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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Sender für ein geschaltetes
Signal mit kontrollierter Form auf einer Kommunikationsleitung.
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Hintergrund
der Erfindung
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Lokale
Netze verwenden häufig
eine Kommunikationsleitung, wie zum Beispiel einen Kommunikationsbus, über den
ein Satz von Knoten kommuniziert. Ein Treibermodul in einem Master-Knoten
setzt die Leitung unter Strom, wobei das Treibermodul geschaltet
ist, um in der Leitung Stufenänderungen
in dem Strom zu erzeugen, um über
die Leitung Signale an Empfänger
in fernen Slave-Knoten zu übertragen.
Das geschaltete Leistungssignal aktiviert den multiplexierten fernen
Knoten, der an die Leitung angeschlossen ist, und die Leitung überträgt außerdem selektiv
Signale von den fernen Knoten an die zentrale Verarbeitungseinheit
zurück.
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Ein
solcher Bus wird zum Beispiel in Automobilen verwendet, wobei der
Bus entweder eine Einzelleitung oder verdrillte Leiter verwendet,
in denen der Strom fließt.
Ein wichtiges Funktionsmerkmal von Senderknoten ist eine verringerte
elektromagnetische Suszeptibilität
('EMS'), die Sensitivität gegenüber einer
elektromagnetischen Störung
('EMI'), das heißt, einem
Empfang von Rauschen, das in dem Draht oder den Drähten des
Bus hervorgerufen wird, sowie die elektromagnetische Kompatibilität ('EMC'), das heißt, eine
geringe Strahlung von parasitischen Feldern durch die in den Drähten des
Bus fließenden
Ströme;
beides sind kritische Parameter, im Besonderen in Automobilanwendungen.
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In
der Vergangenheit sind in Automobilanwendungen solche Funktionen,
wie zum Beispiel Türschlösser, Sitzpositionen,
elektrische Spiegel und Fensteroperationen, direkt durch einen durch
Drähte
und Schalter gelieferten Gleichstrom gesteuert worden. Solche Funktionen
können
heute durch ECUs (elektronische Steuereinheiten) zusammen mit Sensoren
und Aktuatoren in einem multiplexierten Controllerbereichsnetz (CAN) gesteuert
werden. Der Controllerbereichsnetz(CAN)-Standard (ISO 11898) gewährleistet,
dass Daten durch Schalten einer Spannung, zum Beispiel bei einer
Frequenz von 250 kbauds bis 1 Mbaud, über das verdrillte Kabel an
die multiplexierten Empfängermodule übertragen
werden. Die Empfängermodule
können
Aktuatoren, die zum Beispiel durch Erzeugen einer erforderlichen
mechanischen Leistung eine Funktion durchführen, oder Sensoren sein, die
durch ein Durchführen
von Messungen und Übertragen
der Er gebnisse über
den Bus zurück
an die ECU auf eine Aktivierung reagieren.
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Der
CAN-Bus wurde konstruiert, um als ein serieller Fahrzeugdatenbus
verwendet zu werden, und erfüllt
die Anforderungen einer Echtzeitverarbeitung und eines verlässlichen
Betriebs in einer Fahrzeug-EMI-Umgebung; er ist kostengünstig und
stellt eine angemessene Datenbandbreite zur Verfügung. Ein Anschließen an das
Hauptkörper-
bzw. Main-Body-Netz
direkt über
ein CAN-Bus-System kann jedoch, aufgrund gestiegener Kosten pro
Knoten und weil ein Gesamtnetzwerkverkehr eine Handhabung extrem
schwierig machen kann, teuer sein. Um Kosten verringern zu helfen,
besteht die logische Erweiterung darin, das Netzwerk hierarchisch zu
strukturieren.
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Eine
Variante des CAN-Standards ist der LIN (Local Interconnect Network)-Teilbus-Standard
(siehe ISO 7498), der eine Erweiterung des CAN-Bus ist, bei geringerer
Geschwindigkeit und auf einem Einzeldrahtbus, um eine Verbindung
zu lokalen Netzwerk-Clustern zur Verfügung zu stellen. Ein LIN-Teilbus-System
verwendet eine Einzeldraht-Implementierung (verbesserter ISO 9141),
die Herstellungs- und Komponentenkosten wesentlich verringern kann.
Komponentenkosten werden weiterhin durch eine Selbstsynchronisation,
ohne einen Kristall- oder Keramik-Resonator, in dem Slave-Knoten
verringert. Das System basiert auf einer üblichen Universal Asynchronous
Receiver and Transmitter Serial Communications Interface (URRT/SCI)-Hardware, die
durch die meisten Mikrocontroller für eine flexiblere preisgünstigere
Siliziumimplementierung gemeinsam verwendet werden.
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Es
ist häufig
notwendig, die Form der führenden
und/oder hinteren Flanken von über
die Kommunikationslei tung übertragenen
geschalteten Signalen genau zu steuern. Dies ist im Besonderen der
Fall, wo es erwünscht
ist, eine elektromagnetische Störung
durch Begrenzen der Basisfrequenzen von elektromagnetischen Emissionen
auf bestimmte akzeptable Frequenzbereiche und Einschränken der
Amplituden von Emissionen von Oberwellen der Basisfrequenzen außerhalb
des akzeptablen Bereiches zu minimieren.
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Es
ist möglich,
durch Erzeugen eines Stroms, der einen Kondensator bis zu der gewünschten
Form des Spannungssignals auflädt,
Signale zu erzeugen, die mit kontrollierter Form übertragen
werden, wie in 1 gezeigt. Die Kondensatorstufe
hat jedoch eine hohe Impedanz mit einem entsprechenden niedrigen durch
diese Stufe erzeugten Strom (in einigen Fällen so niedrig wie 10 μA), so dass
mehrere Nachfolgerstufen benötigt
werden und ihre Komponenten den vollen Spannungsänderungen an dem Kondensator
ausgesetzt werden, so dass sie solchen relativ hohen Spannungen
standhalten müssen.
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Unsere
ebenfalls anhängige
Europäische
Patentanmeldung
EP02292729,7 ,
eingereicht am 31. Oktober 2002 und veröffentlicht am 6. Mai 2004 (
EP1416632 ), beschreibt solche
Sender, die eine sorgfältig
kontrollierte Form für
die übertragenen
Signalflanken erzeugen, was eine sehr feste EMC ergibt. Die vorliegende Erfindung
ist auf die Sender unserer ebenfalls anhängigen Patentanmeldung und
außerdem
auf andere Senderkonstruktionen anwendbar und stellt eine Verbesserung
in der elektromagnetischen Suszeptibilität zur Verfügung.
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Die
Europäische
Patentveröffentlichung
EP1143617 offenbart eine
Schaltung zum Erzeugen eines Signals mit kon trollierter Form, die
einen Integrator, eine Rückkopplungsschleife
und eine Verstärkerstufe
umfasst.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung stellt einen Sender für ein geschaltetes Signal mit
kontrollierter Form auf einer Kommunikationsleitung zur Verfügung, wie
in den begleitenden Ansprüchen
beschrieben.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
ein schematisches Blockdiagramm eines bekannten Signalgenerators
in einem Sender für eine
Kommunikationsbusleitung,
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2 ist
ein schematisches Blockdiagramm eines Signalgenerators in einem
Sender für
eine Kommunikationsbusleitung, gemäß einer beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
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3 ist
ein ausführlicheres
schematisches Diagramm eines ersten Teils des Signalgenerators von 2,
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4 ist
ein ausführlicheres
schematisches Diagramm eines zweiten Teils des Signalgenerators
von 2,
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5 ist
ein Diagramm, das die zeitliche Variation einer Ausgangsspannung
des Signalgenerators von 2, 3 und 4 darstellt,
und
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6 ist
ein ausführlicheres
schematisches Diagramm einer Nachfolgerstufe in dem Signalgenerator von 2.
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Ausführliche
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
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1 zeigt
ein bekanntes Kommunikationssystem, das eine LIN-Kommunikationsbusleitung 1,
eine Stromversorgungsleitung 2 und eine Masseleitung 3 umfasst,
wodurch eine Kommunikation zwischen einem Senderknoten 4 und
einem Empfängerknoten 5 gewährleistet
wird. Der Empfängerknoten 5 umfasst,
wie schematisch gezeigt, eine an die positive Versorgungsleitung 2 angeschlossene
Diode 6, einen an den negativen Pol der Diode 6 in
Reihe angeschlossenen Widerstand 7 und einen zwischen den
anderen Pol des Widerstandes 7 und die Masseleitung 3 geschalteten
Kondensator 8, wobei der LIN-Bus ein einzelner Leiter ist,
der an die Verbindung zwischen dem Widerstand 7 und dem
Kondensator 8 angeschlossen ist. Es ist klar, dass der Empfängerknoten 5 in
der Praxis mit Elementen (nicht gezeigt), wie zum Beispiel Signalprozessoren
und Aktuatoren zum Auswerten der empfangenen Signale verknüpft ist.
Das Kommunikationssystem, das die Leitungen 1, 2 und 3 und
den Senderknoten 4 und den Empfängerknoten 5 umfasst,
kann zum Beispiel in einem Fahrzeug installiert oder in Industrieanwendungen
enthalten sein. Es ist außerdem
klar, dass das System an andere Kommunikationsstandards, wie zum
Beispiel dem CAN-Standard, adaptiert sein kann. Gemäß dem LIN-Standard,
wie gezeigt, ist das physikalische LIN-Bus-Medium ein einzelner
Draht, der über
den Abschlusswiderstand (pull-up) 7 an einen positiven
Spannungspegel angeschlossen ist, der in Automobilanwendungen typischerweise
der positive Batterieknoten ist. Der Ruhezustand (Kommunikationsimpuls
aufgehoben) ist hoch, oder rezessiv, und der aktive Zustand (Kommunikationsimpuls
behauptet) ist niedrig, oder dominant.
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Der
Senderknoten umfasst eine Ausgangsstufe 9, die eine Diode 10,
deren positiver Pol an die positive Spannungsversorgungsleitung 2 angeschlossen
ist und deren negativer Pol an einen Anschluss eines Widerstandes 11 angeschlossen
ist, die Emitter- und Kollektoranschlüsse eines PNP-Transistors 12,
die zwischen den anderen Anschluss des Widerstandes 11 und
die Masseleitung 3 geschaltet sind, umfasst.
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Der
Signalgenerator umfasst außerdem
eine Eingangsstufe 13. Ein Rechteckimpulsdatensignal TX wird
an einen Eingangsanschluss 14 angelegt, der angeschlossen
ist, um das Öffnen
und Schließen
eines an die Masseleitung 3 angeschlossenen Schalters 15 zu
steuern. Eine erste Stromquelle 16 ist durch den Schalter 15 zur
Masse in Reihe an eine zweite Stromquelle 17 angeschlossen.
Die Verbindung 18 zwischen den Stromquellen 16 und 17 ist
an einen Pol eines Kondensators 19 angeschlossen, dessen
anderer Pol an die Masseleitung 3 angeschlossen ist. Ein
Spannungsformgenerator 20 empfängt eine Triggereingabe von
dem Datensignaleingangsanschluss 14 und steuert die durch
die Stromquellen 16 und 17 weitergegebenen Ströme, so dass
sich die Ströme,
wie schematisch angezeigt, schrittweise ändern. Der durch die Quelle 17 weitergegebene
Strom ist 2·ISH, wenn der Schalter 15 geschlossen
ist, wobei ISH der durch die Stromquelle 16 weitergegebene
Strom ist.
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Unter
Betriebsbedingungen wird der Kondensator auf die Spannung der Versorgungsleitung 2 aufgeladen,
während
das Eingangssignal bei dem Anschluss 14 aufgehoben wird.
Wenn das Eingangssignal TX bei dem Anschluss 14 behauptet
wird, ist der Schalter 15 geschlossen und der durch die
Stromquellen 16 und 17 zugeführte Netzstrom ISH nimmt
schritt weise zu, um den Kondensator 19 zu entladen, wobei
die Spannung an dem Kondensator 19 als eine Funktion des
Integrals des Stroms ISH abnimmt. Bei der
abfallenden Flanke des Eingangsimpulses wird der Schalter 15 geöffnet und
der zu dem Kondensator 19 fließende Netzstrom, nur von der
Stromquelle 16, wird umgekehrt und nimmt schrittweise zu,
bis der Kondensator voll aufgeladen ist.
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In
der Praxis ist die Größenordnung
des Stroms ISH niedrig, typischerweise zum
Beispiel maximal 10 Mikroampere, und aufgrund dieser hohen Impedanz
der Eingangsstufe sind mehrere Nachfolgerstufen 21 erforderlich.
Die Nachfolgerstufen 21 legen einen Strom proportional
zu der Spannung an dem Kondensator 19 an der Basis des
Transistors 12 an, um so das Ausgangssignal an den LIN-Bus 1 anzulegen.
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Die
Verwendung des digitalen Stromformgenerators 20 gewährleistet,
dass verschiedene Formen der ansteigenden und abfallenden Flanken
des an den LIN-Bus 1 angelegten Signals synthetisiert werden.
Der Signalgenerator gewährleistet
somit, dass die Kommenden der Rechteckeingangsimpulse gerundet werden.
Die schrittweise Natur des Ladestroms des Kondensators 19 führt hohe
Raten einer Änderung
des Ladestroms mit der Zeit und Oberwellen der Basisfrequenz der
Impulsflanke auf dem LIN-Bus 1 ein. Außerdem ist der Stromformgenerator 20 eine
relativ komplexe Schaltung, die typischerweise mehrere Spannungskomparatoren
enthält.
Darüber
hinaus sind die Stromquellen 16 und 17 dem vollen
Bereich von Spannungen an dem Kondensator 19 ausgesetzt,
wodurch der Halbleiterbereich der Elemente zunimmt, der erforderlich
ist, um den hohen Spannungen standzuhalten.
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2 zeigt
einen Signalgenerator in einem Sender gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, der von dem in unserer ebenfalls anhängigen Europäischen Patentanmeldung
EP 02292729,7 beschriebenen
Signalgenerator abgeleitet ist. Es ist jedoch klar, dass die Prinzipien
der vorliegenden Erfindung außerdem
auf andere Signalgeneratoren anwendbar sind. Der Empfängerknoten
wird noch einmal bei
5 und der Senderknoten bei
4 gezeigt,
mit einer Ausgangsstufe
9. Eine einzelne Nachfolgerstufe
21 legt
an die Basis des Transistors
12 der Ausgangsstufe
9 einen
Strom an, der zu der Spannung an dem Kondensator C eines Integrators
19' proportional
ist.
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Die
Spannung an dem Integrator 19' wird außerdem einem Spannungsgenerator 22 in
einer Rückkopplungsschleife
zugeführt.
Der Spannungsgenerator 22 erzeugt eine erste Spannung VL, die gleich der Spannung Vo an
dem Integrator 19' bis
hinauf zu einem Klemmwert von, in diesem Beispiel, 5 Volt ist, und
eine zweite Spannung VH, die gleich der
Versorgungsspannung VSUP minus der Spannung
Vo an dem Integrator 19' ist, wobei
die Spannung VH auch auf den selben Klemmwert
begrenzt ist. Eine Auswahlschaltung 23 erzeugt eine Rückkopplungsspannung
VE durch Auswählen des niedrigeren der zwei
Werte VL oder VK.
Die Rückkopplungsspannung
VE wird an einen Widerstand R in einem Rückkopplungsstromgenerator 24 angelegt,
um so einen Rückkopplungsstrom
IE zu erzeugen, der gleich VE/R
ist, wobei der Rückkopplungsstrom
IE auf einen Klemmwert IMAX begrenzt
ist. Der Rückkopplungsstrom
IE wird an einen Ladestromgenerator 25 angelegt,
der den Rückkopplungsstrom
IE selektiv umkehrt, um einen Ladestrom
IC zu erzeugen, der an den Integrator 19' angelegt wird.
Das Eingangssignal wird angelegt, um den Spannungsgenerator 22 zu
triggern und den Ladestromgenerator 25 zu steuern.
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Der
Spannungsgenerator 22, die Auswahlschaltung 23,
der Rückkopplungsstromgenerator 24 und
der Inverter 25 bilden eine Rückkopplungsschleife. Unter
Betriebsbedingungen wird bei der ansteigenden Flanke des Rechteckdatenimpulses,
der an dem Eingangsanschluss 14 angelegt wird, die Spannung
an dem Integrator 19',
ursprünglich
bei der Versorgungsspannung VSUP, an den
Spannungsgenerator 22 angelegt. Die Spannung VH ist
ursprünglich
kleiner als die Spannung VL und wird durch
die Auswahlschaltung 23 ausgewählt. Die an den Widerstand
R in dem Rückkopplungsstromgenerator 24 angelegte
Rückkopplungsspannung
VE erzeugt einen Rückkopplungsstrcm IE,
der durch den Inverter 25 an den Integrator 19' in einer Richtung
angelegt wird, um so die Ladung des Kondensators C und somit der
Spannung VO zu verringern. Dementsprechend nehmen
die Spannungen VH und VE exponentiell
zu, bis die Klemmspannung des Generators 22 erreicht ist. Die
Rückkopplungsspannung
VE und der Rückkopplungsstrom IE werden
dann bei konstanten Werten gehalten, so dass die Spannung VO fortfährt
abzunehmen, jedoch linear mit der Zeit. Wenn die Spannung VL kleiner als die Spannung VH wird,
wählt die
Auswahlschaltung 23 die Spannung VL aus.
Die Spannung VE nimmt dann exponentiell
mit der Zeit ab, so dass der Rückkopplungsstrom
IE ebenfalls exponentiell mit der Zeit abnimmt und
sich die Spannung VO an dem Integrator 19' stufenweise
immer langsamer verändert,
bis der Rückkopplungsstrom
IE einen Minimalwert IMIN erreicht
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Der
Halbzyklus wird dann bei der abfallenden Flanke des Eingangsimpulses
wiederholt, wobei der Ladestrom IC durch
den Inverter 25 umgekehrt wird, so dass sich die Spannung
VO an dem Integrator 19' stufenweise
der Spannung VSUP nähert.
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In
dieser Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung werden die Spannungen VH und
VL mit einem angelegten Offset erzeugt,
so dass ihr minimaler Wert gleich VMIN ist
und niemals bis auf Null zurückgeht.
Der Rückkopplungsstromgenerator 24 erzeugt
den Rückkopplungsstrom
IE mit einem entsprechenden Minimalwert IMIN. Wenn der Inverter 25 den Rückkopplungsstrom
IE in Reaktion auf eine Flanke des Rechteckeingangssignals
TX umkehrt, passiert der an den Integrator 19' angelegte geformte
Strom IS zwischen den positiven und negativen
Werten ±IMIN.
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Eine
bevorzugte Ausführungsform
des in 2 gezeigten Signalgenerators wird in 3 dargestellt. Der
Spannungsgenerator 22 umfasst ein erstes Spannungsgeneratorelement 26,
dessen Eingang geschaltet ist, um die VO-Spannung
an dem Integrator 19' zu
empfangen, und ein zweites Spannungsgeneratorelement 27,
das über
einen umgekehrten Eingang, der geschaltet ist, um die Spannung VO zu empfangen, und einen direkten Eingang
verfügt,
der geschaltet ist, um die Versorgungsspannung VSUP zu
empfangen. Die Ausgabe des ersten Generatorelementes 26 erzeugt
die Rückkopplungsspannung
VL und die Ausgabe des zweiten Generatorelementes 27 erzeugt
die Rückkopplungsspannung
VH.
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Die
Auswahlschaltung 23 umfasst ein Paar Dioden 28 und 29,
die geschaltet sind, um die Spannungen VL beziehungsweise
VH auf ihren negativen Polen zu empfangen,
wobei die positiven Pole an die Basis eines Transistors 30 angeschlossen
sind. Der Kollektor des Transistors 30 ist an eine interne
Stromversorgungsleitung 31 angeschlossen, die eine wesentlich
niedrigere Spannung als die LIN-Bus-Stromversorgungsleitung 2 hat.
Ein Stromgenerator 39 ist zwischen die Versorgungsleitung 31 und
die Basis des Transis tors 30 geschaltet. Der Emitter des
Transistors 30 ist an einen Anschluss des Widerstandes
R des Rückkopplungsstromgenerators 24 angeschlossen.
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Der
Rückkopplungsstromgenerator 24 umfasst
außerdem
einen ersten Feldeffekttransistor ('FET') 32, dessen
Drain an den anderen Anschluss des Widerstandes angeschlossen ist
und dessen Source an die Masseleitung 3 angeschlossen ist.
Das Gate des FET 32 ist an das Gate eines weiteren FET 32 angeschlossen, dessen
Source ebenfalls an die Masseleitung 3 angeschlossen ist
und dessen Drain mit seinem Gate kurzgeschlossen ist und ebenfalls
durch einen Stromgenerator 34 an die Spannungsversorgungsleitung 31 angeschlossen
ist.
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Der
Ladestromgenerator und Inverter 25 erzeugt einen geformten
Strom IS und umfasst die ersten und zweiten
Stromspiegel 35 und 36, die durch den Strom IE in dem Transistor 30 und dem Widerstand
R, wie durch die Pfeile 37 und 38 angezeigt, getrieben
werden, wobei der in dem Spiegel 35 fließende Strom
gleich IE und der in dem Spiegel 36 erzeugte
Strom 2·IE ist. Der Stromspiegel 35 ist direkt
an den Integrator 19' angeschlossen
und der Spiegel 36 ist durch den Schalter 15 an
den Integrator 19' angeschlossen.
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Unter
Betriebsbedingungen wählen
die Dioden 28 und 29 die niedrigeren der Spannungen
VL und VH bei den
Ausgängen
der Spannungsgeneratorelemente 26 und 27 aus.
Solange die ausgewählte
Spannung positiv ist, wird sie an den Widerstand R und den FET 32 angelegt,
wobei der FET 33 und der Stromgenerator 34 dazu
dienen, den Rückkopplungsstrom
IE bei einem maximalen Wert IMAX zu
klemmen. Der Betrieb des Schalters 15 dient dazu, die Umkehrung
des an den Integrator 19' angelegten
geformten Stroms IS auszuwählen oder
nicht. Ein Einschaltstrom für
den Transistor 30 wird durch den zwischen die Spannungsversorgungsleitung 31 und
die Basis des Transistors 30 geschalteten Stromgenerator 39 zur
Verfügung
gestellt.
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Die
Integratorschaltung 19' dieser
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird in 4 gezeigt. Der
geformte Strom IS von dem Inverter 25 kommt
auf einer Verbindung 48 an, die an das Gate eines FET 49 angeschlossen
ist. Die Source des FET 49 ist an die Masse und der Drain
des FET 49 ist an den Hochspannungsversorgungsanschluss 2 durch
eine Source von konstantem Strom 50 angeschlossen. Der
Kondensator C des Integrators, bei 51, ist zwischen die
Source und das Gate des FET 49 geschaltet.
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Der
FET 49 ist ein einfacher Metalloxid-Silizium ("MOS")-Verstärker und
die Stromquelle 50 liefert einen Strom in der Größenordnung
von 1 mA. Wenige Mikroampere fließen in dem Kondensator 51,
wenn er lädt
oder entlädt.
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Störungen der
Spannung VO bei dem Drain des FET 49 können durch
die Stromquelle 50 absorbiert werden, da die Rückkopplungsschleifen,
die den FET 49 steuern, das Gate des FET 49 bei
einer konstanten positiven Vorspannung halten, die kleiner als der
Sättigungswert
ist, sowohl in hohen als auch niedrigen stationären Zuständen, wo sich die Spannung
VO nicht ändern soll. Mit anderen Worten,
der Integrator 19' präsentiert
einer Störung
von einer elektromagnetischen Störung
eine niedrige Ausgangsimpedanz und präsentiert dementsprechend eine
niedrige elektromagnetische Suszeptibilität.
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Es
ist klar, dass, wenn der geformte Strom IS in
Richtung auf das Gate des FET 49 fließt, die Spannung VO dazu
neigt, abzunehmen, während,
wenn der geformte Strom IS von dem Gate
des FET 49 wegfließt,
die Spannung VO dazu neigt, zuzunehmen.
Wenn die Spannung VO die Versorgungsspannung
VSUP oder die Massespannung erreicht, saturiert
oder schaltet der FET ab, die Spannung VO ändert sich
nicht mehr, aber die Spannung des Gate des FET 49 fährt fort,
anzusteigen und zu fallen. Dies wäre unerwünscht, weil der Kondensator 51 fortfährt, bis
zu der nächsten
ansteigenden oder abfallenden Flanke des Rechteckeingangssignals TX
zu laden, und, da der geformte Strom IS bei
der nächsten
Flanke bei einer niedrigen Größenordnung
beginnen wird, wird es eine wesentliche Verzögerung geben, bis die Spannung
an dem Kondensator 51 einen solchen Wert erreicht, dass
der FET 49 einen linearen Betrieb wieder aufnimmt.
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Dementsprechend
werden zwei weitere Rückkopplungsschleifen, 52 und 53,
zur Verfügung
gestellt, um während
der hohen und niedrigen stationären
Zustände
der Spannung VO Strom von der Verbindung 48 abzuleiten.
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Die
Rückkopplungsschleife 52 umfasst
einen NPN-Transistor 54, dessen Basis geschaltet ist, um
die Spannung VO zu empfangen, dessen Kollektor
an den Hochspannungsversorgungsanschluss 2 angeschlossen
ist und dessen Emitter durch eine konstante Stromquelle 55 an
die Masse angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors 54 ist
an die Basis eines PNP-Transistors 56 angeschlossen, dessen
Emitter an den Hochspannungsversorgungsanschluss 2 durch
einen Widerstand 57 angeschlossen ist, an den die Differenz
zwischen der Spannung VO und der Hochspannungsversorgung
VSUP angelegt wird, wobei sich die Basisemitterspannungen
der Transistoren 54 und 56 gegenseitig aufheben.
Der Kollektor des Transistors 56 ist an Masse angeschlossen,
durch die Drain-Source-Anschlüsse eines
FET 58, dessen Gate an seinen Drain angeschlossen ist und
der in einem PNP-Stromspiegelpaar an einen FET 59 angeschlossen
ist, dessen Gate an das Gate des FET 58 angeschlossen ist,
dessen Source an Masse angeschlossen ist und dessen Drain an den
Niederspannungsversorgungsanschluss 31 durch eine konstante
Stromquelle 60 angeschlossen ist. Die Verbindung zwischen
der Stromquelle 60 und dem Drain des FET 59 ist
an die Verbindung 48 durch eine Diode 61 angeschlossen,
die Strom führt,
wenn die Spannung des Drain des FET 59 höher als
die Spannung der Verbindung 48 ist.
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Die
Rückkopplungsschleife 53 umfasst
einen NPN-Transistor 62, dessen Basis die Spannung VO empfängt,
dessen Emitter durch einen Widerstand 63 an Masse angeschlossen
ist und dessen Kollektor durch den Drain-Source-Pfad eines FET 64 an
den Niederspannungsversorgungsanschluss 31 angeschlossen
ist, dessen Gate an seinen Drain angeschlossen ist, dessen Source
an den Niederspannungsversorgungsanschluss 31 angeschlossen
ist und der in einem Stromspiegelpaar an einen FET 65 angeschlossen
ist. Die Source des FET 65 ist an den Niederspannungsversorgungsanschluss 31 angeschlossen
und das Gate des FET 65 ist an das Gate des FET 64 angeschlossen,
wobei der Drain des FET 65 durch eine konstante Stromquelle 66 an Masse
angeschlossen ist. Der Drain des FET 65 ist an die Verbindung 48 durch
eine Diode 67 angeschlossen, die leitet, wenn die Spannung
des Drain des FET 65 niedriger als die Spannung der Verbindung 48 ist.
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Wenn
eine Flanke des an den Anschluss 14 angelegten Rechteckeingangssignals
TX den geformten Strom IS veranlasst, in
Richtung auf das Gate des FET 49 und des Kondensators 51 zu
fließen,
um so darauf abzuzielen, den Kondensator 51 zu entladen,
wird die Spannung VO verringert, bis sie
einen Wert erreicht, der im Wesentlichen gleich der Basisemitterspannung
des Transistors 62 ist. Um die Spannung VO trotz
irgendwelcher Interferenzstörungen
bei diesem Wert zu halten, hält
die Schaltung einen kleinen Wert des geformten Strom IS aufrecht,
der in Richtung auf das Gate des FET 49 fließt. Der
in dem Widerstand 63 fließende Strom ist proportional
zu der Spannung VO und dieser Strom fließt auch
in dem FET 64 und wird in dem FET 65 als ein Strom
ILC neu hergestellt. Sobald ILC kleiner
als der Strom IREF1 wird, der in der konstanten
Stromquelle 66 fließt,
wird die Diode 67 leitend und leitet überschüssige Mengen des geformten
Stroms IS von dem Kondensator 51 ab.
Unter dieser Bedingung hält
die Rückkopplungsschleife 53 den
FET 49 vorgespannt, um einen Drain-Source-Strom im Wesentlichen
gleich dem aufrecht zu erhalten, der durch die Stromquelle 50 erzeugt wird,
und der in dem Kondensator 51 fließende Ladestrom wird im Wesentlichen
auf Null verringert.
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Bei
einer Flanke des Rechteckeingangssignals TX, solcher Art, dass die
Spannung VO beginnt anzusteigen, fließt der geformte
Strom IS von dem Gate des FET 49 und
dem Kondensator 51 weg. Die Spannung VO steigt
in Richtung auf VSUP an, um die Spannung
VO während
der stationären
Zustände
des Rechteckeingangssignals TX bei einem hohen Wert zu halten, die
Schaltung behält
einen kleinen Strom IS, der von dem Gate
des FET 49 während
des stationären
Zustandes des Signals TX wegfließt. Wenn die Differenz zwischen der
Spannung VO und der Hochspannungsversorgung
VSUP die Basisemitterspannung des Transistors 56 erreicht,
verringert sich der Strom, der in dem Widerstand 57 und
dem FET 58 fließt,
und der Strom IHC, der in dem FET 59 fließt, in Richtung
auf Null. Sobald IHC kleiner als der Strom
IREF2 wird, der in der Stromquelle 60 fließt, wird
die Diode 61 leitend und überschüssige Mengen des geformten
Stroms IS werden durch die Stromquelle 60 von
der Verbindung 48 abgeleitet, um so den FET 49 noch
in einem linearen Betrieb zu halten, ohne zu sättigen, und wieder ist der
in dem Kondensator 51 fließende Ladestrom im Wesentlichen
gleich Null.
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Es
wird nun auf
5 Bezug genommen, während sich
die Größe der Spannung
V
O zwischen zwei Grenzwerten befindet und
der Rückkopplungsstrom
I
S kleiner als ein Maximalwert I
MAX ist, variiert der geformte Strom I
S während
einer ersten Phase
40, die bei der ansteigenden Flanke
des Datensignals bei dem Anschluss
19 beginnt, wie folgt:
wo V die Spannung an dem
Kondensator
51 ist. Dementsprechend nimmt die Spannung
V
O während
dieser ersten Phase als eine exponentielle Funktion der Zeit ab,
wobei ihre Abnahmerate stufenweise ansteigt.
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Während einer
zweiten Phase
41 variiert der geformte Strom I
S wie
folgt:
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Dementsprechend
nimmt die Spannung VO während der zweiten Phase 41 linear
mit der Zeit ab.
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Während einer
dritten Phase 42 fährt
die Spannung VO fort, als eine exponentielle
Funktion der Zeit abzunehmen, wobei jedoch ihre Änderungsrate stufenweise abnimmt.
Die Spannung VO bleibt nachfolgend während einer
vierten Phase 43 konstant. Es ist klar, dass während der
drei Phasen 40 bis 42 der geformte Strom IS und der Ladestrom IC über kontinuierliche
Größen verfügen, die
progressive Funktionen der VO sind, so dass
die Änderungsrate
der VO nie Maximalwerte überschreitet, was bei schrittweisen,
diskontinuierlichen Änderungen
im Ladestrom der Fall wäre.
Die nachfolgenden Phasen 44, 45 und 46 spiegeln
die Phasen 42, 41 und 40, wobei der Strom
umgekehrt ist, so dass der Kondensator in Reaktion auf die abfallende
Flanke des Datensignals TX bei dem Anschluss 14 stufenweise
auf die VSUP aufgeladen wird.
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Der
Ladestrom ist proportional zu der Rückkopplungsspannung VE von der Auswahlschaltung 23 geteilt
durch den Wert des Widerstandes R, bis der Strom den durch den Generator 34 und
den FET 33 definierten Maximalwert IMAX erreicht.
Dieser Halbzyklus einer Variation der Ausgangsspannung entspricht
einer engen Annäherung
an einen reinen sinusförmigen
Halbzyklus, so dass elektromagnetische Emissionen auf dem LIN-Bus 1 auf
eine einzige Basisfrequenz mit geringem Beitrag von Oberwellen dieser
Basisfrequenz begrenzt werden. Die Basisfrequenz ist eine relativ
niedrige Frequenz, die leicht so ausgewählt werden kann, dass sie mit
akzeptablen Standards kompatibel ist.
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In
den stationären
Zuständen
des Rechteckeingangssignals TX, wenn die Größe der Spannung V
O einen
niedrigeren Grenzwert als in der Phase
43 von
5 erreicht,
wird der geformte Strom I
S durch den FET
65 und
die Stromquelle
66 abgeleitet, so dass der Lade-/Entladestrom
I
C in dem Kondensator
51 beträgt, wobei k
1 durch
den Widerstand des Widerstandes
63 definiert ist.
-
Wenn
die Größe der Spannung
V
O einen oberen Grenzwert erreicht, ist
der Lade-/Entladestrom I
C in dem Kondensator
51:
wobei k
2 durch
den Widerstand des Widerstandes
57 definiert ist.
-
6 zeigt
eine bevorzugte Ausführungsform
der Folgestufe 21 ausführlicher.
Aufgrund der niedrigen Impedanz des Integrators 19', wird in dieser
bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung ein einzelner NPN-Transistor 68 verwendet,
dessen Basis geschaltet ist, um die Spannung VO von
der Stromquelle 50 und dem FET 49 zu empfangen,
dessen Kollektor an den Hochspannungsversorgungsanschluss 2 angeschlossen ist
und dessen Emitter an die Basis des Ausgangsleistungstransistors 12 angeschlossen
ist. Eine Rückkopplungsschleife
wird durch Bilden eines zweiten Kollektors 69 auf dem Transistor 12 zur
Verfügung
gestellt und ein Widerstand 70 ist zwischen den zweiten
Kollektor 69 und die Masse geschaltet. Die Verbindung zwischen dem
Kollektor 69 und dem Widerstand 70 ist an die
Source eines NPN-FET 71 angeschlossen, dessen Drain durch
eine konstante Stromquelle 72 an die Niederspannungsversorgung
angeschlossen ist, die gemeinsame Basis der FETs 71 und 73 ist
an den Drain des FET 71 angeschlossen, die Source des FET 73 ist
an Masse angeschlossen und der Drain des FET 73 ist an
die Basis des Transistors 12 angeschlossen. Der NPN-Nachfolgertransistor 68 ist
nur in der Lage, Strom in dieser Konfiguration zu liefern, und die
Stromspiegelanordnung mit den FETs 71 und 73 ist
eingerichtet, um den Basisstrom des Leistungstransistors 12 herunter
zu ziehen. Die Schaltung ist eingerich tet um über schnelle Reaktionen zu
verfügen,
da die parasitische Störstromeingabe bei
Frequenzen stattfinden kann, die zum Beispiel von 1 bis 100 MHz
reichen kann. Im Besonderen ist die Schaltungsanordnung eingerichtet,
um die LIN-Ausgabenspannung
unter dem Schwellenwert des LIN-Empfängers zu halten, wenn VO niedrig ist, sogar wenn zum Beispiel ein
Störstrom
von einigen hundert Milliampere in diesem Frequenzbereich kontrolliert
wird.