DE69326154D1 - Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters - Google Patents
Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen SpeicherregistersInfo
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US5812477A (en) * | 1996-10-03 | 1998-09-22 | Micron Technology, Inc. | Antifuse detection circuit |
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US5008856A (en) * | 1987-06-29 | 1991-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrically programmable nonvolatile semiconductor memory device with NAND cell structure |
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US5251169A (en) * | 1991-05-06 | 1993-10-05 | Lattice Semiconductor Corporation | Non-volatile erasable and programmable interconnect cell |
JP2829156B2 (ja) * | 1991-07-25 | 1998-11-25 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置の冗長回路 |
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