DE60201599T2 - Mehrschichtspiegel für Strahlung im XUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Mehrschichtspiegel für Strahlung im XUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE60201599T2
DE60201599T2 DE60201599T DE60201599T DE60201599T2 DE 60201599 T2 DE60201599 T2 DE 60201599T2 DE 60201599 T DE60201599 T DE 60201599T DE 60201599 T DE60201599 T DE 60201599T DE 60201599 T2 DE60201599 T2 DE 60201599T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
lithium
layers
multilayer mirror
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60201599T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60201599D1 (de
Inventor
Frederik Bijkerk
Eric Louis
Josef Marcus KESSELS
Jan Verhoeven
Johannes Markus DEN HARTOG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE UTRECHT
STICHTING FUND OND MATERIAL
Stichting voor Fundamenteel Onderzoek der Materie
Original Assignee
STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE UTRECHT
STICHTING FUND OND MATERIAL
Stichting voor Fundamenteel Onderzoek der Materie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE UTRECHT, STICHTING FUND OND MATERIAL, Stichting voor Fundamenteel Onderzoek der Materie filed Critical STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE UTRECHT
Application granted granted Critical
Publication of DE60201599D1 publication Critical patent/DE60201599D1/de
Publication of DE60201599T2 publication Critical patent/DE60201599T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062Devices having a multilayer structure
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067Construction details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf einen Mehrschichtspiegel für Strahlung mit einer Wellenlänge im Wellenlängenbereich zwischen 0.1 nm und 30 nm (dem sogenannten XUV-Bereich), der einen Stapel von Dünnfilmen umfasst, die im Wesentlichen streuende Teilchen enthalten, die die Strahlung streuen, und diese Dünnfilme werden durch Trennschichten mit einer Dicke in der Größenordung der Wellenlänge der Strahlung getrennt, und diese Trennschichten enthalten im Wesentlichen nichtstreuende Teilchen, die die Strahlung nicht streuen, und die streuenden Teilchen werden aus den Übergangselementen Kobalt (Co), Nickel (Ni), Wolfram (W), Rhenium (Re) und Iridium (Ir) gewählt, und die nichtstreuenden Teilchen sind im Wesentlichen Teilchen von Lithium (Li).
  • Ein solcher Spiegel ist aus EP-A-1 091 360 bekannt.
  • Mehrschichtspiegel für Strahlung mit einer Wellenlänge im XUV-Bereich werden als optische Elemente in Anordnungen in Laboratorien und Produktionsmitteln angewendet, zum Beispiel für Lithographie im Wellenlängenbereich zwischen etwa 10 nm und 15 nm (dem sogenannten extremen UV-Bereich (EUV)), für Röntgenfluoreszenz-Analyse von Elementen mit einer niedrigen Ordnungszahl Z, oder zwecks Röntgenmikroskopie von biologischen Präparaten.
  • Aus einer Veröffentlichung von M. Cilia und J. Verhoeven in J. Appl. Phys. 82 (9), 1. November 1997, ist ein Mehrschichtspiegel bekannt, der aus Dünnfilmen von Nickel (Ni), die durch Trennschichten von Silizium (Si) getrennt werden, aufgebaut ist. Dieser Ni/Si-Mehrschichtspiegel ist speziell für ein Röntgenmikroskop im Wellenlängenbereich für Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 2,4 nm und 4,4 nm, dem sogenannten Wasserfenster, entworfen worden. Für Strahlung mit einer Wellenlänge in diesem Bereich ist der Absorptionskoeffizient von Wasser eine Größenordnung kleiner als der Absorptionskoeffizient von Kohlenstoff, so dass kohlenstoffhaltige Teile in biologischen Präparaten mit Hilfe von hohem Kontrast wahrgenommen werden können. Die Intensität der verfügbaren Strahlung wird wesentlich durch das Reflexionsvermögen des Mehrschichtspiegels bestimmt.
  • JP-A-02 042 399 beschreibt einen mehrschichtigen reflektierenden Film für ein optisches Element, der einen großen Reflektionsfaktor im Wellenlängenbereich von weichen Röntgenstrahlen hat. In diesem mehrschichtigen Film wird Nickel als Schicht mit niedrigem Brechungsindex und entweder Lithium oder Lithiumhydrid oder Lithiumoxid als Schicht mit hohem Brechungsindex angewendet.
  • Es sind auch Mehrschichtspiegel mit Dünnfilmen von Wolfram (W), die ebenfalls durch Trennschichten von Si getrennt werden, bekannt.
  • Es ist ein Ziel der Erfindung, einen Mehrschichtspiegel zur Verfügung zu stellen, der ein wesentlich höheres Reflexionsvermögen für Strahlung im XUV-Bereich hat als die bekannten Mehrschichtspiegel.
  • Dieses Ziel wird mit einem Mehrschichtspiegel des in der Präambel beschriebenen Typs erreicht, wobei gemäß der Erfindung die Lithiumteilchen passiviert sind und in Form eines Lithiumhalogenids zur Verfügung gestellt werden.
  • Die Wahl von Lithium als nichtstreuende Teilchen in den Trennschicht beruht auf der Erkenntnis, dass das Reflexionsvermögen des Mehrschichtspiegels nicht nur durch Erhöhen des Reflexionsvermögens der Dünnfilme erhöht wird, zum Beispiel durch die Wahl anderer streuender Teilchen in ihnen, oder durch Glätten ihrer Oberfläche, sondern auch durch Reduzieren der Absorptionskapazität der Trennschichten. Im Fachgebiet wird Si bevorzugt, da die Herstellung von Dünnschichten aus diesem Material ein aus der Halbleitertechnologie bekanntes und erprobtes Verfahren ist, während dieses Material verhältnismäßig günstige röntgenoptische Eigenschaften hat. Mit der Wahl von Lithium wird von dieser allgemeinen Auffassung abgewichen.
  • In einem Mehrschichtspiegel, in dem gemäß der Erfindung die Lithiumteilchen passiviert sind, d. h. chemisch inaktiv gemacht worden sind, ist die chemische Reaktivität in Bezug auf das Eingehen von Verbindungen mit anderen Elementen in dem Mehrschichtspiegel stark verringert.
  • Verglichen mit einem Mehrschichtspiegel mit Trennschichten aus reinem Lithium, hat ein Mehrschichtspiegel mit Trennschichten aus passiviertem Lithium den Vorteil, dass er nach einem einfacheren Verfahren hergestellt werden kann.
  • In einer Ausführung werden die Lithiumteilchen vorzugsweise in der Form von Lithiumfluorid (LiF) zur Verfügung gestellt.
  • LiF eignet sich besonders zur Anwendung in einem Mehrschichtspiegel in einem Röntgenmikroskop für biologische Präparate, die reich an Sauerstoff- und Kohlenstoffatomen sind, gerade weil LiF für Strahlung mit Wellenlängen, die von diesen Atomen absorbiert wird, eine gute Transmission hat, so dass es möglich ist, von diesen Präparaten sehr kontrastreiche Aufnahmen zu machen.
  • In einer Ausführung sind die Dünnfilme aus Wolfram und Rhenium zusammengestellt, vorzugsweise in einem Atomverhältnis von etwa 70% Wolfram und etwa 30% Rhenium.
  • Es wurde festgestellt, dass Dünnfilme aus W/Re in einem Atomverhältnis von 70/30 eine besonders glatte Oberfläche haben, was in einem besonders hohen Reflexionsvermögen zum Ausdruck kommt.
  • In einer Ausführung des Mehrschichtspiegels gemäß der Erfindung umfasst der Stapel zumindest 50 durch Trennschichten getrennte Dünnfilmschichten.
  • Der Stapel umfasst vorzugsweise etwa 100 durch Trennschichten getrennte Dünnfilmschichten, noch mehr zu bevorzugen ist es, dass der Stapel etwa 250 durch Trennschichten getrennte Dünnfilmschichten umfasst, am meisten zu bevorzugen ist es, dass der Stapel etwa 500 durch Trennschichten getrennte Dünnfilmschichten umfasst.
  • Der Vorzug der höchstmöglichen Anzahl von durch Trennschichten getrennte Dünnfilmschichten erklärt sich aus der Tatsache, dass die Bandbreite eines Mehrschichtspiegels gemäß der Erfindung, definiert als Δλ/λ, abnimmt, wenn die Anzahl der Dünnfilmschichten zunimmt. Eine niedrigere Bandbreite hat eine höhere Wellenlängenselektivität des Mehrschichtspiegels zur Folge. (In dem Quotient Δλ/λ stellt λ die Wellenlänge der reflektierten Strahlung und Δλ die Breite der Reflektionskurve bei einer Intensität gleich der halben Intensität am Maximum der Kurve dar.)
