DE68913533T2 - Infrarot-Detektor-Element. - Google Patents

Infrarot-Detektor-Element.

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DE68913533T2
DE68913533T2 DE1989613533 DE68913533T DE68913533T2 DE 68913533 T2 DE68913533 T2 DE 68913533T2 DE 1989613533 DE1989613533 DE 1989613533 DE 68913533 T DE68913533 T DE 68913533T DE 68913533 T2 DE68913533 T2 DE 68913533T2
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silicon carbide
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infrared
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Masaru Miyayama
Norio Muto
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    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
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Description

    Hintergrund der Erfindung:
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Infraroterkennungselement, das Halbleiterfasern zum Erkennen einer Infrarotstrahlendosis durch eine Änderung des elektrischen Widerstandes aufgrund einer Temperaturänderung durch Infrarotstrahlung nutzt.
  • Typische, herkömmliche Infraroterkennungselemente sind pyroelektrische Elemente, die einen pyroelektrischen Effekt und eine durch Stapeln von Thermoelementen erhaltene Thermosäule nutzen. Diese Infraroterkennungselemente sind wie folgt gekennzeichnet: (a) sie bedürfen keiner Kühlung; (b) ihre Empfindlichkeit ist wellenlängenunabhängig; und (c) sie können im Vergleich zu anderen Infraroterkennungselementen zu niedrigen Kosten hergestellt werden. Daher werden die herkömmlichen Infraroterkennungselemente vielfach genutzt.
  • Diese Infraroterkennungselemente besitzen jedoch eine relativ lange Reaktionszeit und sind nicht für Anwendungen, die eine kurze Reaktionszeit benötigen, geeignet. Zusätzlich bestehen Einschränkungen bezüglich des Erkennens der Position einer Infrarotquelle. Weiterhin sind die herkömmlichen Infraroterkennungselemente nach wie vor verhältnismäßig teuer.
  • Die Erfinder stellten ein Infraroterkennungselement vor, das halbleitende Fasern verwendet, deren elektrischer Widerstand sich ändert, wenn sich die Temperatur ändert (Japanische Patentanmeldung Nr. Sho.63-222506; veröffentlicht als EP-A-0 358 436, das ein Dokument gemäß Artikel 54 (3) EPÜ ist).
  • Die obigen Halbleiterfasern können zu vergleichsweise geringen Kosten hergestellt werden. Da die Fasern dünn sind, besitzen sie eine geringe Wärmekapazität und können schnell auf Wärmewechsel ansprechen. Daher kann das die Halbleiterfasern verwendende Infraroterkennungselement die obigen üblichen Probleme lösen.
  • Kürzlich entstanden jedoch strenge Anforderungen an Infraroterkennungsfunktionen auf vielen Gebieten der Infraroterkennungselemente. Um diese Anforderungen zu erfüllen, wurde intensive Untersuchungen und Entwicklungen vorgenommen, insbesondere zum Verringern der Ansprechzeit und zum Erhöhen der Temperaturempfindlichkeit.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die Erfinder führten intensive Untersuchungen an Infraroterkennungselementen durch und fanden, daß die gewünschte Erkennungsfunktion und insbesondere die Ansprechcharakteristika durch Verwenden von Halbleiterfasern verbessert werden kann, d.h. hauptsächlich durch aus Siliziumcarbid hergestellten Fasern mit einem besonderen spezifischen Widerstand, durch Spezifizieren der Zusammensetzung der Fasern und durch Anordnen dieser Fasern, ohne daß sie miteinander in Kontakt stehen, worauf die vorliegende Erfindung beruht.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Infraroterkennungselement zum Erkennen einer Infrarotstrahlendosis durch eine Änderung des elektrischen Widerstandes von hauptsächlich aus Siliziumcarbid bestehenden Fasern bei Infrarotbestrahlung zur Verfügung gestellt.
  • Gemäß eines erfindungsgemäßen Aspekts wird ein Infraroterkennungselement zur Verfügung gestellt, das hauptsächlich aus Siliziumcarbid hergestellte Monofilamente verwendet, die einen spezifischen Widerstand von 1.0 x 10&sup5; bis 1.0 x 10³ Ω cm bei Raumtemperatur und einen Monofilamentdurchmesser von 3 bis 200 um besitzen.
  • Gemäß eines weiteren erfindungsgemäßen Aspekts wird ein Infraroterkennungselement zur Verfügung gestellt, das hauptsächlich aus Siliziumcarbid bestehende Monofilamente mit einem spezifischen Widerstand von 1.0 x 10&sup5; bis 1.0 x 10&supmin;¹ Ω cm bei Raumtemperatur und einem Monofilamentdurchmesser von 3 bis 200 um nutzt, wobei das Filament die Zusammensetzung besitzt:
  • Si: 50 bis 70 Gw%
  • C: 28 bis 40 Gw%
  • O: 0 bis 10 Gw% und
  • Rest (H und/oder Ti oder Zr) : 0 bis 10 Gw%.
  • Die Monofilamente beider Aspekte sind zwischen Elektroden angeordnet, ohne daß die Filamente miteinander in Kontakt stehen.
  • Die erfindungsgemäß verwendeten Siliziumcarbidmonofilamente werden durch Schmelzextrudieren einer Organosiliziumverbindung gewonnen, wie üblicherweise Polycarbosilan oder eine Polymerverbindung, die durch Zugeben einer organometallischen Verbindung (z.B. Titanalkoxid oder Zirkoniumalkoxid) zu Polycarbosilan gewonnen wurde; das so extrudierte Material wird unschmelzbar in einer oxydierenden Atmosphäre bei 100 bis 300ºC gemacht; dann wird das unschmelzbare Material in einer inerten Atmosphäre bei 1.000 bis 1.600ºC gebrannt, wobei die gewünschten Siliziumcarbidmonofilamente mit einem Durchmesser von 3 bis 200 um erhalten werden.
  • Die Zusammensetzung der so gewonnenen Filamente ist wie folgt:
  • Si: 40 bis 70 Gw%
  • C: 20 bis 40 Gw%
  • O: 0 bis 20 Gw% und
  • Rest (H und/oder Ti oder Zr) : 0 bis 10 Gw%.
  • Die Monofilamente besitzen unterschiedliche spezifische Widerstände, wenn verschiedene Brenntemperaturen in der Brennstufe verwendet werden.
  • Gemäß den Untersuchungsergebnissen der Erfinder wird durch die später beschriebenen Ausführungsformen deutlich, daß Monofilamente mit einem spezifischen Widerstand von 1.0 x 10&sup5; bis 1.0 x 10³ Ω cm bei Raumtemperatur ausgewählt werden, um einen größeren Abfall des spezifischen Widerstandes durch Infrarotstrahlung zu erhalten, d.h. eine höhere Thermistorkonstante im Vergleich zu einer dünnen Siliziumcarbidschicht. Infraroterkennungselemente mit hervorragenden Infrarotdetektionscharakteristika, beispielsweise einer thermischen Zeitkonstante im Bereich von 5 bis 10 msek., können erhalten werden. Wenn der spezifische Widerstand diesen obigen Bereich überschreitet, ist ein durch das Erkennungselement fließender Strom zu gering, um erkannt zu werden. Wenn jedoch der spezifische Widerstand unterhalb dieses Bereiches liegt, wird die Thermistorkonstante zu klein, wodurch die Ansprechcharakteristika herabgesetzt werden.
  • Nach anderen erfindungsgemäßen Beobachtungen besitzt das Infraroterkennungselement, wenn die Zusammensetzung der Siliciumcarbidfasern auf die folgenden Werte beschränkt ist, noch eine hervorragende Erkennungsfähigkeit, auch wenn die untere Grenze des spezifischen Widerstandswertes herabgesetzt ist.
  • Wenn beispielsweise Polycarbosilan oder eine durch Zufügen einer Organometallverbindung zu einem Polycarbosilan gewonnene Verbindung mit einem aromatischen Kohlenwasserstoff (wie Pech) eingearbeitet und dann polymerisiert wird, um den Kohlenstoffanteil zu erhöhen, können die entstehenden Monofilamente die folgende Zusammensetzung besitzen:
  • Si: 50 bis 70 Gw%
  • C: 28 bis 40 Gw%
  • O: 0 bis 10 Gw% und
  • Rest (H und/oder Ti oder Zr) : 0 bis 10 Gw%.
