DE69101821T2 - Breitbanddifferenzverstärker unter Verwendung von Gm-Unterdrückung. - Google Patents

Breitbanddifferenzverstärker unter Verwendung von Gm-Unterdrückung.

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Description

    Allgemeiner Stand der Technik
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Differentialverstärker und die Erfindung bezieht sich insbesondere auf Differentialverstärker mit einem genauen Verstärkungsfaktor über eine breite Bandbreite bei geringer Signalverzerrung.
  • Herkömmliche Breitband-MOS-Transistoren und Verstärker sind in John M. Steiningers "Understanding Wide-Band MOS-Transistors", IEEE Circuits and Systems, Seiten 26-31, Mai 1990, beschrieben. Herkömmliche MOS-Differentialverstärker weisen Stromquellen auf, welche ein Stromungleichgewicht einführen, welches durch Veränderungen der Betriebsbedingungen zu einer Verzerrung führt.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich um einen MOS- Breitbanddifferentialverstärker mit genauem Verstärkungsfaktor bei geringer Verzerrung.
  • Ein Merkmal der Erfindung ist eine Source-Folgerkonfiguration von vier Eingangstransistoren, welche eine Gm-Unterdrückung erreicht und jegliche Verzerrung unterdrückt, die durch eine Veränderung der Betriebsbedingungen eingeführt wird.
  • Die Erfindung und deren Aufgaben werden durch die folgende Beschreibung und die anhängigen Ansprüche in Verbindung mit der Zeichnung deutlicher.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnung
  • Die Zeichnung zeigt eine Prinzipskizze eines Differentialverstärkers gemäß dem bevorzugten Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung, wie dies in dem Anspruch definiert ist.
    • Genaue Beschreibung der veranschaulichenden Ausführungsbeispiele
  • In bezug auf die Zeichnung umfaßt der Verstärker 10 erfindungsgemäß vier MOS-Transistoren 12, 14, 16 und 18, die jeweils einen Source-Anschluß 20, 22, 24 bzw. 26, einen Drain- Anschluß 28, 30, 32 bzw. 34 und einen Gate-Anschluß 36, 38, 40 und 42 aufweisen. Der erste und der dritte Transistor 12 und 16 sind in Reihe in einer Source-Folgerkonfiguration mit einer ersten Stromquelle 46 und einem ersten Stromspiegel 41 geschaltet, welcher einen fünften MOS-Transistor 60 aufweist, der ebenso einen Source-Anschluß 62, einen Drain-Anschluß 64 und einen Gate-Anschluß 66 umfaßt. In ähnlicher Weise sind der zweite und der vierte Transistor 14 und 18 in Reihe mit einer Source- Folgerkonfiguration mit einer zweiten Stromquelle 48 und einem zweiten Stromspiegel 44 geschaltet, der einen sechsten MOS- Transistor 68 mit einem Source-Anschluß 70, einem Drain-Anschluß 72 und einem Gate-Anschluß 74 aufweist. Die Differentialeingaben an den Verstärker, -Vin und +Vin, werden entsprechend den Gate- Anschlüssen des ersten und zweiten Transistors 12 und 14 zugeführt, während die entsprechenden Gate-Anschlüsse des dritten und vierten Transistors 16 bzw. 18 kreuzweise mit den Source- Anschlüssen der Transistoren 14 und 12 gekoppelt sind. Ein erster Widerstand Rd1 (auch als Bestandteil 58 gekennzeichnet) ist zwischen die Source-Anschlüsse des dritten und vierten Transistors 16 und 18 geschaltet.
  • Der Verstärker umfaßt ferner eine dritte Stromquelle 76, die in Reihe mit einem siebten MOS-Transistor 78 geschaltet ist, der ebenfalls einen Source-Anschluß 80, einen Drain-Anschluß 82 und einen Gate-Anschluß 84 aufweist und der einen Teil des ersten Stromspiegels 41 bildet. Ferner umfaßt der erste Stromspiegel 41 eine Verbindung zwischen den Gate-Anschlüssen 66 und 84 des fünften und siebten Transistors 60 und 78, um eine Spiegelung der Ströme in den entsprechenden Transistoren zu bewirken. In ähnlicher Weise ist eine vierte Stromquelle 88 in Reihe mit einem achten MOS-Transistor 90 geschaltet, der ebenfalls einen Source- Anschluß 92, einen Drain-Anschluß 94 und einen Gate-Anschluß 96 aufweist und der einen Teil des zweiten Stromspiegels 44 bildet. Der Stromspiegel umfaßt ferner eine Zuleitung 98 zwischen den entsprechenden Basis-Anschlüssen 74 und 96 des sechsten und achten Transistors 68 und 90.
  • Schließlich ist zwischen die Drain-Anschlüsse 82 und 94 des siebten und achten Transistors 78 und 90 ein zweiter Widerstand Rd2 (100) geschaltet, wobei die Ausgaben des Verstärkers dann über den Widerstand Rd2 (100) an den Drain-Anschlüssen 82 und 94 des siebten und achten Transistors 78 und 90 entnommen werden. Die dritte und die vierte Stromquelle 76 und 88 erzeugen somit Ströme, die eine Funktion von Vcm darstellen, die dem zweiten Widerstand 100 entnommen wird.
  • Die Konfiguration in diesem Verstärker schafft eine vollständige Gm-Unterdrückung, was zu einem Spannungsabfall an Rd1 (58) führt, welcher identisch zur dem Differentialsignal an den Verstärkereingängen ist. Somit wird die Nicht-Linearität der Transistoren (besonders bei der Anwendung auf große Signale) vollständig unterdrückt. Dann wird der Wechselstrom durch Rd1 (58) durch das programmierbare Stromspiegelverhältnis verstärkt und an der Ausgangsstufe in den zweiten Widerstand Rd2 (100) übertragen. Der Verstärkungsfaktor der Schaltung ist (Rd2/Rd1) A, wobei der Wert A das Stromspiegelverhältnis darstellt.
  • Die Erfindung wurde zwar in bezug auf ein bestimmtes Ausführungsbeispiel beschrieben, doch handelt es sich bei der Beschreibung um eine Veranschaulichung der Erfindung und diese kann nicht als die Erfindung einschränkend ausgelegt werden.

Claims (1)

1. Breitbanddifferenzverstärker mit:
einem ersten, zweiten, dritten und vierten MOS-Transistor 12, 14, 16 und 18, die jeweils einen Source-Anschluß (20, 22, 24 bzw. 26), einen Drain-Anschluß (28, 30, 32 bzw. 34) und einen Gate-Anschluß (36, 38, 40 bzw. 42) aufweisen,
einem ersten Stromspiegel (41) mit einem fünften MOS- Transistor (60) mit einem Source-Anschluß (62), einem Drain- Anschluß (64) und einem Gate-Anschluß (66), verbunden mit dem Drain-Anschluß (28) des ersten Transistors (12),
einem zweiten Stromspiegel (44) mit einem sechsten MOS- Transistor (68) mit einem Source-Anschluß (70), einem Drain- Anschluß (72) und einem Gate-Anschluß (74), verbunden mit dem Drain-Anschluß (30) des zweiten Transistors (14),
einer ersten Stromquelle (46), die in Reihe mit dem dritten Transistor (16), dem ersten Transistor (12) und dem Eingang des ersten Stromspiegels (41) geschaltet ist,
einer zweiten Stromquelle (48), die in Reihe mit dem vierten Transistor (18), dem zweiten Transistor (14) und dem Eingang des zweiten Stromspiegels (44) geschaltet ist,
einer Einrichtung (50), welche den Gate-Anschluß (40) des dritten Transistors (16) mit dem Source-Anschluß (22) des zweiten Transistors (14) verbindet und einer Einrichtung (52), welche den Gate-Anschluß (42) des vierten Transistors (18) mit dem Source- Anschluß (20) des ersten Transistors (12) verbindet,
einer Einrichtung (54) für die Zufuhr einer ersten Eingabe (-Vin) an den Gate-Anschluß (36) des ersten Transistors (12) und einer Einrichtung (56) für die Zufuhr einer zweiten Eingabe (+Vin) an den Gate-Anschluß (38) des zweiten Transistors (14),
einem ersten Widerstand Rdl (58), der zwischen den Source- Anschluß (24) des dritten Transistors (16) und den Source- Anschluß (26) des vierten Transistors (18) geschaltet ist,
einer dritten Stromquelle (76), die in Reihe mit einem siebten MOS-Transistor (78) mit einem Source-Anschluß (80), einem Drain-Anschluß (82) und einem Gate-Anschluß (84) geschaltet ist und welche einen Bestandteil des ersten Stromspiegels (41) bildet,
einer Einrichtung (86), welche die Gate-Anschlüsse (66 und 84) des fünften und siebten Transistors (60 und 78) des ersten Stromspiegels (41) verbindet,
einer vierten Stromquelle (88), die in Reihe mit einem achten MOS-Transistor (90) mit einem Source-Anschluß (92), einem Drain-Anschluß (94) und einem Gate-Anschluß (96) geschaltet ist und welche einen Bestandteil des zweiten Stromspiegels (44) bildet,
einer Einrichtung (98), welche die Gate-Anschlüsse (74 und 96) des sechsten und achten Transistors (68 und 90) mit dem zweiten Stromspiegel (44) verbindet, und
einem zweiten Widerstand Rd2 (100), der zwischen die Drain- Anschlüsse (82 und 94) des siebten und achten Transistors (78 und 80) geschaltet ist, wobei die Ausgaben des Verstärkers an den Drain-Anschlüssen (82 und 94) des siebten und achten Transistors (78 und 90) entnommen werden.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW236047B (de) * 1992-12-21 1994-12-11 Philips Electronics Nv
JP2944398B2 (ja) * 1993-07-05 1999-09-06 日本電気株式会社 Ｍｏｓ差動電圧電流変換回路
US5446368A (en) * 1994-01-13 1995-08-29 Harris Corporation Voltage independent symmetrical current source with cross-coupled transistors
DE19543866C1 (de) * 1995-11-24 1997-08-14 Itt Ind Gmbh Deutsche CMOS-Transkonduktanzverstärker mit gleitendem Arbeitspunkt
US5874840A (en) * 1996-04-26 1999-02-23 International Business Machines Corporation Differential source follower with body effect compensation
US6151186A (en) * 1996-10-03 2000-11-21 Texas Instruments Incorporated Trim circuitry and method for accuracy improvement in current sensing for a voice coil driver of the type used to move read/write heads in a hard disk drive, or the like
US6150885A (en) * 1999-06-24 2000-11-21 Lucent Technologies Inc. Transconductance amplifier with wideband noise filtering
US6549071B1 (en) * 2000-09-12 2003-04-15 Silicon Laboratories, Inc. Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices
US8149062B2 (en) * 2000-09-12 2012-04-03 Black Sand Technologies, Inc. Power amplifier circuitry having inductive networks
US7710199B2 (en) * 2000-09-12 2010-05-04 Black Sand Technologies, Inc. Method and apparatus for stabilizing RF power amplifiers
US7760023B2 (en) 2000-09-12 2010-07-20 Black Sand Technologies, Inc. Method and apparatus for stabilizing RF power amplifiers
US6570438B2 (en) * 2001-10-12 2003-05-27 Maxim Integrated Products, Inc. Proportional to absolute temperature references with reduced input sensitivity
JP3998553B2 (ja) * 2002-09-30 2007-10-31 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 差動出力回路，及びそれを用いた回路
JP5269482B2 (ja) * 2008-05-28 2013-08-21 株式会社日本マイクロニクス センサ基板及び検査装置
KR101722093B1 (ko) * 2010-08-13 2017-04-03 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 부정합을 제거하는 수신 장치 및 방법과 이를 위한 저전력 증폭기
DE102012005488B4 (de) * 2012-03-19 2014-05-15 Drazenko Sukalo Komposit-Operationsverstärker mit paralleler oder serieller Architektur mit aktiver Aufhebung von Nichtlinearitäten

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8501882A (nl) * 1985-07-01 1987-02-02 Philips Nv Signaalspanning-stroom omzetter.
US4667165A (en) * 1986-02-19 1987-05-19 Advanced Micro Devices, Inc. High-speed full differential amplifier with common mode rejection
US4720685A (en) * 1986-09-02 1988-01-19 Tektronix, Inc. FET transconductance amplifier with improved linearity and gain
GB2211044A (en) * 1987-10-08 1989-06-21 Plessey Co Plc Linear differential amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04102310U (ja) 1992-09-03
DE69101821D1 (de) 1994-06-01
EP0478297A1 (de) 1992-04-01
MY107470A (en) 1995-12-30
US5113147A (en) 1992-05-12
EP0478297B1 (de) 1994-04-27

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