  • Es wurde festgestellt, dass ein Mehrschichtenspiegel mit etwa 250 solcher Schichten etwa 23% von in einem Winkel von 90° einfallender Strahlung mit einer Wellenlänge von 3,16 nm reflektiert, während ein Mehrschichtspiegel mit etwa 500 Schichten etwa 26% dieser Strahlung reflektiert.
  • Die Erfindung bezieht sich weiter auf ein Verfahren zur Herstellung eines oben beschriebenen Mehrschichtspiegels, wobei die nichtstreuenden Teilchen im Wesentlichen in Form eines Lithiumhalogenids zur Verfügung gestellte Lithiumteilchen sind.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung umfasst die Schritte: (i) das in einer Ultrahochvakuum(UHV)-Beschichtungskammer zur Verfügung stellen eines Substratmaterials, des Materials für die Dünnfilme und des Lithiums, und (ii) das abwechselnd auf dem Substrat Auftragen des Materials für die Dünnfilme und der Trennschichten, wobei das Auftragen der Dünnfilme jeweils mit Hilfe eines Elektronenstrahls geschieht, und wobei das Auftragen der Trennschichten jeweils (iii) das Auftragen von Lithium mit Hilfe eines Elektronenstrahls und (iv) das in die UHV-Beschichtungskammer Einlassen in gasförmigem Zustand eines Halogens oder eines halogenhaltigen Materials umfasst.
  • Gemäß einer Ausführung eines Verfahrens gemäß der Erfindung geschieht das Einlassen in gasförmigem Zustand eines Halogens oder eines halogenhaltigen Materials in Schritt (iv) bei gleichzeitiger Ionisierung und Beschleunigung in Richtung des Substrats der eingelassenen Materialteilchen.
  • Die Erfindung wird im Nachfolgenden auf Basis von Ausführungsbeispielen und mit Bezug auf die Zeichnungen erklärt.
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Anordnung für Röntgenfluoreszenz-Analyse, zu der ein Mehrschichtspiegel gemäß der Erfindung gehört,
  • 2 die Absorptionskoeffizienten von Wasser und Kohlenstoff als eine Funktion der Wellenlänge im Wellenlängenbereich 1 nm bis etwa 10 nm,
  • 3 im Querschnitt die schematische Ansicht einer Ausführung eines Mehrschichtspiegels gemäß der Erfindung, und
  • 4 das Reflexionsvermögen von einer Anzahl Mehrschichtspiegel nach dem bekannten Stand der Technik und von einem Mehrschichtspiegel gemäß der Erfindung als eine Funktion der Wellenlänge im Wellenlängenbereich zwischen 3,12 nm und 3,20 nm.
  • In den Zeichnungen werden übereinstimmende Teile mit denselben Verweiszahlen angedeutet.
  • 1 zeigt das Diagramm einer Anordnung 1 für Röntgenfluoreszenz, die aus einer Röntgenquelle 2, einer zu untersuchenden Probe 3, einem Mehrschichtspiegel 4 gemäß der Erfindung und einem Detektor 5 zusammengesetzt ist. Das Arbeitsprinzip der Anordnung 1 ist folgendermaßen: Röntgenquelle 2 erzeugt ein Bündel Photonen (dargestellt durch Pfeil 6) mit einer bestimmten Röntgenfrequenz, die Fluoreszenzstrahlungsübergänge in Probe 3 verursachen, die Emission von zu erfassender element-spezifischer Strahlung (dargestellt durch Pfeile 7) mit einer Wellenlänge im XUV-Bereich zur Folge haben. Ein Teil der emittierten Strahlung trifft den Mehrschichtspiegel 4, der als Monochromator wirkt und einen Teil mit einer bestimmten Wellenlänge zum Detektor 5 reflektiert. Die Monochromatorwirkung von Mehrschichtspiegel 4 wird bei der Beschreibung des Letzteren, unter 3, näher erklärt.
  • 2 zeigt den Absorptionskoeffizient β von Wasser (Kurve i) und Kohlenstoff (Kurve ii) als eine Funktion der Wellenlänge (λ) im Wellenlängenbereich von 0 nm bis etwa 10 nm. Die Kurven zeigen die plötzlichen Absorptionsübergänge für die K-Schale von Sauerstoff (bei einer Photonenergie von 543 eV, entsprechend einer Wellenlänge λ = 2,3 nm) und Kohlenstoff (bei einer Photonenergie von 248 eV, entsprechend einer Wellenlänge λ = 4,4 nm). Der Kurvenverlauf verdeutlicht, dass die Absorption von Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen λ = 2,4 nm und λ = 4,4 nm durch Kohlenstoff viele Male größer als die Absorption durch Wasser ist, was einen hohen Kontrast in der Wahrnehmung von kohlenstoffhaltigen Bestandteilen in einem wässrigen Milieu zur Folge hat. Der Wellenlängenbereich zwischen λ = 2,4 nm und λ = 4,4 nm wird darum gewöhnlich das „Wasserfenster" genannt.
  • 3 ist eine schematische Ansicht im Querschnitt eines Mehrschichtspiegels 4, der aus einer großen Anzahl (250–500) Schichten von abwechselnd Dünnfilmen 9 von Wolfram und Trennschichten 10 von Lithiumfluorid besteht, die auf einem Substrat 11 aus einem geeigneten Material, zum Beispiel Silizium-Wafers oder Glas, aufeinandergestapelt worden sind. Die Dünnfilme 9 haben die gleiche Dicke, ebenso wie die Trennschichten 10, wobei die Summe der Dicken eines Dünnfilms 9 und einer Trennschicht 10 den Gitterabstand d bestimmt. In einem Mehrschichtspiegel gemäß der Erfindung hat der Gitterabstand d einen Wert zwischen 0,05 nm und 15 nm. Ein einfallendes Strahlenbündel wird symbolisch durch einen wellenförmigen Pfeil λi dargestellt, die von den Dünnfilmen reflektierten, austretenden Strahlenbündel werden symbolisch durch die wellenförmigen Pfeile λ0 dargestellt. Der Reflektionswinkel θ für eine bestimmte Wellenlänge λ wird mit der Braggschen Bedingung wie folgt bestimmt: nλ = 2dsinθ(1 – cos2θc/sin2θ)wobei n eine ganze Zahl (n = 1, 2, 3, ...) und θc der kritische Winkel ist. Durch das Einstellen des Mehrschichtspiegels 4 in einem bestimmten Winkel θ in Bezug auf das einfallende Strahlungsbündel λ wirkt dieser Spiegel 4 so als Monochromator. Festgestellt wurde, dass die Bandbreite eines als Monochromator wirkenden Röntgenspiegels 4 gemäß der Erfindung, ausgedrückt als eine Fraktion der Wellenlänge, kleiner als etwa 1% (Δλ/λ ≤ 0,01) und abhängig von der gesamten Anzahl Schichten ist. Deutlichkeitshalber werden nur wenige der gesamten Anzahl Dünnfilme 9 und Trennschichten 10 abgebildet. Festgestellt wurde, dass das Reflexionsvermögen des Mehrschichtspiegels bei einer gesamten Anzahl von 250 beziehungsweise 500 Dünnfilmen von Wolfram bei einem Einfallswinkel von 90° etwa 23% beziehungsweise 26% beträgt.
  • 4 zeigt das Reflexionsvermögen R (ausgedrückt in %) von einer Anzahl Mehrschichtspiegel als eine Funktion der Wellenlänge λ im Wellenlängenbereich zwischen 3,12 nm und 3,20 nm, im Vergleich zum Reflexionsvermögen eines Mehrschichtspiegels nach dem bekannten Stand der Technik. Die Kurven i und iii zeigen das Reflexionsvermögen eines Ni/Si- und eines Ni/Li-Mehrschichtspiegels nach dem bekannten Stand der Technik mit 300 und 500 Schichten. Kurve ii zeigt das Reflexionsvermögen eines Ni/LiF-Spiegels gemäß der Erfindung mit 200 Schichten. Die Figur zeigt, wie für Strahlung mit einer Wellenlänge λ = 3,16 nm das Reflexionsvermögen von etwa 9% in einem Mehrschichtspiegel nach dem bekannten Stand der Technik mit 300 Schichten (Kurve i) bis etwa 14% in einem Mehrschichtspiegel gemäß der Erfindung mit 200 Schichten (Kurve ii) steigt.

