DE4425594C2 - Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung - Google Patents

Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung

Info

Publication number
DE4425594C2
DE4425594C2 DE19944425594 DE4425594A DE4425594C2 DE 4425594 C2 DE4425594 C2 DE 4425594C2 DE 19944425594 DE19944425594 DE 19944425594 DE 4425594 A DE4425594 A DE 4425594A DE 4425594 C2 DE4425594 C2 DE 4425594C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
groove
extensions
reflection surface
monochromatorkrystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19944425594
Other languages
English (en)
Other versions
DE4425594A1 (de
Inventor
Horst Dr Schulte-Schrepping
Gerhard Dr Materlik
Joachim Heuer
Thomas Teichmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deutsches Elektronen Synchrotron DESY
Original Assignee
Deutsches Elektronen Synchrotron DESY
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsches Elektronen Synchrotron DESY filed Critical Deutsches Elektronen Synchrotron DESY
Priority to DE19944425594 priority Critical patent/DE4425594C2/de
Publication of DE4425594A1 publication Critical patent/DE4425594A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4425594C2 publication Critical patent/DE4425594C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/062Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements the element being a crystal
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/065Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements provided with cooling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung, die einen Einkristall mit einer Re­ flexionsfläche und davon im wesentlichen rechtwinklig abstehen­ den seitlichen Befestigungsflächen, welche die Reflexionsfläche über einer Halterung halten und zwischen denen ein Hohlraum liegt, in den Kühlmittel zur direkten Kühlung der Reflexions­ fläche von hinten einführbar ist, und Stellmittel aufweist, die steuerbar Kraft auf den Einkristall ausüben, um die Form der Reflexionsfläche zu beeinflussen.
Monochromatorkristalle werden z. B. in Doppel-Kristallmonochro­ matoren verwendet, um aus einem einfallenden Strahl mit kontinu­ ierlichem Energiespektrum eine gewünschte Strahlungsenergie zu selektieren. Eine typische Anwendung für spektral und räumlich selektierende Anordnungen mit Monochromatorkristallen findet sich bei der Verwertung von Synchrotronstrahlung, die wegen ihrer hohen Intensität und der Breite des zur Verfügung stehen­ den Energiespektrums große Bedeutung für viele experimentelle Verfahren wie auch industrielle Anwendungen (z. B. Röntgenlitho­ graphie) gewonnen hat.
Die zur Synchrotronstrahlungserzeugung verwendeten Elektronen­ speicherringe sind heute speziell für diesen Zweck optimiert und mit Undulatoren und Wigglern versehen, die die Abstrahlung er­ heblich erhöhen. Durch diese Optimierung - verglichen mit Strah­ lungsquellen mit einfachen Ablenkmagneten - stehen hochintensive Synchrotronstrahlungsquellen zur Verfügung, die mit Leistungs­ dichten von einigen kW/mrad2 abstrahlen. Derartige Leistungs­ dichten führen u. a. zu einer hohen Wärmebelastung der Strahlfüh­ rungskomponenten, so daß direkte Kühlungen für Monochromator­ kristalle, Spiegel, etc. vorgesehen werden müssen. Trotz Kühlung beeinträchtigen die durch Temperaturgradienten bedingten Ver­ zerrungen in den Komponenten deren optische Eigenschaften und ihre Leistungsfähigkeit.
Für die Güte eines Monochromatorkristalls ist es wichtig, daß seine Reflexionsfläche in dem vom einfallenden Strahl getroffe­ nen Bereich eine möglichst ideale Ebenheit und eine konstante Temperatur hat. In dem Artikel "Performance of a directly water­ cooled silicon crystal for use in high-power synchrotron radia­ tion applications" von T. Oversluizen et al. (Rev. Sci. Instrum. 60 (7), July 1989, Seiten 1493-1500) ist ein Monochromator­ kristall beschrieben, der aus einem länglichen, im wesentlichen kubischen Einkristall hergestellt ist, in den rückwärtig, gegen­ über der Reflexionsfläche Hohlräume eingeschnitten sind und der auf einer Halterung festgeklemmt ist. Durch die Halterung ist Kühlwasser in die Hohlräume einleitbar, das von hinten an der Reflexionsfläche vorbeiströmt, um Wärme abzuführen. Der Mono­ chromatorkristall bildet praktisch einen Hohlkörper, der von Kühlwasser durchströmt wird. Die Leistungsfähigkeit dieses Mono­ chromatorkristalls ist aber nicht völlig zufriedenstellend, da sich Temperaturgradienten über den Gesamtkristall nicht vermei­ den lassen, was bei dem kästchenförmigen Kristallhohlkörper zu einer Verformung der Reflexionsfläche führt. Durch den Tempera­ turgradienten erhält der kubische Kristallhohlkörper, der unten auf der Halterung eingespannt ist, oben an der Reflexionsfläche eine nach außen weisende Wölbung. Dieser Effekt wird durch den Kühlmitteldruck, bei im Betrieb im Außenraum des Kristalls herr­ schendem Vakuum, noch verstärkt, wodurch die Kristallwände eben­ falls nach außen gedrückt werden.
