DE69501795T2 - Eine verbesserte, magnetoresistives Material enthaltende, Vorrichtung - Google Patents

Eine verbesserte, magnetoresistives Material enthaltende, Vorrichtung

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Description

    Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Materialien mit einem magnetfeldabhängigen Widerstand und Gegenstände (z.B. eine Magnetfeldsonde oder einen Aufzeichnungskopf), die das Material umfassen.
    • Stand der Technik
  • Der "magnetfeldabhängige Widerstand" (MR - magnetoresistance) eines Materials ist der spezifische Widerstand (H) des Materials in einem angelegten Magnetfeld (H) minus der spezifische Widerstand o des Materials bei Abwesenheit des angelegten Felds. Diese Differenz Δ wird typischerweise (z.B. durch Dividieren durch (H)) normiert und als ein magnetfeldabhängiges Widerstandsverhältnis in Prozent ausgedrückt. Der magnetfeldabhängige Widerstand (MR) eines Materials ist als Δ / (H) definiert und wird üblicherweise in % ausgedrückt, wobei Δ = (H) - o.
  • In jüngster Zeit wurden enorme MR-Verhältnisse in Nischmetalloxiden beobachtet. K. Chahara et al., Applied Physics Letters, Band 63 (14), Seiten 1990-1992 (1993) offenbaren ein (Δ / (H)) von etwa - 110% in La0,72 Ca0,25 MnOx bei etwa 200K. Das Material zeigte bei Zimmertemperatur einen MR von im wesentlichen Null.
  • R. von Helmolt et al., Physical Review Letters, Band 71 (14, Seiten 2331-2333 (1993) berichten von der Beobachtung eines MMR-Verhältnisses bei Zimmertemperatur von etwa -150% in dünnen Schichten aus perowskitartigem La0,67 Ba0,33 MnOx. Die rohen abgelagerten Schichten waren paramagnetisch, aber nach darauffolgender Wärmebehandlung (900ºC, Luft, 12 Stunden) zeigten die Proben eine ferromagnetische Nagnetisierungskurve. Von Massenproben dieser Zusammensetzung ist bekannt, daß sie metallische Ferromagnete sind, die eine Curie- Temperatur von 343K aber ein kleines MR-Verhältnis aufweisen.
  • Die U.S.-Patentanmeldung Nr. 08/154 766 vom 18.11.1993 von S.Jin et al., EP-A-0 654 835, offenbart Mischmetalloxide, die bei Zimmertemperatur (betragsmäßig) ein MR-Verhältnis von 200% oder mehr aufweisen können. Diese sehr hohen MR-Verhältnisse wurden typischerweise bei relativ hohen Feldern erzielt (z.B. bei 6 Tesla). Die letztere Anmeldung offenbart außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Materials.
  • Obwohl ein hohes MR-Verhältnis im allgemeinen eine erwünschte Eigenschaft eines Materials mit magnetfeldabhängigem Widerstand ist, wäre es für viele potentielle Anwendungen wünschenswert, daß das Material als Reaktion auf eine Änderung des angelegten Felds bei niedrigen Werten des angelegten Magnetfelds, z.B. bei Feldwerten von 0,05 Tesla (d.h. 500 Oe) oder weniger, eine wesentliche Änderung des spezifischen Widerstands zeigt, da solche Felder ohne weiteres durch kostengünstige und einfache Mittel bereitgestellt werden können. Weiterhin wäre es höchst wünschenswert, daß das Material diese wesentliche Änderung des spezifischen Widerstands bei Zimmertemperatur (25ºC oder 298K) zeigt, wodurch kostspielige und ungünstige Kühlvorrichtungen vermieden werden. Die vorliegende Anmeldung offenbart solche Materialien.
    • Die Erfindung
  • Die Erfindung ist durch die Ansprüche definiert. Es wurde festgestellt, daß das Hinzufügen einer relativ kleinen Menge Sr und/oder Ba zu La-Ca-Mn-O zu einem Material führen kann, das bei Zimmertemperatur und in einem kleinen angelegten Feld H (beispielsweise bei H ≤ 0,05T) einen wesentlich größeren (typischerweise mindestens zweimal so großen) Wert von d /dH aufweist als das entsprechende La-Ca-Mn-O-Material bei derselben Temperatur und in demselben Feld. Somit wird die Erfindung grob gesagt durch einen Gegenstand verkörpert, der Material mit magnetfeldabhängigem Widerstand umfaßt, das bei 25ºC bei relativ kleinen angelegten Magnetfeldern eine relativ große Änderung des Widerstands als Funktion des angelegten Magnetfelds aufweisen kann.
  • Genauer gesagt wird die Erfindung durch einen Gegenstand (z.B. eine Vorrichtung, die Meßmittel mit magnetfeldabhängigem Widerstand umfaßt) verkörpert, der ein erstes Material umfaßt, das einen magnetfeldabhängigen Widerstand aufweist und La, Ca, Mn und Sauerstoff umfaßt. Dem ersten Material ist bei einem gegebenen Wert eines angelegten Feldes H und einer Temperatur T eine Derivierte Δ /dH zugeordnet, wobei der spezifische elektrische Widerstand des ersten Materials bei den gegebenen Werten von H und T ist. Die Striche zeigen den Betrag an.
  • Insbesondere umfaßt das erste Material ferner einen weiteren Bestandteil, der aus Sr, Ba und Sr und Ba ausgewählt wird. Die Menge des in dem ersten Material vorliegenden besagten Bestandteils wird so gewählt, daß das erste Material mit einem Wert von d /dH ausgestattet wird, der mindestens zweimal den Betrag der besagten Derivierten in einem Vergleichsmaterial aufweist, das als das "zweite" Material bezeichnet werden soll. Das zweite Material ist mit dem ersten Material bis auf das Fehlen des besagten weiteren Bestandteils in dem zweiten Material identisch. Der Vergleich ist bei einem angelegten Magnetfeld von ≤ 0,05 Tesla und einer Temperatur von 25ºC durchzuführen. Als Beispiel zeigt das erste Material Prozentwerte [Δ / (H)] von mindestens 0,1%, vorzugsweise mindestens 0,3%, bei H = 0,05 Tesla und T = 25ºC, Δ /dH von mindestens 0,8x10&supmin;² und vorzugsweise mindestens 2,4x10&supmin;² uΩ cm/Oe und &supmin;¹ Δ /dH von mindestens 2x10&supmin;&sup6;, vorzugsweise mindestens 6x10&supmin;&sup6;/Oe. Bekanntlich ist 1 Tesla = 10&sup4; Oersted.
  • FIG. 1 zeigt den Widerstand R (der proportional zu dem spezifischen Widerstand ist) einer Probe (einer Schicht mit einer Dicke von ungefähr 100 nm) eines Materials mit der nominalen Zusammensetzung La0,67 Ca0,33 MnOx (x 3) als eine Funktion des angelegten Felds H bei T = 260 (Kurve 10), 280 (Kurve 11) bzw. 298K (Kurve 12). Mit "nominaler Zusammensetzung" ist hier eine Zusammensetzung gemeint, die für ein gegebenes Metallelement der Zusammensetzung höchstens um ±10% von der genannten Zusammensetzung abweicht.
  • Wie aus FIG. 1 zu sehen ist, weist das Material (das kein erfindungsgemäßes Material ist) bei 0,05 Tesla bei 260K einen relativ großen Wert von d /dH auf, weist bei 280K einen mäßigen Wert dieser Derivierten auf und weist bei Zimmertemperatur (298K) einen recht kleinen Wert auf. Die Änderung von d /dH als eine Funktion der Temperatur ist tatsächlich überraschend groß. Das Material eignet sich für Meßzwecke in einem Temperaturbereich unterhalb 280K (z.B. bei 260K), ist aber aufgrund seines kleinen Wertes von d /dH bei schwachem Feld bei Zimmertemperatur bestenfalls von geringfügigem Nutzen. Bei 260, 280 und 298K weist das Material in einem Feld von 1,75 Tesla ein MR-Verhältnis von 105, 36 bzw. 11% auf. Obwohl das MR-Verhältnis bei einem gegebenen Feld nicht genau proportional zu d /dH bei diesem Feld ist, nehmen das MR-Verhältnis und die Derivierte typischerweise zusammen zu oder ab.
  • FIG. 2 zeigt entsprechende Daten für erfindungsgemäßes Material, nämlich für eine Schicht mit der nominalen Zusammensetzung La0,55Ca0,25Sr0,08MnOx. Die Kurven 20-23 wurden bei 280, 298, 313 bzw. 323K genommen und zeigen, daß das Material bei 280 und 323K mäßige Werte von d /dH aufweist, und wesentlich höhere Werte über einen Temperaturbereich, der Zimmertemperatur miteinschließt. Bei 280, 298, 313 und 323 K in einem Feld von 1,75 Tesla wies das Material MR-Verhältnisse von 13, 39, 51 bzw. 29% auf.
  • Durch FIG. 3 wird die Differenz zwischen erfindungsgemäßem Material und Vergleichsmaterial, das den weiteren Bestandteil nicht enthält, weiter exemplifiziert. Die Kurve 30 betrifft Material mit der nominalen Zusammensetzung La0,57Ca0,33MnOx, und die Kurve 31 Material mit der nominalen Zusammensetzung La0,55Ca0,25Sr0,08MnOx. Beide Materialien lagen in der Form dünner Schichten vor (ungefähr 100 nm dick) und wurden durch Laser-Ablation auf (001)-LaAlO&sub3;-Substraten abgelagert, worauf Wärmebehandlung folgte (950ºC, 3 Stunden in 3 Atmosphären O&sub2;). Das Material der Kurve 30 hat ein MR-Verhältnis von 0,03% bei 0,05 Tesla und 298K, während das erfindungsgemäße Material (Kurve 31) unter denselben Bedingungen ein MR-Verhältnis von 1,25% hat, was verglichen mit dem Vergleichsmaterial eine ungefähr 40-fache Erhöhung darstellt. Der Betrag von d /dH des erfindungsgemäßen Materials ist für relativ niedrige Werte von H, z.B. für H ≤ 0,05 Tesla und bei Zimmertemperatur oder nahe bei Zimmertemperatur gleichermaßen vielmal größer als der des Vergleichsmaterials.
  • Beispielsweise hatte eine Schicht des erfindungsgemäßen Materials mit den Abmessungen 3mm x 2mm x 100 nm einen Widerstand ohne Feld (Ro) von etwa 600Ω bei 298K, was einem o von etwa 4mΩ cm entspricht. Die Messung des Spannungsabfalls, der durch einen Strom von 1 mA durch die Schicht verursacht wurde, erfolgte in der herkömmlichen 4-Spitzen-Sondengeometrie. Die Spannungsänderung als Reaktion auf ein Feld von 0,05 Tesla betrug bei Zimmertemperatur 7,5 mV (was 15 uV/Oe entspricht). Unter denselben Bedingungen ergab das nicht erfindungsgemäße Material von FIG. 3 (das im wesentlichen denselben Ro aufwies) ein Signal von nur 0,18 mV (was 0,36 uV/Oe entspricht).
  • Obwohl eine Verdopplung von d /dH verglichen mit dem Vergleichsmaterial als kommerziell bedeutsam angesehen wird, werden bevorzugte erfindungsgemäße Materialien verglichen mit dem Vergleichsmaterial mindestens eine 5-fache, bevorzugter mindestens eine 10-fache Zunahme von d /dH bei 25ºC und relativ kleinem H aufweisen.
  • Fachleute werden erkennen, daß die (bei niedrigen Werten von H) im wesentlichen lineare Beziehung zwischen und H in dem erfindungsgemäßen Material (siehe Kurve 31) eine sehr vorteilhafte Eigenschaft des neuartigen Materials ist, die u.a. die Verwendung des Materials für Zwecke der Feldmessung vereinfacht. In bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung schwankt d /dH bei Zimmertemperatur über den Bereich von 0-0,05 Tesla hinweg um höchstens 30%, und bevorzugter um höchstens 10%.
  • Eine weitere vorteilhafte Eigenschaft von erfindungsgemäßem Material ist sein relativ hoher spezifischer Widerstand bei Abwesenheit eines Felds ( o), der die Verwendung relativ kleiner Ströme und/oder nicht so empfindlicher Signalverstärker erleichtert. Zum Beispiel besitzt ein wohlbekanntes Sensormaterial mit magnetfeldabhängigem Widerstand des Stands der Technik (PERMALLOY, das beispielsweise eine 80-Ni-20- Fe-Legierung ist und typischerweise ein MR-Verhältnis von bis zu etwa 3% aufweist) einen o von nur etwa 0,04mΩ cm. Somit wäre für denselben Sensorstrom das Spannungs-Ausgangssignal in einem Feldsensor auf PERMALLOY-Basis um Größenordnungen kleiner als das Ausgangssignal aus einem entsprechenden Sensor, der erfindungsgemäßes Material einsetzt, das typischerweise bei 298K einen o im Bereich von 0,5-100mΩ cm aufweist.
  • FIG. 4 zeigt beispielhafte Daten des MR-Verhältnisses bei H = 0,05 Tesla als Funktion des Sr-Gehalts (z) in erfindungsgemäßem Material mit der nominalen Zusammensetzung La0,55 Ca0,33-z Srz MnOx. Es ist ohne weiteres zu sehen, daß das MR-Verhältnis (und somit d /dH stark von der vorliegenden Menge von Sr abhängt, und der Zusatz einer sehr kleinen Menge Sr kann das MR-Verhältnis des Materials verdoppeln. Ähnliche Ergebnisse werden erwartet, wenn es sich bei dem hinzugefügten Bestandteil um Ba oder Ba und Sr handelt. Typischerweise wird für z 0,01 und z 0,2 die Verbesserung des MR-Verhältnisses nur als von geringfügiger kommerzieller Bedeutung angesehen, und solche Zusammensetzungen werden zur Zeit nicht bevorzugt.
  • In bevorzugten Ausführungsformen weist erfindungsgemäßes Material die nominale Zusammensetzung LawCay-zZzMnvOx auf, wobei Z für Sr, Ba oder beides steht, und folgendes gilt: w ist 0,45-0,85 , z ist 0,01-0,20 , v ist 0,7-1,3 , x ist 2,3-3,5 und y-z ist 0,1-0,45. Bevorzugter gilt: w ist 0,50-0,75 , z ist 0,01-0,16 , v ist 0,8-1,2 , x ist 2,7-3,2 und y-z ist 0,15-0,4. Noch bevorzugter gilt: w ist 0,50-0,68 , z ist 0,01-0,12 , v ist 0,8-1,2 , x ist 2,7-3,2 , und y-z ist 0,2-0,35.
  • Erfindungsgemäßes Material kann die Form dünner Schichten und bevorzugt dünner Schichten, die zu einem angemessenen Substrat epitaxial sind, annehmen, wobei aber polykristalline (texturierte oder untexturierte) Schichten nicht ausgeschlossen sind. Außerdem kann es als loses polykristallines Material oder einkristallig vorliegen.
  • Beispielhafte Substratmaterialien sind LaAlO&sub3;, MgO, SrTiO&sub3;, Al&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;, Halbleiter wie Si oder angemessene Metalle oder Legierungen. Das Substratmaterial kann (muß aber nicht) ein integraler Bestandteil der Vorrichtung sein, bei der das erfindungsgemäße Material eingesetzt wird. Die Verwendung einer Pufferschicht zur Förderung des epitaxialen Wachstums oder zur Bereitstellung einer elektrischen Isolation zwischen der Schicht und einem leitenden Substrat wird in Betracht gezogen.
  • Dünne Schichten aus erfindungsgemäßem Material können durch ein beliebiges geeignetes physikalisches oder chemisches Ablagerungsverfahren, z.B. durch Zerstäubung, Laser-Ablation, Verdampfung, Molekularstrahlepitaxie, chemische Aufdampfung, Galvanisierung, stromlose Metallisierung und Plasmaspritzablagerung gebildet werden, dem typischerweise ein Oxidationsschritt folgt. Laser-Ablation und achsenentfernte Zerstäubung sind die zur Zeit bevorzugten Ablagerungsverfahren. Wie Fachleuten bekannt sein wird, können diese Verfahren ohne weiteres eine Ablagerung ergeben, die im wesentlichen dieselbe Zusammensetzung wie das Target aufweist.
  • Abgelagerte Schichten werden im allgemeinen wärmebehandelt, typischerweise im Bereich von 700- 1100ºC für eine Dauer von 0,1-100 Stunden, vorzugsweise im Bereich von 800-1000ºC für eine Dauer von 0,5-20 Stunden.
  • Erfindungsgemäßes loses Material kann auf vielfältige Weisen hergestellt werden. Beispielsweise wird Pulver der gewünschten Zusammensetzung durch ein Verfahren gebildet, bei dem stöchiometrische Mengen von Oxiden von La, Ca, Sr und/oder Ba und Mn vermischt werden, wobei die Mischung eine ausgedehnte Zeitdauer lang (z.B. 1-20 Stunden) auf einer erhöhten Temperatur in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre gehalten, das resultierende kalzinierte Material auf Zimmertemperatur abgekühlt und das kalzinierte Material feingemahlen wird. Wahlweise werden die Kalzinierungs- und Feinmahlungsschritte einmal oder mehrmals wiederholt. Das dadurch erzeugte Pulver kann in eine gewünschte Form gepreßt und (typischerweise im Bereich von 800- 1500ºC für eine Dauer von 0,5-1000 Stunden, vorzugsweise im Bereich von 900-1300ºC für eine Dauer von 1-100 Stunden) gesintert werden. Das Pulver kann auch mit einem bekannten Lösungsmittel (z.B. Polyvinylalkohol und wahlweise einem organischen Bindemittel) vermischt werden, um eine Paste oder Aufschlämmung zu erzeugen, und die Mischung kann zum Beispiel durch ein Abstreichmesser, durch Siebdruck oder Sprühbeschichtung auf ein Substrat aufgebracht werden. Nach der Pyrolyse des Lösungsmittels wird das verbleibende erfindungsgemäße Material im wesentlichen so wärmebehandelt, wie es für loses Material beschrieben wurde.
