DE461194T1 - Epitaxialer reaktor hoher kapazitaet. - Google Patents
Epitaxialer reaktor hoher kapazitaet.Info
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Claims (88)
1. Trommelepitaxialreaktor mit
einer Reaktionskammereinrichtung, die eine Aufnehmereinrichtung enthält, die einen ebenen Bereich mit einer
Länge von etwa 12 inch (30,5 cm) bis etwa 18 inch (45,7 cm)
in einer ersten Richtung aufweist, und
einer Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung zum Liefern einer unsymmetrischen Wärmeenergieverteilung in der
ersten Richtung, so daß die Epitaxialschichten, die auf benachbarten Scheiben in der Reaktionskammer gebildet werden,
einen spezifischen Widerstand haben, der um weniger etwa + 10% variiert.
2. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 1, bei dem die Reaktionskammereinrichtung einen Aufbau mit transparenten
Quarzwänden umfaßt.
3. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 1, bei dem die unsymmetrische Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung eine
Lampensäule mit einem ersten Ende und einem zweiten Ende umfaßt, wobei die Energieabgabe einer ersten Anzahl von
Lampen am ersten Ende der Säule von der Energieabgabe einer zweiten Anzahl von Lampen am zweiten Ende der Säule verschieden
ist.
4. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 3, bei dem wenigstens eine Lampe am ersten Ende der Säule eine höhere
Energieabgabe als die Energieabgabe irgendeiner anderen Lampe der Säule hat.
5. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 3, bei dem jede Lampe einer dritten Anzahl von Lampen in der Lampensäule
annähernd die gleiche Energieabgabe hat.
6. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 5, bei dem die
Energieabgabe jeder Lampe in der ersten Anzahl von Lampen im Bereich von etwa 25% bis etwa 100% größer als die Energieabgabe
einer Lampe in der dritten Anzahl von Lampen ist.
7. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 5, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe der zweiten Anzahl von Lampen im
Bereich von etwa 25% bis etwa 40% größer als die Energieabgabe einer Lampe der dritten Anzahl von Lampen ist.
8. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 1, der weiterhin eine Zwangsluftkühleinrichtung umfaßt, um eine Außenfläche
einer Wand der Reaktionskammer auf einer etwa gleichmäßigen Temperatur zu halten.
9. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 8, bei dem die Zwangsluftkühleinrichtung eine Gebläseeinrichtung zum Liefern
eines Zwangsluftstromes und einer Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Gebläseeinrichtung steht,
um den Zwangs luftstrom durch die Wärmequelle auf die Wand der Reaktionskammer zu verteilen.
10. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 9, wobei die Zwangsluftkühleinrichtung weiterhin eine Einrichtung umfaßt,
die in Arbeitsverbindung mit der Verteilungseinrichtung steht, um einen Teil des Zwangsluftstromes zu einem Abschnitt
der Wand jenseits eines Endes der Wärmequelle abzuzweigen, so daß für einen Zwangsluftstrom entlang der Wand
der Reaktionskammer gesorgt ist.
11. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 10, wobei die Zwangsluftkühleinrichtung weiterhin eine Einrichtung zum
Abführen des Zwangsluftstromes zu einem Wärmetauscher umfaßt, nachdem der Zwangsluftstrom über die Außenfläche der
Wand der Reaktionskammer gegangen ist.
12. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 3, wobei die unsymmetrische Strahlungswärmequelleneinrichtung weiterhinn
eine Reflektoreinrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Lampensäule steht, wobei die Reflektoreinrichtung
ein erstes Ende aufweist.
13. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 12, welcher
weiterhin eine Hängeeinrichtung umfaßt, um die Aufnehmereinrichtung in der Reaktionskammer zu positionieren.
14. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 13, bei dem die Hängeeinrichtung ein Ende der Aufnehmereinrichtung im
Bereich von etwa -0,25 inch (-0,64 cm) bis etwa 2,0 inch (5,08 cm) über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung
positioniert.
15. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 14, bei dem Hängeeinrichtung ein Ende der Aufnehmereinrichtung etwa
0,25 inch (0,64 cm) über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung positioniert.
0,25 inch (0,64 cm) über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung positioniert.
16. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 13, bei dem die Hängeeinrichtung die Aufnehmereinrichtung in einem Bereich
von etwa 1,8 inch (4,58 cm) bis etwa 2,5 inch (6,35 cm) von einer Wand der zweiten Reaktionskammer positioniert.
17. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 1, bei dem die Aufnehmereinrichtung einen ersten Aufnehmer mit einem
ersten ebenen Bereich und einen zweiten Aufnehmer mit einem zweiten ebenen Bereich umfaßt, der eine größere Länge als
der erste ebene Bereich hat, wobei für eine bestimmte Charge von Scheiben nur einer der beiden Aufnehmer in der Reaktionskammer
enthalten ist.
18. Trommelepitaxialreaktor zum Behandeln von Scheiben mit mehreren Scheibendurchmessern mit
einer Reaktionskammereinrichtung, die einen Aufnehmer
enthält, der einen ebenen Bereich mit einer Länge von mehr als 12 inch (30,5 cm) und weniger als oder gleich etwa 18
inch (45,7 cm) in einer ersten Richtung aufweist, und
einer Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung zum Liefern von Wärmeenergie über den ebenen Bereich derart, daß
die Epitaxialschichten, die auf benachbarten Scheiben in einer Charge von Scheiben mit gleichem Durchmesser in der
Reaktionskammer gebildet werden, einen spezifischen Widerstand haben, der um weniger als etwa + 10% für jeden Scheibendurchmesser
variiert.
19. Trommelepidaxialreaktor nach Anspruch 18, bei dem die Reaktionskammereinrichtung einen Aufbau mit transparenten
Quarzwänden umfaßt.
20. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 18, bei dem die Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung eine Lampensäule
mit einem ersten Ende und einem zweiten Ende umfaßt, wobei die Energieabgabe jeder Lampe proportional zur Spannung
über der Lampe variiert.
21. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 20, bei dem
Lampen am ersten und zweiten Ende der Säule eine höhere anliegende Spannung als die an den anderen Lampen in der
Säule anliegende Spannung haben, so daß jede Lampe am ersten und zweiten Ende eine höhere Energieabgabe als die Energieabgabe
jeder der anderen Lampen hat.
22. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 21, bei dem die höhere anliegende Spannung an den Lampen am ersten und
zweiten Ende der Säule im Bereich von etwa 25% wie 50% über der anliegenden Spannung der anderen Lampen liegt.
23. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 18, welcher weiterhin eine Zwangsluftkühleinrichtung umfaßt, um eine
Außenfläche einer Wand der Reaktionskammer auf einer etwa gleichmäßigen Temperatur zu halten.
24. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 23, bei dem die Zwangsluftkühleinrichtung eine Gebläseeinrichtung zum
Liefern eines Zwangsluftstroms und eine Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Gebläseeinrichtung steht,
um den Zwangsluftstrom durch die Wärmequelle auf die Wand der Reaktionskammer zu verteilen.
25. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 24, wobei die
Zwangsluftkühleinrichtung eine Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Verteilungseinrichtung steht, um
einen Teil des Zwangsluftstromes zu einem Abschnitt der Wand jenseits eines Endes der Wärmequelle abzuzweigen, so daß für
einen Zwangsluftstrom längs der Wand der Reaktionskammer gesorgt ist.
26. Trommelepitaxialreaktor nach Anspruch 25, wobei die Zwangsluftkühleinrichtung weiterhin eine Einrichtung zum Abführen
des Zwangsluftstromes zu einem Wärmetauscher umfaßt, nachdem der Zwangsluftstrom über die Außenfläche der Wand
der Reaktionskammer gegangen ist.
27. Umbausatz zum Erhöhen der Chargengröße eines Epitaxialreaktors
mit einer ersten Strahlungsenergiewärmequelle, einem Spannungsregler für die erste Wärmequelle, einer ersten
Reaktionskammer mit einem ebenen Bereich einer ersten Länge, einer Einrichtung zum Liefern eines Gasstromes und
einer Kühleinrichtung, welcher Umbausatz
eine zweite Strahlungsenergiewärmequelle zum Ersetzen der ersten Strahlungsenergiewärmequelle, wobei die zweite
Strahlungsenergiewärmequelle eine unsymmetrische Energieverteilung hat, und
eine zweite Reaktionskammer umfaßt, die einen ebenen Bereich mit einer Länge umfaßt, der im Bereich von etwa 25%
bis etwa 50% größer als die Länge des ersten ebenen Bereiches ist, wobei die zweite Strahlungsenergiequelle und die
zweite Reaktionskammer in Arbeitsverbindung mit dem Spannungsregler, der Einrichtung zum Liefern eines Gasstromes
und der Kühleinrichtung bringbar sind, um dadurch die Chargengröße des Epitaxialreaktors zu erhöhen.
28. Umbausatz nach Anspruch 27, bei dem die Kühleinrichtung für den Epitaxialreaktor eine Gebläseeinrichtung
zum Liefern eines Zwangsluftstromes aufweist, welcher Umbausatz weiterhin eine Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung
mit der Gebläseeinrichtung bringbar ist, um den Zwangsluftstrom durch die zweite Wärmequelle auf eine Wand
der zweiten Reaktionskammer zu verteilen.
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29. Umbausatz nach Anspruch 28, welcher weiterhin eine Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Verteilungseinrichtung
bringbar ist, um einen Teil des Zwangsluftstromes zu einem Abschnitt der Wand jenseits eines Endes
der Wärmequelle abzuzweigen, so daß für einen Zwangsluftstrom entlang der Wand der Reaktionskammer gesorgt ist.
30. Umbausatz nach Anspruch 28, welcher weiterhin eine Einrichtung zum Abführen des Zwangsluftstromes zu einem
Wärmetauscher umfaßt, nachdem der Zwangsluftstrom über die Seitenwand der Reaktionskammer gegangen ist.
31. Umbausatz nach Anspruch 27, bei dem die zweite Strahlungsenergiewarmequelle drei Bereiche aufweist, wobei
ein erster Bereich eine annähernd gleichmäßige mittlere Strahlungsenergieabgabe hat, ein zweiter Bereich eine mittlere
Strahlungsenergieabgabe hat, die größer als die mittlere Strahlungsenergieabgabe des ersten Bereiches ist, und
ein dritter Bereich eine mittlere Strahlungsenergieabgabe hat, die größer als die mittlere Energieabgabe des ersten
Bereiches und kleiner als die mittlere Energieabgabe des zweiten Bereiches ist.
32. Umbausatz nach Anspruch 27, wobei die zweite Strahlungsenergiewarmequelle
eine Länge hat, die größer als die Länge der ersten Strahlungsenergiewarmequelle ist.
33. Umbausatz nach Anspruch 27, wobei die zweite Strahlungsenergiewarmequelle
eine Lampensäule mit einem ersten Ende und einem zweiten Ende umfaßt und die Energieabgabe
einer ersten Anzahl von Lampen am ersten Ende der Säule von der Energieabgabe einer zweiten Anzahl von Lampen am zweiten
Ende der Säule verschieden ist.
34. Umbausatz nach Anspruch 33, bei dem wenigstens eine Lampe am ersten Ende der Säule eine höhere Energieabgabe als
die Energieabgabe irgendeiner anderen Lampe in der Säule hat.
35. Umbausatz nach Anspruch 33, bei dem jede Lampe in
einer dritten Anzahl von Lampen der Lampensäule annähernd die gleiche Energieabgabe hat.
36. Umbausatz nach Anspruch 35, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe der ersten Anzahl von Lampen im Bereich
von etwa 25% bis etwa 100% über der Energieabgabe irgendeiner Lampe in der dritten Anzahl von Lampen liegt.
37. Umbausatz nach Anspruch 36, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe in der zweiten Anzahl von Lampen im Bereich
von etwa 25% bis etwa 40% über der Energieabgabe irgendeiner Lampe in der dritten Anzahl von Lampen liegt.
38. Umbausatz nach Anspruch 37, bei dem die Energieabgabe
jeder Lampe in der zweiten Anzahl von Lampen in etwa gleich ist.
39. Umbausatz zum Erhöhen der Chargengröße eines Epitaxialreaktors
mit einer ersten Strahlungsenergiewärmequelle, die eine bestimmte Länge aufweist, einem Spannungsregler für
die erste Wärmequelle, einer ersten Reaktionskammer mit einer Wand mit einer ersten bestimmten Länge in einer ersten
Richtung, einer ersten Aufnehmereinrichtung mit einem ebenen Bereich einer ersten Länge in der ersten Richtung, einer
Einrichtung zum Drehen des ersten Aufnehmers, einer Einrichtung zum Steuern eines Gasstromes und einer Kühleinrichtung,
welcher Umbausatz
eine zweite Reaktionskammereinrichtung, die arbeitsfähig im Epitaxialreaktor installiert werden kann, und eine
Wand mit einer zweiten bestimmten Länge in der ersten Richtung aufweist, wobei die zweite bestimmte Wandlänge größer
als die erste bestimmte Wandlänge ist,
eine zweite Aufnehmereinrichtung, die arbeitsfähig in der zweiten Reaktionskammereinrichtung installiert werden
kann und einen ebenen Bereich mit einer Länge in der ersten Richtung aufweist, die im Bereich von etwa 25% bis etwa 50%
über der Länge des ersten ebenen Bereiches liegt, und
eine zweite Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung umfaßt, die arbeitsfähig im Epitaxialreaktor installierbar
und in Arbeitsverbindung mit dem Spannungsregler bringbar ist, eine Länge hat, die größer als die bestimmte Länge der
ersten Strahlungsenergiewärmequelle ist, sowie eine unsymmetrische Energieverteilung aufweist, wobei nach der Montage
des Umbausatzes im Epitaxialreaktor der Reaktor eine höhere Chargengröße für eine Vielzahl von Scheibendurchmessern
aufweist und wobei die Gleichmäßigkeit der Epitaxialschichtstärken und der spezifischen Widerstände der Scheiben in den
höheren Chargengrößen wenigstens so gut wie die Gleichmäßigkeit des Epitaxialreaktors vor der Installation des Umbausatzes
sind.
40. Umbausatz nach Anspruch 39, bei dem die zweite Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung eine Lampensäule
mit einem ersten und einem zweiten Ende umfaßt, wobei die Energieabgabe einer ersten Anzahl von Lampen am ersten Ende
der Säule von der Energieabgabe einer zweiten Anzahl von Lampen am zweiten Ende der Säule verschieden ist.
41. Umbausatz nach Anspruch 40, bei dem wenigstens eine
Lampe am ersten Ende der Säule eine höhere Energieabgabe als die Energieabgabe irgend einer anderen Lampe in der Säule
hat.
42. Umbausatz nach Anspruch 40, bei dem jede Lampe einer dritten Anzahl von Lampen in der Lampensäule annähernd
die gleiche Energieabgabe hat.
43. Umbausatz nach Anspruch 42, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe in der ersten Anzahl von Lampen im Bereich
von etwa 25% bis etwa 100% über der Energieabgabe irgend einer Lampe in der dritten Anzahl von Lampen liegt.
44. Umbausatz nach Anspruch 43, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe der zweiten Anzahl von Lampen im Bereich
von etwa 25% bis etwa 40% über der Energieabgabe irgendeiner Lampe in der dritten Anzahl von Lampen liegt.
45. Umbausatz nach Anspruch 44, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe in der zweiten Anzahl von Lampen etwa
gleich ist.
46. Umbausatz nach Anspruch 40, bei dem die Strahlungsenergiewärmequelleneinrichtung
weiterhin eine Reflektoreinrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Lampensäule
steht, wobei die Reflektoreinrichtung ein erstes Ende hat.
47. Umbausatz nach Anspruch 46, welcher weiterhin eine Hängeeinrichtung zum Positionieren der zweiten Aufnehmereinrichtung
in der zweiten Reaktionskammer umfaßt.
48. Uitibausatz nach Anspruch 47, bei dem die Hängeeinrichtung
ein Ende der zweiten Aufnehmereinrichtung im Bereich von etwa -2,5 inch (-0,64 cm) bis etwa 2,0 inch (5,08
cm) über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung positioniert .
49. Umbausatz nach Anspruch 48, bei dem die Hängeeinrichtung
ein Ende der zweite Aufnehmereinrichtung etwa -0,25 inch (0,64 cm) über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung
positioniert.
50. Umbausatz nach Anspruch 47, bei dem die Hängeeinrichtung die zweite Aufnehmereinrichtung im Bereich von etwa
1,8 inch (4,58 cm) bis etwa 2,5 inch (6,35 cm) von der Wand
der zweiten Reaktionskammer positioniert.
51. Umbausatz zum Erhöhen der Chargengröße eines Epitaxialreaktors
für eine Vielzahl von Scheibendurchmessern, wobei die Dicke und die Gleichmäßigkeit der Arbeit des Reaktors
beibehalten werden und der Epitaxialreaktor eine erste Strahlungsenergiewärmequelle, einen Spannungsregler für die
erste Wärmequelle, eine erste Reaktionskammer mit einem ebenen Bereich einer ersten Länge, eine Einrichtung zum
Liefern eines Gasstromes und eine Kühleinrichtung aufweist, welcher Umbausatz
eine zweite Strahlungsenergiewärmequelle zum Ersetzen der ersten Strahlungsenergiewärmequelle, wobei die zweite
Strahlungsenergiewärmequelle eine Strahlungsenergieabgabe im Bereich von 10% bis 40% über der Strahlungsenergieabgabe der
ersten Wärmequelle hat, und
eine zweite Reaktionskammer umfaßt, die einen ebenen Bereich mit einer Länge im Bereich von 25% bis 50% über der
Länge des ersten ebenen Bereiches hat, wobei die zweite
Strahlungsenergiequelle und die zweite Reaktionskammer in Arbeitsverbindung mit dem Spannungsregler, der Einrichtung
zum Liefern eines Gasstromes und der Kühleinrichtung bringbar sind, wodurch die Chargengröße des Epitaxialreaktors für
mehrere Scheibendurchmesser erhöht wird.
52. Umbausatz nach Anspruch 51, wobei die Kühleinrichtung für den Epitaxialreaktor eine Gebläseeinrichtung zum
Liefern eines Zwangsluftstromes aufweist, welcher Umbausatz weiterhin eine Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung
mit der Gebläseeinrichtung steht, um den Zwangsluftstrom durch die zweite Wärmequelle auf eine Wand der zweiten Reaktionskammer
zu verteilen.
53. Umbausatz nach Anspruch 52, welcher weiterhin eine Einrichtung umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Verteilungseinrichtung
steht, um einen Teil des Zwangsluftstromes zu einem Abschnitt der Wand jenseits eines Endes der
Wärmequelle abzuzweigen, so daß für einen Zwangsluftstrom entlang der Wand der Reaktionskammer gesorgt ist.
54. Umbausatz nach Anspruch 52, welcher weiterhin eine Einrichtung zum Abführen des Zwangsluftstromes zu einem
Wärmetauscher umfaßt, nachdem der Zwangsluftstrom über die Seitenwand der Reaktionskammer gegangen ist.
55. Umbausatz nach Anspruch 51, wobei die zweite Strahlungsenergiewärmequelle
eine annähernd gleichmäßige mittlere Strahlungsenergieabgabe über die Länge des ebenen Bereiches
der zweiten Reaktionskammer hat.
56. Umbausatz nach Anspruch 55, wobei die zweite Strahlungsenergiewärmequelle
eine Länge hat, die annähernd 25% größer als die Länge des ebenen Bereiches der zweiten Reaktionskairuner
ist.
57. Umbausatz nach Anspruch 56, wobei die zweite Energiewärmequelle
eine mittlere Energieabgabe in den Bereichen der zweiten Energiewärmequelle hat, die über den ebenen
Bereich hinaus gehen, die um etwa 25% bis 50% größer als die mittlere Energieabgabe der zweiten Energiewärmequelle über
die Länge des ebenen Bereiches ist.
