィニサー コーポレイション 光ヘテロダイン測定システムの掃引制御

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4434490A (en) * 1982-03-31 1984-02-28 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Spectrophone stabilized laser with line center offset frequency control
US4558449A (en) * 1983-07-08 1985-12-10 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser with coupled loss modulator for optical telecommunications
US5064288A (en) * 1990-12-07 1991-11-12 The Charles Stark Draper Laboratory Scattered light multi-Brillouin gyroscope
US5200964A (en) * 1991-03-12 1993-04-06 General Instrument Corporation Broad linewidth lasers for optical fiber communication systems
US5295209A (en) * 1991-03-12 1994-03-15 General Instrument Corporation Spontaneous emission source having high spectral density at a desired wavelength
JPH06209293A (ja) * 1992-07-31 1994-07-26 American Teleph & Telegr Co <Att> 光伝送システムにおける変調装置
US5329396A (en) * 1992-10-28 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Reduction of stimulated brillouin scattering in a fiber optic transmission system

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