  • Der Durchmesser dieser Monofilamente liegt bevorzugt im Bereich von 3 bis 200 um. Diese erfindungsgemäßen speziellen Siliziumkarbidfasern haben einen spezifischen Widerstand innerhalb des Bereiches von 1.0 x 10&sup5; bis 1.0 x 10&supmin;¹ Ω cm bei Raumtemperatur.
  • Die Fasern zeigen hervorragende Erkennungsleistungen sogar im Bereich niedrigen spezifischen Widerstandes. Wenn sie einen Durchmesser von 30 um oder weniger besitzen, zeigen sie gute Wärmeübergangseigenschaft und stellen damit eine noch bessere Erkennungsleistung zur Verfügung.
  • Wenn die Fasern oder Monofilamente in ihrer Anordnung miteinander verschlungen sind oder in Kontakt zueinander stehen, besitzen sie verringerten Lichtempfangsbereich und verminderte Wärmeübergangseigenschaft, das zu Störsignalen führt.
  • Die Anordnungen der Fasern und Monofilamente sind im Einzelnen in den Fig. 1(a) bis 2(b) verdeutlicht.
  • Fig. 1(a) zeigt eine Ansicht, die eine Form zeigt, in der die Filamente F zwischen den Elektroden A angeordnet sind. In diesem Fall ist der mögliche Kontakt durch in (1) und (2) von Fig. 1(b) gezeigten Anordnungen unterbunden.
  • Die Fig. 2(a) und (b) zeigen eine Form, in dem die Filamente F zwischen den Elektroden A und den Elektroden B senkrecht zu den Elektroden A ausgerichtet sind.
  • In diesem Fall kann entweder eine Kombination aus (1) und (4) und eine Kombination aus (2) und (3) oder eine Kombination aus (1) und (2) und eine Kombination aus (3) und (4) verwendet werden.
  • Erfindungsgemäß ist der spezifische Widerstand der Siliziumcarbidfilamente und/oder die Zusammensetzung der Filamente spezifiziert. Zusätzlich sind die Filamente so angeordnet, daß sie nicht miteinander in Kontakt stehen. Dadurch kann die thermische Zeitkonstante des Infraroterkennungselementes erhöht werden.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen:
  • Fig. 1(a) bis 2(b) sind schematische Ansichten, die die Anordnung der Siliziumcarbidfilamente gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen: Beispiele 1 und 2 und Vergleichsbeispiele 1 und 2
  • Polycarbosilane wurden mit verschiedenen Längen schmelzextrudiert, um Filamente mit zwei verschiedenen Durchmessern zu erhalten. Diese Filamente werden bei 200ºC über 60 Minuten an Luft unschmelzbar gemacht und anschließend in einer Inertgasatmosphäre bei 1.000 bis 1.400ºC über 30 bis 60 Minuten gebrannt, um vier Siliziumcarbidmonofilamente (Zusammensetzung: 54,5 Gw% Si; 27,2 Gw% C; 17,9 Gw% O; und 0,4 Gw% H) mit den in Tabelle 1 gezeigten Eigenschaften zu gewinnen.