58. Verfahren zum Verbessern der Chargengröße eines Epitaxialreaktors, während der spezifische Scheibenwiderstand
und die Gleichmäßigkeit der Stärke innerhalb industrieller Normen beibehalten werden, wobei der Epitaxialreaktor
eine erste Strahlungsenergiewärmequelle, einen Spannungsregler für die erste Wärmequelle, eine erste Reaktionskammer, die einen ersten Aufnehmer mit einem ebenen Bereich
einer ersten Länge enthält, eine Einrichtung zum Liefern eines Gasstromes und eine Kühleinrichtung umfaßt, bei dem
die erste Strahlungsenergiewärmequelle durch eine zweite Strahlungsenergiewärmequelle ersetzt wird, welche zweite
Strahlungsenergiewärmequelle eine unsymmetrische Energieverteilung hat, und
die erste Reaktionskammer durch eine zweite Reaktionskammer mit einem zweiten Aufnehmer ersetzt wird, der einen
ebenen Bereich mit einer Länge hat, die im Bereich von etwa 25% bis etwa 50% größer als die Länge des ersten ebenen
Bereiches ist, wobei die zweite Strahlungsenergiequelle und die zweite Reaktionskammer in Arbeitsverbindung mit dem
Spannungsregler, der Einrichtung zum Liefern eines Gasstromes und der Kühleinrichtung bringbar sind.
59. Verfahren nach Anspruch 58, bei dem die Kühleinrichtung für den Epitaxialreaktor eine Gebläseeinrichtung
zum Liefern eines Zwangsluftstromes aufweist, bei welchem Verfahren weiterhin der Zwangsluftstrom durch die zweite
Wärmequelle auf eine Wand der zweiten Reaktionskammer verteilt wird.
60. Verfahren nach Anspruch 59, bei dem weiterhin ein Teil des Zwangsluftstromes zu einem Abschnitt der Wand jenseits
eines Endes der Wärmequelle abgezweigt wird, so daß für einen Zwangsluftstrom entlang der Wand der Reaktionskammer gesorgt wird.
61. Verfahren nach Anspruch 58, bei dem weiterhin der Zwangs luftstrom zu einem Wärmetauscher abgeführt wird, nachdem
der Zwangsluftstrom über die Seitenwand der Reaktionskammer gegangen ist.
62. Verfahren nach Anspruch 58, bei dem die zweite Strahlungsenergiewärmequelle eine Lampensäule mit einem
ersten und einem zweiten Ende umfaßt, wobei die Energieabgabe einer ersten Anzahl von Lampen am ersten Ende der Säule
von der Energieabgabe einer zweiten Anzahl von Lampen am zweiten Ende der Säule verschieden ist.
63. Verfahren nach Anspruch 62, bei dem wenigstens eine Lampe am ersten Ende der Säule eine höhere Energieabgabe als
die Energieabgabe irgendeiner anderen Lampe in der Säule hat.
64. Verfahren nach Anspruch 62, bei dem jede Lampe in einer dritten Anzahl von Lampen in der Lampensäule annähernd
die gleiche Energieabgabe hat.
65. Verfahren nach Anspruch 64, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe in der ersten Anzahl von Lampen im Bereich
von etwa 25% bis etwa 100% über der Energieabgabe irgendeiner Lampe in der dritten Anzahl von Lampen liegt.
66. Verfahren nach Anspruch 65, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe in der zweiten Anzahl von Lampen im Bereich
von etwa 25% bis etwa 40% über der Energieabgabe irgendeiner Lampe in der dritten Anzahl von Lampen liegt.
67. Verfahren nach Anspruch 66, bei dem die Energieabgabe jeder Lampe in der zweiten Anzahl von Lampen in etwa
gleich ist.
68. Verfahren nach Anspruch 62, bei dem die zweite Strahlungswarmeguelle weiterhin eine Reflektoreinrichtung
umfaßt, die in Arbeitsverbindung mit der Lampensäule steht, wobei die Reflektoreinrichtung ein erstes Ende aufweist.
69. Verfahren nach Anspruch 68, bei dem der Epitaxialreaktor eine erste Hängeeinrichtung aufweist, um die erste
Aufnehmereinrichtung in der ersten Reaktionskammer zu positionieren, wobei weiterhin die erste Hängeeinrichtung durch
eine zweite Hängeeinrichtung ersetzt wird, um den zweiten Aufnehmer in der zweiten Reaktionskammer zu positionieren.
70. Verfahren nach Anspruch 69, bei dem die zweite Hängeeinrichtung ein Ende des zweiten Aufnehmers im Bereich
von etwa -0,25 inch (-0,64 cm) bis etwa 2,0 inch (5,08 cm)
über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung positioniert.
71. Verfahren nach Anspruch 70, bei dem die zweite Hängeeinrichtung ein Ende des zweiten Aufnehmers etwa 0,25
inch (0,64 cm) über dem ersten Ende der Reflektoreinrichtung positioniert.
72. Verfahren nach Anspruch 71, bei dem die zweite Hängeeinrichtung den zweiten Aufnehmer im Bereich von etwa
1,8 inch (4,58 cm) bis etwa 2,5 inch (6,35 cm) von einer
Wand der zweiten Reaktionskammer positioniert.
73. Verfahren zum Verbessern der Chargengröße eines Epitaxialreaktors mit einer ersten Strahlungsenergiewärmequelle,
einem Spannungsregler für die erste Wärmequelle, einer ersten Reaktionskammer mit einem ebenen Bereich einer
ersten Länge, einer Einrichtung zum Liefern eines Gasstromes und einer Kühleinrichtung, bei welchem Verfahren
die erste Strahlungsenergiewärmequelle durch eine zweite Strahlungsenergiewärmequelle ersetzt wird, wobei die
zweite Strahlungsenergiewärmequelle eine Strahlungsenergieabgabe hat, die im Bereich von 10% bis 40% über der Strahlungsenergieabgabe
der ersten Wärmequelle liegt, und
die erste Reaktionskammer durch eine zweite Reaktionskammer mit einem ebenen Bereich mit einer Länge ersetzt
wird, die im Bereich von 25% bis 50% größer als die Länge des ersten ebenen Bereiches ist, wobei die zweite Strahlungsenergiequelle
und die zweite Reaktionskammer in Arbeitsverbindung mit dem Spannungsregler, der Einrichtung zum
Liefern eines Gasstromes und der Kühleinrichtung bringbar sind.
74. Verfahren nach Anspruch 73, bei dem die Kühleinrichtung
für den Epitaxialreaktor eine Gebläseeinrichtung zum Liefern eines Zwangsluftstromes umfaßt, bei welchem Verfahren
der Zwangsluftstrom durch die zweite Wärmequelle auf
eine Wand der zweiten Reaktionskammer verteilt wird.
75. Verfahren nach Anspruch 74, bei dem weiterhin ein Teil des Zwangsluftstromes zu einem Abschnitt der Wand jenseits
eines Endes der Wärmequelle abgezweigt wird, so daß für einen Zwangsluftstrom längs der Wand der Reaktionskammer
gesorgt wird.
76. Verfahren nach Anspruch 74, bei dem weiterhin der
Zwangsluftstrom zu einem Wärmetauscher abgeführt wird, nachdem der Zwangsluftstrom über die Seitenwand der Reaktionskammer gegangen ist.
77. Verfahren nach Anspruch 74, bei dem die zweite Strahlungsenergiewärmequelle eine annähernd gleichmäßige
mittlere Strahlungsenergieabgabe über die Länge des ebenen Bereiches der zweiten Reaktionskammer hat.
78. Verfahren nach Anspruch 77, bei dem die zweite Strahlungsenergiewärmequelle eine Länge hat, die um annähernd
25% größer als die Länge des ebenen Bereiches der zweiten Reaktionskammer ist.
79. Verfahren nach Anspruch 78, bei dem die zweite Energiewärmequelle eine mittlere Energieabgabe in den Bereichen
der zweiten Energiewärmequelle, die über den ebenen Bereich hinausgehen, hat, die um etwa 25% bis 50% größer als
die mittlere Energieabgabe der zweiten Energiewärmequelle über die Länge des ebenen Bereiches ist.
80. Aufnehmer zum Halten mehrerer Scheiben eines Durchmessers D in einem Epitaxxalreaktor, welcher einen dreidimensionalen
Gegenstand umfaßt, der eine obere Außenfläche mit einem Umfang, eine Bodenfläche, die der oberen Außenfläche
gegenüberliegt und annähernd parallel zur oberen Außenfläche verläuft sowie einen Umfang aufweist, wobei die
obere Außenfläche in einem Abstand L von der Bodenfläche verläuft, und mehrere Flächen aufweist, die von der oberen
Außenfläche zur Bodenfläche verlaufen und um die Umfange der
oberen Außenfläche und der Bodenfläche herum ausgerichtet sind, wobei jede der Vielzahl von Flächen eine Stirnfläche
des Gegenstandes ist, jede der Flächen etwa den gleichen Flächenbereich hat und zwei benachbarte Flächen einander an
einer Kante so schneiden, daß die Kante in eine Richtung im wesentlichen senkrecht zur oberen Außenfläche und der Bodenfläche
verläuft, wobei jede Stirnfläche mehrere Taschen enthält und weiterhin jede Tasche eine Mitte aufweist, jede
Tasche eine von mehreren Scheiben hält, jede Tasche etwa den gleichen Flächenbereich hat, der Abstand zwischen den Mitten
von zwei benachbarten Taschen etwa 0,5 D + Xl beträgt, wobei Xl im Bereich von etwa 0,06 inch (0,15 cm) und etwa 0,2 inch
(0,5 cm) liegt, der Abstand von der Bodenfläche zur Mitte der Tasche, die der Bodenfläche am nächsten ist, 0,5 D + X2
beträgt, wobei X2 im Bereich von etwa 0,9 inch (2,28 cm) und etwa 2,0 inch (5,08 cm) liegt, und der Abstand von der oberen
Außenfläche zur Mitte der Tasche, die der oberen Außenfläche am nächsten liegt, 0,5 D + X3 beträgt, wobei X3 im
Bereich von etwa 1,1 inch (2,8 cm) bis etwa 4,0 inch (10,2 cm) liegt.
81. Aufnehmer nach Anspruch 80, welcher im wesentlichen aus Graphit besteht, das mit Siliziumkarbid überzogen ist.
82. Aufnehmer nach Anspruch 80, bei dem jede Tasche wenigstens etwa 0,1 inch (0,25 cm) von einer benachbarten
Kante entfernt ist.
83. Aufnehmer nach Anspruch 80, bei dem die Stirnflächen
des Aufnehmers einen Gesamtflächenbereich im Bereich von etwa 3.900 cm2 bis etwa 4.700 cm2 haben.
84. Aufnehmer nach Anspruch 83 mit 8 Stirnflächen, wobei jede Stirnfläche einen Flächenbereich von etwa 89
inch2 (574,2 cm2) hat.
85. Aufnehmer nach Anspruch 83 mit 6 Stirnflächen, wobei jede Stirnfläche einen Flächenbereich von etwa 101
inch2 (651,6 cm2) hat.
86. Aufnehmer nach Anspruch 83 mit 5 Stirnflächen, wobei jede Stirnfläche einen Flächenbereich von etwa 143
inch2 (922,6 cm2) hat.
87. Aufnehmer nach Anspruch 83 mit 4 Stirnflächen, wobei jede Stirnfläche einen Oberflächenbereich von etwa 159
inch2 (1.025,8 cm2) hat.
88. Aufnehmer nach Anspruch 83, bei dem jede Stirnfläche eine Neigung im Bereich von 1&bgr;30· bis etwa 2"50· von der
oberen Außenfläche hat, so daß der Flächenbereich der Bodenfläche größer als der Flächenbereich der oberen Außenfläche
ist.
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US07/317,260 US5053247A (en) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | Method for increasing the batch size of a barrel epitaxial reactor and reactor produced thereby |
US07/477,396 US5207835A (en) | 1989-02-28 | 1990-02-09 | High capacity epitaxial reactor |
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ID=27376397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-02-28 DE DE1990904991 patent/DE461194T1/de active Pending
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