DE60006353T2 - Aktiver Mikrowellenreflektor für Antenne mit elektronischer Strahlschwenkung - Google Patents

Description

• Die Erfindung hat einen aktiven Höchstfrequenzreflektor mit elektronischer Strahlschwenkung zum Gegenstand, der von einer Quelle für Höchstfrequenzwellen angestrahlt werden kann, um eine Antenne zu bilden.
• Die Antennen mit elektronischer Strahlschwenkung sind gewöhnlich aus einer Gruppe von Antennenelementen gebildet, die eine Höchstfrequenzwelle abstrahlen, deren Phase für jedes Element oder jede Gruppe von Elementen auf unabhängige Weise elektronisch steuerbar ist. Eine Antenne, deren Strahlenbündel in der Lage ist, den Raum in zwei zueinander senkrechten Richtungen (2D) zu überstreichen, erfordert eine große Anzahl Antennenelemente; ihre Kosten, jene der Phasenschieber und der zugeordneten Elektronik machen diesen Antennentyp im All-gemeinen sehr teuer.
• Das Dokument EP-A-595 726 offenbart eine Antenne mit elektronischer Strahlschwenkung, die ein Raster aus Photoempfänger-Phasenschieberelementen umfasst, das in Transmission als Höchstfrequenzlinse oder mit einer Metallisierung oder einem Netz aus Metalldrähten als aktiver Höchstfrequenzreflektor arbeiten kann.
• Das Dokument FR-A-2 708 808 beschreibt eine Phasenschieberplatte mit vier Phasenzuständen sowie ihre Anwendung auf eine Höchstfrequenzlinse, wobei die Platte Leitungsdrähte umfasst, die parallel zur Richtung des elektrischen Feldes einer einfallenden Welle angeordnet sind, wobei jeder Draht wenigstens zwei Dioden trägt, die gegenphasig geschaltet sind und von Steuerleitungen gespeist werden.
• Die Erfindung hat zum Ziel, die Verwirklichung einer 2D-Antenne mit elektronischer Strahlschwenkung zu einem Preis zu ermöglichen, der bei vergleichbaren Leistungsparametern wesentlich niedriger als jener der bekannten Antennen ist.
• Dazu ist die Antenne gemäß der Erfindung aus einer Quelle für eine linear polarisierte Höchstfrequenzwelle gebildet, die einen aktiven Höchstfrequenzreflektor anstrahlt. Der aktive Reflektor gemäß der Erfindung umfasst eine Gruppe von Elementarzellen, die jeweils eine Höchstfrequenzphasenverschiebungsschaltung umfassen, die vor einer Leiterebene angeordnet ist. Der Phasenschieber umfasst Leitungsdrähte, die auf einem Träger angeordnet sind, wobei die Drähte jeweils wenigstens zwei Halbleiterelemente mit zwei Zuständen aufweisen, beispielsweise Dioden, die an Leiter angeschlossen sind, die ermöglichen, den Zustand der Dioden unabhängig voneinander zu steuern, wobei jede der Dioden im Durchlass- oder im Sperrzustand sein kann, so dass auf diese Weise vier mögliche Zustände erhalten werden, wobei die geometrischen und elektrischen Eigenschaften der Zelle derart sind, dass jedem dieser Zustände ein vorgegebener Phasenverschiebungswert entspricht. Schließlich sind zwischen den Zellen Höchstfrequenzentkopplungsmittel vorgesehen, die insbesondere darin bestehen, zwischen zwei benachbarten Zellen Wellenleiter zu bilden, deren Wände parallel zur Polarisation der Welle sind und deren Freiraum derart ist, dass er die Fortpflanzung der Welle unterbindet.
• Weitere Ziele, besondere Merkmale und Wirkungen der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung hervorgehen, die beispielhaft gegeben ist und durch die beigefügte Zeichnung veranschaulicht wird. Es zeigen:
• 1 das allgemeine Schema der Antenne gemäß der Erfindung;
• 2 eine schematische Draufsicht des aktiven Reflektors gemäß der Erfindung;
• 3 die schematische Schnittansicht einer Ausführungsform des aktiven Reflektors;
• 4 eine Ausführungsform einer Höchstfrequenzschaltung, die in dem aktiven Reflektor verwendet wird;
• 5 die Ersatzschaltung der vorhergehenden Höchstfrequenzschaltung;
• 6 eine praktische Ausführungsform eines Elements, um die Zellen voneinander zu entkoppeln;
• 7 eine weitere Ausführungsform der Höchstfrequenzschaltung, die die Verwirklichung einer Doppelpolarisationsantenne ermöglicht.
• In diesen verschiedenen Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente.
• 1 veranschaulicht in schematischer Weise das Prinzip, das von der Antenne gemäß der Erfindung verwendet wird.
• Die Antenne ist aus einer Quelle S für eine Höchstfrequenzwelle O₁ mit linearer Polarisation, parallel zu einer im Voraus festgelegten Richtung OY, gebildet, die einen aktiven Reflektor RA anstrahlt, der sich in einer Ebene befindet, beispielsweise XOY, welche die Richtung OY enthält.
• Der Reflektor RA ist in 2 von oben gesehen (in der Ebene XOY) schematisch dargestellt.
• Er umfasst eine Gruppe von Elementarzellen C, die nebeneinander und durch die Zonen 20, die für die Höchstfrequenzentkopplung der Zellen verwendet werden, voneinander getrennt angeordnet sind. Jede Zelle ist im Stande, die Welle, die sie empfängt, mit einem Phasenwert zu reflektieren, der gemäß einem weiter unten beschriebenen Verfahren elektrisch steuerbar ist.
• Folglich ist es durch Steuern der Phasenverschiebungen, die der von jeder Zelle empfangenen Welle aufgeprägt werden, möglich, wie bekannt ist, ein Höchstfrequenz-Strahlenbündel O₂ (1) in der gewünschten Richtung zu bilden.
• 3 ist eine schematische Schnittansicht (in einer Ebene YOZ senkrecht zur Ebene XOY) einer Ausführungsform des aktiven Reflektors RA.
• Der Reflektor RA ist aus einer Höchstfrequenzschaltung CH, die die einfallende Welle O₁ empfängt, die beispielsweise im Wesentlichen eben ist, und aus einer Leiterebene CC gebildet, die im Wesentlichen parallel zur Schaltung CH in einem im Voraus festgelegten Abstand d zu dieser Letzteren angeordnet ist.
• Die Leiterebene CC hat zur Aufgabe, die Höchstfrequenzwellen zu reflektieren. Sie kann unter Verwendung jedes bekannten Mittels gebildet sein, beispielsweise aus hinreichend dicht angeordneten parallelen Drähten oder aus einem hinreichend dichten Gitter oder einer ununterbrochenen Ebene. Die Schaltung CH und die Ebene CC sind vorzugsweise auf zwei Seiten eines dielektrischen Trägers 21 vom Typ der gedruckten Schaltung verwirklicht.
• Der Reflektor RA umfasst außerdem, vorzugsweise auf derselben gedruckten Schaltung 32, die dann eine mehrlagige Schaltung ist, die elektronische Schaltung (Komponenten und Zwischenverbindungen), die für die Steuerung der Phasenwerte erforderlich ist. In der Figur ist eine mehrlagige Schaltung gezeigt, deren Vorderseite 30 die Schaltung CH trägt, deren Rückseite 31 elektronische Komponenten 132 trägt und deren Zwischenlagen die Ebene CC und beispielsweise zwei Ebenen PI zur Verbindung der Komponenten 132 mit der Schaltung CH bilden.
• 4 zeigt eine Ausführungsform der Höchstfrequenzschaltung CH.
• Die Schaltung CH ist aus elementaren Phasenschiebern D gebildet, die auf der Oberfläche 30 verwirklicht sind, wobei sie durch Entkopplungszonen voneinander getrennt sind. Jeder Phasenschieber D, der dem entsprechenden Teil der Leiterebene CC zugeordnet ist, bildet eine der Elementarzellen C von 2.
• Ein Phasenschieber D umfasst einen Draht oder mehrere Drähte F (in 4 nur einen einzigen) im Wesentlichen parallel zur Richtung OY, die jeder wenigstens zwei Halbleiterelemente mit zwei Zuständen, D₁ und D₂, beispielsweise Dioden, tragen, die beispielsweise gegenphasig geschaltet sind, etwa mit ihrer Katode. Die Versorgungsspannung der Dioden D₁ und D₂ wird über die mit CD bezeichneten Steuerleitungen zugeführt, die im Wesentlichen parallel zueinander und senkrecht zu den Drähten F sind. Es gibt davon wenigstens drei oder vier, wie in der Figur gezeigt ist, derart, dass die voneinander unabhängige Steuerung der Dioden sichergestellt ist.
• Die Phasenschieber D sind von leitenden Zonen umgeben, die in der Nähe ihres Umfangs, mit 74 bezeichnet in einer Richtung parallel zu OX und mit 75 bezeichnet in einer Richtung parallel zu OY, angeordnet sind und für die Entkopplung verwendet werden, wie weiter unten erläutert wird.
• Die Leiter CD sind über metallisierte (41) Löcher 40, die in der Ebene der leitfähigen Zonen 75 ausgeführt, jedoch selbstverständlich von diesen Letzteren elektrisch isoliert sind (beispielsweise durch eine Unterbrechung 43 der Zone 75), mit der von dem Reflektor getragenen elektronischen Schaltung verbunden.
• Der Übersichtlichkeit der Figuren wegen ist die Oberfläche der verschiedenen Leiter, die beispielsweise in Form von metallischen Ablagerungen auf der Oberfläche 30 verwirklicht sind, schraffiert dargestellt, obwohl sie nicht im Schnitt gesehen werden.
• Für die Beschreibung der Funktionsweise einer Zelle ist es zunächst erforderlich, die Ersatzschaltung eines Phasenschiebers D zu betrachten, wie sie in 5 gezeigt ist.
• Die einfallende Welle mit einer Polarisation (Vektor des elektrischen Feldes) senkrecht oder parallel zu OY und zu den Drähten F wird über die Anschlussklemmen B₁ und B₂ empfangen und trifft auf vier in Reihe geschaltete Kapazitäten C_O, C_I1 C_I2 C_I3 die parallel zu den Anschlussklemmen B₁ und B₂ geschaltet sind. Die Kapazität C_O repräsentiert die Streckendurchlassfähigkeit der Entkopplung zwischen den äußersten Leitern CF und den leitenden Zonen 74; die Kapazität C_I1 ist die Streckendurchlassfähigkeit zwischen den Leitern CD, die die Diode Dr umgeben, die Kapazität C_I3 die Streckendurchlassfähigkeit zwischen den mittigen Leitern CD und die Kapazität C₁₂ ist die Entsprechung von C_I1 für die Diode D2.
• An die Anschlussklemmen der Kapazität C_I1 ist die Diode D₁ angeschlossen, die ebenfalls durch ihr Ersatzschaltbild dargestellt ist. Dieses Letztere umfasst eine Induktivität L₁, die Induktivität der Diode D₁ unter Berücksichtigung ihres Anschlussdrahts (F), in Reihe mit:
• – entweder einer Kapazität C_i1 (Zonenübergangskapazität der Diode) in Reihe mit einem Widerstand R_i1 (Inverswiderstand),
• – oder einem Widerstand R_d1 (Durchlasswiderstand der Diode),
je nachdem, ob die Diode D₁ in Sperrrichtung oder in Durchlassrichtung ist, was durch einen Schalter 2₁ symbolisiert ist.
• Auf gleiche Weise ist an die Anschlussklemmen der Kapazität C_I2 eine Diode D2 angeschlossen, die durch ihr Ersatzschaltbild repräsentiert wird. Dieses Letztere ist jenem der Diode D1 analog, wobei seine Komponenten den Index 2 tragen.
• Die Spannung des Höchstfrequenzausgangs wird zwischen den Anschlüssen B₃ und B₄, den Anschlussklemmen der Kapazitäten C₀, C_I1, C_I2, C_I3, abgegriffen.
• Die Funktionsweise des Phasenschiebers D ist nachfolgend erläutert, wobei in einem ersten Schritt das Verhalten einer derartigen Schaltung bei Abwesenheit der Diode D2 und der mittigen Leiter CD betrachtet wird, was darauf hinausläuft, in der Ersatzschaltung von 5 den Block D₂ sowie die Kapazitäten C_I2 und C_I3 wegzulassen.
• Wenn die Diode D₁ in Durchlassrichtung betrieben wird, kann die Suszeptanz (B_d1) der Schaltung von 5 (modifiziert) folgendermaßen geschrieben werden:

  

  wobei Z die Impedanz der einfallenden Welle und ω die Kreisfrequenz ist, die der Mittenfrequenz des Betriebsbandes der Vorrichtung entspricht.
• Die Parameter der Schaltung werden beispielsweise so gewählt, dass B_d1 ≅ 0 erhalten wird, d. h. die Schaltung unter Vernachlässigung ihres elektrischen Leitwertes angepasst ist, oder anders ausgedrückt, dass sie für eine einfallende Höchstfrequenzwelle durchlässig ist und weder eine störende Reflexion, noch eine Phasenverschiebung (dϕ_d1 = 0) einführt. Genauer wird

  

  gewählt, was vor allem unabhängig vom Wert der Kapazität C_i1 zu B_d1 ≅ 0 führt.
• Wenn die Diode D₁ in Sperrrichtung betrieben wird, kann die Suszeptanz (B_r2) der Schaltung folgendermaßen geschrieben werden:

  
• Da die Kapazität C_I1 im Voraus festgelegt worden ist, wird offensichtlicht, dass der Wert der Suszeptanz B_r1 durch Einwirken auf den Wert der Kapazität C_i, d. h. durch die Wahl der Diode D₁, eingestellt werden kann.
• Wenn nun in einem zweiten Schritt das Vorhandensein der Diode D2 und der mittigen Leiter CD Berücksichtigung findet, wird anhand einer Analogbetrachtung ersichtlich, dass zwei weitere verschiedene Werte für die Suszeptanz erhalten werden, je nachdem, ob die Diode D₂ in Durchlassrichtung oder in Sperrrichtung betrieben wird.
• Folglich wird offensichtlich, dass die Suszeptanz B_D eines Phasenschiebers D je nach der Steuerspannung (Betrieb in Durchlassrichtung oder in Sperrrichtung), die an jeder der Dioden D1 und D2 anliegt, vier verschiedene Werte aufweisen kann (mit B_D1, B_D2, B_D3 und B_D4 bezeichnet). Diese Werte sind von den Parametern der Schaltung von 5, d. h. von den Werten, die für die geometrischen Parameter (Abmessungen, Formen und Freiräume der verschiedenen leitenden Oberflächen) und die elektrischen Parameter (Kennlinien der Dioden) des Phasenschiebers gewählt worden sind, abhängig.
• Wenn nun das Verhalten der gesamten Zelle, d. h. des Phasenschiebers D und der Leiterebene CC, genau betrachtet wird, muss die Suszeptanz, die durch die Ebene CC bedingt ist und die wieder in die Ebene des Phasenschiebers zurückgeführt und mit B_CC bezeichnet ist, berücksichtigt werden, wobei sie folgendermaßen geschrieben werden kann:

  

  wobei λ die Wellenlänge ist, die der Kreisfrequenz ω entspricht.
• Die Suszeptanz B_C der Zelle ist dann durch

  

  gegeben.
• Es folgt, dass die Suszeptanz B_C vier verschiedene Werte annehmen kann (mit B_C1, B_C2, B_C3 und B_C4 bezeichnet), die jeweils den vier Werten von B_D entsprechen, wobei der Abstand d einen zusätzlichen Parameter für die Bestimmung der Werte B_C1 bis B_C4 darstellt.
• Außerdem ist bekannt, dass die Phasenverschiebung (dφ), die einer Höchstfrequenzwelle von einer Admittanz Y aufgeprägt wird, die Form

  

  aufweist. Es wird offensichtlich, dass bei Vernachlässigen des Realteils der Admittanz einer Zelle

  

  gilt und je nach der an jeder der Dioden D₁ und D₂ anliegenden Steuerspannung vier mögliche Werte (dφ₁–dφ₄) für die Phasenverschiebung der Zelle erhalten werden. Die übrigen Parameter sind so gewählt, dass die vier Werte dφ₁–dφ₄ beispielsweise gleichmäßig verteilt sind, bei 0, 90°, 180°, 270°, was jedoch nicht zwingend erforderlich ist.
• Es ist zu beachten, dass weiter oben der Fall beschrieben worden ist, in dem die Parameter der Schaltung so gewählt werden, dass die Suszeptanzen null (oder im Wesentlichen null) jene sind, die den in Durchlassrichtung betriebenen Dioden entsprechen, jedoch selbstverständlich ein symmetrischer Betrieb gewählt werden kann, bei dem die Parameter so bestimmt sind, dass im Wesentlichen die Suszeptanzen B_r verschwinden. Allgemeiner formuliert: Es ist nicht notwendig, dass eine der Suszeptanzen B_d oder B_r null ist, sondern diese Werte werden so bestimmt, dass die Bedingung der Gleichverteilung der Phasenverschiebungen dφ₁–dφ₄ erfüllt ist.
• Außerdem erfolgen in dem Fall, in dem die Zelle mehr als einen Draht F umfasst, der Dioden trägt, der Betrieb und die Bestimmung der Parameter auf die gleiche An und Weise, vorbehaltlich der damit verbundenen Modifikation der Ersatzschaltung und der Berücksichtigung der Wechselwirkungen zwischen den Drähten mit Dioden.
• Außerdem umfasst der aktive Reflektor gemäß der Erfindung Entkopplungsmittel zwischen den Zellen C.
• Die von den Zellen empfangene Höchstfrequenzwelle ist parallel zur Richtung OY linear polarisiert. Es wird angestrebt, dass sich diese Welle nicht in der Richtung OX von einer Zelle zur anderen fortpflanzt. Um eine derartige Fortpflanzung zu vermeiden sieht die Erfindung vor, eine leitende Zone 75 anzuordnen, die im Wesentlichen die Form eines Streifens aufweist und beispielsweise durch Metallabscheidung auf der Oberfläche 30 zwischen den Zellen parallel zur Richtung OY hergestellt ist. Dieser Streifen 75 bildet zusammen mit der Reflektorebene CC, die sich darunter befindet, einen Raum vom Typ Wellenleiter, dessen Breite gleich dem Abstand d ist. Gemäß der Erfindung wird der Abstand d so gewählt, dass er kleiner als λ/2 ist, wobei davon ausgegangen wird, dass eine Welle, deren Polarisation parallel zu den Streifen ist, sich in einem solchen Raum nicht fortpflanzen kann. In der Praxis arbeitet der Reflektor gemäß der Erfindung in einem bestimmten Frequenzband, und der Abstand d wird so gewählt, dass er kleiner als die kleinste der Wellenlängen des Bandes ist. Selbstverständlich ist es erforderlich, diese Einschränkung bei der Bestimmung der verschiedenen Parameter für die Festlegung der Phasenverschiebungen dφ₁–dφ₄ zu berücksichtigen. Außerdem muss der Streifen 75 in der Richtung OX eine Breite e haben, die ausreicht, damit der an früherer Stelle beschriebene Effekt deutlich ist. Praktisch kann die Breite e in der Größenordnung von λ/15 sein.
• Außerdem kann in störender Weise in einer Zelle eine Welle erzeugt werden, deren Polarisation zur Richtung OZ (senkrecht zu den Richtungen OX und OY) ausgerichtet wäre. Es ist gleichermaßen erstrebenswert, ihre Ausbreitung in Richtung der Nachbarzellen zu vermeiden.
• Was die benachbarten Zellen in der Richtung OX anbelangt, so können, wie in 4 gezeigt ist, die metallisierten Löcher 40–41 für die Verbindung der Leiter CD mit der elektronischen Steuerschaltung genutzt werden. Da diese nämlich parallel zur Polarisation der Störwelle sind, entsprechen sie einer Leiterebene, die eine Abschirmung bildet, wenn sie hinsichtlich der Betriebswellenlängen des Reflektors dicht genug (mit einem Abstand von einem zum anderen, der sehr viel kleiner als die Betriebswellenlänge des Reflektors ist) und folglich zahlreich sind. Wenn diese Bedingung nicht erfüllt ist, können selbstverständlich zusätzliche metallisierte Löcher ausgebildet werden, die keine Verbindungsfunktion haben. Es wird angemerkt, dass diese metallisierten Löcher 40–41 vorzugsweise in der Ebene der Streifen 75 ausgebildet sind, damit die Funktion der Zellen nicht gestört wird.
• Schließlich können, was die benachbarten Zellen in der Richtung OY anbelangt, entweder metallisierte Löcher verwendet werden, die den Löchern 40–41 analog sind, wobei sie jedoch in der Richtung OX ausgerichtet sind, oder es kann eine ununterbrochene leitende Fläche in der Ebene XOZ angeordnet werden, wie in 6 veranschaulicht ist, wo Platten 61 dargestellt worden sind, die sich von der Ebene CC aus parallel zur Ebene XOZ erstrecken (die Kreuzungsstelle dieser Platten 61 mit der Oberfläche 30 bildet die Zonen 74 der 4). Diese Platten können sich vorteilhaft über die Oberfläche 30 hinaus über eine Höhe erstrecken, die nicht kritisch ist, wobei sie beispielsweise kleiner als λ/10, gleich λ/10 oder ein Vielfaches von λ/10 sein kann, um die Entkopplung zu verbessern.
• 7 zeigt eine weitere Ausführungsform der Höchstfrequenzschaltung CH, die die Verwirklichung einer Doppelpolarisationsantenne ermöglicht.
• In dieser Figur ist eine einzige Zelle C perspektivisch dargestellt. Die auf der Oberfläche 30 des Substrats 32 getragene Phasenverschiebungsschaltung ist nun aus zwei Drähten F₁, F₂ gebildet, die jeweils zwei Halbleiterelemente, wie etwa Dioden (D₁₁, D₂₁, D₁₂, D₂₂) tragen, die beispielsweise mit demselben mittigen Leiter 71 verbunden sind, der seinerseits über ein metallisiertes Loch 72 mit der elektronischen Steuerschaltung des Reflektors verbunden ist. Jeder der Drähte mit Diode wirkt hier gemäß dem gleichen Verfahren, wie es zuvor beschrieben worden ist, unter Berücksichtigung der Unterschiede in der Geometrie der Leiter nur auf die Wellen ein, deren Polarisation eine Komponente aufweist, die parallel zu ihm ist.

Claims (8)

1. Aktiver Höchstfrequenzreflektor, der eine elektromagnetische Welle empfangen kann, die in einer gegebenen ersten Richtung (OY) linear polarisiert ist, und eine Gruppe von Elementarzellen (C), die auf einer Oberfläche nebeneinander angeordnet sind, umfasst, wobei jede Zelle eine Höchstfrequenzphasenverschiebungsschaltung (D) und eine Leiterebene (CC), die im Wesentlichen parallel zu der Höchstfrequenzschaltung in einem im Voraus definierten Abstand (d) von dieser Letzteren angeordnet ist, umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass der im Voraus definierte Abstand (d) kleiner ist als die Hälfte der kleinsten Wellenlänge des Betriebsbandes des Reflektors, wobei die Phasenverschiebungsschaltung einen dielektrischen Träger (32), wenigstens einen elektrisch leitenden Draht (F), der zu der gegebenen Richtung im Wesentlichen parallel ist, auf dem Träger angeordnet ist und wenigstens zwei Halbleiterelemente (D₁, D₂) mit zwei Zuständen trägt, wobei der Draht mit Steuerleitern (CD) der Halbleiterelemente verbunden ist, die zu den Drähten (F) im Wesentlichen senkrecht sind, wobei die Steuerleiter wenigstens in der Anzahl drei vorhanden sind, um den Zustand der Halbleiterelemente unabhängig voneinander zu steuern, sowie zwei erste leitende Zonen (74) umfaßt, die in der Nähe des Umfangs der Zelle im Wesentlichen parallel zu den Steuerleitern angeordnet sind, wobei die geometrischen und elektrischen Eigenschaften der Zelle derart sind, dass jedem der Zustände der Halbleiterelemente ein gegebener Phasenverschiebungswert (dφ₁, dφ₂, dφ₃, dφ₄) der elektromagnetischen Welle, die von der Zelle reflektiert wird, entspricht, wobei der Reflektor außerdem eine elektronische Schaltung zum Steuern des Zustandes der Halbleiterelemente, die mit den Steuerleitern verbunden ist, und Höchstfrequenzentkopplungsmittel zwischen den Zellen umfasst, wobei diese Mittel eine zweite leitende Zone (75) aufweisen, die zwischen jeder Zelle parallel zu der gegebenen Richtung angeordnet ist und mit der Leiterebene einen Leiterraum bildet, in dem sich die Welle nicht ausbreiten kann.
2. Reflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrische Träger (32) vom Typ einer mehrlagigen gedruckten Schaltung ist, wovon eine erste Fläche (30) die Höchstfrequenzschaltung trägt, eine erste Zwischenlage die Leiterebene trägt und die zweite Fläche (31) Komponenten der Steuerschaltung trägt.
3. Reflektor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrische Träger (32) außerdem wenigstens eine zweite Zwischenlage (PI) aufweist, die Zwischenverbindungen der Steuerschaltung trägt.
4. Reflektor nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass er metallisierte Löcher (40, 41) aufweist, die in dem dielektrischen Träger (32) in einer zu der ersten Richtung im Wesentlichen senkrechten zweiten Richtung (OZ) in einem Abstand ausgebildet sind, der viel kleiner als die Länge der elektromagnetischen Welle ist, wobei bestimmte dieser metallisierten Löcher die Verbindung zwischen der Steuerschaltung und den Steuerleitern gewährleisten.
5. Reflektor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die metallisierten Löcher (40, 41) in der zweiten leitenden Zone (75) ausgebildet sind, jedoch ohne dass mit dieser Letzteren ein elektrischer Kontakt besteht.
6. Reflektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten leitenden Zonen (74) durch Leiterebenen (61), die zu der ersten Richtung (OY) im Wesentlichen senkrecht sind und sich wenigstens zwischen der Leiterebene (CC) und der Phasenverschiebungsschaltung (D) erstrecken, verlängert sind.
7. Reflektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterelemente Dioden sind.
8. Höchstfrequenzantenne mit elektronischer Stahlschwenkung, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen Reflektor (RA) nach einem der vorhergehenden Ansprüche und eine Quelle für Höchstfrequenzwellen, die auf den Reflektor gerichtet sind, umfasst.