DE69326154D1 - Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters - Google Patents

Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters

Info

Publication number
DE69326154D1
DE69326154D1 DE69326154T DE69326154T DE69326154D1 DE 69326154 D1 DE69326154 D1 DE 69326154D1 DE 69326154 T DE69326154 T DE 69326154T DE 69326154 T DE69326154 T DE 69326154T DE 69326154 D1 DE69326154 D1 DE 69326154D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
programming
integrated circuit
memory cell
volatile memory
register
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69326154T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69326154T2 (de
Inventor
Luigi Pascucci
Silvia Padoan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69326154D1 publication Critical patent/DE69326154D1/de
Publication of DE69326154T2 publication Critical patent/DE69326154T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
    • G11C29/789—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes using non-volatile cells or latches
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/12—Programming voltage switching circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
DE69326154T 1993-11-30 1993-11-30 Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters Expired - Fee Related DE69326154T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP93830474A EP0655743B1 (de) 1993-11-30 1993-11-30 Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69326154D1 true DE69326154D1 (de) 1999-09-30
DE69326154T2 DE69326154T2 (de) 2000-02-24

Family

ID=8215255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69326154T Expired - Fee Related DE69326154T2 (de) 1993-11-30 1993-11-30 Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5644529A (de)
EP (1) EP0655743B1 (de)
JP (1) JP2791285B2 (de)
DE (1) DE69326154T2 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69412230T2 (de) * 1994-02-17 1999-04-08 Sgs Thomson Microelectronics Verfahren zur Programmierung von Redundanzregistern in einer Spaltenredundanzschaltung für einen Halbleiterspeicherbaustein
EP0668563B1 (de) * 1994-02-17 1998-07-08 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Programmierung von Redundanzregistern in einer Zeilenredundanzschaltung für einen Halbleiterspeicherbaustein
EP0736876B1 (de) * 1995-04-04 2001-06-27 STMicroelectronics S.r.l. Selektiver Sicherungskodierer
FR2740601B1 (fr) * 1995-10-26 1997-12-05 Sgs Thomson Microelectronics Procede de programmation d'une memoire adressable par son contenu a cellules memoires a grille flottante
US5812477A (en) 1996-10-03 1998-09-22 Micron Technology, Inc. Antifuse detection circuit
US6064600A (en) * 1999-03-01 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for reading memory device register data
DE10005618A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-30 Infineon Technologies Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit redundanter Einheit von Speicherzellen
US6222765B1 (en) * 2000-02-18 2001-04-24 Silicon Storage Technology, Inc. Non-volatile flip-flop circuit
US6671834B1 (en) * 2000-07-18 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Memory redundancy with programmable non-volatile control
US6801471B2 (en) * 2002-02-19 2004-10-05 Infineon Technologies Ag Fuse concept and method of operation

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4347483A (en) * 1980-07-28 1982-08-31 Zenith Radio Corporation Frequency and phase lock loop with separated AFC and phase locking
US4546454A (en) * 1982-11-05 1985-10-08 Seeq Technology, Inc. Non-volatile memory cell fuse element
DE3318123A1 (de) * 1983-05-18 1984-11-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung mit einem datenspeicher und einer ansteuereinheit zum auslesen, schreiben und loeschen des speichers
DE3468592D1 (en) * 1984-05-07 1988-02-11 Itt Ind Gmbh Deutsche Semiconductor memory cell having an electrically floating memory gate
US5008856A (en) * 1987-06-29 1991-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrically programmable nonvolatile semiconductor memory device with NAND cell structure
JP2537264B2 (ja) * 1988-04-13 1996-09-25 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPH0386999A (ja) * 1989-08-30 1991-04-11 Sharp Corp 半導体記憶装置
JP2986570B2 (ja) * 1991-03-05 1999-12-06 富士通株式会社 半導体記憶装置
US5251169A (en) * 1991-05-06 1993-10-05 Lattice Semiconductor Corporation Non-volatile erasable and programmable interconnect cell
JP2829156B2 (ja) * 1991-07-25 1998-11-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置の冗長回路
US5325333A (en) * 1991-12-27 1994-06-28 Nec Corporation Semiconductor memory device

Also Published As

Publication number Publication date
US5644529A (en) 1997-07-01
DE69326154T2 (de) 2000-02-24
JP2791285B2 (ja) 1998-08-27
EP0655743A1 (de) 1995-05-31
EP0655743B1 (de) 1999-08-25
JPH07254294A (ja) 1995-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69524507D1 (de) Selbst-Programmierschaltung für eine nicht-flüchtige Speicheranordnung
DE69522326D1 (de) Bitmap-orientierte adressierung für einen flash-speicher
DE69516634D1 (de) Intelligente Wiederprogrammierung eines Flash-Speichers
DE69617762T2 (de) Verbesserte Lesung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeicheranordnung
DE69128209T2 (de) Löschschaltung und -verfahren für EEPROM-Speichermatrizen
GB9417266D0 (en) Testing a non-volatile memory
DE59109046D1 (de) Programmierverfahren für einen Logikbaustein
DE69420591D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicher
DE69626441D1 (de) Speicherentwurf für IC-Anschlüsse
DE69401428D1 (de) Hardwaregesteuerter schutz für rechnerspeichervorrichtungen
DE69630268D1 (de) Datenleseschaltung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeicheranordnung
DE69527898T2 (de) Klassenbibliothek für die graphische Programmierung
DE69025121D1 (de) Taktsteuerung für einen Speicher
DE69326154T2 (de) Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters
DE69423077T2 (de) Steuerungsvorrichtungen für nichtflüchtige Speicheranordnungen
DE69323009T2 (de) Externspeicherzugriffssteuerung für eine Verarbeitungsanlage
DE69321700D1 (de) Nicht-flüchtige Halbleiterspeicher
DE69125876D1 (de) Kennzeichenschaltung für nichtflüchtige Speicheranordnung
ITMI930074A1 (it) Dispositivo di memoria a semiconduttore avente un elemento di comando di parola
DE69418521D1 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung
DE69119803D1 (de) Schreibeschaltung für eine nichtflüchtige Speicheranordnung
DE59408841D1 (de) Programmspeichererweiterung für einen Mikroprozessor
DE69132402T2 (de) Zellmatrix für nichtflüchtige Halbleiter-Speichervorrichtungen
DE69527252T2 (de) Lesen einer Bitleitung in einer Speichermatrix
DE69429794D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicher

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee