DE69510667D1 - Verfahren und Vorrichtung zur Materialabscheidung auf einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Materialabscheidung auf einer Halbleiterscheibe

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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US7195934B2 (en) * 2005-07-11 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Method and system for deposition tuning in an epitaxial film growth apparatus
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DE1913676A1 (de) * 1969-03-18 1970-09-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas
JP2882605B2 (ja) * 1987-08-27 1999-04-12 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド 歪み層超格子構造の連続成長方法
US4928626A (en) * 1989-05-19 1990-05-29 Applied Materials, Inc. Reactant gas injection for IC processing

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