DE602004012958T2 - Verfahren zur Herstellung einer Kammer in einem elektronischen Gerät und dadurch hergestelltes Gerät - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Kammer in einem elektronischen Gerät und dadurch hergestelltes Gerät Download PDF

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Description

  • Hintergrund
  • Zahlreiche Halbleitervorrichtungen umfassen eine gebildete Kammer, die aus einer Vielfalt von Gründen genutzt wird. Zum Beispiel umfassen Tintenstrahlvorrichtungen Kammern, die geschaffen sind, um Tinten zu enthalten, die durch eine Entwicklung einer Blase oder dergleichen getrieben werden. Bei Fluidlichtmaschinevorrichtungen werden Kammern genutzt, die ein Fluid- oder ein gasförmiges Material und verschiedenartige Lichtsteuervorrichtungen enthalten. Die Nachfrage nach derartigen Vorrichtungen vorausgesetzt, gibt es einen Bedarf für zuverlässige Verfahren in einem großen Umfang zur Herstellung derartiger Vorrichtungen. Es ist erwünscht, dass Verfahren zur Herstellung Probleme ansprechen, die in früheren Prozessen inhärent gewesen sind. Beispiele für derartige Probleme umfassen ein Steuern einer Materialausrichtung, eines Materialbruchs, eines Grenzleckens und eines Bruches, der durch eine mechanische Belastung bewirkt wird, die während Zusammenbauprozessen hervorgerufen wird, wie z. B. eine Fügungs- und Schnittstellenbondingstabilität.
  • Ferner nutzen einige mikroelektromechanische Vorrichtungen (MEMS-Vorrichtungen; MEMS = microelectromechanical) ein Fluidmaterial, das in einem definierten Hohlraum enthalten ist, um eine Funktion der MEMS-Vorrichtung zu erleichtern. Vorrichtungszusammenbauprozesse umfassen einen Fluidfüllungsschritt oder -prozess. Der Fluidfüllungsprozess kann dahingehend komplex sein, dass eine optimale Abdichtung des Hohlraums ohne Lecke, Blasen und dergleichen stattfinden muss. Somit wäre es wünschenswert, einen Prozess und eine resultierte elektronische Vorrichtung zu schaffen, in denen ein Fluid- oder ein fluidisierbares Material während des Zusammenbauprozesses in einer Weise eingeführt werden kann, die ein Lecken, Blasen, Leerräume und dergleichen reduziert.
  • WO0218756 befasst sich mit einer mikro-fluidischen Betätigungsvorrichtung. Diese Betätigungsvorrichtung umfasst einen geschlossenen Hohlraum mit einer Wand, der einen flexiblen Mechanismus repräsentiert, und einen Erwärmungsmechanismus zur Verdampfung eines Ausdehnungsmechanismus, der in dem geschlossenen Hohlraum angeordnet ist. Ein Temperatursensor ist benachbart zu der Betätigungsvorrichtung integriert, um die Temperatur des integrierten mikrofluidischen Erwärmungsmechanismus und somit den Ausdehnungsmechanismus zu überwachen. Um den flexiblen Mechanismus zu betätigen, wird ein verdampfbares Fluid als der Ausdehnungsmechanismus verwendet und erwärmt und mittels des integrierten Erwärmungsmechanismus in Dampf umgewandelt, um die Antriebskraft bzw. pneumatische Betätigung zu liefern. Als ein Vorteil der pneumatischen Betätigung ist beschrieben, dass große Ablenkungen für den flexiblen Mechanismus erreicht werden können. Es wird beschrieben, dass während eines Betriebs der Betätigungsvorrichtung der Ausdehnungsmechanismus auf eine Aktivierung oder Deaktivierung eines Erwärmungsmechanismus hin eine Verdampfung und Verdunstung erfährt, wodurch ein Ausdehnen und ein Zusammenziehen des flexiblen Mechanismus bewirkt werden. Ferner ist beschrieben, dass ein Polymerhydrogel (oder Kohlenwasserstoff) genutzt werden kann, um eine physikalisch stützende Struktur zu liefern, die der Anwendung des flexiblen Mechanismus standhält, sowie ein Bereitstellen der wässrigen Komponente, die für eine Betätigung erforderlich ist. Als spezielle Beispiele gibt das Dokument WO0218756 Hydroxyethylmethacrylat (HEMA) und Polyvinylpyrrolidin (PVP) an. Insbesondere beschreibt das Dokument WO0218756 drei Alternativen zum Fertigen des Hohlraums durch ein Ausnutzen der oben erwähnten Eigenschaften des Hydrogels. Gemäß der ersten Alternative wird das Hydrogel gleichmäßig auf den gesamten Wafer aufgeschleudert, wobei eine photographische Maske über dem Wafer platziert wird, gefolgt von einer Aussetzung gegenüber UV-Licht. Nachdem eine Vernetzungsreaktion abgeschlossen ist, wird überschüssiges Hydrogel von der Oberfläche abgewaschen, wodurch das Hydrogel in die erwünschte Stelle verteilt wird. Gemäß der zweiten Alternative werden um den Polysiliziumerwärmungsmechanismus 12 in einer Höhe von 2 μm bis 50 μm Wannenringe erzeugt, wobei diese Wannen die Fähigkeit haben, flüssiges Hydrogel in einer hochgesteuerten Weise zurückzuhalten. Wie es ferner beschrieben ist, kann, sobald sich das Hydrogel verfestigt, der flexible Mechanismus auf demselben aufgebracht werden. Gemäß dem dritten alternativen Verfahren wird ein vorverfestigtes Hydrogel in die erwünschte Größe und Form geschnitten und unter Verwendung von Mikromanipulatoren in dem erwünschten Bereich platziert.
  • EP 1359455 A2 beschreibt eine Mikrospiegelvorrichtung, die ein bewegbares und reflektierendes Element aufweist, das in einem Hohlraum angeordnet ist, der zwischen einer Platte und einer Oberfläche eines Substrats definiert ist. In dem Hohlraum ist eine Flüssigkeit angeordnet, um eine Betätigung des Betätigungselements zu verstärken. Die dielektrische Flüssigkeit ist als transparent, chemisch bei Änderungen der Temperatur stabil und als einen niedrigen Dampfdruck aufweisend beschrieben.
  • WO 2004/009489 A2 beschreibt eine Fertigung von drei Photopolymervorrichtungen, einschließlich eines Bildens von Hohlräumen in einer Schicht und dann eines Füllens der Schicht mit einem Opfermaterial, bevor eine nachfolgende Schicht angebracht wird. Die Opfermaterialien werden dann entfernt.
  • EP 1 228 998 A2 beschreibt eine mikromechanische Vorrichtung, die eine funktionelle Struktur aufweist, die in einem Hohlraum angeordnet ist. Der Hohlraum wird durch die Verwendung eines Substrats gebildet, das eine auf demselben gebildete strukturierte Schicht aufweist. Die strukturierten Abschnitte der Schicht definieren den Hohlraum für die funktionelle Struktur, der Hohlraum wird durch ein Abdecksubstrat geschlossen, das an der strukturierten Schicht angebracht ist, durch die Verwendung einer Bondingschicht, die zwischen denselben angeordnet ist. Löcher in dem Substrat werden verwendet, um eine elektrische Verbindung mit der funktionellen Struktur von außen zu ermöglichen. Die Löcher werden mit einer Füllungsschicht gefüllt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein Prozessflussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines hierin offenbarten Bildungsverfahrens;
  • 2 ist ein detailliertes Prozessflussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines hierin offenbarten Kammerbildungsverfahrens;
  • 3A bis 3D ist eine sequentielle Querschnittsveranschaulichung eines Ausführungsbeispiels einer Integrierte-Schaltung-Vorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel des hierin offenbarten Prozesses vorbereitet wird;
  • 4A und 4B sind optionale Schritte, die nachfolgend nach einem Ausführungsbeispiel des hierin offenbarten Prozesses stattfinden können; und
  • 5 ist eine schematische Ansicht einer Anzeigevorrichtung, die eine elektronische Vorrichtung nutzt, die eine Kammer wie hierin beschrieben aufweist.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Beispielausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden hiernach nun unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen ausführlicher beschrieben, in denen die verschiedenartigen Ausführungsbeispiele gezeigt sind. Die Erfindung kann jedoch in unterschiedlichen Formen ausgeführt sein und sollte nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsbeispiele eingeschränkt aufgefasst werden. Vielmehr werden diese Ausführungsbeispiele geliefert, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und Fachleuten den Schutzbereich der Erfindung ausführlich übermittelt. In den Zeichnungen sind die Dicken von Schichten und Regionen zur Klarheit übertrieben. Gleiche Zahlen verweisen überall auf gleiche Elemente.
  • Offenbart hierin ist ein Verfahren zum Bilden zumindest einer Kammer in einer elektronischen Vorrichtung, wie z. B. einer Integrierte-Schaltung-Vorrichtung. Integrierte-Schaltung-Vorrichtungen von dem hierin erwogenen Typ umfassen mikroelektromechanische Vorrichtungen, insbesondere optische mikroelektromechanische Vorrichtungen, sind aber nicht beschränkt darauf. Derartige Vorrichtungen können in einer Vielzahl von Systemen und Vorrichtungen eingesetzt werden. Nicht einschränkende Beispiele für derartige Systeme umfassen Anzeigevorrichtungen wie z. B. räumliche Lichtmodulatoren und dergleichen.
  • Bei dem hierin offenbarten Verfahren wird eine geeignete Außenoberfläche auf einem verfestigten Kernmaterial vorbereitet, das in einer übereinstimmenden Beziehung mit einer geometrischen Vertiefung ist, die in einem Substrat gebildet ist. Sobald die Außenoberfläche des Kernmaterials geeignet vorbereitet ist, wird eine Materialschicht in einer überlagerten Beziehung mit der Außenoberfläche des Kernmaterials und dem Substrat zumindest in der Region, die die geometrische Vertiefung umgibt, aufgebracht, so dass die aufgebrachte Materialschicht und das Substrat eine Kammer definieren.
  • Eine Vorbereitung der Außenoberfläche des verfestigten Kernmaterials kann durch irgendein geeignetes Verfahren erfolgen, das zweckmäßige Charakteristiken liefert, wie z. B. eine Planarität. Beispiele für derartige Prozesse umfassen ein Polieren, ein Planieren und dergleichen, sind aber nicht beschränkt darauf. Ein Polieren kann durch geeignete Prozesse erzielt werden, die zweckmäßig auf das verfestigte Kernmaterial wirken. Diese können geeignete Nass- oder Trockenätzprozesse sowie mechanische und/oder chemische Prozesse zum Versehen der Außenoberfläche des verfestigten Kernmaterials mit einer erwünschten Planarität umfassen, müssen aber nicht darauf beschränkt sein.
  • Zumindest eine Materialschicht ist in einer überlagerten Beziehung mit der vorbereiteten Außenoberfläche des verfestigten Kernmaterials und zu dem Substrat aufgebracht, das die geometrische Vertiefung umgibt, in der das verfestigte Kernmaterial positioniert ist. Eine Aufbringung der Materialschicht kann durch irgendein Aufbringungsverfahren erzielt werden, das eine geeignet gleichmäßige Bildung einer Schicht in einer überlagerten Beziehung mit dem Substrat mit einer Innenfläche nahe einer Kammer, die durch die aufgebrachte Schicht definiert wird, zulassen kann, und wobei das Substrat planare und Oberflächencharakteristiken aufweist, die durch die Außenoberfläche des verfestigten Kernmaterials definiert sind.
  • Wie hierin definiert, wird die Bezeichnung „verfestigt" genommen, um ausreichende Charakteristiken eines Feststoffes aufweisend zu bedeuten, um Vorgänge an zumindest einer Oberfläche zu erlauben und eine Aufbringung eines geeigneten Materials auf derselben zu erlauben.
  • Bei Ausführungsbeispielen von hierin offenbarten Verfahren wie in dem Prozessdiagramm in 1 veranschaulicht kann ein geeignetes Kernmaterial in eine geometrische Vertiefung in einem Substrat eingeführt werden, wie bei Bezugszeichen 110, um eine Kammer in einer elektronischen Vorrichtung zu bilden. Wie hierin verwendet, wird der Bezeichnung "Substrat" eine breite Definitionsbedeutung verliehen, um ein jegliches Basisstützmaterial und Baustrukturen zu umfassen, die typischerweise in elektronischen Vorrichtungen, wie z. B. Integrierte-Schaltung-Vorrichtungen, vorgefunden werden. Es wird erwogen, dass das Substrat aus geeigneten Halbleitermaterialien zusammengesetzt und in einer geeigneten Weise ausgebildet sein kann.
  • Die geometrische Vertiefung oder Hohlraum kann irgendeine geeignete Ausbildung haben, die für die endgültige Endverwendung der zugeordneten elektronischen Vorrichtung zweckmäßig ist. Die Vertiefung, die in dem Substrat definiert ist, kann durch irgendeinen geeigneten Fertigungsprozess gebildet sein. Die Prozesse erwägen typischerweise verschiedenartige Nass- oder Trockenätztechniken. Wo es zweckmäßig ist, wird jedoch erwogen, dass die geometrische Vertiefung durch zweckmäßige additive Techniken gebildet sein kann, einschließlich einer chemischen Gasphasenabscheidung und einer physikalischen Gasphasenabscheidung, aber nicht beschränkt darauf. Die Vertiefung kann ausgebildet sein, um geeignete Seitenwände, eine Bodenwand und dergleichen zu umfassen. Somit kann die geometrische Vertiefung oder Hohlraum vermittels nicht einschränkender Beispiele eine sein, wie dieselbe bei einem Erzeugen von verschiedenartigen Ausbildungen wie z. B. Tintenstrahlvorrichtungskammern, Anzeigevorrichtungspixelkammern oder anderen Kammern gebildet werden würde, die typischerweise eine hermetische Abdichtung erfordern, um ein Fluid- oder ein gasförmiges Material zu enthalten. Die geometrische Vertiefung oder Hohlraum kann verschiedenartige Mikrostrukturen oder Mikroelektromechanisches-System-Strukturen (MEMS-System-Strukturen) enthalten, abhängig von Systemanforderungen. Wie hierin verwendet, soll die Bezeichnung „mikroelektromechanisches System" breit als miniaturisierte und teilminiaturisierte Systeme aufgefasst werden, einschließlich von siliziumbasierten mechanischen Vorrichtungen, chemischen und biologischen Betätigungsvorrichtungen und Miniatur-Nicht-Silizium-Strukturen, z. B. Vorrichtungen, die aus Kunststoff oder Keramik gefertigt sind, aber nicht beschränkt darauf. Es wird erwogen, dass derartige Systeme Erfassungs-, Verarbeitungs- und/oder Betätigungsfunktionen aufweisen können. Wie hierin verwendet, wird „Mikrostrukturen" genommen, um Ausbildungen und Architekturen zu bedeuten, die an der zugeordneten Vorrichtung entwickelt sind. Dieselben können Biegevorrichtungen, Pfosten, Gelenke und dergleichen umfassen, sind aber nicht beschränkt darauf.
  • Das eingesetzte Kernmaterial ist ein Bi-Zustand-Material, das in einem anfänglichen Fluidzustand existiert und zu dem Substrat unterschiedlich, aber mit demselben kompatibel ist, und aufgrund eines Verfestigungsprozesses eine Verfestigung erreicht. Der Verfestigungsprozess kann reversibel, teilweise reversibel sein, oder ist reversibel und kann das Ergebnis eines physikalischen oder chemischen Prozesses sein. Beispiele für derartige Prozesse umfassen eine Temperaturänderung, eine Polymerisierung, eine Monomervernetzung, eine Monomer/Polymer-Gel-Vernetzung und dergleichen, sind aber nicht beschränkt darauf. Das Kernmaterial ist ein Material, das sowohl in dem anfänglichen Fluidzustand als auch in dem verfestigten Zustand desselben eine Übereinstimmung mit der Ausbildung der geometrischen Vertiefung und jeglicher in derselben enthaltener Vorrichtungen erlaubt. „Kompatibilität" wird genommen, um sowohl eine thermische als auch eine chemische Kompatibilität mit dem Material zu umfassen, das die Vertiefung definiert, d. h. dem Substrat und dem Material von jeglichen Mikrostrukturen, MEMS-Strukturen und dergleichen, die in demselben enthalten sind.
  • Das Bi-Zustand-Kernmaterial, das eingesetzt und in die geometrische Vertiefung in dem Substrat eingeführt wird, kann ein Material sein, das bei einer ersten Bedingung oder Umgebung in einem verfestigten Zustand und bei einer zweiten Bedingung oder Umgebung in einem hauptsächlich fluidisierten Zustand existiert. Wie hierin verwendet, wird die Bezeichnung „Umgebung" genommen, um zumindest eine Charakteristik oder ein Faktor zu bedeuten, die den Zustand des Kernmaterials beeinflussen. Nicht einschränkende Beispiele von Charakteristiken umfassen eine Temperatur und/oder ein magnetisches Feld. Die Charakteristik oder Faktor kann eine sein, die außerhalb der Kammer stattfindet, in der das Kernmaterial enthalten ist. Wo dies erwünscht oder erforderlich ist, kann der Faktor oder die Charakteristik durch Ereignisse abgeändert oder beeinflusst werden, die in der Kammer oder zugeordneten Vorrichtungselementen ausgelöst werden.
  • Wenn zumindest eine Charakteristik der Umgebung eine Temperatur ist, kann das Kernmaterial eines sein, das bei einer ersten Temperatur in einem verfestigten Zustand und bei einer zweiten Temperatur, die größer als die erste Temperatur ist, in einem hauptsächlich fluidisierten Zustand existiert. Die Fluidisierungstemperatur ist typischerweise eine, die eine Einführung von fluidisiertem Kernmaterial in die geometrische Vertiefung, die in dem Substrat definiert ist, ohne eine Beschädigung oder Verschlechterung des Substratmaterials erlaubt. Alternativ wird erwogen, dass das Bi-Zustand-Kernmaterial ein Material sein kann, das in einem anfänglichen Fluidzustand eingeführt werden kann und nachfolgend wie es einem Fachmann bekannt wäre durch einen geeigneten Prozess verfestigt werden kann, der durch irgendeinen geeigneten chemischen oder physikalischen Prozess hervorgerufen wird, wie z. B. eine Vernetzung.
  • Materialien und Zusammensetzungen, die in dem hierin offenbarten Prozess eingesetzt werden können, umfassen verschiedenartige Wachse und Polymere, die Schmelz- oder Fluidisierungstemperaturen und Verfestigungstemperaturen aufweisen, die für eine Verwendung bei Halbleitermaterialien geeignet sind. Nicht einschränkende Beispiele für dieselben umfassen verschiedenartige Wachse, Naphthalen, Naphthalenderivate, Acrylsäuremonomere, Derivate von Acrylsäuremonomeren, Acrylsäurepolymere, Campher, Campherderivate, Campherische-Säure-Polymere und Polyester. Nützliche Formulierungen umfassen diejenigen, die Polyglutarimide wie z. B. Polymethylglutarimide (PMGI), Polydimethylglutarimide, substituierte Cykloalkene wie z. B. Benzocyklobuten und/oder Acrylsäurederivate wie z. B. Alkylacrylate, für die Polymethylmethacrylat ein Beispiel ist, umfassen.
  • Bei den Fertigungsprozessen und den hierin offenbarten Verfahren stimmt das eingeführte Kernmaterial mit der geometrischen Vertiefung überein. Sobald dasselbe verfestigt ist, liefert das Kernmaterial zumindest eine Außenoberfläche, die genutzt werden kann, um eine Bildung zumindest einer der Wände der Kammer zu stützen, die gebildet werden soll. Die Außenoberfläche des eingeführten Kernmaterials kann vorbereitet sein, um die Wand der erwünschten Kammer zu stützen und zu bilden und der so gebildeten Kammerwandoberfläche geeignete Charakteristiken zu verleihen. Eine Vorbereitung kann für eine Schichtempfangstoleranz erfolgen, wobei erwünschte Charakteristiken wie z. B. eine Planarität und eine Übereinstimmung geliefert werden, wie bei Bezugszeichen 120.
  • Wie hierin verwendet, ist „Planarität" als Oberflächencharakteristiken und eine topographische Abweichung innerhalb von definierten Toleranzen definiert, die für die Schicht, die auf denselben verteilt werden soll, zweckmäßig sind. Wenn eine spezifische Oberflächenglätte oder Schichtdicke erforderlich sind, wird somit erwogen, dass die Außenoberfläche des verfestigten Kernmaterials vorbereitet wird, um eine nach innen zugewandte Schichtoberfläche innerhalb einer annehmbaren Abweichung zu liefern.
  • Wie hierin verwendet, wird die Bezeichnung „Übereinstimmung" genommen, um die Integration oder den Kontakt zwi schen dem verfestigten Kernmaterial und dem umgebenden Substrat in einer hauptsächlich gleichmäßigen durchgehenden Weise zu bedeuten, die ohne Diskontinuitäten und Unregelmäßigkeiten ist, insbesondere an dem Übergang zwischen dem Substrat und dem Kernmaterial.
  • Eine Vorbereitung für eine Schichtempfangstoleranz kann durch irgendeinen geeigneten Prozess erzielt werden, einschließlich eines Planierens, Polierens und dergleichen, aber nicht beschränkt darauf. Wie vorhergehend angegeben, können ein Planieren und/oder Polieren durch irgendein geeignetes physikalisches, chemisches oder physikalisches/chemisches Verfahren erzielt werden. Es wird erwogen, dass der Planierungs-/Polierungsprozess einer sein kann, der allein an dem Außenoberfläche-Kernmaterial ausführbar ist, wobei dasselbe mit geeigneten Oberflächencharakteristiken versehen wird. Es wird auch erwogen, dass der Planierungs-/Polierungsprozess einer sein kann, der die Außenoberfläche des Kernmaterials in eine dimensionale Übereinstimmung mit der umgebenden Substratoberfläche bringt, wobei eine flache planare durchgehende Oberfläche zur Einrichtung von nachfolgenden Schichten bereitgestellt wird.
  • Da die Bezeichnung „Schichtempfangstoleranz" hierin eingesetzt wird, wird erwogen, dass die Außenoberfläche des eingeführten Kernmaterials eine erwünschte Planarität aufweist, die zur Aufbringung einer Überlagerungsschicht und Bildung der Innenwand der erwünschten Kammer geeignet ist. Eine Planarität kann abhängig von der Endverwendung der erwünschten elektronischen Vorrichtung ermittelt und definiert werden. Da breit aufgefasst, wird jedoch erwogen, dass die Außenoberfläche des Kernmaterials mit der Substratarchitektur und den Grenzen, die die geometrische Vertiefung umgeben, genau übereinstimmt. Es wird auch erwogen, dass Charakteristiken wie z. B. eine Planarität für die endgültige Endverwendung, zu der die elektronische Vorrichtung gebracht werden soll, angepasst werden. Wenn die elektronische Vorrichtung bei einer optisch durchlässigen und/oder empfänglichen Aktivität verwendet werden soll, wird somit erwogen, dass die planaren Toleranzen diejenigen sind, die für eine optische Transparenz, Durchlässigkeit oder dergleichen geeignet sind.
  • In dem Prozess wie hierin offenbart wird dann eine Schicht (z. B. eine Materialschicht) in einer überlagerten Beziehung mit der vorbereiteten Außenoberfläche des Kernmaterials und dem umgebenden Substrat errichtet, wie bei Bezugszeichen 130. Die Materialschicht kann durch einen geeigneten Aufbringungsprozess errichtet werden. Nicht einschränkende Beispiele für geeignete Aufbringungsprozesse umfassen additive Prozesse wie z. B. eine direkte Line-of-Sight-Aufstoss-Abscheidung wie Sputtern, Ionenplattieren und verschiedenartige andere Physikalische-Gasphasenabscheidung-Techniken. Nicht einschränkende Beispiele für geeignete additive Prozesse umfassen auch Diffusion-Konvektion-Masseübertragungstechniken, die üblicherweise als chemische Gasphasenabscheidung bezeichnet werden. Andere geeignete Aufbringungstechniken umfassen eine Sprühbeschichtung, eine Walzenbeschichtung, eine Aufschleuderbeschichtung und dergleichen.
  • Die eingerichtete Außenschicht kann wie es erwünscht oder erforderlich ist weiterverarbeitet werden, um die erwünschte fertige Außenschicht zu erzeugen. Zum Beispiel kann die aufgebrachte Außenschicht verschiedenartigen Härtungsprozessen ausgesetzt werden, um eine Vernetzung, ein Bonding zwischen der Außenschicht und dem Substrat und dergleichen zu erreichen. Beispiele für derartige Prozesse umfassen diejenigen, die typischerweise für eine Beschichtungs- und Linsenfertigung verwendet werden. Ein nicht einschränkendes Beispiel für geeignete Nach-Aufbringung-Härtungsprozesse umfasst diejenigen, die zur Verwendung mit Aufschleuderbeschichtung-Polymerfilmen mit Dicken größer als ungefähr 10 μm geeignet sind, wobei Materialien wie z. B. multifunktionelle Epoxidharzderivate von Bisphenol-A-Novolak genutzt werden. Derartige Materialien sind in dem US-Patent Nr. 5,102,772 an Angeln u. a. erörtert, dessen Beschreibung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen ist.
  • Härtungsprozesse können eine kationische Polymerisierung umfassen, die durch verschiedenartige Mechanismen initiiert wird, einschließlich von ultraviolettem Licht (insbesondere in dem Bereich von 365 bis 436 nm), Elektronenbeschuss und Röntgenstrahlbeschuss, die ausreichend sind, um einen hohen Pegel einer Vernetzungsdichte zu umfassen, wobei Materialien wie z. B. heiße Epoxidharze, oben erörtert, in geeignete Polymermaterialien umgewandelt werden, sind aber nicht beschränkt darauf.
  • Materialien, die als geeignete Wandmaterialien eingesetzt werden können, umfassen verschiedenartige Materialien, die in der Praxis der Filmerzeugung verwendet werden. Bei optischen mikroelektromechanischen Vorrichtungen wird erwogen, dass das Wandmaterial Materialien sein kann, die eine geeignete Lichtdurchlässigkeit, Reflexionscharakteristiken oder dergleichen aufweisen, wenn dieselben als Filmschichten eingesetzt werden. Beispiele für ein Wandmaterial umfassen Acrylate, Epoxidharze, Polycarbonate und Polyimide, sind aber nicht beschränkt darauf. Materialien der Wahl können diejenigen sein, die aus kationisch polymerisierbaren Monomeren wie z. B. Epoxidharzen und Vinylzusammensetzungen zusammengesetzt sind. Bei einem anderen Aspekt wird erwogen, dass Materialien wie z. B. Tetraethylorthosilikat (TEOS), Silikat, Polycarbonat, Magnesiumfluorid und Quarz eingesetzt werden können.
  • Bei einem Abschluss des Außenschichtaufbringungsprozesses wird erwogen, dass mit dem Kernmaterial, das in der abgedichteten Kammer enthalten ist, ein abgedichteter Eingriff zwischen der Materialschicht und dem Substrat erreicht wird. Nach der Aufbringung der Materialschicht kann das verfestigte Kernmaterial, das in der Kammer enthalten ist, in ein geeignetes fluidisiertes Material umgewandelt wer den. Eine Umwandlung in ein geeignetes fluidisiertes Material kann durch irgendeinen geeigneten chemischen oder physikalischen Prozess stattfinden. Wenn Niedrigschmelzwachse eingesetzt werden, wird das verfestigte Kernmaterial so durch eine Temperaturerhöhung in einen Fluidzustand zurückgeführt.
  • Abhängig von der Endverwendung, zu der die elektronische Vorrichtung gebracht werden soll, kann das Kernmaterial in der so gebildeten Kammer zurückgehalten oder in einem nachfolgenden Schritt entfernt werden. Es wird erwogen, dass eine Entfernung des Kernmaterials durch geeignete Durchkontaktierungen oder Füllmitteltore erzielt werden kann, die in dem Substrat vorbereitet sind. Wenn zumindest ein Abschnitt des fluidisierten Kernmaterials nach dem Außenschichtaufbringungsschritt in der Kammer zurückgehalten wird, wird erwogen, dass das Kernmaterial eines ist, das bei dem Betrieb der mikroelektromechanischen Vorrichtung genutzt werden kann oder zumindest die Funktion der Vorrichtung nicht stört. Somit besitzt das Kernmaterial der Wahl abhängig von der Endverwendung geeignete dielektrische, lichtdurchlässige Qualitäten und dergleichen. Bei Ausbildungen z. B., bei denen die Kammer zumindest einen Mikrospiegel enthält, wird erwogen, dass das Kernmaterial in dem Fluidzustand desselben unter Betriebsbedingungen eine niedrige. Schmelztemperatur und eine Niedrigviskosität aufweist.
  • Ein detaillierteres Prozessdiagramm, das das Verfahren wie hierin offenbart zeigt, ist in 2 skizziert, in der eine geeignete MEMS-Vorrichtung in einem Hohlraum positioniert wird, der in einem Substrat vorbereitet wird, wie bei Bezugszeichen 210 dargelegt. Ein Positionieren kann durch jegliche geeignete Mikrofertigungsverfahren erzielt werden. Beispiele für dieselben umfassen eine Halbleiterstückanbringung und ein Drahtbonding sowie andere Mikrofertigungstechniken, die dem Fachmann bekannt sind, sind aber nicht beschränkt darauf. Wie vorhergehend offenbart, kann die geometrische Vertiefung oder Hohlraum, definiert in dem Substrat, irgendeine geeignete Geometrie und/oder Ausbildung aufweisen, wie es für die resultierende Kammer erwünscht oder erforderlich ist.
  • Es wird erwogen, dass das Substrat irgendein Material sein kann, das zur Bildung des Hohlraums, der zugeordneten Kammer und schließlich der elektronischen Vorrichtung zweckmäßig ist. Somit kann das Substrat eines sein, das zum Stützen einer zweckmäßigen CMOS-Architektur (CMOS = complementary metal Oxide semiconductor = Komplementär-Metalloxid-Halbleiter) fähig ist. Innerhalb des Wirkungskreises dieser Erfindung wird auch überlegt, eine zweckmäßige Architektur auf einem geeigneten Substrat zu bauen, um die Kammer und jegliche zugeordnete MEMS-Vorrichtungen zu hausen.
  • Sobald die MEMS-Vorrichtung in Position ist, kann das Kernmaterial in einen Kontakt mit der MEMS-Vorrichtung und dem zugeordneten Hohlraum eingeführt werden, wie bei Bezugszeichen 220. Wie vorhergehend angegeben, kann dass Bi-Zustand-Kernmaterial geeignete Eigenschaften haben, die es demselben erlauben, in Abhängigkeit von einer Feldbelastung z. B. in einem Fluidzustand oder in einem festen Zustand vorhanden zu sein. Es wird erwogen, dass das Kernmaterial ein „bifunktionelles Material" sein kann. Wenn die Bezeichnung „bifunktionelles Material" hierin verwendet wird, weist das Material bei einer ersten Bedingung einen Fluidzustand und bei einer zweiten Bedingung einen verfestigten Zustand auf. Es sei darauf hingewiesen, dass das Material in dem festen Zustand im Wesentlichen als ein Kernmaterial funktioniert und das Kernmaterial in dem Fluidzustand zusätzliche Eigenschaften wie z. B. eine optische Modulation und einen modifizierten Brechungsindex aufweisen kann, die in einem Fall bei dem optimalen Betrieb einer eingegliederten MEMS-Vorrichtung helfen können. Diese Bedingungen werden zumindest teilweise durch zumindest eine Außenfeldbelastung geregelt. Beispiele für eine Außenfeldbelas tung umfassen Bedingungen wie z. B. Temperatur-Magnetfeld-Vorgänge und dergleichen, sind aber nicht beschränkt darauf. Somit wird erwogen, dass ein bifunktionelles Fluid bei einer ersten Temperatur in einem Fluidzustand sein kann und bei einer zweiten Temperatur, die niedriger als die erste Temperatur ist, in einem verfestigten Zustand sein kann. In ähnlicher Weise kann das bifunktionelle Material ansprechend auf eine erste Magnetisches-Feld-Bedingung einen Fluidzustand und ansprechend auf eine zweite Magnetisches-Feld-Bedingung einen verfestigten Zustand aufweisen.
  • Es wird erwogen, dass das Kernmaterial in einen umfassenden Kontakt mit den entsprechenden Hohlraumoberflächen und der MEMS-Vorrichtung eingeführt werden kann. Wie hierin verwendet, wird die Bezeichnung „umfassender Kontakt" genommen, um einen hauptsächlich durchgehenden Kontakt mit den jeweiligen Kammeroberflächen und der MEMS-Vorrichtung zu bedeuten, ohne Leerräume, Blasen und dergleichen.
  • Das Kernmaterial kann Niedrigschmelzwachse, Naphthalen, Naphthalenderivate, Acrylmonomere, Acrylpolymere, Campher, Campherderivate, Campherische-Säure-Derivate und/oder Polyester enthalten. Materialien der Wahl werden typischerweise solche sein, die bei einer ersten Temperatur zum Existieren in einem Fluidzustand und bei einer niedrigeren Temperatur zum Transformieren in einen Festzustand fähig sind. Es wird erwogen, dass das bifunktionelle Kernmaterial auf eine Temperaturerhöhung oder ein anderes Auslöseereignis hin zur Umwandlung in den Fluidzustand zurück fähig ist. Das Kernmaterial der Wahl ist eines, das zum übereinstimmenden Kontakt mit der MEMS-Vorrichtung und dem Hohlraum fähig ist. Sobald dasselbe in dem Hohlraum am Platz ist, stellt das Kernmaterial eine Außenoberflächeregion bereit, die zur nachfolgenden Verarbeitung und Fertigung geeignet ist.
  • Sobald das Kernmaterial am Platz ist, wird die Außenoberfläche des eingeführten Kernmaterials vorbereitet, um eine überlagerte Materialschicht zu empfangen, wie bei Bezugszeichen 230. Es wird auch erwogen, dass andere Betriebs- und Fertigungsschritte eingesetzt werden können. Nicht einschränkende Beispiele für derartige Fertigungsschritte umfassen Vorgänge wie z. B. Hänsen, Befestigen und Vereinzeln der zugeordneten Substratwafer. Das Kernmaterial kann funktionieren, um mikroelektromechanische Vorrichtungen sowie andere Mikrostrukturen zu schützen.
  • Die Materialschicht kann in einer überlagerten Beziehung mit dem vorbereiteten Kernmaterial eingerichtet werden, wie bei Bezugszeichen 240. Es wird erwogen, dass die Außenmaterialschicht durch einen geeigneten Aufbringungsprozess eingerichtet werden kann. Eine Aufbringung kann irgendein geeigneter Prozess sein, der eine Schicht mit zweckmäßiger Dicke und Abmessungen bereitstellt. Es wird auch erwogen, dass der Aufbringungsprozess der Wahl einer ist, der eine abdichtende Anbringung zwischen der aufgebrachten Schicht und dem umgebenden Substrat erlaubt, um ein abgedichtetes Bonding zwischen der Materialschicht und dem Substrat zu erreichen.
  • Sobald die Materialschicht in einer abdichtenden überlagerten Beziehung mit dem Kernmaterial und dem zugeordneten Substrat ist, kann das Kernmaterial entweder aus der so gebildeten Kammer entfernt werden, wie bei Bezugszeichen 250, oder wie es erwünscht oder erforderlich ist umgewandelt und verwendet werden, wie bei Bezugszeichen 260.
  • Eine Entfernung des Kernmaterials kann durch verschiedenartige Methoden erzielt werden. Das Kernmaterial kann auf einen fluidisierten Zustand erwärmt werden und durch ein Aussetzen der Kammer gegenüber einem zweckmäßigen Vakuum oder einem unter Druck gesetzten trägen Gas wie z. B. Stickstoff gespült werden. Andere geeignete Entfernungsprozesse umfassen eine Lösungsmittelaussetzung mit oder ohne eine zugeordnete Gasspülung und/oder Erwärmungsprozeduren. Nicht einschränkende Beispiele für geeignete Lösungsmittel umfassen Xylen, Gammabutylaceton, Cyclopentan, Anisol, Hexan, Cyclohexan, Methylisobutylketon (MIBK) und dergleichen. Sobald das Kernmaterial entfernt worden ist, kann die Kammer wie es erwünscht oder erforderlich ist gefüllt und abgedichtet werden.
  • Wenn eine Kernmaterialentfernung erwünscht ist, wird erwogen, dass der Entfernungsprozess zu irgendeinem geeigneten Punkt in dem Fertigungsprozess stattfinden kann. Somit wird erwogen, dass das Übereinstimmungsmaterial während zumindest einiger nachfolgender Fertigungsprozesse in der definierten Kammer zurückgehalten werden kann, um als ein Schutzmedium für empfindliche mikroelektromechanische Vorrichtungen zu wirken, die in derselben enthalten sind. Derartige Prozesse umfassen eine Waferhäusung, Befestigung Vereinzeln und dergleichen, sind aber nicht beschränkt darauf.
  • Alternativ wird erwogen, dass das Kernmaterial in eine Form umgewandelt werden kann, die während eines nachfolgenden Betriebs der elektronischen Vorrichtung nützlich ist. Eine derartige Umwandlung kann als ein Ergebnis einer Temperaturänderung und/oder einer chemischen Umwandlung auftreten. Bei derartigen Fällen wird erwogen, dass das Kernmaterial von einem festen zu einem Fluidmaterial umgewandelt werden kann, das eine MEMS-Vorrichtung-Funktion unterstützen kann. Eine derartige Umwandlung kann durch irgendeinen geeigneten mechanischen oder chemischen Prozess stattfinden, für den eine Temperaturerhöhung lediglich ein Beispiel ist.
  • Es wird erwogen, dass eine Temperaturerhöhung als ein Ergebnis eines Betriebs der elektronischen Vorrichtung, einer Umgebungstemperaturaussetzung oder eines anderen Umweltfaktors, der die Vorrichtung selbst umgibt, erzielt werden kann. Eine Umwandlung kann entweder Einweg- oder bidirektional sein. Wenn das Kernmaterial in der Kammer zurückgehalten wird, wird somit erwogen, dass sich das Kernmaterial auf eine Temperaturerhöhung oder ein anderes Auslöseereignis hin in einen funktionellen Fluidzustand umwandeln kann und in diesem Zustand zurückgehalten werden kann. Es wird auch erwogen, dass das Kernmaterial abhängig von Temperaturbedingungen zu dem festen Zustand desselben zurückkehren kann.
  • Bei verschiedenartigen Situationen kann die Herstellung von Mikroelektromechanisches-System-Vorrichtungen wie z. B. Mikrospiegeln, Fabry-Perot-Vorrichtungen und diffraktionsbasierten Vorrichtungen aufgrund der Fragilität der MEMS-Komponenten schwierig sein. Herstellungsvorgänge können Vorgänge wie z. B. ein Sägen und ein Hänsen umfassen, sind aber nicht beschränkt darauf. Dies kann bei einer Herstellung von optischen MEMS-Vorrichtungen kompliziert sein, die Transparenthäusungsanforderungen aufweisen.
  • Es wird erwogen, dass das Bi-Zustand-Kernmaterial in dem festen Zustand desselben funktionieren kann, um die empfindlichen Mikroelektromechanisches-System-Vorrichtungselemente während eines Zusammenbaus und einer Herstellung zu schützen. Sobald eine Herstellung abgeschlossen worden ist, kann das Kernmaterial umgewandelt und/oder entfernt werden, wie es erwünscht oder erforderlich ist.
  • Das Verfahren zum Bilden zumindest einer umschlossenen Kammer kann ferner unter Bezugnahme auf die Zeichnungsfiguren 3A, 3B, 3C und 3D, die eine Aufbausequenz darstellen, dargestellt und als Beispiel veranschaulicht werden. Wie es in 3A zu sehen ist, umfasst eine nicht fertiggestellte Integrierte-Schaltung-Vorrichtung 310 ein geeignetes Substrat 312 mit einer zweckmäßigen architektonischen Struktur 314, die auf demselben gefertigt ist. Eine Fertigung der architektonischen Struktur 314 kann durch irgendeine geeignete Aufbau- oder Erzeugungssequenz erfolgen. Die resultierende architektonische Struktur 314 weist zumindest eine geometrische Vertiefung 316 auf, die sich von einer oberen Region 318 der architektonischen Struktur 314 in den Körper der architektonischen Struktur 314 zu einer Stelle nahe dem Substrat 312 erstreckt.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel, wie es in den 3A, 3B, 3C und 3D veranschaulicht ist, ist die elektronische Vorrichtung 310 als zumindest eine geometrische Vertiefung 316 aufweisend gezeigt, die einen Hauptabschnitt der Vorrichtung einschließt, zur Einfachheit der Darstellung. Es sei darauf hingewiesen, dass die geometrische Vertiefung 316 von irgendeiner geeigneten Größe und/oder Ausbildung sein kann, die für die fertiggestellte elektronische Vorrichtung erwünscht oder erforderlich ist. Mehrere Vertiefungen 316 können ebenfalls ausgebildet sein, wie es durch die Endverwendung der elektronischen Vorrichtung erfordert oder vorgeschrieben wird. Typischerweise weist die geometrische Vertiefung 316 zumindest eine Seitenwandstruktur 320 und eine angrenzend positionierte Bodenstruktur 322 auf.
  • Wie es in 3A veranschaulicht ist, umfasst die elektronische Vorrichtung 310 bei einer Fertigung auch eine geeignete mikroelektromechanische Vorrichtung 324, die an einer geeigneten Struktur der geometrischen Vertiefung 316 befestigt ist, wie z. B. dem Boden 322. Die mikroelektromechanische Vorrichtung 324 kann geeignete Drahtbonds 326 aufweisen, die eine Anbringung und eine elektronische Kommunikation zwischen der mikroelektromechanischen Vorrichtung 324 und anderen Elementen liefern, die entweder an der Vorrichtung 310 vorhanden oder von derselben entfernt sind.
  • Wie hierin offenbart, erwägt das Verfahren zum Bilden zumindest einer umschlossenen Kammer eine Nutzung einer voraus ausgebildeten, nicht fertiggestellten Integrierte-Schaltung-Vorrichtung 310, die eine bereits auf derselben positionierte mikroelektromechanische Vorrichtung 324 aufweist. Das Verfahren erwägt auch Prozesse, durch die die mikroelektromechanische Vorrichtung 324 auf der Architektur der Integrierte-Schaltung-Vorrichtung als Teil des Formulierungsprozesses positioniert werden kann. Ein Befestigen oder Positionieren der mikroelektromechanischen Vorrichtung 324 in die Integrierte-Schaltung-Vorrichtungsstruktur kann durch irgendein geeignetes Verfahren erfolgen.
  • Wie es in 3B dargestellt ist, können geeignete Durchkontaktierungen, Eintrittsöffnungen oder Zugangstore 328, 330 in dem Substrat 312 vorbereitet sein. Wie es gezeigt ist, erstrecken sich die Durchkontaktierungen 328, 330 von einer unteren Fläche 332 des Substrats 312 und enden an dem Boden 322 der geometrischen Vertiefung 316. Die Durchkontaktierungen 328, 330 können temporär oder dauerhaft mit einem geeigneten Einsteckmaterial gefüllt sein.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass derartige Durchkontaktierungen 328, 330 als optional betrachtet werden können. Die Durchkontaktierungen 328, 330 liefern einen zweckmäßigen Zugang zu dem Inneren der geometrischen Vertiefung 316 für eine nachfolgende Entfernung von Kernmaterial und/oder eine Ersetzung von Materialien in der Kammer, die schließlich gebildet werden soll. In Situationen jedoch, in denen das Kernmaterial in der Kammer, die gebildet werden soll, verbleiben soll, können derartige Zugangstore 328, 330 ausgelassen werden.
  • Eine Einführung des Kernmaterials 334 kann durch irgendein geeignetes Verfahren stattfinden, das für eine effiziente Einführung des Materials in alle Bereiche in der Vertiefung 316 sorgt. Das Material kann durch irgendeine geeignete Öffnung eingeführt werden, einschließlich der oberen Fläche der geometrischen Öffnung 316 oder durch die Durch-Eintrittsöffnung 328, 330, in dem Falle einer Umkehreintragprozedur. Das Material der Wahl kann variieren und kann eines sein, das mit den Materialien in der architektonischen Struktur 314 und jeglichen mikroelektromechanischen Vorrichtungen 324 und Drahtbonden 326, die in derselben vorhanden sein können, kompatibel ist. Das Kernmaterial 334 stimmt mit der Geometrie der geometrischen Vertiefung 316 überein, um zumindest eine temporäre Stützstruktur bereit zustellen. Geeignete Kernmaterialien 334 umfassen Niedrigschmelzwachs, Naphthalen, Naphthalenderivate, Acrylmonomere, Acrylpolymere, Campher, Campherderivate, Campherische-Säure-Polymere, Polyester und/oder Mischungen derselben, sind aber nicht beschränkt darauf. Geeignete Materialien können in die geometrische Vertiefung 316 in einem flüssigen Zustand eingeführt werden und aufgrund einer Temperaturänderung, einer Vernetzung oder dergleichen eine Verfestigung erfahren.
  • Eine Hinzufügung des Kernmaterials 334 resultiert in einer gefüllten geometrischen Vertiefung 316. Das Kernmaterial 334 liefert auf eine Verfestigung hin eine Außenfläche 336. Wie es in 3B gezeigt ist, wird erwogen, dass das Kernmaterial 334 in einer Weise hinzugefügt werden kann, die die obere Oberfläche 318 der architektonischen Struktur 314, die die geometrische Vertiefung 316 umgibt, überfüllt oder überlagert. Auf diese Weise kann ein adäquates Material eingeführt werden, um eine Überlagerung und eine zusätzliche Oberflächenvorbereitung zu erlauben.
  • Wie es in 3C gezeigt ist, wird erwogen, dass eine Vorbereitung der Außenoberfläche 336 des Kernmaterials 334 Vorgänge wie z. B. Ausgleichen, Planieren und dergleichen umfassen kann, um eine Oberfläche bereitzustellen, die Toleranzen aufweist, die für eine nachfolgende Aufbringung einer Überlagerungsschicht zweckmäßig sind. Somit wird in Situationen, in denen eine optische Durchlässigkeit oder Transparenz erforderlich ist, erwogen, dass die Außenoberfläche 336 des Kernmaterials 334 planiert oder ausgeglichen wird, um zweckmäßige Qualitäten für die Innenoberfläche einer Überlagerungsschicht zu erhalten. In 3C ist die Außenoberfläche 336 ausgeglichen, um mit der oberen Oberfläche 318 der umgebenden architektonischen Struktur 314 übereinzustimmen.
  • Wie es in 3D gezeigt ist, kann nach einer geeigneten Oberflächenvorbereitung des Kernmaterials 334 eine obere Überlagerungsschicht 338 in eine Überlagerungsbeziehung mit der oberen Oberfläche 318 der architektonischen Struktur 314, dem Substrat 312 und der Außenoberfläche 336 des Kernmaterials 334 aufgebracht werden. Eine Aufbringung der Überlagerungs-/Außen-/oberen Schicht 338 kann durch irgendeinen Prozess erzielt werden, der einen Eingriff zwischen der oberen Oberfläche 318 der architektonischen Struktur 314 und der unteren Fläche 340 der Außenschicht 338 in einer abdichtenden Weise erlaubt. Ein Beispiel für derartige Prozesse umfasst ein Aufschleuder-Bonden und Härten, wie es bei einer Beschichtungs- und Linsenfertigung eingesetzt werden würde.
  • Wie aus 3D zu erkennen ist, kann die untere Oberfläche 340 der Außenschicht 338 durch die gebondeten Regionen und die Region, die die obere Oberfläche 336 des Kernmaterials 334 kontaktiert, hauptsächlich konturgetreu und angrenzend sein.
  • Abhängig von der Endverwendung für die elektronische Vorrichtung 310 kann das Kernmaterial 334 wie es in 3D gezeigt ist entfernt werden, um eine Kammer 350 zu bilden. Die Kammer 350 kann hermetisch abgedichtet sein. Ein unterschiedliches Material kann in die Kammer 350 eingeführt werden, wie es erwünscht oder erforderlich ist. Wenn eine Materialsubstitution erwünscht ist, wird erwogen, dass das Kernmaterial 334 fluidisiert und unter Verwendung eines Vakuums oder eines trägen Gases, das durch die geöffneten Eintrittsöffnungen 328, 330 verabreicht wird, gereinigt werden kann. Eine Fluidisierung kann durch eine geeignete Einrichtung wie z. B. ein Erwärmen des Zusammenbaus oder lokalisierter Regionen desselben erzielt werden. Es wird auch erwogen, dass verschiedenartige Lösungsmittel zusätzlich oder anstatt des Reinigungsprozesses eingesetzt werden können. Nicht einschränkende Beispiele für derartige Lösungsmittel umfassen Xylen, Butrylaceton, Cyclopentan, Anisol, Hexan, Cyclohexan, Methylisobutylketon (MIBK) und dergleichen. Es wird auch erwogen, dass verschiedenartige wässrige Alkoholmischungen genutzt werden können, wie es erwünscht oder erforderlich ist.
  • Es wird auch erwogen, dass das Kernmaterial 334 durch eine geeignete Betriebsflüssigkeit oder Gas 352 ersetzt werden kann, wie es in 4B gezeigt ist. Unter Bezugnahme auf 4A und 4B zusammen kann die Vorrichtung 310 mit der oberen Schicht 338 (bei einem Ausführungsbeispiel eine Optische-Qualität-Schicht), die an derselben angebracht ist, das Kernmaterial evakuieren lassen, um die Kammer 350 zu bilden, die durch die Optische-Qualität-Schicht 338 und die geometrische Vertiefung 316 (wie in 3D gezeigt) definiert ist. Sobald das Kernmaterial 334 entfernt worden ist, kann ein geeignetes Fluid, wie z. B. ein dielektrisches Fluid, oder ein zweckmäßiges Gas 352 durch die Durchkontaktierungen 328, 330 in die definierte Kammer 350 eingeführt werden, falls dies erwünscht oder erforderlich ist. Die Öffnungen 328, 330 können z. B wie mit einem Füllmitteltoreinsteckelement 342, 348 abgedichtet werden und die Vorrichtung 310 wie es erwünscht oder erforderlich ist zur Verwendung bereit gemacht werden.
  • Die hierin offenbarte Vorrichtung kann in Verbindung mit geeigneten Anzeigevorrichtungen eingesetzt werden. Ein nicht einschränkendes Beispiel ist ein räumlicher Lichtmodulator, der bei der Vorrichtung wie in 5 gezeigt verwendet wird. 5 ist eine schematische Ansicht eines Bildprojektionssystems 500, das eine MEMS-Vorrichtung wie hierin gezeigt verwendet. Ein nicht einschränkendes Beispiel für eine MEMS-Vorrichtung 502 ist eine Mikrospiegelvorrichtung. In 5 wird Licht von einer Lichtquelle 504, das auf einem ersten Lichtweg geleitet wird, durch eine Linse 506 auf die MEMS-Vorrichtung 502 fokussiert. Obwohl dieselbe als eine einzelne Linse gezeigt ist, ist die Linse 506 typischerweise eine Gruppe von Linsen, Integratoren und Spiegeln, die zusammen Licht von der Lichtquelle 504 fokussieren und auf die Oberfläche der MEMS-Vorrichtung 502 leiten. Bilddaten und Steuersignale aus einer Steuerung 514 werden auf eine geeignete SRAM-Zelle, DRAM-Zelle oder dergleichen geschrieben, die jeder der MEMS-Vorrichtungen 502 zugeordnet ist. Die Daten in diesen zugeordneten Zellen bewirken eine Betätigung einiger der MEMS-Vorrichtungen 502 zu einer „Ein"-Position. In der „Ein"-Position wird Licht zu einem zweiten Lichtweg geleitet. Zellen in der MEMS-Vorrichtung 502, die in einer „Aus"- oder Ruheposition sind, können Licht in eine Lichtfalle 508 oder von dem zweiten Lichtweg weg leiten.
  • Das Projektionssystem 500 kann auf dem zweiten Lichtweg zumindest ein Element 510 zum Auflösen des selektiv geleiteten Lichts umfassen. Ein nicht einschränkendes Beispiel für ein derartiges Element 510 ist eine Projektionslinse. Während in 5 ein einziges Element 510 gezeigt ist, wird erwogen, dass mehrere Elemente genutzt werden können. Wie es gezeigt ist, fokussiert die Projektionslinse das Licht, das durch die Vorrichtung 502 zu dem zweiten Lichtweg geleitet wird, auf eine Einzelbildebene oder Bildschirm 512.
  • Während mehrere Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden sind, ist es für Fachleute ersichtlich, dass die offenbarten Ausführungsbeispiele modifiziert werden können. Somit soll die vorhergehende Beschreibung als beispielhaft und nicht als einschränkend betrachtet werden.

Claims (12)

  1. Ein Verfahren zum Bilden einer Kammer (350) in einer elektronischen Vorrichtung (310), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Vorbereiten einer Außenoberfläche (336) auf einem verfestigten Kernmaterial (334), wobei das verfestigte Kernmaterial (334) in einer Vertiefung (316) ist, die in einem Substrat (312) gebildet ist, wobei die Vertiefung zumindest eine in derselben positionierte mikroelektromechanische Vorrichtung (324) aufweist, die eine MEMS-Vorrichtung-Funktion aufweist; Einrichten einer Schicht (338) auf der vorbereiteten Außenoberfläche (336) des verfestigten Kernmaterials (334) und einem Abschnitt des Substrats (312), der die Vertiefung (316) umgibt, wobei die eingerichtete Schicht (338) und das Substrat (312) eine Kammer (350) definieren; und Umwandeln des verfestigten Kernmaterials (334), das in der Kammer (350) enthalten ist, in ein fluidisiertes Kernmaterial (334), damit dasselbe in der Kammer (350) zurückgehalten wird und die MEMS-Vorrichtung-Funktion unterstützt.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Kernmaterial (334) ein bifunktionelles Material ist, wobei das bifunktionelle Material bei einer ersten Temperatur einen verfestigten Zustand und bei einer zweiten Temperatur größer als die erste Temperatur einen fluidisierten Zustand aufweist.
  3. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem das Verfahren vor dem Vorbereiten der Außenoberfläche (336) ferner ein Verfestigen des Kernmaterials (334) durch eine Temperaturänderung, eine Polymerisation und/oder eine Vernetzung aufweist.
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 3, das ferner folgende Schritte aufweist: Positionieren der zumindest einen mikroelektromechanischen Vorrichtung (324) in der Vertiefung (316), wobei die Positionierung vor dem Vorbereiten der Außenoberfläche (336) stattfindet; und Einführen des Kernmaterials (334) in die Vertiefung (316), derart, dass das Kernmaterial (334) und die Vertiefung (316) in einer übereinstimmenden Beziehung zueinander sind, wobei die Einführung vor dem Verfestigen stattfindet.
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Vorbereiten ein Ausgleichen der Außenoberfläche des verfestigten Kernmaterials (334) aufweist, so dass die Außenoberfläche (336) in eine dimensionale Übereinstimmung mit einer Substratoberfläche, die die Vertiefung umgibt, gebracht wird, wodurch eine flache planare durchgehende Oberfläche geliefert wird, auf der die Schicht eingerichtet wird.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Positionierung derart durchgeführt wird, dass die mikroelektromechanische Vorrichtung eine optische mikroelektromechanische Vorrichtung (324) ist, und das Einrichten derart durchgeführt wird, dass die Kammer zwischen der Schicht (338) und dem Substrat (312) abgedichtet wird.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Verfahren ein Einführen des bifunktionellen Kernmaterials (334) bei einer Temperatur zumindest genauso groß wie die zweite Temperatur aufweist und wobei das Einrichten stattfindet, während das bifunktionelle Kernmaterial (334) in dem verfestigten Zustand ist.
  8. Eine Integrierte-Schaltung-Vorrichtung (310), die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (312); eine Schicht (338), die an dem Substrat (312) in einer überlagerten abgedichteten Beziehung mit demselben angebracht ist, wobei das Substrat (312) und/oder die Schicht (338) eine Vertiefung (316) aufweisen, die in denselben definiert ist, wobei das Substrat (312) und die Schicht eine Kammer (350) definieren; eine mikroelektromechanische Vorrichtung (324), die in der Kammer (350) positioniert ist und eine MEMS-Vorrichtung-Funktion aufweist; und ein bifunktionelles Kernmaterial (334), das in der Kammer (350) vorhanden ist, wobei das bifunktionelle Kernmaterial (334) bei einer ersten Bedingung einen verfestigten Zustand und bei einer zweiten Bedingung einen fluidisierten Zustand aufweist, wobei das bifunktionelle Kernmaterial in der Kammer (350) in einer Menge vorhanden ist, so dass das bifunktionelle Kernmaterial in dem verfestigten Zustand in einem übereinstimmenden Kontakt mit der mikroelektromechanischen Vorrichtung (324) und der Kammer ist und das bifunktionelle Kernmaterial in dem fluidisierten Zustand die MEMS-Vorrichtung-Funktion unterstützt.
  9. Die Integrierte-Schaltung-Vorrichtung (310) gemäß Anspruch 8, bei der das bifunktionelle Kernmaterial (334) in dem fluidisierten Zustand eine ausreichende Fluidisierung aufweist, derart, dass das bifunktionelle Kernmaterial (334) in dem fluidisierten Zustand angepasst ist, um aus der Kammer (350) entfernt zu werden.
  10. Die Integrierte-Schaltung-Vorrichtung (310) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 9, bei der das bifunktionelle Kernmaterial (334) in dem fluidisierten Zustand ist und Eigenschaften einschließlich einer optischen Modulation und/oder eines modifizierten Brechungsindex aufweist, derart, dass das bifunktionelle Kernmaterial (334) bei einem optimalen Betrieb der mikroelektromechanischen Vorrichtung (324) hilft.
  11. Die Integrierte-Schaltung-Vorrichtung (310) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, bei der die Schicht (338) eine flache planare durchgehende Oberfläche mit einer Substratoberfläche des Substrats bildet, die die Vertiefung umgibt, wobei die Vertiefung in dem Substrat definiert ist.
  12. Eine Anzeigevorrichtung (500), die folgende Merkmale aufweist: eine Lichtquelle (504) zum Liefern eines Lichtstrahls entlang eines Lichtweges; eine Vorrichtung (502) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11 an dem Lichtweg zum selektiven Reflektieren eines Abschnitts des Lichtstrahls entlang eines zweiten Lichtweges ansprechend auf Bilddatensignale; eine Steuerung (514) zum Liefern der Bilddatensignale an die Vorrichtung (502) an der Lichtwegvorrichtung; und zumindest ein Element (510) an dem zweiten Lichtweg zum Auflösen des selektiv reflektierten Lichtes in ein Bild.
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