DE4442077C2 - Verfahren zur Reinigung von Halogeniden - Google Patents
Verfahren zur Reinigung von HalogenidenInfo
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Description
Verfahren zur Reinigung von Halogeniden.
Rohstoffe, die für die Produktion moderner Werkstoffe erfor
derlich sind, müssen in den meisten Fallen in hochreiner Form
vorliegen. Da der Reinheitsgrad der Rohstoffe bei deren Ge
winnung bzw. Herstellung oft nicht ausreichend ist, sind Rei
nigungsverfahren erforderlich. Diese sind oft komplizierte
chemische oder physikalische Verfahren, die jeweils nur eine
Gruppe sich ähnlich verhaltender verunreinigender Elemente
aus den Rohstoffen beseitigen können. Umfassende Reinigungs
verfahren benötigen meist viel Zeit und viele Prozeßschritte.
Zudem sind sie oft nur für kleine Stoffmengen geeignet.
Ein gebräuchliches Reinigungsverfahren ist die Rekristallisa
tion, mit deren Hilfe sich eine Vielzahl von Verunreinigungen
in einem Arbeitsgang aus den Rohstoffen entfernen läßt. Sie
beruht auf dem Effekt, daß die aus einer Schmelze oder einer
Lösung wachsenden Kristalle bei ausreichend niedriger Wachs
tumsgeschwindigkeit weniger Verunreinigungen einbauen, als in
der Schmelze oder der Lösung vorliegen. Die Verunreinigungen
reichern sich in der flüssigen Phase an und können später ab
getrennt werden.
Ein bekanntes Verfahren zur Reinigung durch Rekristallisation
ist das Zonenschmelzverfahren. Dabei läßt man durch einen
größeren Kristallblock eine schmale schmelzflüssige Zone wan
dern, in der sich die Verunreinigungen anreichern. Nach dem
Wiedererstarren ist eine mechanische Bearbeitung erforder
lich, um den Teil des Kristallblocks zu entfernen, in dem
sich die Verunreinigungen angereichert haben.
Aus der US 4 277 303 ist ein Reinigungsverfahren für Natriu
miodid bekannt, mit dem geringe Spuren von Verunreinigungen
in unlösliche Substanzen umgewandelt werden können. Diese
bilden dann Einschlüsse im Natriumiodid, die mit anderen Ver
fahren entfernt werden müssen.
Aus der US-4 201 739 ist ein Verfahren zum Reinigen eines
Lanthanidenhalogenids bekannt, bei dem eine entsprechende
Schmelze zum Entfernen fester Verunreinigungen durch eine
Glasfritte filtriert wird.
Rekristallisationsverfahren aus der Lösung führen oft zum
Einschluß von Lösungsmittel, das in einem späteren Verfah
rensschritt entfernt werden muß.
Problem der vorliegenden Erfindung ist es, ein insbesondere
für Halogenide geeignetes Reinigungsverfahren anzugeben, das
schnell und einfach durchzuführen ist und welches zur Entfer
nung verschiedener Arten von Verunreinigungen geeignet ist.
Dieses Problem wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach
Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung er
geben sich aus den Unteransprüchen.
Grundlegende Idee des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es,
die Verunreinigungen aus der Schmelze eines Halogenids zu
entfernen und dazu die Schmelze mit einem reaktiven Feststoff
in Kontakt zu bringen, wobei die Verunreinigungen mit dem re
aktiven Feststoff zu festen Verbindungen reagieren, und an
schließend den Feststoff mit den nun daran haftenden Verun
reinigungen von der Schmelze zu trennen. Dabei handelt es
sich um ein einfaches Verfahren, dessen "anspruchsvollster"
Schritt das mechanische Abt rennen des Feststoffs aus der
schmelzflüssigen Phase des Halogenids betrifft. Im Gegensatz
zu den bekannten Rekristallisationsverfahren und anderen Rei
nigungsverfahren sind zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens einfachste Vorrichtungen ausreichend. Ebenfalls im
Gegensatz zu bekannten Verfahren ist beim erfindungsgemäßen
Verfahren keine Steuerung erforderlich, da es keine kri
tischen Verfahrensparameter aufweist. Die Durchführung des
Verfahrens ist außerdem sicher, da dieses praktisch keine po
tentiellen Fehlerquellen aufweist. Der Erfolg des Reini
gungsverfahrens ist damit garantiert, so daß das Verfahren
reproduzierbar zum sicheren Erfolg führt.
Das erfindungsgemäße Reinigungsverfahren basiert auf einer
Reaktion der im Halogenid enthaltenen Verunreinigungen mit
dem reaktiven Feststoff. Das Produkt der Reaktion sind Ver
bindungen, die in der Halogenidschmelze nicht löslich sind
und die daher als feste Bestandteile, beispielsweise als
Flocken oder ähnliches vorliegen. Die festen Bestandteile
werden beim Durchfließen der Schmelze in das Auffanggefäß 2
im Filtermaterial bzw. in der porösen Schicht zurückgehalten.
Zur Reinigung tragen auch Adsorption von Verunreinigungen an
Oberflächen und Einlagerung in molekulare Käfige bei, wie sie
beispielsweise poröse Schichten aus Filter aktiven Substanzen
wie Zeolithen und Tonen aufweisen.
In der einfachsten Ausführung der Erfindung wird das Verfah
ren in Form einer Filtration durchgeführt. Dazu ist ein Fil
tertiegel erforderlich, in den der reaktive Feststoff als
Filtermaterial eingebracht wird. Die Reinigung des Halogenids
erfolgt dabei während des Durchlaufens der Schmelze durch das
Filtermaterial. Voraussetzung ist dabei, daß sich der reakti
ve Feststoff in pulvriger Form als poröse und für die
Schmelze durchlässige Schicht in den Filtertiegel einbringen
läßt. Weiterhin muß die Durchlaufgeschwindigkeit der Schmelze
durch die poröse Schicht niedrig genug sein, um einen ausrei
chenden Kontakt der Schmelze mit dem reaktiven Feststoff si
cherzustellen. Dann können die Verunreinigungen mit dem Fil
termaterial bzw. mit dem reaktiven Feststoff Verbindungen
eingehen, die an diesem haften bleiben.
Für diese Verfahrensvariante werden zwei Gefäße benötigt,
nämlich ein Filtertiegel und ein Auffanggefäß. Das Material
der Gefäße muß bei Temperaturen bis etwa 100° über dem
Schmelzpunkt des Halogenids mechanisch stabil bleiben. Es
darf von dem Halogenid chemisch nicht angegriffen werden.
Außerdem sollen die zu reinigenden Halogenide bzw. die gerei
nigten Halogenide nach dem Erstarren möglichst nicht an den
Gefäßwänden ankleben können.
Geeignete Materialien für die Gefäße sind daher beispielswei
se Graphit, Glaskohlenstoff, Quarzglas oder Edelmetalle.
Der Filtertiegel weist in seinem Boden zumindest eine Aus
laßöffnung für die Schmelze auf. Der Durchmesser der Aus
laßöffnung wird zwischen ca. 0,25 und mehreren Millimetern
gewählt. Auf der Unterseite des Filtertiegels besitzt die zu
mindest eine Auslaßöffnung vorzugsweise eine gegenüber dem
übrigen Gefäßboden um ca. 2 bis 3 mm erhabene Lippe. Dadurch
wird ein besseres Auslaufen bzw. Abtropfen der Schmelze aus
dem Filtertiegel unterstützt.
Das Auffanggefäß ist beliebig ausgestaltet, hat vorzugsweise
jedoch einen ebenen Boden und keine Auslaßöffnungen. Vorzugs
weise ist das Auffanggefäß so ausgestaltet, daß auch das Er
starren der Schmelze nach der Reinigung darin erfolgen kann.
Das zum Beispiel zu einem Kristallblock erstarrte Halogenid
sollte dann gut entformbar sein. Eine gute Entformbarkeit
wiederum kann erreicht werden durch ein Material, an dem das
erstarrte Halogenid nicht anhaftet und durch die geometrische
Ausgestaltung, insbesondere durch einen sich nach oben erwei
ternden Querschnitt des Auffangsgefäßes. Eine weitere Mög
lichkeit besteht darin, das Auffanggefäß mehrteilig und zer
legbar auszugestalten, um die Entformung zu erleichtern.
In den Filtertiegel wird der reaktive Feststoff als Filterma
terial eingefüllt. Dazu eignen sich vor allem Substanzen, die
bei den hohen Temperaturen der Schmelze des Halogenids als
Ionentauscher oder als Chromatographiematerial geeignet sind.
Insbesondere sind also reaktive Feststoffe geeignet, die eine
große aktive Oberfläche aufweisen.
Geeignet ist beispielsweise SiO₂-Glas, insbesondere wenn es
vor der Verwendung mit Flußsäure geätzt wurde, Kieselgur,
Zeolithe der verschiedensten Zusammensetzungen, Al₂O₃, Was
serglas, Kaolin, Tonmineralien wie beispielsweise Montmoril
lonit oder Glimmer. Sofern diese Stoffe nicht von Haus aus
eine große aktive Oberfläche besitzen, werden sie in einer
Modifikation mit großer Oberfläche eingesetzt.
Die beispielhaft aufgeführten reaktiven Feststoffe werden als
Pulver eingesetzt. Da bei einer vorgegebenen Pulvermenge der
Partikeldurchmesser indirekt proportional zur Oberfläche der
Pulvermenge ist, kann über die Körnung des Pulvers die Ober
fläche eingestellt werden. Bei feiner werdender Körnung ist
darauf zu achten, daß eine daraus hergestellte poröse Schicht
(im Filtertiegel) für die Schmelze noch durchlässig bleibt.
Bei Verwendung von Wasserglas als reaktiver Feststoff ist es
vorteilhaft, dieses als Beschichtung auf einem Trägermaterial
mit großer Oberfläche einzusetzen. Als Trägermaterial können
Körner aus Aktivkohle, Aluminiumoxidkeramik, Quarzsand oder
Schäume aus Glaskohlenstoff dienen. Das Trägermaterial kann
jedoch auch mit anderen reaktiven Feststoffen beschichtet
oder imprägniert werden. Möglich sind dabei verschiedene
Beschichtungsverfahren, vorzugsweise aber Imprägnierung durch
Behandeln mit Lösung oder Schmelze des reaktiven Feststoffs.
In einer weiteren Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens
können mehrere verschiedene reaktive Feststoffe mit der
Schmelze in Kontakt gebracht werden oder insbesondere als
Filtermaterial verwendet werden. Dadurch ist es möglich, im
erfindungsgemäßen Verfahren eine größere Palette an möglichen
Verunreinigungen in einem Verfahrensschritt aus der Schmelze
des Halogenids zu entfernen.
Bei geeigneter Wahl der Materialkombination für den reaktiven
Feststoff können weitere Verfahrensvorteile erzielt werden.
Beispielsweise ist es möglich, im Filtertiegel über einer
Schicht aus Aluminiumoxidfilzen oder Glasfritten eine weitere
poröse Schicht mit einem anderen reaktiven Feststoff von
pulverförmiger Modifikation zu erzeugen. Dadurch wird
verhindert, daß feinkörniges Pulver durch die Löcher im Boden
des Filtertiegels hindurchfällt oder von Schmelze aus dem
Filtertiegel ausgeschwemmt wird. Das Ausschwemmen von Fil
termaterial kann auch durch feinmaschige Edelmetallsiebe,
Kohlenstoffilze oder Quarzglaswatte verhindert werden. Da
grobe Körnungen eines Filtermaterials meist von der zu reini
genden Schmelze so schnell durchflossen werden, daß kein
hinreichender Reinigungseffekt auftritt, kann in solchen Fäl
len in dichteres Filtermaterial als Unterlage den Schmelz
durchfluß verringern.
Möglich ist es auch, dichteres Filtermaterial wie beispiels
weise Glasfritten in die Abflußöffnungen im Boden das Fil
tertiegels einzupressen oder diese mit nur geringem Durch
messer auszugestalten. Bei geringerer Durchflußgeschwindig
keit der Schmelze durch die poröse Schicht im Filtertiegel
wird ein innigerer Kontakt mit dem reaktiven Feststoff, eine
vollständigere Reaktion mit dem reaktiven Feststoff und damit
eine bessere Reinigungswirkung erzielt.
Weiterer Einfluß auf die Reinigungswirkung ist durch die Ein
stellung der Schichtdicke der porösen Schicht gegeben. Die
Dicke der Schicht richtet sich nach der Menge der zu reini
genden Substanz und der Konzentration der Verunreinigungen.
Gegebenenfalls muß eine poröse Schicht aus pulvrigem Filter
material bzw. pulvrigem reaktiven Feststoff mit einer Be
schwerung am Aufschwimmen gehindert werden. Diese Beschwerung
kann wiederum eine kompaktere Modifikation eines reaktiven
Feststoffs oder auch ein inertes Material wie beispielsweise
Edelmetall sein.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, das Auffanggefäß wie
derum als Filtertiegel auszugestalten und das Reinigungsver
fahren mehrstufig in Form einer Kaskade durchzuführen.
Gegenüber den bisher bekannten Reinigungsverfahren hat das
erfindungsgemäße Verfahren zur Reinigung von insbesondere Al
kalihalogeniden weitere Vorteile. Es erfordert einen nur ge
ringen Zeitaufwand. Auch wenn die zu reinigende Schmelze eine
gewisse Zeit im Kontakt mit dem Filtermaterial bzw. mit dem
reaktiven Feststoff bleiben muß, kann durch feine Körnung des
Filtermaterials und eine größere Anzahl von Gießlöchern ein
hinreichend rascher Durchsatz für eine größere Substanzmenge
erreicht werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen und der dazugehörigen fünf Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt im vereinfachten schematischen Querschnitt eine
Kombination aus Filtertiegel und Auffanggefäß.
Fig. 2 und 3 zeigen dieselbe Vorrichtung im schematischen
Querschnitt während des erfindungsgemäßen Verfahrens,
und die
Fig. 4 und 5 stellen schematische Querschnitte durch ge
eignete Vorrichtungen zusammen mit dazugehörigen Öfen
dar.
Fig. 1 zeigt einfache Ausführungen für einen geeigneten Fil
tertiegel 1 und ein Auffanggefäß 2. Hierbei besitzen beide
Gefäße einen ebenen Boden und vertikale Seitenwände. Die
Grundfläche der Gefäße ist beliebig und kann beispielsweise
rund oder rechteckig sein. Beide Gefäße können den gleichen
Querschnitt besitzen und beispielsweise übereinander stapel
bar ausgebildet sein. Dazu kann der Filtertiegel eine Aus
nehmung aufweisen (in der Fig. 1 nicht dargestellt) oder ei
nen Rand besitzen, der beim Übereinanderstapeln in das Auf
fanggefäß 2 eingreift. So können beide Gefäße verrutschsicher
übereinander gestapelt werden. Der Boden des Filtertiegels 1
weist eine Auslaßöffnung 3 auf. Diese ist auf der Unterseite
vollständig von einer Lippe 4 umgeben, die beim Durchtritt
der Schmelze die Tropfenbildung erleichtert.
Fig. 2: Über der zumindest einen Auslaßöffnung 3 des Filter
tiegels 1 wird nun eine hinreichend dicke poröse Schicht 5
eines reaktiven Feststoffs gegeben. Die Dicke der porösen
Schicht 5 richtet sich nach der Menge der zu reinigenden Sub
stanz und der Konzentration der Verunreinigungen. Auf die po
röse Schicht 5 wird nun das zu reinigende Halogenid 6 gege
ben. Dabei kann das Halogenid 6 als Schmelze zugegeben wer
den, die dann durch die poröse Schicht 5 sickert und durch
die Auslaßöffnung 3 unter Tropfenbildung 7 in das Auffangge
fäß 2 abfließt. Am Boden des Auffanggefäßes 2 sammelt sich
gereinigtes Halogenid 8 an.
Fig. 3: Wird für die poröse Schicht 5 ein feinpulvriges
und/oder leichtes Material wie beispielsweise Kieselgur ver
wendet, kann die Auslaßöffnung 3 mit einem Sieb 9 aus Glas
fritte oder ähnlichem Material abgedichtet werden, um ein zu
schnelles Abfließen der Schmelze zu verhindern. Über der po
rösen Schicht 5 kann das reaktive Material mit einer Be
schwerung 10 am Aufschwimmen gehindert werden.
In einer besonders einfach durchzuführenden Modifikation des
Verfahrens wird das zu reinigende Halogenid 6 in fester und
beispielsweise pulvriger Form auf die poröse Schicht 5 in den
Filtertiegel 1 gegeben. Anschließend wird der Filtertiegel 1
zusammen mit dem Auffanggefäß 2 in einen Ofen eingestellt,
der anschließend auf eine über dem Schmelzpunkt des Haloge
nids liegende Temperatur gefahren wird. Dadurch daß das
Halogenid direkt im Filtertiegel 1 nach und nach aufschmilzt,
ist eine hinreichend geringe Durchflußgeschwindigkeit der
Schmelze durch die poröse Schicht 5 gegeben.
Die Durchführung im Ofen hat den weiteren Vorteil, daß das
Reinigungsverfahren gleichzeitig mit einem Rekristallisati
onsverfahren kombiniert werden kann, welches zu einem poly- bis
monokristallinen Kristallkörper von hoher optischer und
struktureller Güte führt.
Fig. 4 zeigt eine Möglichkeit, das erfindungsgemäße Reini
gungsverfahren mit einem Kristallzüchtungsverfahren nach
Stockbarger zu kombinieren. Dazu ist das Auffanggefäß als Am
pulle 13 ausgebildet, in die der Filtertiegel 1 eingestellt
wird. Wie bereits bei den Fig. 2 und 3 beschrieben wird
auch hier eine poröse Schicht gegebenenfalls mit Hilfe eines
Siebs und einer Beschwerung in den Filtertiegel eingebracht.
Die zu reinigende Substanz wird vorzugsweise als Feststoff
darübergegeben. Anschließend wird die Ampulle 13 mit einem
Deckel 12 verschlossen und in einen Ofen 14 gehängt. Dieser
weist einen vertikal verlaufenden Temperaturgradienten auf.
In der heißeren Zone des Ofens 14 wird das zu reinigende Ha
logenid geschmolzen, durch die poröse Schicht filtriert und
sammelt sich schließlich am spitz zulaufenden Boden der Am
pulle 13 an. Wenn die vollständige Menge des in den Filter
tiegel 1 eingefüllten Halogenids geschmolzen, filtriert und
in der Ampulle 13 angesammelt ist, wird diese langsam in eine
kältere Zone des Ofens 14 abgesenkt. Dadurch wird das Kri
stallwachstum eingeleitet. Bei entsprechend genauer Tempera
turkontrolle und ausreichend langsamer Absenkung der Ampulle
13 in den Schacht des Ofens 14 können so hochwertige mono
kristalline Kristallkörper erhalten werden.
Aus den älteren internationalen Anmeldung mit der
Veröffentlichungsnummer WO 94/28205 sind modifizierte
Rekristallisationsverfahren bekannt, mit deren Hilfe
hochwertige Kristallkörper von hoher optischer und
kristalliner Qualität in einfacher Weise erzeu
gen lassen. Dazu kann die einfache in den Fig. 1 bis 3
dargestellte Vorrichtung direkt verwendet werden. Prinzip
dieser Verfahren ist es, den Boden des Auffanggefäßes 2 der
art zu kühlen, daß von oben nachtropfende Schmelze 7 schnell
erstarrt und am Boden und den Wänden des Auffanggefäßes
schnell eine feste Kruste ausbildet. Die weitere Kristallisa
tion erfolgt langsam und führt zu den genannten hochwertigen
Kristallkörpern.
Fig. 5 zeigt eine Möglichkeit, das Abdampfen des Halogenids
in den Ofen und die Umwelt zu verhindern. Dazu können Filter
tiegel 1 und Auffanggefäß 2 wie beschrieben mit poröser
Schicht und zu reinigendem Halogenid beschickt werden und in
ein Glasrohr 15 eingestellt werden. Dieses ist mit einem
Deckel 16 verschlossen, welcher noch eine Gasspülung 17 aufwei
sen kann. Das Quarzglasrohr 15 wird anschließend in einen
Kammerofen 18 eingestellt, wobei das mit dem Deckel 16 ver
schlossene Ende aus dem Ofen herausragt. Um Wärmeverluste zu
verhindern, kann in das Quarzrohr an der Stelle, an der es
aus dem Ofen 18 ragt, eine Scheibe aus wärmedämmenden Materi
al eingefügt werden (in der Figur nicht dargestellt). Da wäh
rend der Durchführung des Verfahrens die Temperatur am aus
dem Ofen ragenden Ende des Rohrs nur wenig über Raumtempera
tur steigt, ist als Deckel ein Stahlflansch ausreichend. Die
Gasleitungen 17 im Deckel dienen zum Druckausgleich und zum
Einleiten von Spülgasen.
Wenn die gesamte zu reinigende Substanz geschmolzen ist und
den Filter passiert hat, kann der Ofen abgekühlt werden und
Filtertiegel und Auffanggefäß gegebenenfalls samt dem Glas
rohr aus dem Ofen entnommen werden. Das gereinigte Halogenid
wird in erstarrter Form aus dem Auffanggefäß 2 entnommen.
Mit dem Verfahren können hohe Reinheitsgrade in einem einzi
gen Verfahrensschritt erreicht werden. Wenn die zu reinigende
Schmelze in das Filtermaterial eindringt, gelangt sie immer
zu Material, das weniger verbraucht und damit noch reaktiver
als das vorherige ist. Es kann sich somit kein Reaktions
gleichgewicht einstellen, in dem die Schmelze durch Resorp
tion wieder verunreinigt werden würde.
Bei mehrstufiger Durchführung des Verfahrens können verschie
dene reaktive Feststoffe in geeigneter Kombination eingesetzt
werden, um den Reinheitsgrad weiter zu steigern.
Durch Kombination mit den genannten Kristallisationsverfahren
oder mit Kristallzüchtungsverfahren wie Bridgman- und Stock
barger-Verfahren können weiterhin Zeit, Verfahrens- und appa
rativer Aufwand sowie Energie gespart werden.
Das beschriebene Verfahren ist besonders geeignet für die
Reinigung von Alkali-, Erdalkali- und Seltenerdhalogeniden.
Claims (8)
1. Verfahren zur Reinigung der Schmelze eines Halogenids von
Verunreinigungen durch Inkontaktbringen der Schmelze mit
einem reaktiven Feststoff, welcher mit den Verunreinigungen
Verbindungen eingeht, die an dem reaktiven Feststoff haften
bleiben,
- - bei dem der reaktive Feststoff in pulvriger Form als poröse und für die Schmelze durchlässige Schicht in einen Filtertiegel eingefüllt wird und
- - bei dem die Schmelze durch die poröse Schicht im Filtertiegel gefiltert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem ein reaktiver Feststoff verwendet wird, welcher bei
der Schmelztemperatur des Halogenids als Chromatographiema
terial oder als Ionentauscher einsetzbar ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem ein pulvriges Material mit großer aktiver Oberfläche
mit einer Lösung oder Schmelze des reaktiven Feststoffs
beschichtet oder imprägniert und anschließend als poröse
Schicht in den Filtertiegel eingefüllt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem der reaktive Feststoff ausgewählt ist aus jeweils
pulvrigem SiO₂-Glas, Kieselgur, Zeolith, Al₂O₃,
Wasserglas, Kaolin, Ton und Glimmer.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem der reaktive Feststoff in einer Modifikation mit ho
her Oberfläche verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem die Schmelze nach dem Abtrennen der Verunreinigungen
unmittelbar einem Kristallzüchtungsverfahren unterworfen
wird, um einen homogenen Kristall des Halogenids zu erhalten.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
- - bei dem die poröse und für die Schmelze durchlässige Schicht in einen Filtertiegel eingebracht wird,
- - bei dem die poröse Schicht mit festem Halogenid über schichtet wird,
- - bei dem unter dem Filtertiegel ein Auffanggefäß angeord net wird,
- - bei dem Filtertiegel und Auffanggefäß in einen Ofen ein gestellt werden und
- - bei dem das Halogenid im Ofen aufgeschmolzen wird und da bei kontinuierlich durch die poröse Schicht in das Auf fanggefäß abläuft.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
bei dem der reaktive Feststoff in feinteiliger Form als porö
se und für die Schmelze durchlässige Schicht in einen Filter
tiegel eingebracht und mit Hilfe einer Glasfritte, eines Fil
zes aus Al₂O₃ oder Kohlenstoff, eines feinmaschigen Edelme
tallsiebs eines Schaumes aus Glas oder Kohlenstoff oder einer
Quarzglaswatte am zu schnellen Auslaufen aus dem Filtertiegel
und/oder am Aufschwimmen in der über der porösen Schicht auf
gebrachten Schmelze gehindert wird.
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DE4442077A DE4442077C2 (de) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | Verfahren zur Reinigung von Halogeniden |
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DE4442077A1 DE4442077A1 (de) | 1996-05-30 |
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DE4442077A Expired - Fee Related DE4442077C2 (de) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | Verfahren zur Reinigung von Halogeniden |
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US4277303A (en) * | 1978-08-07 | 1981-07-07 | The Harshaw Chemical Company | Getter for melt-grown scintillator ingot and method for growing the ingot |
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1994
- 1994-11-25 DE DE4442077A patent/DE4442077C2/de not_active Expired - Fee Related
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