DE69023478D1 - Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft. - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft.

Info

Publication number
DE69023478D1
DE69023478D1 DE69023478T DE69023478T DE69023478D1 DE 69023478 D1 DE69023478 D1 DE 69023478D1 DE 69023478 T DE69023478 T DE 69023478T DE 69023478 T DE69023478 T DE 69023478T DE 69023478 D1 DE69023478 D1 DE 69023478D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon carbide
tensile force
producing silicon
predetermined tensile
carbide layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69023478T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69023478T2 (de
Inventor
Johann W Dr Bartha
Thomas Bayer
Johann Dr Greschner
Georg Kraus
Olaf Dr Wolter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69023478D1 publication Critical patent/DE69023478D1/de
Publication of DE69023478T2 publication Critical patent/DE69023478T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
DE69023478T 1990-03-05 1990-03-05 Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft. Expired - Fee Related DE69023478T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP90104227A EP0445319B1 (de) 1990-03-05 1990-03-05 Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69023478D1 true DE69023478D1 (de) 1995-12-14
DE69023478T2 DE69023478T2 (de) 1996-06-20

Family

ID=8203718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69023478T Expired - Fee Related DE69023478T2 (de) 1990-03-05 1990-03-05 Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5162133A (de)
EP (1) EP0445319B1 (de)
JP (1) JP2534406B2 (de)
DE (1) DE69023478T2 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5480695A (en) * 1994-08-10 1996-01-02 Tenhover; Michael A. Ceramic substrates and magnetic data storage components prepared therefrom
US5800878A (en) 1996-10-24 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Reducing hydrogen concentration in pecvd amorphous silicon carbide films
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
JP3648112B2 (ja) * 1999-11-26 2005-05-18 東芝セラミックス株式会社 ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体、及びその製造方法
US7037574B2 (en) * 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US8067067B2 (en) * 2002-02-14 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Clean, dense yttrium oxide coating protecting semiconductor processing apparatus
JP4113812B2 (ja) * 2003-08-05 2008-07-09 北川工業株式会社 電波吸収体、および電波吸収体の製造方法
US7261919B2 (en) * 2003-11-18 2007-08-28 Flx Micro, Inc. Silicon carbide and other films and method of deposition
TWI249470B (en) * 2005-03-09 2006-02-21 Univ Nat Central Structure and method of thermal stress compensation
CN100577866C (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法
US10242888B2 (en) 2007-04-27 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US10622194B2 (en) 2007-04-27 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8500645A (nl) * 1985-03-07 1986-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het afzetten van een laag, die in hoofdzaak uit siliciumcarbide bestaat op een substraat.
GB8629496D0 (en) * 1986-12-10 1987-01-21 British Petroleum Co Plc Silicon carbide

Also Published As

Publication number Publication date
US5162133A (en) 1992-11-10
EP0445319A1 (de) 1991-09-11
JP2534406B2 (ja) 1996-09-18
DE69023478T2 (de) 1996-06-20
EP0445319B1 (de) 1995-11-08
JPH04341565A (ja) 1992-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3881860D1 (de) Verfahren zum herstellen von profilelementen.
DE68908326D1 (de) Verfahren zum herstellen elektrochromer vorrichtungen.
DE68911621D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Einrichtung.
DE68922508D1 (de) Verfahren zum herstellung einer Kunststoffampulle.
DE3585180D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung mit leiterschichten.
DE3483280D1 (de) Verfahren zum herstellen einer mehrschicht-halbleiteranordnung.
DE3765603D1 (de) Verfahren zum herstellen eines schmelzklebers mit nicht-haftender oberflaeche.
DE3765131D1 (de) Formgepresster gegenstand mit einer mehrschichtstruktur sowie verfahren und vorrichtung zum herstellen desselben.
DE3783405D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer duennschicht-verdrahtung und verfahren zum herstellen derselben.
DE3789113T2 (de) Packung mit einer banderolenartigen hülle sowie verfahren und anordnung zum herstellen einer derartigen packung.
DE68906034D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung.
DE69023478T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft.
DE3582627D1 (de) Verfahren zum herstellen einer waermeschrumpfenden polypropylenfolie.
DE58900118D1 (de) Verfahren zum herstellen einer gebauten welle.
DE3781426D1 (de) Verfahren zum herstellen eines selbstregelnden heizelementes.
DE3877282D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiter-vorrichtung.
DE3780936D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung.
DE3881140D1 (de) Verfahren zum herstellen einer muttermatrize zum herstellen von projektionsschirmen sowie werkzeug zum durchfuehren des verfahrens.
DE3876285D1 (de) Verfahren zum herstellen einer faserverstaerkten prepregfolie und vorrichtung dafuer.
DE3482526D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung.
DE69715206D1 (de) Verfahren zum herstellen von geformten gegenständen mit modifizierter oberfläche
DE3482432D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung.
DE3872644D1 (de) Verfahren zum erzeugen von monokristallinen quecksilber-cadmium-tellurid-schichten.
DE69020444T2 (de) Verfahren zum Herstellen von gliedfreien Lücken in einer fortlaufenden Reissverschlusskette.
DE69205837T2 (de) Verfahren zum herstellen einer siebtrommel.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee