DE69330303D1 - Halbleiteranordnung mit einem Schutzelement und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem Schutzelement und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3226074B2 (ja) * 1994-02-17 2001-11-05 富士電機株式会社 半導体集積回路装置
DE69429915D1 (de) * 1994-07-04 2002-03-28 St Microelectronics Srl Verfahren zur Herstellung von Leistungsbauteilen hoher Dichte in MOS-Technologie
US5610425A (en) * 1995-02-06 1997-03-11 Motorola, Inc. Input/output electrostatic discharge protection circuit for an integrated circuit
JP3386943B2 (ja) * 1995-10-30 2003-03-17 三菱電機株式会社 半導体装置
EP0773588B1 (de) * 1995-11-10 2002-06-19 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe Integriertes MOS-Bauelement mit einer Gateschutzdiode
US5602046A (en) * 1996-04-12 1997-02-11 National Semiconductor Corporation Integrated zener diode protection structures and fabrication methods for DMOS power devices
SE513283C2 (sv) * 1996-07-26 2000-08-14 Ericsson Telefon Ab L M MOS-transistorstruktur med utsträckt driftregion
US5844282A (en) * 1997-03-28 1998-12-01 Nec Corporation Semiconductor device having field effect transistor connected at gate electrode to protective junction diode discharging in the presence of light
US8476709B2 (en) 2006-08-24 2013-07-02 Infineon Technologies Ag ESD protection device and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3999212A (en) * 1967-03-03 1976-12-21 Hitachi, Ltd. Field effect semiconductor device having a protective diode
US3585712A (en) * 1968-12-12 1971-06-22 Trw Semiconductors Inc Selection and interconnection of devices of a multidevice wafer
JPS582453B2 (ja) * 1975-02-28 1983-01-17 日本電気株式会社 ダイキボハンドウタイシユウセキカイロソウチ
US4479088A (en) * 1981-01-16 1984-10-23 Burroughs Corporation Wafer including test lead connected to ground for testing networks thereon
JPH081956B2 (ja) * 1987-11-06 1996-01-10 日産自動車株式会社 保護機能を備えた縦型mosfet
US4814283A (en) * 1988-04-08 1989-03-21 General Electric Company Simple automated discretionary bonding of multiple parallel elements

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