DE548074C - Elektrode fuer Kontaktgleichrichter - Google Patents
Elektrode fuer KontaktgleichrichterInfo
- Publication number
- DE548074C DE548074C DES83859D DES0083859D DE548074C DE 548074 C DE548074 C DE 548074C DE S83859 D DES83859 D DE S83859D DE S0083859 D DES0083859 D DE S0083859D DE 548074 C DE548074 C DE 548074C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- contact
- metal
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BWFPGXWASODCHM-UHFFFAOYSA-N copper monosulfide Chemical compound [Cu]=S BWFPGXWASODCHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLKFUGXSXNYLPC-UHFFFAOYSA-N [S].[S].[Cu] Chemical class [S].[S].[Cu] JLKFUGXSXNYLPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
- H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
- H01L21/167—Application of a non-genetic conductive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM
11. APRIL 1932
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
M 548 KLASSE 21g GRUPPE
Patentiert im Deutschen Reiche vom 28. Januar 1928 ab
Es sind Elektroden für Kontaktgleichrichter bekannt, bei denen die Ventilwirkung
auf dem Vorhandensein einer Schicht einer Schwefel-, Selen- oder Tellurverbindung
eines Metalls, z.B. Kupfer, beruht, die beispielsweise durch Zusammenpressen pulverförmigen
Stoffes unter starkem Druck hergestellt ist. Derartige Gleichrichter sind zwar zur Gleichrichtung von Wechselströmen
to geringer Stärke geeignet, versagen aber, wenn Ströme größerer Stärke gleichgerichtet werden
sollen. Der Grund für diese Erscheinung liegt wahrscheinlich in dem verhältnismäßig
hohen inneren Widerstände der wirksamen Schicht und dem damit zusammenhängenden
geringen Wirkungsgrad der Gleichrichtung. Den Gegenstand der Erfindung bildet eine
Elektrode für Kontaktgleichrichter der eingangs erwähnten Art, welche den angege-
ao benen Nachteil nicht aufweist und eine auffallend gute Gleichrichtung ergibt. Dies
wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die Gleichrichterelektrode sich aus einer
Metallverbindungsschicht der erwähnten Art und einer darauf durch Aufpressen pulverförmigen
Stoffes unter starkem Druck erzeugten Metall- fz. B. Kupfer-) schicht zusammensetzt,
wobei die beiden Schichten zusammen in einem einzigen Arbeitsgang hergestellt sind. Bei der Herstellung von
Trockengleichrichtern die Schichten durch gleichzeitiges Zusammenpressen mehrerer
Pulverschichten herzustellen, wurde bei anderen Trockengleichrichtern bereits vorgeschlagen.
3,5
Die Herstellung der den Gegenstand der Erfindung bildenden Elektrode geht, etwa in
folgender Weise vor sich:
In einer für starken Druck eingerichteten Presse, die zur Herstellung hohlzylindris.cher
Platten oder Körper geeignet ist, wird pulverisiertes Kupfer und pulverisiertes Schwefelkupfer
(Cuprisulfid) im Verhältnis 2 : 1 übereinandergeschichtet und dann einem
Druck von mehreren Tausend kg/qcm ausgesetzt. Die so gebildete Elektrode wird
dann unter einem verhältnismäßig geringen Anpressungsdruck, der wesentlich unter
^i,, des zum Zusammenpressen der pulverförmigen
Ausgangsstoffe verwendeten Druckes liegt, mit einer aus Aluminium oder Magnesium bestehenden Gegenelektrode zusammengepreßt.
Ein derartiger Gleichrichter kann mit verhältnismäßig hohen Spannungen und dementsprechend hohen Stromstärken belastet
werden, ohne daß er die Neigung zeigt.
*) Von Ji-ni Patentsitcher ist als der Erfinder angegeben "Morden:
Reinhold Reichmann in Berlin.
durchzuschlagen. Die bei der Belastung auftretende Stromwärme wird in bekannter
Weise an-die Umgebung abgeführt. Je stärker die Belastung ist, desto kräftiger muß
natürlich die z. B. durch Ventilation bewirkte Abkühlung sein.
