DE69030400T2 - Anordnung der Rückseitenmetallisierung für Halbleiterbauelemente - Google Patents
Anordnung der Rückseitenmetallisierung für HalbleiterbauelementeInfo
- Publication number
- DE69030400T2 DE69030400T2 DE69030400T DE69030400T DE69030400T2 DE 69030400 T2 DE69030400 T2 DE 69030400T2 DE 69030400 T DE69030400 T DE 69030400T DE 69030400 T DE69030400 T DE 69030400T DE 69030400 T2 DE69030400 T2 DE 69030400T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- vanadium
- wafer
- metallization structure
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OTGZYHVWXQELCL-UHFFFAOYSA-N [V].[Ag] Chemical compound [V].[Ag] OTGZYHVWXQELCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12819—Group VB metal-base component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Halbleitervorrichtungen und insbesondere eine Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen
- Rückseitenmetallisierungsstrukturen dieses Typs müssen im allgemeinen drei Haupteigenschaften aufweisen. Zunächst muß die direkt auf einen Wafer aufgetragene Schicht an diesem Wafer haften. Zweitens muß sich die Außenfläche der Metallisierungsstruktur löten lassen, so daß die Halbleitervorrichtung an Leiterrahmen und dergleichen gebondet werden kann. Drittens muß sich die Metallisierungsstruktur selbst nicht auflösen. Existierende Metallisierungsstrukturen weisen verschiedene Probleme hinsichtlich der genannten Eigenschaften auf.
- Eine existierende Metallisierungsstruktur enthält eine Chromschicht, die direkt auf der Rückseite eines Wafers angeordnet ist, eine Zwischenschicht aus Silber und Chrom, die auf der Chromschicht angeordnet ist, sowie eine Silberschicht, die auf der Zwischenschicht angeordnet ist. Die Silberschicht läßt sich ausgezeichnet löten, und im allgemeinen löst sich die Struktur nicht auf. Obwohl jedoch die Chromschicht an der Rückseite von Silizium-Wafern mit einer relativ rauhen Oberfläche (ungefähr 300 Grit-Equivalency (grit equivalency)) gut haftet, nimmt die Haftung der Chromschicht an der Silizium- Wafer-Rückseite ab, wenn die Oberfläche feiner wird. Wenn eine Chromschicht direkt auf die Rückseite eines Silizium-Wafers mit 2000 Grit-Equivalency aufgetragen wird, haftet das Chrom außerordentlich schlecht an dem Silizium.
- Eine weitere Metallisierungsstruktur dieses Typs schließt das Herstellen einer Vanadiumschicht direkt auf einem Wafer sowie einer Nickelschicht auf der Vanadiumschicht ein, und anschließend kann eine wahlweise Gold-Germanium-Schicht auf der Nikkelschicht ausgebildet werden. Vanadium haftet außerordentlich gut an Silizium. Die Nickelschicht läßt sich jedoch dabei nicht gut löten. Des weiteren weist die wahlweise Gold- Germanium-Schicht dabei keine guten Löteigenschaften auf, und ihr Einsatz ist außerordentlich teuer. Es wäre daher außerordentlich wünschenswert, über eine Metallisierungsstruktur zu verfügen, die gut an glatten Wafern haftet, ausgezeichnete Löteigenschaften aufweist und sich während der Lebensdauer der Halbleitervorrichtung nicht auflöst.
- Dementsprechend besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen zu schaffen.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine verbesserte Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die relativ kostengünstig ist.
- Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Metallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen geschaffen, wobei die Erfindung umfaßt und gekennzeichnet ist durch:
- eine Vanadiumschicht, die auf der Rückseite eines Wafers angeordnet ist; und
- eine Silberschicht, die auf der Vanadiumschicht angeordnet ist.
- Des weiteren wird ein Verfahren zum Herstellen einer Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung offenbart und in Anspruch 4 der beigefügten Ansprüche beansprucht.
- Die obenstehenden und weitere Aufgaben und Vorteile werden gemäß der vorliegenden Erfindung durch eine Ausführung erfüllt, die als Teil derselben eine Vanadiumschicht enthält, die direkt auf der Rückseite eines Wafers angeordnet ist, sowie eine Silberschicht, die auf der Vanadiumschicht angeordnet ist. Bisher wurde davon ausgegangen, daß die Kombination von Vanadium und Silber bei Rückseitenmetallisierungsstrukturen nicht eingesetzt werden könnte, da das Vanadium-Silber-System sowohl in festem als auch in flüssigem Zustand nicht mischbar ist (siehe Smith, Bulletin of Alloy Phase Diagrams 1981, Volume 2, Nr. 3, Seite 343-344).