  • Diese Monofilamente wurden jeweils in Stücke von 20 mm Länge geschnitten; 100 Stücke jeder Gruppe wurden paralell zueinander, ohne miteinander in Kontakt zu kommen, angeordnet und eine acht Volt Gleichspannung daran angelegt. Ein Ausgang und eine Spannungswellenform, die durch Abschirmen von Hitzestrahlen, die von einem Schwarzkörperofen als Wärmequelle ausgestrahlt und mittels eines Hochgeschwindigkeitsverschlusses erzeugt wurden, wurden durch ein Oszilloskop gemessen, um dadurch eine thermische Zeitkonstante zu bestimmen. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 1 aufgeführt. Tabelle 1 Filamentdurchmesser [um] Spezifischer Widerstand (Raumtemperatur) [Ω cm] Thermische Zeitkonstante [msek] Beispiel Vergleichsbeispiel unbestimmbar
  • Beispiele 3 - 7 und Vergleichsbeispiele 3 und 4
  • 20 Gw% Petroleumpech wurden zu Polycarbosilan hinzugegeben; die entstandene Mischung wurde bei 300ºC zu einer Organosiliziumpolymerverbindung mit Polycarbosilan als Hauptbestandteil erwärmt. Die Organosiliziumpolymerverbindung wurde zu verschiedenen Längen extrudiert, um Filamente mit drei verschiedenen Durchmessern zu erhalten. Diese Filamente wurden bei 200ºC über 60 Minuten an Luft unschmelzbar gemacht und dann unter Inertgas bei 1.200 bis 1.600ºC über 30 bis 60 Minuten gebrannt, um sieben verschiedene Siliziumcarbidfilamente zu erhalten (Zusammensetzung: 57,6 Gw% Si; 33,1 Gw% C; 8,8 Gw% O; und 0,5 Gw% H), deren Eigenschaften in Tabelle 2 aufgeführt sind.
  • Die thermischen Zeitkonstanten dieser Proben wurden gemäß Beispiel 1 gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt. Tabelle 2 Filamentdurchmesser [um] Spezifischer Widerstand temperatur) [Ω cm] Thermische (Raum-Zeitkonstante [msek] Beispiel Vergleichsbeispiel unbestimmbar
  • Vergleichsbeispiel 5
  • 250 in Beispiel 3 gewonnene Faserfilamente werden gebündelt und teilweise miteinander in Kontakt gebracht, um die thermische Zeitkonstante zu messen. Die thermische Zeitkonstante betrug 295 msek.
  • Gemäß der obigen Ergebnisse besitzen die Proben der Beispiele vorliegender Erfindung bemerkenswert geringe thermische Zeitkonstanten, d.h. eine bemerkenswert hohe Ansprechgeschwindigkeit, verglichen mit denen der Vergleichsbeispiele.
  • Es wird aus der voranstehenden Beschreibung und den Beispielen deutlich, daß die erfindungsgemäßen Infraroterkennungselemente hervorragende Eigenschaften und besonders kurze Ansprechzeiten besitzen. Diese Eigenschaften können in einer Reihe von Anwendungen verwirklicht werden, wodurch bedeutende industrielle Vorteile erzielbar sind.

Claims (2)

1. Infraroterkennungselement zum Erkennen einer Infrarotstrahlendosis durch eine Änderung des elektrischen Widerstands von hauptsächlich aus Siliziumkarbid gebildeten Monofilamenten bei Infraroteinstrahlung, wobei das Erkennungselement enthält:
hauptsächlich aus Siliziumkarbid gebildete Monofilamente, wobei die Monofilamente einen spezifischen Widerstand von 1,0 x 10&sup5; bis 1,0 x 10³ Ω x cm bei Raumtemperatur und einen Durchmesser von 3 bis 200 um besitzen, wobei die Monofilamente zwischen Elektroden angeordnet sind, ohne daß die Monofilamente miteinander in Kontakt gebracht werden.
2. Ein Infraroterkennungselement zum Erkennen einer Infrarotstrahlendosis durch eine Änderung des elektrischen Widerstands von hauptsächlich aus Siliziumkarbid gebildeten Monofilamenten bei Infraroteinstrahlung, wobei das Erkennungselement enthält:
hauptsächlich aus Siliziumkarbid gebildete Monofilamente der Zusammensetzung:
Si: 50 bis 70 Gw%
C: 28 bis 40 Gw%
O: 0 bis 10 Gw%
Rest (H und/oder Ti oder Zr) : 0 bis 10 Gw% mit einem spezifischen Widerstand von 1,0 x 10&sup5; bis 1,0 x 10&supmin;¹ Ω x cm bei Raumtemperatur und einem Durchmesser von 3 bis 200 u,wobei die Monofilamente zwischen zwei Elektroden angeordnet sind, ohne daß die Monofilamente miteinander in Kontakt gebracht werden.
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