Es hat sich gezeigt, daß ganz besonders gute Wirkungen erhalten werden, wenn man
dafür sorgt, daß die Größe der Berührungsfläche der wirksamen Schicht der Elektrode mit
der Gegenelektrode ein gewisses Maß nicht übersteigt, das zur Sicherung einer vollkommenen
Flächenberührung eingehalten werden muß. Dieses Maß liegt, wie eingehende \rersuche
ergeben haben, immer unter 1 qcm. Geht man über diese Grenze hinaus, so läßt
es sich nicht vermeiden, daß bei einem Teil der einander berührenden Oberflächen der
Elektroden nur Punktberührung stattfindet. Hierin liegt aber nicht nur die Gefahr, daß
der Gleichrichter an einzelnen Stellen überlastet wird und durchschlägt, sondern auch
eine erhebliche VerschlecHterung des bei guter Flächenberührung möglichen Wirkungsgrades.
Hält man aber die Berührungsfläche der Elektrode kleiner als 1 qcm, so ist die
für die gute Wirkung erforderliche vollkommene Flächenberührung gesichert
Es ist zweckmäßig, zur Herstellung der beschriebenen Elektrode ganz trockenes Kupfersulfidpulver
zu verwenden. Um solches zu erhalten, kann man wie folgt verfahren:
Das käufliche, beispielsweise durch Fällen aus einer Kupfersalzlösung mittels Schwefel-Wasserstoffes
hergestellte Kupfersulfidpulver wird mit einem starken Zusatz von Schwefelpulver
versetzt und gut durcheinandergemengt. Der überschüssige Schwefel wird dann durch Erhitzen auf etwa 250 ° C heraussublimiert.
Bei Elektroden für Kontaktgleichrichter der eingangs erwähnten Art ist es an sich bekannt,
die Metallverbindungsschicht durch Zusammenpressen pulverförmigen Materials herzustellen. Dagegen ist es nicht bekannt
gewesen, auch die metallische Gegenelektrode durch Zusammenpressen pulverförmigen
Stoffes unter starkem Druck zu erzeugen. Gerade dieses Merkmal ist aber zur Herbeiführung
der mit der Erfindung angestrebten Vorteile von besonderer Bedeutung.
Es ist ferner bei Kontaktgleichrichtern der eingangs erwähnten Art bekannt, die Berührungsfläche
zwischen der Metallverbindungselektrode und der Metallelektrode auf ein verhältnismäßig
geringes Maß zu beschränken, indem man der metallischen Gegenelektrode eine wesentlich kleinere Kontaktfläche gibt als
der Metallverbindungselektrode. Mit dieser Maßnahme wird jedoch bei der bekannten
Einrichtung lediglich bezweckt, einen Kurzschluß zwischen der Gegenelektrode und
einem metallischen Behälter, der zur Aufnahme der Metallverbindungselektrode dient,
zu vermeiden.
Schließlich ist es bekannt, bei der Herstellung von Schwefelkupferverbindungen zur
Verwendung in Kontaktgleichrichtern Schwefelpulver im Überschuß zu verwenden und den
nicht gebundenen Schwefel durch Erhitzen auszutreiben. Neu ist dagegen die Anwendung
eines derartigen Verfahrens auf käufliches Kupfersulfidpulver zu dem Zweck, ein völlig trockenes und homogenes Elektrodenmaterial
zu erhalten.
Claims (6)
- Patentansprüche:i. Elektrode für Kontaktgleichrichter, bei der 'die Ventilwirkung auf dem Vorhandensein einer Schicht einer Schwefel-, Selen- oder Tellurverbindung eines Metalls, z. B. Kupfer, beruht, die durch Zusammenpressen pulverförmigen Stoffes unter starkem Druck hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode sich aus einer Metallverbindungsschicht dar erwähnten Art und einer darauf zusammen mit der Herstellung der Verbindungsschicht in demselben Arbeitsgang durch Aufpressen pulverförmigen Stoffes unter starkem Druck erzeugten Metall-(z. B. Kupfer-) schicht zusammensetzt.
- 2.'Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht stärker, beispielsweise doppelt so stark, als die Metallverbindumgsschicht ist.
- 3. Elektrode nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Berührungsfläche der wirksamen Schicht der beispielsweise zylinderförmig ausgebildeten Elektrode mit der Gegenelektrode dasjenige Maß nicht übersteigt, das zur Sicherung einer vollkommenen Flächenberührung eingehalten werden muß.
- 4. Elektrode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Berührungsfläche unter 1 qcm liegt.
- 5. Aus einer Elektrode nach Anspruch 1 und einer metallischen Gegenelektrode zusammengesetzter Kontaktgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode und die z.B. aus Aluminium oder Magnesium bestehende Gegenelektrode durch einen Anpressungsdruck zusammengehalten sind, der wesentlich unter 1Z10 desjenigen Druckes liegt, mit welchem das Zusammenpressen der pulverförmigen Aus- tao gangsstoffe der erstgenannten Elektrode erfolgt.
- 6. Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterelektroden nach Anspruch i, bei denen die wirksame Schicht aus Kupfersulfid besteht, dadurch gekennzeichnet, daß Kupfersulfid verwendet wird, das inder Weise gewonnen ist, daß käufliches Kupfersulfid in pulverisierter Form mit Schwefelpulver versetzt und der überschüssige Schwefel durch Sublimieren entfernt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES83859D DE548074C (de) | 1928-01-27 | 1928-01-28 | Elektrode fuer Kontaktgleichrichter |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES83859A DE1224123B (de) | 1962-03-01 | 1928-01-27 | Verfahren zur Herstellung von Feilen mit gekreuzten Kerben unter Anwendung des Walzens |
DES83859D DE548074C (de) | 1928-01-27 | 1928-01-28 | Elektrode fuer Kontaktgleichrichter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE548074C true DE548074C (de) | 1932-04-11 |
Family
ID=25997146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES83859D Expired DE548074C (de) | 1928-01-27 | 1928-01-28 | Elektrode fuer Kontaktgleichrichter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE548074C (de) |
-
1928
- 1928-01-28 DE DES83859D patent/DE548074C/de not_active Expired
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1805372A1 (de) | Tantalpulver fuer gesinterte Kondensatoren | |
DE921095C (de) | Selengleichrichter | |
DE2743842C2 (de) | Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1458275B2 (de) | Verfahren zum herstellen korrosionsbestaendiger dichter nickelhaltiger ueberzuege auf stahlband | |
DE1955396A1 (de) | Elektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE861283C (de) | Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE548074C (de) | Elektrode fuer Kontaktgleichrichter | |
DE976480C (de) | Verfahren zum Herstellen elektrolytischer Kondensatoren | |
DE829766C (de) | Selen-Wechselstromgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE859338C (de) | Elektrode, Platte od. dgl. mit Anschlussglied und elektrolytischer Kondensator | |
AT118955B (de) | Elektrode für Kontaktgleichrichter. | |
DE527789C (de) | Gleichrichter fuer Wechselstrom | |
DE2162052A1 (de) | Elektroden für keramische Körper | |
DE512817C (de) | Elektrischer Trockengleichrichter | |
DE262775C (de) | ||
CH139940A (de) | Kontaktgleichrichter. | |
DE720445C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial und nach diesem Verfahren hergestellter Trockenplattengleichrichter | |
DE610126C (de) | Trockengleichrichter | |
DE841175C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern | |
DE685857C (de) | Schweisselektroden fuer elektrische Punktschweissmaschinen | |
DE635226C (de) | Plattentrockengleichrichter | |
DE570764C (de) | Trockengleichrichter | |
DE757281C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trocken-gleichrichter, mit zwischen Halbleiter und Traegerelektrode liegender Sperrschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE948275C (de) | Selengleichrichter | |
DE497426C (de) | Trockener fester Gleichrichter, der aus Schichten verschiedener Stoffe besteht |