- Fig. 1 ist eine stark vergrößerte Schnittansicht einer Ausführung einer Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen; und
- Fig. 2 ist eine stark vergrößerte Schnittansicht einer weiteren Ausführung einer Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen.
- Fig. 1 ist eine stark vergrößerte Schnittansicht einer Ausführung einer Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen. Fig. 1 stellt einen Wafer 10 mit einer Vorderseite 12 und einer Rückseite 14 dar. Bei dieser Ausführung besteht Wafer 10 aus Silizium, obwohl der Fachmann weiß, daß Wafer eingesetzt werden können, die aus anderen bekannten Materialien bestehen. Im allgemeinen weist die Vorderseite 12 von Wafer 10 eine Halbleiterstruktur bzw. eine Reihe von Halbleiterstrukturen auf, die darauf oder darin ausgebildet sind. Obwohl eine Rückseitenmetallisierungsstruktur offenbart wird, ist es auch möglich, die Struktur an der Vorderseite eines Wafers einzusetzen.
- Rückseite 14 von Silizium-Wafer 10 ist so geschliffen worden, daß die Oberflächengüte wenigstens 300 Grit-Equivalency beträgt. Viele Metalle haften nicht an Silizium mit einer derartig glatten Oberfläche. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß Vanadiumschicht 16, die auf Rückseite 14 von Silizium-Wafer 10 dargestellt ist, gut an Silizium-Wafern mit Oberflächengüten weit über 2000 Grit-Equivalency haftet. Vanadiumschicht 16 hat eine Dicke im Bereich von 500 bis 3000 Ångstrom und kann auf die Rückseite 14 von Wafer 10 entweder gesputtert oder aufgedampft werden.
- Eine Silberschicht 18 ist auf Vanadiumschicht 16 angeordnet dargestellt. Silberschicht 18 weist eine Dicke im Bereich von 10.000 bis 20.000 Ångstrom auf und kann entweder durch Sputtern oder Aufdampfen hergestellt werden. Silber läßt sich ausgezeichnet an den verschiedenen Chipbondmaterialien anlöten, die zur Anbringung von Halbleiterchips an Leiterrahmen und dergleichen verwendet werden und ist daher sehr vorteilhaft als abschließende Schicht einer Rückseitenmetallisierungsstruktur. Da sich Vanadium und Silber sowohl in festem als auch in flüssigem Zustand nicht vermischen (siehe Zusammenfassung der Erfindung), sind Fachleute bisher davon ausgegangen, daß diese beiden Materialien nicht in direktem Kontakt miteinander eingesetzt werden können. Silberschicht 18 und Vanadiumschicht 16 weisen jedoch bei dieser Anwendung mehr äls ausreichende Haftung aneinander auf.
- Fig. 2 ist eine stark vergrößerte Schnittansicht einer Ausführung einer Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen, die keinen Teil der Erfindung darstellt. Wafer 10 mit Vorderseite 12 und Rückseite 14 zusammen mit der daran angeordneten Vanadiumschicht 16 ist praktisch der gleiche wie die oben in Fig. 1 beschriebene. Jedoch ist eine Zwischenschicht 20 auf Vanadiumschicht 16 angeordnet dargestellt. Zwischenschicht 20 kann aus einem Gemisch von Vanadium und Silber bestehen, das eine Dicke im Bereich von 3000 bis 7000 Ångstrom aufweist. Zwischenschicht 20 kann entweder durch Aufdampfen oder Sputtern hergestellt werden. Es versteht sich, daß beide Materialien gleichzeitig aufgedampft oder gesputtert werden. Zwischenschicht 20 weist ein Vanadium-Silber-Verhältnis im Bereich von 10:90 bis 50:50 auf. Wiederum haftet Zwischenschicht 20, die aus einem Gemisch von Vanadium und Silber besteht, obwohl das Silber-Vanadium-System sowohl in festem als auch in flüssigem Zustand nicht mischbar ist, ausreichend.
- Zwischenschicht 20 kann auch aus Nickel bestehen. Die Nickel- Zwischenschicht 20 kann auf Vanadiumschicht 16 entweder aufgedampft oder gesputtert werden und weist eine Dicke im Bereich von 500 bis 3000 Ångstrom auf. Nickel haftet sowohl an Vanadiumschicht 16 als auch an Silberschicht 18, die später auf Zwischenschicht 20 aufgetragen wird.
Claims (4)
1. Metallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen,
wobei die Erfindung umfaßt:
eine Vanadiumschicht (16), die auf der Rückseite (14)
eines Wafers (10) angeordnet ist; und
eine Silberschicht (18), die auf der Vanadiumschicht (16)
angeordnet ist.
2. Metallisierungsstruktur nach Anspruch 1, wobei die
Vanadiumschicht (16) eine Dicke im Bereich von 50 bis 300 nm
(500 bis 3000 Ångstrom) hat und die Silberschicht (18)
eine Dicke im Bereich von 1 bis 2 µm (10.000 bis 20.000
Ångstrom) hat.
3. Metallisierungsstruktur nach Anspruch 2, wobei die
Vanadiumschicht (16) an der Rückseite (14) eines Silizium-
Wafers (10) angedordnet ist, wobei die Rückseite (14) des
Silizium-Wafers (10) eine Rückseitenoberflächengüte von
wenigstens 300 Grit-Equivalency (grit equivalency) hat.
4. Verfahren zum Herstellen einer
Rückseitenmetallisierungsstruktur für Halbleitervorrichtungen, das die folgenden
Schritte umfaßt:
Bereitstellen eines Wafers (10) mit einer Rückseite (14);
Herstellen einer Vanadiumschicht (16) auf der Rückseite
(14) des Wafers (10); und
Herstellen einer Silberschicht (18) auf der Vanadium
schicht (16).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/333,938 US4946376A (en) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Backside metallization scheme for semiconductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69030400D1 DE69030400D1 (de) | 1997-05-15 |
| DE69030400T2 true DE69030400T2 (de) | 1997-10-23 |
Family
ID=23304879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69030400T Expired - Fee Related DE69030400T2 (de) | 1989-04-06 | 1990-04-05 | Anordnung der Rückseitenmetallisierung für Halbleiterbauelemente |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4946376A (de) |
| EP (1) | EP0391708B1 (de) |
| JP (1) | JPH02288240A (de) |
| KR (1) | KR900017129A (de) |
| DE (1) | DE69030400T2 (de) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5057908A (en) * | 1990-07-10 | 1991-10-15 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High power semiconductor device with integral heat sink |
| US5105258A (en) * | 1990-11-21 | 1992-04-14 | Motorola, Inc. | Metal system for semiconductor die attach |
| US5622305A (en) * | 1995-05-10 | 1997-04-22 | Lucent Technologies Inc. | Bonding scheme using group VB metallic layer |
| US5672282A (en) * | 1996-01-25 | 1997-09-30 | The Whitaker Corporation | Process to preserve silver metal while forming integrated circuits |
| US6140703A (en) * | 1996-08-05 | 2000-10-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor metallization structure |
| US7125380B2 (en) * | 2000-08-08 | 2006-10-24 | Warsaw Orthopedic, Inc. | Clamping apparatus and methods |
| FR2876900B1 (fr) * | 2004-10-22 | 2007-01-05 | Sdgi Holdings Inc | Implant intervertebral et dispositif de stabilisation du rachis le comprenant |
| US7595257B2 (en) * | 2006-08-22 | 2009-09-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Process of forming an electronic device including a barrier layer |
| US7422707B2 (en) * | 2007-01-10 | 2008-09-09 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Highly conductive composition for wafer coating |
| US20090026619A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. | Method for Backside Metallization for Semiconductor Substrate |
| CN114582708A (zh) | 2020-12-02 | 2022-06-03 | 贺利氏德国有限及两合公司 | 半导体晶片的金属化 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940065A (de) * | 1972-08-17 | 1974-04-15 | ||
| JPS52107773A (en) * | 1976-03-07 | 1977-09-09 | Toyo Dengu Seisakushiyo Kk | Semiconductor device |
| US4176443A (en) * | 1977-03-08 | 1979-12-04 | Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A. | Method of connecting semiconductor structure to external circuits |