Claims (10)

  1. Mehrschichtspiegel (4) für Strahlung mit einer Wellenlänge im Wellenlängenbereich zwischen 0,1 nm und 30 nm, der einen Stapel von Dünnfilmen (9) umfasst, die im Wesentlichen streuende Teilchen enthalten, die die Strahlung streuen, und diese Dünnfilme (9) werden durch Trennschichten (10) mit einer Dicke in der Größenordung der Wellenlänge der Strahlung getrennt, und diese Trennschichten (10) enthalten im Wesentlichen nichtstreuende Teilchen, die die Strahlung nicht streuen, und die streuenden Teilchen werden aus den Übergangselementen Kobalt (Co), Nickel (Ni), Wolfram (W), Rhenium (Re) und Iridium (Ir) gewählt, und die nichtstreuenden Teilchen sind im Wesentlichen passivierte Teilchen von Lithium (Li), dadurch gekennzeichnet, dass die Lithiumteilchen in Form eines Lithiumhalogenids zur Verfügung gestellt werden.
  2. Mehrschichtspiegel (4) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Lithiumhalogenid Lithiumfluorid ist.
  3. Mehrschichtspiegel (4) nach einem der Ansprüche 1–2, dadurch gekennzeichnet, dass die streuenden Teilchen Wolfram und Rhenium sind.
  4. Mehrschichtspiegel (4) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Wolfram und das Rhenium im Atomverhältnis von etwa 70% Wolfram und etwa 30% Rhenium zur Verfügung gestellt werden.
  5. Mehrschichtspiegel (4) nach einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel zumindest 50 durch Trennschichten (10) getrennte Dünnfilmschichten (9) umfasst.
  6. Mehrschichtspiegel (4) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel zumindest 100 durch Trennschichten (10) getrennte Dünnfilmschichten (9) umfasst.
  7. Mehrschichtspiegel (4) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel zumindest 250 durch Trennschichten (10) getrennte Dünnfilmschichten (9) umfasst.
  8. Mehrschichtspiegel (4) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel zumindest 500 durch Trennschichten (10) getrennte Dünnfilmschichten (9) umfasst.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtspiegels (4) für Strahlung mit einer Wellenlänge im Wellenlängenbereich zwischen 0,1 nm und 30 nm, und dieser Mehrschichtspiegel (4) umfasst einen Stapel von Dünnfilmen (9), die im Wesentlichen streuende Teilchen enthalten, die die Strahlung streuen, und diese Dünnfilme (9) werden durch Trennschichten (10) mit einer Dicke in der Größenordung der Wellenlänge der Strahlung getrennt, und diese Trennschichten (10) enthalten im Wesentlichen nichtstreuende Teilchen, die die Strahlung nicht streuen, wobei die nichtstreuenden Teilchen im Wesentlichen passivierte Lithium(Li)-Teilchen sind, die in Form eines Lithiumhalogenids zur Verfügung gestellt werden, und dieses Verfahren umfasst die Schritte: (i) das in einer Ultrahochvakuum(UHV)-Beschichtungskammer zur Verfügung stellen eines Substratmaterials (11), des Materials für die Dünnfilme und des Lithiums, und (ii) das abwechselnd auf dem Substrat (11) Auftragen des Materials für die Dünnfilme (9) und der Trennschichten (10), wobei das Auftragen der Dünnfilme jeweils mit Hilfe eines Elektronenstrahls geschieht, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftragen der Trennschichten (10) jeweils (iii) das Auftragen von Lithium mit Hilfe eines Elektronenstrahls und (iv) das in die UHV-Beschichtungskammer Einlassen in gasförmigem Zustand eines Halogens oder eines halogenhaltigen Materials umfasst.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Einlassen in gasförmigem Zustand eines Halogens oder eines halogenhaltigen Materials in Schritt (iv) bei gleichzeitiger Ionisierung und Beschleunigung in Richtung des Substrats (11) der eingelassenen Materialteilchen geschieht.
DE60201599T 2001-05-23 2002-05-21 Mehrschichtspiegel für Strahlung im XUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zu dessen Herstellung Expired - Lifetime DE60201599T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1018139A NL1018139C2 (nl) 2001-05-23 2001-05-23 Meerlagenspiegel voor straling in het XUV-golflengtegebied en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL1018139 2001-05-23
PCT/NL2002/000320 WO2002095771A1 (en) 2001-05-23 2002-05-21 Multi-layer mirror for radiation in the xuv wavelenght range and method for manufacture thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60201599D1 DE60201599D1 (de) 2004-11-18
DE60201599T2 true DE60201599T2 (de) 2005-11-10

Family

ID=19773442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60201599T Expired - Lifetime DE60201599T2 (de) 2001-05-23 2002-05-21 Mehrschichtspiegel für Strahlung im XUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040233519A1 (de)
EP (1) EP1390957B1 (de)
AT (1) ATE279775T1 (de)
DE (1) DE60201599T2 (de)
NL (1) NL1018139C2 (de)
WO (1) WO2002095771A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
DE10208705B4 (de) * 2002-02-25 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Monochromatorspiegel für den EUV-Spektralbereich
NL1027836C2 (nl) * 2004-12-21 2006-06-22 Stichting Fund Ond Material Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied.
JP5426810B2 (ja) * 2006-03-22 2014-02-26 知平 坂部 X線発生方法及びx線発生装置
JP2013509693A (ja) * 2009-09-16 2013-03-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、スペクトル純度フィルタの製造方法、およびリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法
DE102009054653A1 (de) * 2009-12-15 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
KR20180034453A (ko) * 2015-06-30 2018-04-04 수프리야 자이스왈 극자외선 및 연질 x선 광학소자용의 코팅

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4675889A (en) * 1985-07-08 1987-06-23 Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. Multiple wavelength X-ray dispersive devices and method of making the devices
JPH0242399A (ja) * 1988-08-02 1990-02-13 Agency Of Ind Science & Technol 軟x線用多層膜反射鏡
US5485499A (en) * 1994-08-05 1996-01-16 Moxtek, Inc. High throughput reflectivity and resolution x-ray dispersive and reflective structures for the 100 eV to 5000 eV energy range and method of making the devices
JP2906118B2 (ja) * 1995-01-19 1999-06-14 理化学研究所 軟x線光学素子用多層膜構造
DE10080898T1 (de) * 1999-03-29 2001-06-28 Nikon Corp Mehrschicht-Antireflexionsfilm, optisches Element und Reduktionsprojektionsbelichtungsapparat

Also Published As

Publication number Publication date
EP1390957B1 (de) 2004-10-13
ATE279775T1 (de) 2004-10-15
NL1018139C2 (nl) 2002-11-26
US20040233519A1 (en) 2004-11-25
EP1390957A1 (de) 2004-02-25
DE60201599D1 (de) 2004-11-18
WO2002095771A1 (en) 2002-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004062289B4 (de) Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich
DE60305044T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von bor bei der röntgenfluoreszenz-spektroskopie
EP1192451B1 (de) Vorrichtung zur röntgenfluoreszenzanalyse
DE69933257T2 (de) Lithographische Vorrichtung
WO2002059905A2 (de) Schmalbandiger spektralfilter und seine verwendung
DE4234471C1 (de) Vorrichtung zur Absorption infraroter Strahlung
WO2017207401A1 (de) Euv-kollektor
DE60222663T2 (de) Zweilagige schutzschicht
WO2004057315A1 (de) Methode zur erzeugung elektromagnetischer feldverteilungen
DE112019002822T5 (de) Wellenlängendispersives röntgenspektrometer
DE60201599T2 (de) Mehrschichtspiegel für Strahlung im XUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4138999A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE10309084A1 (de) Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät
DE112021004828T5 (de) System und verfahren unter verwendung von röntgenstrahlen für tiefenauflösende messtechnik und analyse
DE102018211980A1 (de) Reflektives optisches Element
DE4117839A1 (de) Strahlenleitverfahren und -einrichtung fuer die roentgenstrahl-lithografie
DE4200493C2 (de) Vorrichtung zur Untersuchung der Zusammensetzung dünner Schichten
DE3104468A1 (de) Roentgenfluoreszenzspektrometer
EP1003029B1 (de) Röntgenanalysegerät mit röntgenoptischem Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19926056B4 (de) Einrichtung zur Analyse atomarer und/oder molekularer Elemente mittels wellenlängendispersiver, röntgenspektrometrischer Einrichtungen
EP3405838A1 (de) Reflektives optisches element und optisches system für die euv-lithographie
DE19540195C2 (de) Verfahren der Röntgenfluoreszenzmikroskopie
DE10109242C1 (de) Schmalbandiger Spektralfilter und seine Verwendung
WO2017202579A1 (de) Optisches element und euv-lithographiesystem
DE102017206118A1 (de) Reflektives optisches Element und optisches System

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition