DE60129788D1 - Verfahren und Schaltung zum dynamischen Lesen einer Speicherzelle bei niedriger Spannungsversorgung und mit kleiner Ausgangsdynamik - Google Patents

Verfahren und Schaltung zum dynamischen Lesen einer Speicherzelle bei niedriger Spannungsversorgung und mit kleiner Ausgangsdynamik

Info

Publication number
DE60129788D1
DE60129788D1 DE60129788T DE60129788T DE60129788D1 DE 60129788 D1 DE60129788 D1 DE 60129788D1 DE 60129788 T DE60129788 T DE 60129788T DE 60129788 T DE60129788 T DE 60129788T DE 60129788 D1 DE60129788 D1 DE 60129788D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
memory cell
voltage supply
low
low voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60129788T
Other languages
English (en)
Inventor
Giovanni Campardo
Rino Micheloni
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE60129788D1 publication Critical patent/DE60129788D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/565Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using capacitive charge storage elements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • G11C11/5642Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
DE60129788T 2001-02-14 2001-02-14 Verfahren und Schaltung zum dynamischen Lesen einer Speicherzelle bei niedriger Spannungsversorgung und mit kleiner Ausgangsdynamik Expired - Lifetime DE60129788D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01830097A EP1233420B1 (de) 2001-02-14 2001-02-14 Verfahren und Schaltung zum dynamischen Lesen einer Speicherzelle bei niedriger Spannungsversorgung und mit kleiner Ausgangsdynamik

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE60129788D1 true DE60129788D1 (de) 2007-09-20

Family

ID=8184400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60129788T Expired - Lifetime DE60129788D1 (de) 2001-02-14 2001-02-14 Verfahren und Schaltung zum dynamischen Lesen einer Speicherzelle bei niedriger Spannungsversorgung und mit kleiner Ausgangsdynamik

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP1233420B1 (de)
DE (1) DE60129788D1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114374238A (zh) * 2021-03-31 2022-04-19 华为数字能源技术有限公司 一种电解电容自修复方法、装置、电子设备及存储介质

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100604871B1 (ko) * 2004-06-17 2006-07-31 삼성전자주식회사 상보형 불휘발성 메모리 소자와 그 동작 방법과 그 제조 방법과 그를 포함하는 논리소자 및 반도체 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3600054B2 (ja) * 1998-02-24 2004-12-08 三洋電機株式会社 不揮発性半導体メモリ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114374238A (zh) * 2021-03-31 2022-04-19 华为数字能源技术有限公司 一种电解电容自修复方法、装置、电子设备及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
EP1233420A1 (de) 2002-08-21
EP1233420B1 (de) 2007-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60200265D1 (de) Tintenpatrone mit Speicherchip und Verfahren zu ihrem Zusammenbau
DE60303721D1 (de) Speichervorrichtung mit Speicherzelleinheiten aus einer Speicherzelle und einer komplementären Speicherzelle, und ein Leseverfahren
DE69904320T2 (de) On-chip schaltung und verfahren zur speicherschaltungs-prüfung
DE69804704D1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Takten einer integrierten Schaltung mit hoher Genauigkeit und niedrigem Leistungsverbrauch
DE60325501D1 (de) Brennstoffzellensysteme und zugehöriges verfahren
DE69907930D1 (de) Integrierte Schaltung mit Kalibriermitteln zur Kalibrierung eines elektronischen Moduls und Verfahren zum Kalibrieren eines elektronischen Moduls in einer Integrierten Schaltung
DE60216010D1 (de) Verfahren und Schaltung zum Auslesen von Doppelbit-Speicherzellen unter Verwendung einer Vielzahl von Doppelbit-Referenz-Speicherzellen, die beidseitig gelesen werden
DE59900872D1 (de) Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE50214998D1 (de) Verfahren und schaltungsanordnung zur erkennung eines defekts von halbleiterschaltelementen und deren verwendung in elektronischen bremskraft- und fahrdynamikreglern
DE69631123D1 (de) Verfahren und Schaltung zum Lesen von nichtflüchtigen Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung
DE60305409D1 (de) Synchroner Halbleiterspeicher mit dynamischen Speicherzellen und Refresh-Verfahren
DE59803426D1 (de) Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE69629669D1 (de) Leseverfahren und -schaltung für nichtflüchtige Speicherzellen mit Entzerrerschaltung
DE69820594D1 (de) Anordnung und Verfahren zum Lesen von nichtflüchtigen Speicherzellen
DE60222349D1 (de) Verfahren und Anordnung zum Schreiben von Speicherzellen
DE60129788D1 (de) Verfahren und Schaltung zum dynamischen Lesen einer Speicherzelle bei niedriger Spannungsversorgung und mit kleiner Ausgangsdynamik
DE60129786D1 (de) Verfahren und Schaltung zum dynamischen Auslesen einer Speicherzelle, insbesondere einer nichtflüchtigen Multibitspeicherzelle
DE60317806D1 (de) Verfahren zum Verhindern abrupter Spannungsänderungen am Ausgang eines Verstärkerpaars und Regelschaltung für ein selbstkonfigurierendes Verstärkerpaar in einer Brückenkonfiguration
DE60218812D1 (de) Verfahren zur Regulierung der Sourcespannung während der Programmierung einer nichtflüchtigen Speicherzelle und dementsprechende Programmierungsschaltung
DE60130860D1 (de) Steuervorrichtung zur automatischen Steuerung von an einer Datenleitung angelegten Spannung in einer Serienverbindung
DE60129928D1 (de) Verfahren und Schaltung zur Zeitsteuerung des dynamischen Auslesens einer Speicherzelle mit Kontrolle der Integrationszeit
DE10393702D2 (de) Verfahren zum Hertstellen einer Speicherzelle, Speicherzelle und Speicherzellen-Anordnung
DE50112674D1 (de) Magnetoresistiver speicher und verfahren zu seinem auslesen
AU2001268494A1 (en) Method and low-power circuits used to generate accurate boosted wordline voltagefor flash memory core cells in read mode
DE60211852D1 (de) Verfahren und schaltung zum bilden einer atm-zelle

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de