  • Bei der Wärmebehandlung des erfindungsgemäßen Materials erfolgt im allgemeinen eine Aufheizung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, und zwar typischerweise in einer Atmosphäre von mehr als 0,2 Atmosphären O&sub2;-Teildruck. Die Werte von Materialparametern wie zum Beispiel das MR-Verhältnis und o werden typischerweise zumindest zu einem gewissen Grad von den Einzelheiten der Wärmebehandlung abhängen. Die Bedingungen, die zu einem gewünschten Wert eines gegebenen Parameters oder gegebener Parameter führen, können typischerweise nicht im voraus angegeben werden, können aber typischerweise ohne weiteres bestimmt werden. Eine solche Bestimmung stellt Fachleuten keine Schwierigkeiten dar.
  • FIG. 5 zeigt schematisch als Beispiel eine erfindungsgemäße Vorrichtung 50, nämlich eine Vorrichtung, die Schwankungen der Magnetisierung in einem Magnetband 51 erfaßt und als Reaktion ein Spannungssignal erzeugt. Das Magnetband bewegt sich an dem Erfassungskopf 52 vorbei, der einen Substratkörper 53 und eine auf diesem befindliche Schicht 54 aus erfindungsgemäßem Material umfaßt. Pfeile zeigen die Magnetisierungsrichtung in dem Magnetband an. Mittel 55 stellen der Schicht 54 einen Gleichstrom bereit. Die Schicht wird durch die Leiter 57 kontaktiert, und das spannungsempfindliche Mittel 56 reagiert auf die an der Schicht 54 mit magnetfeldabhängigem Widerstand anstehende Spannung. J. Heremans (op. cit.) und U. Dibbern et al., Electronics Components and Applications, Band 5(3), S. 148 (Juni 1983) geben Informationen über den Stand der Technik der Sensoren mit magnetfeldabhängigem Widerstand.
    • Beispiel 1
  • Ein keramisches Laser-Ablationstarget mit einer nominalen Zusammensetzung La0,55 Ca0,25 Sr0,08 MnOx wurde auf die folgende Weise hergestellt: Es wurden stöchiometrische Mengen von Oxidpulvern von La, Ca, Sr und Mn vermischt. Die Mischung wurde bei einer Temperatur im Bereich von 1200-1300ºC für eine Zeitdauer im Bereich von 3-12 Stunden in Sauerstoff kalziniert, worauf herkömmliches Mahlen folgte. Dieses Verfahren wurde einmal wiederholt. Das resultierende Pulver wurde durch herkömmliche Mittel zu einer Scheibe mit Abmessungen von 2,54 cm (1 Zoll) Durchmesser x 0,508 cm (0,2 Zoll) gepreßt, worauf eine Sinterung der Scheibe bei 1300ºC für eine Dauer von 16 Stunden in Sauerstoff folgte. Unter Verwendung der resultierenden gesinterten Scheibe als Target wurde auf einem LaAlO&sub3;- Substrat durch herkömmliche Laser-Ablation in einem O&sub2;- Teildruck von 13,3 Pa (100 mTorr) eine dünne (etwa 100 nm starke) Schicht mit der nominalen Zusammensetzung
  • La0,55 Ca0,25 Sr0,08 MnOx abgelagert. Die Substrattemperatur betrug 700ºC. Nach der Beendigung der Ablagerung wurde die Schicht bei 950ºC 3 Stunden lang in etwa 3 Atmosphären Sauerstoff wärmebehandelt. Es wurde eine Probe mit den ungefähren Abmessungen 2 x 3 mm hergestellt, und mittels einer herkömmlichen Vierspitzenmethode der spezifische Widerstand des Materials als eine Funktion von H gemessen. Es wurden Ströme im Bereich von 0,01-10 mA verwendet, und es wurde festgestellt, daß das MR-Verhältnis im wesentlichen unabhängig von der Größe des angelegten Gleichstroms war. Außerdem wurde festgestellt, daß das MR-Verhältnis im wesentlichen unabhängig von der Richtung von H in der Schichtebene war. Die Meßergebnisse stimmten u.a. im wesentlichen mit den in FIG. 2-3 gezeigten überein.
    • Beispiel 2
  • Es wurde eine Probe mit den ungefähren Abmessungen 3 x 4 x 2 mm von einer gesinterten Stange mit der nominalen zusammensetzung La0,55 Ca0,25 Sr0,08 MnOx abgeschnitten. Die gesinterte Stange war im wesentlichen wie die Targetscheibe im Beispiel 1 hergestellt worden. Die Probe zeigte bei 0,05 T und 25ºC ein MR-Verhältnis von etwa 1%.

Claims (8)

1. Gegenstand, der ein erstes Material umfaßt, das einen magnetfeldabhängigen Widerstand aufweist und La, Ca, Mn und Sauerstoff umfaßt, wobei dem ersten Material bei einem gegebenen Wert eines angelegten Feldes H und einer Temperatur T eine Derivierte dr/dH zugeordnet ist, wobei r der spezifische elektrische Widerstand des ersten Materials bei den gegebenen Werten von H und T ist; dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material einen weiteren Bestandteil umfaßt, der aus der aus Sr, Ba und Sr+Ba bestehenden Gruppe ausgewählt wird, wobei die Menge des besagten weiteren Bestandteils so gewählt wird, daß das besagte erste Material bei einem gegebenen Wert von H, der kleiner oder gleich 0,05 Tesla ist, und bei einer Temperatur von 25ºC mit einem Wert von dr/dH ausgestattet wird, der mindestens zweimal so groß ist wie der Wert der besagten Derivierten bei den gegebenen Werten von H und T, die einem zweiten Material zugeordnet ist, das mit dem ersten Material bis auf das Fehlen des besagten Bestandteils in dem zweiten Material identisch ist.
2. Gegenstand nach Anspruch 1, wobei dr/dH des ersten Materials bei den gegebenen Werten von H und T mindestens 0,8 x 10&supmin;²mW.cm/Oe beträgt.
3. Gegenstand nach Anspruch 1, wobei das erste Material die Zusammensetzung LawCay-zZzMnvOx aufweist, wobei Z für Sr, Ba oder beides steht und 0,45 ≤ w ≤ 0,85 , 0,01 ≤ z ≤ 0,20 , 0,7 ≤ v ≤ 1,3 , 2,3 ≤ x ≤ 3,5 und 0,1 ≤ y-z ≤ 0,45 gilt.
4. Gegenstand nach Anspruch 1, wobei das erste Material ein erster Materialfilm ist, der auf einem Substrat angeordnet ist.
5. Gegenstand nach Anspruch 1, wobei das erste Material in Form gesinterten Pulver vorliegt.
6. Gegenstand nach Anspruch 1, wobei der Gegenstand ferner Mittel umfaßt, um durch das besagte erste Material einen elektrischen Strom fließen zu lassen, und weiterhin Mittel umfaßt, die auf eine Änderung einer Spannung an mindestens einem Teil des besagten ersten Materials reagieren.
7. Gegenstand nach Anspruch 1, wobei das erste Material bei 298K in Abwesenheit eines magnetischen Feldes einen spezifischen Widerstand von mindestens 0,5 mW cm aufweist.
8. Gegenstand, der ein Material umfaßt, das einen magnetfeldabhängigen Widerstand aufweist und La, Ca, Mn und Sauerstoff umfaßt, wobei dem ersten Material bei einem gegebenen Wert eines angelegten Feldes H und einer Temperatur T eine Derivierte dr/dH zugeordnet ist, wobei r der spezifische elektrische Widerstand ist; dadurch gekennzeichnet, daß
a) das Material die Zusammensetzung LawCay-zZzMnvOx aufweist, wobei Z für Sr, Ba oder beides steht und 0,45 ≤ w ≤ 0,85 , 0,01 ≤ z ≤ 0,20 , 0,7 ≤ v ≤ 1,3 , 2,3 ≤ x ≤ 3,5 und 0,1 ≤ y-z ≤ 0,45 gilt; und
b) dr/dH bei T = 25ºC und H ≤ 0,05 Tesla mindestens 0,8 x 10&supmin;² mW cm/Oe beträgt.
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