DE602004008429T2 - Magnettunnelübergang-stapelablagerung in zwei schritten - Google Patents

Magnettunnelübergang-stapelablagerung in zwei schritten Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Magnettunnelübergangsbauelemente und insbesondere die Herstellung von Magnettunnelübergangsbauelementen.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Magnettunnelübergangsbauelemente und ihre Verwendungen sind in der Technik wohlbekannt. Herkömmliche Magnettunnelübergangs-(MTJ – magnetic tunnel junction)-bauelemente enthalten in der Regel eine untere Kontaktelektrode, eine untere magnetische Schicht, eine oxidierte Al-Barrierenschicht, eine obere magnetische Schicht und eine obere Kontaktelektrode. Diese Bauelemente werden in der Regel unter Verwendung eines einzelnen Abscheidungsschritts hergestellt, der alle die Bestandsteilschichten als einen vollständigen Stapel abscheidet. Der vollständige Stapel wird danach strukturiert, um die Magnettunnelübergangsbauelemente zu definieren. Auf diese Weise hergestellte MTJ-Bauelemente können einen Kurzschluß durch die Barrierenschicht und eine magnetische Kopplung zwischen den beiden magnetischen Elektroden aufweisen.
  • EP 1 132 920 A1 betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Magnettunnelübergangsbauelements, das mehrere Schichten enthält, die als ein Stapel von Schichten konfiguriert sind. Das Verfahren umfaßt: Abscheiden auf einem Substrat einer magnetischen Schicht und einer Tunnelbarrierenschicht, die einen ersten Abschnitt des Stapels enthalten, Bedecken der Tunnelbarrierenschicht mit einer schützenden Kappenschicht, Entfernen eines Abschnitts der schützenden Kappenschicht, um einen ersten Abschnitt des Stapels herzustellen, und Strukturieren des Stapels zu Zellen.
  • Es ist deshalb wünschenswert, das Auftreten der oben erwähnten Phänomene des Kurzschlusses und der magnetischen Kopplung zu reduzieren. Die vorliegende Erfindung kann das Auftreten dieser Phänomene reduzieren durch Verwendung eines zweistufigen Abscheidungsprozesses zum Abscheiden des MTJ-Stapels, wobei eine Querschnittsfläche eines zweiten Abschnitts des MTJ-Stapels kleiner ist als die eines ersten Abschnitts des MTJ-Stapels.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 und 2 sind schematische Querschnittsansichten eines durch einen ersten Abscheidungsschritt gemäß der Erfindung hergestellten Abschnitts eines MTJ-Bauelementstapels.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements, nachdem Strukturieren und Ätzen auf die Struktur von 2 gemäß der Erfindung angewendet werden.
  • 4 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements, nachdem eine Kapselung auf die Struktur von 3 gemäß der Erfindung angewendet wird.
  • 5 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements, nachdem ILD-(Inter-Level Dielectric)-Abscheidung und CMP (Chemicalmechanical Polishing) auf die Struktur von 4 gemäß der Erfindung angewendet werden.
  • 6 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements, nachdem eine Kontaktätzung auf die Struktur von 5 gemäß der Erfindung angewendet wird.
  • 7 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements, nachdem die Kappenschicht von der Struktur von 6 gemäß der Erfindung entfernt worden ist.
  • 8 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines MTJ-Bauelements, das sich ergibt aus der Abscheidung einer oberen magnetischen Schicht und Kontaktelektrode auf der Struktur von 7 gemäß der Erfindung.
  • 9 ist eine schematische Querschnittsdarstellung des MTJ-Bauelements von 8 nach der Abscheidung einer oberen Metallschicht (M3) und eines CMP gemäß der Erfindung.
  • 10 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements, nachdem eine Fotolackschicht auf die Struktur von 2 strukturiert ist.
  • 11 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements nach dem Entfernen der Kappenschicht und der Abscheidung einer oberen magnetischen Schicht und Kontaktelektrode relativ zu der Struktur von 10.