| US4144099A (en) * | 1977-10-31 | 1979-03-13 | International Business Machines Corporation | High performance silicon wafer and fabrication process |
| JPS57188636A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Omron Tateisi Electronics Co | Electrical contact material |
| AU572881B2 (en) * | 1983-09-09 | 1988-05-19 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Sputtering oxidative metal film |
| US4574470A (en) * | 1984-03-19 | 1986-03-11 | Trilogy Computer Development Partners, Ltd. | Semiconductor chip mounting system |
| US4737839A (en) * | 1984-03-19 | 1988-04-12 | Trilogy Computer Development Partners, Ltd. | Semiconductor chip mounting system |
| JPS6178130A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| DE3581720D1 (de) * | 1984-12-19 | 1991-03-14 | Fairchild Camera Instr Co | Verfahren zum befestigen von plaettchen. |
| US4835593A (en) * | 1986-05-07 | 1989-05-30 | International Business Machines Corporation | Multilayer thin film metallurgy for pin brazing |
-
1989
- 1989-04-06 US US07/333,938 patent/US4946376A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-03 KR KR1019900004541A patent/KR900017129A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-04-05 EP EP90303653A patent/EP0391708B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-05 DE DE69030400T patent/DE69030400T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-06 JP JP2090523A patent/JPH02288240A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4946376A (en) | 1990-08-07 |
| EP0391708B1 (de) | 1997-04-09 |
| DE69030400D1 (de) | 1997-05-15 |
| JPH02288240A (ja) | 1990-11-28 |
| KR900017129A (ko) | 1990-11-15 |
| EP0391708A2 (de) | 1990-10-10 |
| EP0391708A3 (de) | 1991-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3789172T2 (de) | Verfahren zum Montieren eines Silizium-Würfels. | |
| DE69030400T2 (de) | Anordnung der Rückseitenmetallisierung für Halbleiterbauelemente | |
| DE2749696C2 (de) | Verfahren zum Zusammenkitten von Kristallen und Anwendung derselben | |
| DE69032879T2 (de) | Verbindungsverfahren für Halbleiterpackung und Verbindungsdrähte für Halbleiterpackung | |
| DE69300579T2 (de) | Mehrschichtfilmreflektor für Weich-Röntgenstrahlen. | |
| DE69321904T2 (de) | Verfahren für eine permanente metallische Verbindung | |
| DE2845612C2 (de) | Halbleiteranordnung mit höckerförmigen Anschlußelektroden | |
| DE2742922C2 (de) | Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile | |
| EP0044906B1 (de) | Lötfähiges Schichtensystem | |
| DE69202275T2 (de) | Verbindung zwischen Drähten unter Verwendung von Oxid-Supraleitern und Methode für die Verbindung. | |
| DE1765164A1 (de) | Verfahren zur Bindung von Stromleitern | |
| CH663912A5 (de) | Verfahren zum ausbilden eines gleichfoermigen schutzfilms auf einem substrat. | |
| DE1774321B2 (de) | Verfahren zur Herstellung des Rückspaltes eines Magnetkopfes | |
| DE2739762C2 (de) | Verfahren zur Passivierung von Halbleiterkörpern | |
| DE19823932B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Struktur von Farbfilterschichtsystem-Bereichen | |
| DE68906057T3 (de) | Röntgenbildverstärker und sein Herstellungsverfahren. | |
| DE2358495A1 (de) | Verfahren zur herstellung von substraten mit verbundenen leiterschichten | |
| DE2909985C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoffs und Verwendung eines solchen Verbundwerkstoffes | |
| DE1805734A1 (de) | Verfahren zum kontinuierlichen Auftragen einer Schicht auf ein laufendes Band | |
| EP0056472B1 (de) | Elektronische Dünnschichtschaltung | |
| DE19604405C2 (de) | Verfahren zum Vereinzeln von in einem Körper enthaltenen elektronischen Elementen | |
| DE4316114C2 (de) | Röntgenstrahlen-Maske und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE69408567T2 (de) | Herstellungsverfahren von dünnen und dicken metallischen Schichten | |
| DE2843110A1 (de) | Aufschweisslegierung | |
| DE19528441A1 (de) | Untermetallisierung für Lotmaterialien |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. (N.D.GE |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |