DE69213294T2 - Multichip-System und Verfahren zur Versorgung von Taktsignalen dafür - Google Patents

Multichip-System und Verfahren zur Versorgung von Taktsignalen dafür

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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Multichipsystem, bei welchem eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf der Grundlage eines Taktsignals von einer Taktsignalversorgungseinheit synchron betrieben werden und ein Verfahren zum Zuführen des Taktsignals dafür.
    • Beschreibung des Standes der Technik
  • Fig. 14 zeigt ein Blokschaltbild eines Multichipsystems im Stand der Technik. Bei dem Multichipsystem im Stand der Technik ist eine Mehrzahl von Halbleiterchips 1 auf einer Schaltungsplatine 2 vorgesehen. Aluminiumleiter 3 auf der Schaltungsplatine 2 verbinden die jeweiligen Halbleiterchips 1 elektrisch mit einer Taktsignalversorgungs einheit 4. Somit werden alle der Halbleiterchips 1 auf der Grundlage eines Taktsignals SCL, das durch die Aluminiumleiter 3 von der Taktsignalversorgungseinheit 4 abgegeben wird, synchron zueinander betrieben.
  • Bei dem Multichipsystem im Stand der Technik wirken die Aluminiumleiter 3 als ein Übertragungsweg für das Taktsignal SCL. Die Längen der Aluminiumleiter 3, d.h., die Übertragungsentfernungen zwischen der Taktsignalversorgungseinheit 4 und den Halbleiterchips 1 sind voneinander unterschiedlich. Demgemäß sind Zeitdauern, die benötigt werden, um das Taktsignal SCL von der Taktsignalversorgungseinheit 4 zu den jeweiligen Halbleiterchips 1 zu übertragen (hier im weiteren Verlauf als "Signalübertragungszeit" bezeichnet), abhängig von der Übertragungsentfernung unterschied lich. Anders ausgedrückt tritt aufgrund der unterschiedlichen Längen der Aluminiumleiter 3 ein Taktversatz auf. Insbesondere erhöht sich die Impedanz der Aluminiumleiter 3, wenn die Frequenz des Taktsignals SCL höher stegt. In die sem Fall hat es ein in der Praxis ernsthaftes Problem gegeben, daß der Taktversatz verglichen mit dem Taktsignal SCL, das eine niedrige Frequenz aufweist, als Folge verschlechtert wird.
  • Optical Engineering, Band 25, Nr. 10, Oktober 1986, Seiten 1086 bis 1102 offenbart ein Multichipsystem, welches dem Oberbegriff des Anspruchs 1 entspricht. Das Detail der Kopplung zwischen dem optischen Eingangssignal und dem Photodetektor ist nicht berücksichtigt.
  • Die US-A-4 890 895 offenbart einen verkapselten optischen Sender/Empfänger. Die offenbarte Vorrichtung beinhaltet eine Einrichtung zum Koppeln eines Photodetektors an eine optische Faser, welche eine große Lochung in dem Sender/Empfängersubstrat verwendet, welche eine sphärische Linse zum Übertragen von Licht aufnimmt.
    • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung richtet sich ebenso auf ein Verfahren zum Zuführen eines Taktsignals fur ein Multichipsystem nach Anspruch 12.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung blinkt die Lichtabstrahlungsvorrichtung auf der Grundlage des Taktsignals von der Taktsignalversorgungseinheit, wodurch das Taktsignal (elektrische Signal) in das Lichtsignal gewandelt wird. Der Photodetektor, der in dem Halbleiterchip beinhaltet ist, empfängt das Licht von der Lichtabstrahlungsvorrichtung, wandelt dab Lichtsignal von der Lichtabstrahlungsvorrichtung in das elektrische Signal und führt das Signal als das Taktsignal der internen Schaltung des Halbleiterchip Zu Ein Taktversatz, der durch die Impedanz von Aluminiumleitern bewirkt wird, wird beseitigt. Die Dauern einer Signalübertragungszeit zum Zuführen des Taktsignals zu den jeweiligen Halbleiterchlps sind genau gleich oder sehr nahe an gleich.
  • Demgemäß ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Multichipsystem zu schaffen, das in der Lage ist, einen Taktversatz zu unterdrücken.
  • Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es&sub1; ein Verfahren zum Zuführen eines Taktsignals zu schaffen das in der Lage ist, einen Taktversatz zu unterdrücken.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlich, wenn diese in Verbindung mit der beiliegenden Zeichnung aufgenommen wird.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Fig. 1 zeigt ein Multichipsystem gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 1B zeigt eine Abänderung des Multichipsystems gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel;
  • Fig. 2 zeigt eine Draufsicht eines Halbleiterchip;
  • Fig. 3 zeigt eine entlang der Linie A - A' in Fig. 2 genommene Querschnittsansicht;
  • Fig. 4 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterchip;
  • Fig. 5A zeigt das Multichipsystem gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 5B zeigt eine Abänderung des Multichipsystem gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel;
  • Fig. 6 zeigt eine Vorderansicht des Halbleiterchip
  • Fig. 7 zeigt eine entlang der Linie B - B' in Fig. 6 genommene Querschnittsansicht;
  • Fig. 8 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterchip;
  • Fig. 9 zeigt das Multichipsystem gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 10 zeigt eine Draufsicht des Halbleiterchip;
  • Fig. 11 zeigt eine entlang der Linie C - C' in Fig 10 genommene Querschnittsansicht;
  • Fig. 12 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterchip;
  • Fig. 13 stellt ein Verfahren zum Überwachen eine3 Taktsignals dar; und
  • Fig. 14 zeigt ein Blockschaltbild eines Multichipsystems im Stand der Technik;
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Fig. 1A zeigt ein Multichipsystem gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Eine Mehrzahl von Halbleiterchips 10A und eine Taktsignalversorgungseinheit 4 sind auf einer Schaltungsplatine 2 angebracht. Ein Gehäuseteil 21 ist auf der Schaltungsplatine 2 derart befestigt, daß es die Halbleiterchips 10A und die Taktsignalversorgungseinheit 4 umgibt, wodurch ein IC-Gehäusebehälter 20 ausgebildet ist. Die Taktsignalversorgungseinheit 4, welche aus einem einzigen Halbleiterchip oder einer Mehrzahl von Schaltungskomponenten besteht, gibt ein Taktsignal SCL zum synchronen Betreiben interner Schaltungen (nicht gezeigt) der Halbleiterchips 10A aus.
  • Eine LED (lichtabstrahlende Diode) 30 ist an einer Innenumfangsfläche 21a des IC-Gehäusebehälters 20 befestigt, wobei die Fläche 21a zu der Schaltungsplatine 2 hin gerichtet ist. Wenn das Taktsignal (elektrische Signal) SCL von der Taktsignalversorgungseinheit 4 durch einen Leiter 31 zu der LED 30 übertragen wird, blinkt die LED 30 als Reaktion auf das Taktsignal. Das Taktsignal (elektrische Signal) SCL von der Taktsignalversorgungseinheit 4 wird somit in ein Lichtsignal gewandelt.
  • Fig. 2 zeigt eine Draufsicht des Halbleiterchip 10A und Fig. 3 zeigt eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie A - A' in Fig. 2 genommen ist. In dem Halbleiterchip 10A ist ein Halbleiterelement 11, das die interne Schaltung beinhaltet, auf einer Chipverbindungsanschlußfläche 12 angebracht und ist durch Au-Leiter 13 elektrisch an Leiter 14 angeschlossen. Das Halbleiterelement 11, die Chipanschlußfläche 12, die Au-Leiter 13 und Teile der Leiter 14 werden in einem Gußharz 15 verkapselt. Ein optisches Element zum Einbringen von Licht, das von oben kommt, in den Halbleiterchip 10A, z.B. eine Linse 16, ist auf der oberen Fläche des Halbleiterchip 10A angebracht. Das Licht, das durch die Linse 16 geht, ist in der Lage, durch einen Hohlraum 17 in einen Photodetektor 11a eingebracht zu werden, der auf einem oberen Abschnitt des Halbleiterelements 11 vorgesehen ist. Die Linse 16 und der Hohlraum 17 dienen als eine Lichtsendeeinrichtung zum Senden des Lichtsignals von der LED 30 in das Innere des Halbleiterchip 10A. In jedem der Halbleiterchips 10A erreicht das Lichtsignal. das von der LED 30 als Reaktion auf das Taktsignal SCL abgestrahlt wird, den Photodetektor 11a durch die Linse 16 und den Hohlraum 17 und wird zurück in ein Taktsignal (elektrisches Signal) gewandelt. Das Taktsignal von der Taktsignalversorgungseinheit 4 wird somit der internen Schaltung des Halbleiterelements 11 zugeführt. Der Hohlraum 17 kann durch eine optische Faser ersetzt sein, durch welche das Licht, das durch die Linse 16 geht, den Photodetektor 11a erreicht.
  • In dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel wandelt die LED 30 (lichtabstrahlende Diode) das Taktsignal (elektrische Signal) SCL in das Lichtsignal und wandeln die Photodetektoren 11a der jeweiligen Halbleiterchips 10A das Lichtsignal zurück in das elektrische Signal. Das elektrische Signal wird als das Taktsignal den internen Schaltungen der Halbleitervorrichtungen 11 zugeführt, so daß die jewelligen Halbleiterchips 10A synchron zueinander betrieben werden. Daher wird ein Taktversatz, der sich aus der Impedanz von Aluminiumleitern ergibt, beseitigt. Die Dauern einer Signalübertragungszeit zum Senden des Taktsignals SCL von der Taktsignalversorgungseinheit 4 zu den jewelligen Halbleiterchips 10A sind im wesentlichen gleich.
  • Das erste bevorzugte Ausführungsbeispiel verwendet den Halbleiterchip 10A, bei welchem der Photodetektor 11a und das Halbleiterelement 11 integriert ausgebildet sind. Ein Halbleiterchip 10B in Fig. 4 kann jedoch verwendet werden ner Halbleiterchip 10B weist ein Halbleiterelement 11 und einen Photodetektor 11a auf, welche getrennt ausgebildet sind und welche dann innerhalb des gleichen Gehäuses miteinander verbunden sind.
  • Wie es in Fig. 1B gezeigt ist, ist es ebenso anwendbar, optische Verbindungen zwischen der LED 30 und den jeweiligen Halbleiterchips 10A (oder 10B) durch optische Fasern 22 zu erzeugen, die als ein Lichtübertragungsweg dienen. Wenn das Lichtsignal von der LED 30 Einlaßenden 22a der optischen Fasern 22 erreicht, wird das Lichtsignal durch die optischen Fasern 22 übertragen und wird aus den Auslaßenden 22b von diesen zu den oberen Flächen der Halbleiterchips 10A abgestrahlt.
  • Fig. 5A zeigt das Multichipsystem gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Multichipsystem ist die LED 30, die auf einem Mittenabschnitt der Schaltungsplatine 2 vorgesehen ist, durch eine gedruckte Verdrahtung 32 elektrisch mit der Taktsignalversorgungseinheit 4 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 2 angebracht ist. Wenn das Taktsignal (elektrische Signal) SCL von der Taktsignalversorgungseinheit 4 durch die gedruckte Verdrahtung 32 zu der LED 30 übertragen wird, blinkt die LED 30 als Reaktion auf das Taktsignal SCL, so daß das Lichtsignal als Reaktion auf das Taktsignal SCL radial abgestrahlt wird.
  • Auf der Schaltungsplatine 2 ist eine Mehrzahl von Halbleiterchips 10C radial um die LED 30 derart vorgesehen, daß die Linsen 16, die später beschrieben werden, der LED 30 gegenüberliegen. Fig. 6 zeigt eine Vorderansicht des Halbleiterchip 10C und Fig. 7 zeiqt eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie B - B' in Fig. 6 genommen ist. Der Halbleiterchip 10C weist mit Ausnahme des folgenden Unterschieds im wesentlichen den gleichen Aufbau wie der Halbleiterchip 10A in Fig. 3 auf: Bei dem Halbleiterchip 10A in Fig. 3 ist die Linse 16, die als das optische Element zum Empfangen des externen Lichtsignals dient, auf der oberen Fläche von diesem angebracht. Bei dem Halbleiterchip 10C in den Figuren 6 und 7 ist die Linse 16 andererseits auf einer seitlichen Fläche von diesem angebracht. Gemäß Fig. 7 dient die Linse 16 im Zusammenwirken mit einer optischen Faser 17' als die Lichtsendeeinrichtung. Das Licht, das durch die Linse 16 geht, erreicht den Photodetektor 11a des Halbleiterelements 11 durch die optische Faser 17'. Bei jedem der Halbleiterchips 10C erreicht das Lichtsignal, das von der LED 30 als Reaktion auf das Taktsignal SCL abgestrahlt wird, den Photodetektor 11a und wird in das Taktsignal (elektrische Signal) zurückgewandelt. Das Taktsignal wird der internen Schaltung (nicht gezeigt) des Halbleiterelements 11 zugeführt. Die Linse 16 kann durch eine transparente Platte ersetzt sein.
  • In dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Lichtsignal von der LED 30, das dem Taktsignal entspricht, das von der Taktsignalversorgungseinheit 4 ausgegeben wird. zu den jeweiligen Halbleiterchlps 10C übertragen und wird in das elektrische Signal zurückgewandelt. Deshalb wird das gewandelte elektrische Signal als das Taktsignal den internen Schaltungen der Halbleitervorrichtungen 11 zugeführt. Daher weist das zweite bevorzugte Ausführungsbeispiel die Effekte auf, die zu dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ähnlich sind.
  • Das zweite bevorzugte Ausführungsbeispiel verwendet den Halbleiterchip 10C, bei welchem der Photodetektor 11a und das Halbleiterelement 11 integriert ausgebildet sind. Ein Halbleiterchip 10D in Fig. 8 kann jedoch verwendet werden, welcher aus einem Halbleiterelement 11 und einem Photodetektor 11a besteht, die getrennt ausgebildet sind. In diesem Fall ist das Licht, das durch die Linse 16 geht, in der Lage, durch die optische Faser 17' oder durch den Hohlraum den Photodetektor 11a zu erreichen.
  • Wie es in Fig. 5B gezeigt ist, ist es ebenso anwendbar, optische Verbindungen zwischen der LED 30 und den jeweiligen Halbleiterchips 10C (oder 10D) durch die optischen Fasern 22 zu erzeugen. Das Lichtsignal von LED 30 wird direkt durch die optischen Fasern 22 den Linsen 16 zugefüht, die ai den seitlichen Flächen der jeweiligen Halbleiterchips 10C (oder 10D) angebracht sind.
  • Fig. 9 zeigt das Multichipsystem gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Multichipsystem ist die LED 30, die durch ein LED-Trägerteil 33 an der Schaltungsplatine 2 angebracht ist, durch den Leiter 31 elektrisch mit der Taktsignalversorgungseinheit 4 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 2 angebracht ist. Wenn das Taktsignal (elektrische Signal) SCL von der Taktsignalversorgungseinheit 4 durch den Leiter 31 der LED 30 zugeführt wird, blinkt die LED 30 als Reaktion auf das Taktsignal SCL, um dadurch ein Lichtsignal zu erzeugen, das dein Taktsignal SCL entspricht. Das Lichtsignal wird zu der Oberfläche der Schaltungsplatine 2 hin abgestrahlt. Eine Mehrzahl von optischen Fasern 22 ist in der Schaltungsplatine 2 eingebettet. Das Lichtsignal von der LED 30 wird durch die optischen Fasern 22 zu vorbestimmten Positionen übertragen und wird danach von der Oberfläche der Schaltungsplatine 2 nach oben abgestrahlt.
  • Eine Mehrzahl von Halbleiterchips 10E ist derart auf der Schaltungsplatine 2 angebracht, daß sich die Linsen 16: die später beschrieben werden, an den Positionen der Auslaßenden der optischen Fasern 22 befinden. Fig 10 zeigt eine Draufsicht des Halbleiterchip 10E und Fig. 11 zeigt eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie C - C in Fig. 10 genommen ist. Der Halbleiterchip 10E weist mit Ausnahme des folgenden Unterschieds im wesentlichen den gleichen Aufbau wie der Halbleiterchip 10A in Fig. 3 auf: Bei dem Halbleiterchip 10A in Fig. 3 ist die Linse 16, die als das optische Element zum Empfangen des externen Lichtsignals dient, auf der oberen Fläche des Chip angebracht. Bei dem Halbleiterchip 10E in den Figuren 10 und 11 ist die Linse 16 andererseits auf der unteren Fläche des Chip angebracht. Die Linse 16 und die optische Faser 17' arbeiten zusammen als Lichtsendeeinrichtung zum Übertragen des externen Lichtsignals zu dem Halbleiterelement 11, wie es in Fig. 11 gezeigt ist: Genauer gesagt wird Licht, das durch die Linse 16 geht, durch die optische Faser 17' zu dem Photodetektor 11a des Halbleiterelements 11 übertragen. Das Lichtsignal wird in das Taktsignal (elektrische Signal) zurückgewandelt. Das Taktsignal wird der internen Schaltung (nicht gezeigt) des Halbleiterelements 11 zugeführt. Die Linse 16 kann durch die transparente Platte ersetzt sein.
  • Ähnlich den ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispielen wandelt die LED 30 (lichtabstrahlende Vorrichtung) in dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel das Taktsignal (elektrische Signal) SCL in das Lichtsignal und wandeln die Photodetektoren 11a der jeweiligen Halbleiterchips 10E das Lichtsignal zurück in das elektrische Signal. Das gewandelte elektrische Signal wird als das Taktsignal den internen Schaltungen der Halbleitervorrichtungen 11 zugeführt. Das dritte bevorzugte Ausführungsbeispiel weist die Effekte auf, die zu dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ähnlich sind.
  • Das dritte bevorzugte Ausführungsbeispiel verwendet den Halbleiterchip 10E, bei welchem der Photodetektor 11a und das Halbleiterelement 11 integriert ausgebildet sind. Ein Halbleiterchip 10F in Fig 12 kann jedoch verwendet werden, welcher zwei Komponenten (ein Halbleiterelement 11 und einen Photodetektor 11a) beinhaltet, die getrennt ausgebildet sind. In diesem Fall ist das Licht, das durch die Linse 16 geht, in der Lage, durch die optische Faser 17' oder durch den Hohlraum den Photodetektor 11 zu erreichen.
  • Das Vorsehen eines Leiters 14a in dem Halbleiterchip läßt zu, daß ein Taktsignal SCL', das einer Internen Schaltung 11b des Halbleiterelements 11 zugeführt wird, überwacht wird. Wie in Fig. 13 ist das Halbleiterelement 11 mit einer Verbindungsanschlußfläche 11c zum Überwachen ausgestattet. Das Signal SCL' von dem Photodetektor 11d wird nicht nur der internen Schaltung 11b des Halbleiterelements 11 sondern ebenso der Verbindungsanschlußfläche 11c zugeführt. Daher kanu das Taktsignal SCL' durch die Au-Leiter 13 und den Leiter 14a überwacht werden.
  • Die ersten bis dritten bevorzugten Ausführungsbeispiele verwenden die Linse 16 als das optische Element. Die Linse 16 kann äurch die transparente Platte ersetzt sein.
  • Obgleich die Erfindung im Detail gezeigt und beschrieben worden ist, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten erläternd und nicht einschränkend. Es versteht sich deshalb, daß zahlreiche Abänderungen und Änderungen erdacht werden können, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen.

Claims (13)

1. Multichipsystem, das aufweist:
(a) eine Taktsignalversorgungseinheit (4), die ein Taktsignal erzeugt, wobei das Taktsignal ein elektrisches Signal ist;
(b) eine Lichtabstrahlungseinheit (30), die als Reaktion auf das Taktsignal von der Taktsignalversorgungs einheit (4) blinkt, um dadurch das Taktsignal in ein Lichtsignal zu wandeln, das dem Taktsignal entspricht; und
(c) eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F), von denen jeder beinhaltet:
(c-1) ein Halbleiterelement (11), das eine interne Schaltung aufweist,
(c-2) einen Photodetektor (11a), der das Lichtsignal zurück in ein elektrisches Signal wandelt, wobei der Photodetektor (11a) elektrisch so an die interne Schaltung angeschlossen ist, daß das elektrische Signal der internen Schaltung zugeführt wird, wobei das elektrische Signal als ein Taktsignal für die interne Schaltung dient, und
(c-3) eine Lichtsendeeinheit (16, 17), die das Lichtsignal von der Lichtabstrahlungseinheit (30) empfängt, um das Lichtsignal zu dem Photodetektor (11a) zu senden, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Lichtsendeeinheiten (16, 17) ein optisches Element (16) und eine optische Faser (17') aufweist, wobei die optischen Elemente der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) auf den Oberflächen der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) angebracht sind, wobei die optischen Fasern (17') der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) so in internen Abschnitten der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) vorgesehen sind, daß das Lichtsignal von der Lichtabstrahlungseinheit (30) durch die optischen Elemente (16) geht und auf die Photodetektoren (11a) auftrifft.
2. Multichipsystem nach Anspruch 1, bei dem die Oberflächen die oberen Oberflächen der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) sind.
3. Multichipsystem nach Anspruch 2, bei dem sich die Lichtabstrahlungseinheit (30) über den Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) befindet.
4. Multichipsystem nach Anspruch 1, bei dem die Oberflächen die Seitenflächen der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) sind.
5. Multichipsystem nach Anspruch 4, bei dem die Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) radial so um die Lichtabstrahlungseinheit (30) vorgesehen sind, daß das optische Element (16) der Lichtabstrahlungseinheit (30) gegenübersteht.
6. Multichipsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das desweiteren (d) eine Leiterplatte (2) aufweist, die mit den Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) versehen ist.
7. Multichipsystem nach Anspruch 6, das desweiteren (e) eine Mehrzahl von ersten optischen Fasern (22) aufweist, die in der Leiterplatte (2) vergraben sind, wobei Eingangsenden der ersten optischen Fasern (22) zu der Lichtabstrahlungseinheit (30) gerichtet sind, wobei Ausgangsenden der ersten optischen Fasern (22) zu den 130denoberflächen der Halbleiterchips (10E) gerichtet sind, und bei dem die optischen Elemente (16) so an den Bodenflächen der Halbleiterchips 10E) angebracht sind, daß die Lichtsignale, die durch die ersten optischen Fasern (22) gehen, auf die optischen Elemente (16) auftreffen.
8. Multichipsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Photodetektoren (11a) auf den Halbleiterelementen (11) ausgebildet sind.
9. Multichipsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Photodetektoren (11a) von den Halbleiterelementen (11) getrennt sind.
10. Multichipsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem jeder der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) desweiteren einen Leiteranschluß (14) aufweist, wobei die Leiteranschlüsse (14) elektrisch so an die Photodetektoren (16) angeschlossen sind, daß die elektrischen Signale, die den internen Schaltungen zugeführt werden, ausgegeben werden.
11. Multichipsystem nach Anspruch 1, das desweiteren (f) eine Mehrzahl von dritten optischen Fasern (22) zwischen der Lichtabstrahlungseinheit (30) und den Halbleiterchips (10C, 10D, 10E 10F) aufweist, so daß das Lichtsignal von der Lichtabstrahlungseinheit (30) durch die dritten optischen Fasern (22) zu den Halbleiterchips (10C 10D, 10E, 10F) gesendet wird.
12. Verfahren zum Zuführen eines Taktsignals für ein Multichipsystern, wobei das Multichipsystem eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) aufweist, von denen jeder eine interne Schaltung als eine Funktion des Taktsignals aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Erzeugen des Taktsignals;
Wandeln des Taktsignals in ein Lichtsignal;
Senden des Lichtsignals zu internen Abschnitten der Halbleiterchips, um das Lichtsignal zurück in ein elektrisches Signal zu wandeln; und
Zuführen des elektrischen Signals zu den internen Schaltungen, wodurch alle der internen Schaltungen auf der Grundlage des elektrischen Signals synchron betrieben werden, dadurch gekennzeichnet, daß das Lichtsignal über jeweilige optische Elemente (16), die auf der Oberfläche der Halbleiterchips angebracht sind, und optische Fasern (17'), die in den Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) vorgesehen sind, zu internen Abschnitten der Halbleiterchips (10C, 10D, 10E, 10F) gesendet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Taktsignal zu der gleichen Zeit, zu der das Taktsignal den internen Schaltungen zugeführt wird, aus den Halbleiterchips nach außen ausgegeben wird.
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