  • 12 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements nach dem Ablösen der Fotolackschicht von 11.
  • 13 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements nach der Abscheidung einer Hartmaskenschicht auf der Struktur von 12.
  • 14 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements nach dem Anbringen einer Fotolackschicht an der Struktur von 13.
  • 15 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements nach dem Ätzen der Hartmaske der Struktur von 14 und dem Entfernen der Fotolackschicht.
  • 16 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines resultierenden Abschnitts eines MTJ-Bauelements nach dem Verwenden der Hartmaske von 15 als eine Struktur zum Ätzen der Kappenschicht, der Tunnelbarrierenschicht und der unteren magnetischen Schicht von 15.
  • 17 ist eine schematische Querschnittsdarstellung der Struktur von 16 nach der Kapselung.
  • 18 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines MTJ-Bauelements, das sich ergibt durch das Ausbilden eines Durchkontakts durch das Kapselungsmittel und die Hartmaske und das Abscheiden einer Metallschicht in dem Durchkontakt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung können MTJ-Bauelemente unter Verwendung eines zweistufigen Abscheidungsprozesses hergestellt werden, wobei ein unterer Abschnitt des Stapels bis zu der Tunnelbarrierenschicht in einem ersten Abscheidungsschritt abgeschieden wird, wobei der erste Schritt auch die Abscheidung einer Opferkappenschicht über der Tunnelbarrierenschicht beinhalten kann. Die obere magnetische Schicht und die obere Kontaktelektrode werden in einem zweiten Abscheidungsschritt abgeschieden. Strukturieren und Ätzen werden auf dem abgeschiedenen ersten Abschnitt des Stapels angewendet. Eine derartige Herstellung eines MTJ-Bauelements unter Verwendung von zwei Abscheidungsschritten mit Strukturierungs- und Ätzschritten kann das Auftreten von Kurzschlüssen durch die Barriere und das magnetische Koppeln zwischen den magnetischen Elektroden reduzieren. Die Opferkappenschicht schützt die Integrität der Barrierenschicht während des Strukturierungs- und Ätzschritts. Die obere magnetische Schicht und die obere Kontaktelektrode des MTJ-Bauelements sind so ausgelegt, daß sie eine kleinere Querschnittsfläche als die übrigen unteren Schichten des MTJ-Stapels aufweisen, was das Reduzieren von Kurzschlüssen durch die Barrierenschicht und die magnetische Kopplung zwischen den magnetischen Elektroden weiter unterstützen kann.
  • Es sei angemerkt, daß die in 1-18 dargestellten Schichten zu Erörterungszwecken vorgesehen sind und ihre Abmessungen nicht notwendigerweise maßstabsgetreu sind.
  • Die 1 und 2 veranschaulichen den ersten Abscheidungsschritt eines zweistufigen Abscheidungsprozesses zum Herstellen eines MTJ-Bauelements gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung. Bei diesem ersten Schritt werden die folgenden Schichten auf einem Substrat 10 abgeschieden: Die untere Kontaktelektrode und die untere magnetische Schicht, allgemein bei 20 dargestellt; die oxidierte Tunnelbarrierenschicht (z.B. Ta/TaN/PtMn/CoFe/Al (ox)), allgemein bei 30 dargestellt, und eine allgemein bei 40 dargestellte dünne Kappenschicht. Die Kappenschicht 40 wird bei einigen Ausführungsformen als Teil des Prozesses des ersten Abscheidungsschritts ohne Unterbrechung des Vakuums abgeschieden. Die Kappenschicht 40 ist vorgesehen, um die Verschlechterung der Barrierenschicht 30 nach Exposition gegenüber Luft und während späterer Bearbeitung verhindern zu helfen. Die Kappenschicht 40 ist somit eine Opferschicht und kann unter milden Ätzbedingungen vor dem Abscheiden der oberen magnetischen Schicht leicht entfernt werden, ohne die Eigenschaften der Barrierenschicht 30 zu beeinflussen. Zu beispielhaften Materialien zur Verwendung in der Kappenschicht 40 zählen Ru und diamantartiger Kohlenstoff (DLC) mit einer Dicke von beispielsweise ungefähr 50-100 Angström. Eine derartige Kappenschicht kann leicht in einem Sauerstoffplasma geätzt werden, ohne irgendwelche Rückstände zurückzulassen und ohne die Oxidtunnelbarriere 30 zu beschädigen. Bei einigen Ausführungsformen wird DLC für die Kappenschicht bevorzugt, um etwaige Kurzschlüsse an den Rändern zu vermeiden.
  • Wie in 3 gezeigt, können die in dem Abscheidungsschritt der 1 und 2 abgeschiedenen Schichten auf herkömmliche Weise strukturiert und geätzt werden, um den unteren Stapelabschnitt des MTJ-Bauelements zu definieren. Danach kann wie in 4 ein herkömmlicher Kapselungsschritt durchgeführt werden, um eine Kapselungsschicht 50 (z.B. SiN) zum Schutz der Ränder bereitzustellen. Auf den Kapselungsschritt folgt eine herkömmliche ILD-Abscheidung und CMP. Die resultierende ILD-Schicht ist allgemein bei 60 in 5 dargestellt.
  • Wie in 6 gezeigt, können herkömmliche Techniken eingesetzt werden, um eine Kontaktöffnung durch die ILD-Schicht 60 und die Kapselungsschicht 50 zu ätzen, um die Kappenschicht 40 zu erreichen.
  • Danach können, wie in 7 gezeigt, herkömmliche Techniken verwendet werden, um ein In-situ-Ätzentfernen eines Abschnitts der Kappenschicht durchzuführen, um eine Öffnung durch die Kappenschicht herzustellen.
  • 8 veranschaulicht den zweiten Abscheidungsschritt des zweistufigen MTJ-Abscheidungsprozesses gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung. Bei diesem Abscheidungsschritt werden die oberen magnetischen und Kontaktschichten (z.B. NiFe/TaN), allgemein bei 70 dargestellt, abgeschieden, um den oberen Abschnitt des MTJ-Stapels innerhalb der Öffnungen in den Schichten 40 und 60 zu definieren. Bei einigen Ausführungsbeispielen wird zum Abscheiden der oberen magnetischen und Kontaktschichten ein gerichteter Abscheidungsprozeß verwendet, um eine Ansammlung auf den durch den Ätzschritt von 6 hergestellten Seitenwänden (61, 62) zu verhindern.
  • Wie in 9 dargestellt, können zum Abscheiden der oberen Metallschicht (M3) 80 (z.B. Cu, W oder Al (Cu)) herkömmliche Techniken verwendet werden, gefolgt von herkömmlichem CMP.
  • Wieder unter Bezugnahme auf die 6-8 gestattet die Verwendung eines zweiten Abscheidungsschritts für den oberen Abschnitt des MTJ-Stapels die Auslegung des oberen Stapelabschnitts (z.B. der Schichten bei 70) mit einer kleineren Querschnittsfläche als der benachbarte untere Stapelabschnitt (z.B. bei 20, 30), in der Ebene 81, wo der obere Stapelabschnitt allgemein an den unteren Stapelabschnitt angrenzt. Dies kann Kurzschlüsse durch die Barrierenschicht 30 weiter reduzieren und auch eine magnetische Kopplung zwischen den beiden magnetischen Elektroden weiter reduzieren. Als Beispiel kann die Offsetdistanz 63 etwa 100-1000 nm betragen, und die Kontaktöffnungsabmessung 64 kann etwa 100-500 nm betragen.
  • Ein alternativer beispielhafter Ansatz, der eine Ablösetechnik unter Verwendung von Fotolack verwendet, kann ebenfalls verwendet werden, wie in 10-18 dargestellt.
  • Beginnend mit der Struktur von 2 kann eine Fotolackschicht 5 auf der Kappenschicht 40 mit einer Öffnung darin (unter Verwendung herkömmlicher Techniken) strukturiert werden, um das Definieren des oberen Abschnitts des MTJ-Stapels zu unterstützen, wie in 10 gezeigt. Danach können, wie in 11 gezeigt, herkömmliche Techniken verwendet werden, um ein In-situ-Ätzentfernen eines Abschnitts der Kappenschicht 40 vorzunehmen, um eine Öffnung durch die Kappenschicht herzustellen. Danach, und auch wie in 11 gezeigt, wird ein zweiter Abscheidungsschritt vorgenommen. Bei diesem Abscheidungsschritt werden die allgemein bei 70 dargestellten oberen magnetischen und Kontaktschichten (z.B. Ni-Fe/TaN) abgeschieden, um den oberen Abschnitt des MTJ-Stapels innerhalb der Öffnungen in der Fotolackschicht 5 und der Kappenschicht 40 zu definieren. Bei einigen Ausführungsbeispielen wird ein herkömmlicher gerichteter Abscheidungsprozeß verwendet, um die oberen magnetischen und Kontaktschichten 70 abzuscheiden.
  • Wie in 12 gezeigt, können die Fotolackschicht 5 und entsprechende darüberliegende Abschnitte der oberen magnetischen und Kontaktschicht 70 beispielsweise unter Verwendung einer herkömmlichen Naßätz-Ablösetechnik entfernt werden. Danach wird, wie in 13 gezeigt, eine Hartmaske 7 abgeschieden. Die Hartmaske kann beispielsweise ein Oxid oder ein Nitrid sein (z.B. SiN oder TaN).
  • Wie in 14 gezeigt, wird zum Strukturieren des unteren Abschnitts (20 und 30) des MTJ-Stapels eine Fotolackschicht 8 verwendet. Über herkömmliche Techniken können dann die Hartmaske 7 geätzt und danach die Fotolackschicht 8 entfernt werden. Das Ergebnis ist in 15 dargestellt.
  • Danach wird, wie in 16 gezeigt, die Hartmaske 7 als eine Struktur verwendet, um die Schichten 20, 30 und 40 zu ätzen und dadurch den unteren Abschnitt 20, 30 des MTJ-Stapels zu definieren. Die Hartmaske 7 ist größer als der obere Stapelabschnitt 70, weshalb der obere Stapelabschnitt eine kleinere Querschnittsfläche als der benachbarte untere Stapelabschnitt bei 20 und 30 aufweist, wie in 16 dargestellt.
  • Nachdem der MTJ-Stapel von 16 beispielsweise mit einem Oxidkapselungsmittel 9 gekapselt worden ist, wie in 17 gezeigt, können zum Herstellen eines Durchkontakts 82 durch das Kapselungsmittel 9 und die Hartmaske 7 zu dem oberen Stapelabschnitt bei 70 und zum Abscheiden der oberen Metallschicht (M3) 80 in dem Durchkontakt 82 herkömmliche Techniken verwendet werden. Dann kann ein herkömmliches CMP durchgeführt werden, und das Ergebnis ist in 18 gezeigt.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen können die Fotolackschichten 5 und 8 der 10 beziehungsweise 14 entsprechend derart strukturiert werden, daß die Beziehung zwischen den Querschnittsflächen des oberen (70) und unteren (20, 30) MTJ-Stapelabschnitts von den gleichen Abmessungen 63 und 64 bestimmt wird, die oben bezüglich der 6 und 7 beschrieben sind.
  • Die vorliegende Erfindung wurde mit Unterstützung der US-Regierung unter MDA972-99-C-0009 angestellt, erteilt durch die Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA). Die US-Regierung besitzt an der vorliegenden Erfindung gewisse Rechte.
  • Wenngleich Ausführungsbeispiele der Erfindung oben ausführlich beschrieben worden sind, beschränkt dies nicht den Schutzbereich der Erfindung, der in einer Vielzahl von Ausführungsformen praktiziert werden kann.

Claims (25)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Magnettunnelübergangsbauelements, das mehrere Schichten enthält, die als ein Stapel von Schichten konfiguriert sind, umfassend: Abscheiden auf einem Substrat (10) einer magnetischen Schicht (20) und einer Tunnelbarrierenschicht (30), die einen ersten Abschnitt des Stapels enthalten; Ätzen der abgeschiedenen magnetischen Schicht (20) und der Tunnelbarrierenschicht (30), um den ersten Abschnitt des Stapels zu definieren; und Abscheiden eines zweiten Abschnitts (70) des Stapels auf dem ersten Abschnitt des Stapels, wobei der zweite Abschnitt (70) des Stapels eine obere magnetische Schicht umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß eine Querschnittsfläche des zweiten Abschnitts (70) des Stapels kleiner ist als eine Querschnittsfläche des ersten Abschnitts des Stapels.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden des zweiten Abschnitts des Stapels nach dem Ätzen der abgeschiedenen magnetischen Schicht (20) und der Tunnelbarrierenschicht (30) vorgenommen wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, das das Abdecken des ersten Abschnitts mit einer schützenden Kappenschicht (40) vor dem Ätzschritt beinhaltet.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der zuerst erwähnte abscheidende Schritt den abdeckenden Schritt beinhaltet.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, das nach dem Ätzschritt und vor dem zuletzt erwähnten abscheidenden Schritt das Ätzen eines Teils der schützenden Kappenschicht (40) beinhaltet, um einen Teil des ersten Abschnitts zu exponieren und gleichzeitig einen anderen Teil des ersten Ab schnitts von der schützenden Kappenschicht (40) bedeckt zu halten.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der zuletzt erwähnte ätzende Schritt das Ätzen einer Öffnung mit einer Querschnittsfläche, die kleiner ist als eine Querschnittsfläche des ersten Abschnitts in einer Ebene, wo der erste Abschnitt im allgemeinen an die schützende Kappenschicht (40) angrenzt, durch die schützende Kappenschicht (40) beinhaltet.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der zuletzt erwähnte abscheidende Schritt das Abscheiden des zweiten Abschnitts in die Öffnung beinhaltet.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, der nach dem zuerst erwähnten ätzenden Schritt und vor dem zuletzt erwähnten ätzenden Schritt das Bereitstellen einer weiteren Schicht (50) in einer darüberliegenden Beziehung relativ zu der schützenden Kappenschicht (40) und das Ätzen einer weiteren Öffnung mit einer Querschnittsfläche, die etwa gleich der Querschnittsfläche der Öffnung in der schützenden Kappenschicht (40) ist, durch die weitere Schicht (50) beinhaltet.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der zuletzt erwähnte abscheidende Schritt das Vornehmen eines gerichteten Abscheidungsprozesses zum Abscheiden des zweiten Abschnitts (70) in die weitere Öffnung beinhaltet.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die weitere Schicht (50) eine dielektrische Schicht ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Schritt des Ätzens der schützenden Kappenschicht (40) ein In-situ-Ätzen der schützenden Kappenschicht (40) beinhaltet.
  12. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die schützende Kappenschicht (40) eine Ru-Schicht oder eine diamantartige Kohlenstoffschicht ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die schützende Kappenschicht (40) eine Dicke in einem Bereich von etwa 50-100 Angström aufweist.
  14. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die schützende Kappenschicht (40) eine Dicke in einem Bereich von etwa 50-100 Angström aufweist.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend vor dem Ätzen der abgeschiedenen magnetischen Barrierenschicht (20) und der Tunnelbarrierenschicht (30): Bedecken der Tunnelbarrierenschicht (30) mit einer schützenden Kappenschicht (40) und Entfernen eines Abschnitts der schützenden Kappenschicht (40); wobei das Abscheiden des zweiten Abschnitts des Stapels auf dem ersten Abschnitt des Stapels nach dem Entfernen des Abschnitts der schützenden Kappenschicht (40) vorgenommen wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Schritt des Entfernens eines Abschnitts der schützenden Kappenschicht (40) das Wegätzen des Abschnitts der schützenden Kappenschicht (40) beinhaltet, um in der schützenden Kappenschicht (40) eine Öffnung zur Verwendung beim Definieren des zweiten Abschnitts des Stapels herzustellen, wobei das Abscheiden des zweiten Abschnitts des Stapels das Abscheiden des zweiten Abschnitts des Stapels in die Öffnung beinhaltet.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Abscheiden des zweiten Abschnitts des Stapels das Abscheiden einer Fotolackschicht (5), die zur Verwendung beim Definieren des zweiten Abschnitts des Stapels strukturiert ist, auf der Tunnelbarrierenschicht (30) beinhaltet.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Abscheiden des zweiten Abschnitts des Stapels das Abscheiden des zweiten Abschnitts (70) des Stapels in eine in der Fotolackschicht (5) strukturierte Öffnung beinhaltet und das Vornehmen einer Naßätz-Ablöseoperation zum Entfernen der Fotolackschicht (5) beinhaltet.
  19. Verfahren nach Anspruch 15, das nach dem Abscheiden des zweiten Abschnitts (70) des Stapels und vor dem ätzenden Schritt das Bereitstellen einer Ätzmaske (7), die den ganzen zweiten Abschnitt (70) des Stapels und Teil der Tunnelbarrierenschicht (30) bedeckt, auf dem zweiten Abschnitt (70) des Stapels und der Tunnelbarrierenschicht (30) beinhaltet.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der ätzende Schritt das Wegätzen eines Rests der Tunnelbarrierenschicht außer dem Teil der Tunnelbarrierenschicht (30) beinhaltet.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt des Bereitstellens der Ätzmaske (7) das Abscheiden einer Maskenschicht (7), die den zweiten Abschnitt (70) des Stapels und die Tunnelbarrierenschicht (30) bedeckt, auf dem zweiten Abschnitt (70) des Stapels und der Tunnelbarrierenschicht (30), das Bereitstellen einer Fotolackmaske (8), die einen Abschnitt der Maskenschicht (7) bedeckt, auf der Maskenschicht (7) und das Wegätzen eines Rests der Maskenschicht außer dem Abschnitt der Maskenschicht beinhaltet.
  22. Verfahren nach Anspruch 19, wobei die Ätzmaske eine O-xidätzmaske oder eine Nitridätzmaske ist.
  23. Magnettunnelübergangsbauelement, umfassend: mehrere Schichten (20, 30, 70), die als ein Stapel von Schichten konfiguriert sind; wobei eine erste (30) der Schichten eine Tunnelbarrierenschicht ist und eine erste Querschnittsfläche in einer entsprechenden ersten Ebene aufweist, die im allgemeinen senkrecht zu einer Höhenrichtung des Stapels verläuft; wobei eine zweite (70) der Schichten eine magnetische Schicht ist und auf der ersten (30) der Schichten angeordnet ist, wobei die zweite (70) der Schichten eine zweite Querschnittsfläche in einer entsprechenden zweiten Ebene aufweist, die im allgemeinen senkrecht zu der Höhenrichtung des Stapels verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Querschnittsfläche kleiner ist als die erste Querschnittsfläche.
  24. Bauelement nach Anspruch 23, wobei die erste (30) und die zweite (70) Schicht in dem Stapel aneinander angrenzen.
  25. Bauelement nach Anspruch 24, das ein Substrat (10) mit dem darauf angeordneten Stapel enthält, wobei sich die zweite Schicht (70) und das Substrat (10) auf jeweiligen gegenüberliegenden Seiten der ersten Schicht (30) befinden.
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