Aus dem Artikel "Adaptive crystal optics for high-power synchro­ ton sources" von L. Berman et al. (Nuclear Instruments and Me­ thods in Physics Research A 302 (1991), Seiten 558-562) ist eine Monochromatorkristall-Einrichtung mit den Merkmalen des Oberbe­ griffs des Patentanspruchs 1 bekannt. Der Einkristall hat eine längliche kubische Form mit einer Reflexionsfläche und davon an den Längsseiten nach unten abstehenden Befestigungsflächen, die unten an einer Halterung festgeklemmt sind. In den Hohlraum zwischen den seitlichen Befestigungsflächen wird Kühlmittel eingeführt, um die Reflexionsfläche direkt von hinten zu kühlen. Wie schon bei dem oben beschriebenen Monochromatorkristall tritt auch hier eine zylindrische Aufwölbung der Reflexionsfläche durch Temperaturgradienten und Kühlmitteldruck auf. Um die Auf­ wölbung der Reflexionsfläche zu kompensieren, sind mechanisch wirkende Stellmittel vorgesehen, die an den seitlichen Befesti­ gungsflächen des Kristallhohlkörpers angreifen und senkrecht zu diesen wirken, um die beiden Befestigungsflächen auseinander­ zuziehen. Beim Auseinanderziehen der Befestigungsflächen biegen diese sich ebenfalls durch, da ihre unteren Enden eingespannt sind, so daß sich ihre oberen Enden voneinander entfernen und damit die zylindrische Aufwölbung der zwischen den oberen Enden liegenden Reflexionsfläche vermindert wird. Um die Durchbiegung der Reflexionsfläche zu korrigieren, müssen die Befestigungs­ flächen relativ weit auseinandergezogen werden, was bedingt, daß die Befestigungsflächen selbst relativ hoch sein müssen, damit sie ihre eigene, beim Auseinanderziehen auftretende Durchbiegung aufnehmen können. Zudem treten dabei im Übergangsbereich zwi­ schen seitlichen Befestigungsflächen und Reflexionsfläche Span­ nungen im Kristall auf, da sich der Winkel zwischen Befesti­ gungsflächen und Reflexionsfläche durch das Auseinanderziehen ändert, was wiederum zu lokalen Verformungen im Übergangsbereich führt.
In dem Artikel "An energy dispersive x-ray absorption spectros­ copy beamline, X6A, at NSLS", Rev. Sci. Instrum. 65 (1), Januar 1994, Seiten 1-6, ist ein fokussierender Polychromator-Kristall beschrieben, der von einem Biegemechanimus mit vier Auflagepunk­ ten, zwei auf jeder Seite des flachen Kristalls, mit senkrechter Krafteinleitung in eine fokussierende Hohlform durchgebogen wird. Die Anwendung eines solchen Biegemechanismus auf einen Monochromator-Kristall der eingangs beschriebenen Art hätte Nachteile zur Folge, da von den vier Auflagepunkten der Stell­ mittel zwei im kühlwasserdurchströmten Hohlraum an der Rückseite der Reflexionsfläche und -zwei an der Vorderseite im effektiven Reflexionsbereich angreifen müßten, was für die hinteren zwei aus konstruktiven Gründen schwierig ist und für die vorderen unerwünscht ist, da die effektive Reflexionsfläche vermindert wird.
In der adaptiven Optik sind Spiegel für sichtbares Licht bekannt (siehe z. B. JP-Patents Abstracts 5-297196(A) und 5-256999 (A)), die die Spiegelfläche durch senkrechte Krafteinwirkung mit Stellmitteln korrigieren. Derartige Maßnahmen wären für einen Monochromator-Kristall der eingangs beschriebenen Art nachtei­ lig, da die Stellmittel dann entweder vor der wirksamen Refle­ xionsfläche angeordnet werden müßten und diese somit verkleinern würden, was bei den praktisch zur Verfügung stehenden Größen von Einkristallen unerwünscht ist, oder von hinten an die Refle­ xionsfläche angreifend Stellmittel angeordnet werden müßten, was in dem kühlmitteldurchströmten Hohlraum hinter der Reflexions­ fläche eines Monochromator-Kristalls eine erhebliche Komplizie­ rung des Aufbaus erfordern würde.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Monochromator­ kristall-Einrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der sich Durchbiegungen der Reflexionsfläche möglichst einfach und möglichst vollständig kompensieren lassen.
Zur Lösung dieser Aufgabe dienen die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 in Verbindung mit dessen Oberbegriff. Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unter­ ansprüchen aufgeführt.
In der erfindungsgemäßen Einrichtung ist der Monochromatorkri­ stall so ausgebildet, daß die Reflexionsfläche zu beiden Seiten über die seitlichen Befestigungsflächen vorstehende Verlängerun­ gen aufweist. Die Stellmittel wirken mechanisch auf diese seit­ lich überstehenden Verlängerungen ein und drücken diese mit ein­ stellbarer Kraft, welche im wesentlichen senkrecht zur Ebene der Reflexionsfläche gerichtet ist, nach oben. Die erfindungsgemäße Gestaltung ermöglicht durch die direkte Einwirkung auf die Ver­ längerungen der Reflexionsfläche einerseits einen kompakteren Aufbau, da keine hohen, durchbiegbaren seitlichen Befestigungs­ flächen mehr erforderlich sind, und andererseits eine bessere Kompensation der Durchbiegung der Reflexionsfläche als in der herkömmlichen adaptiven Monochromatorkristall-Einrichtung. Ein Grund dafür besteht darin, daß die kompensierende Kraft der die Störung verursachenden Kraft direkt entgegengerichtet ist und somit eine unmittelbare Kompensation ermöglicht.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weisen die seitlichen Befestigungsflächen eine konstante Dicke auf, aber die Befestigungsflächendicke ist jeweils durch eine unmittelbar benachbart einer anschließenden Verlängerung parallel zur Ebene der Reflexionsfläche verlaufende erste Nut und eine zur ersten Nut parallele, in senkrechtem Abstand dazu verlaufende zweite Nut geschwächt. Diese Schwächung der Befestigungsflächen ergibt eine gelenkähnliche Funktion unmittelbar an der Verbindung zwi­ schen Befestigungsfläche und Reflexionsfläche. Dadurch werden die Biegeeigenschaften in Hinblick auf die gewünschte Kompensa­ tion der Reflexionsfläche durch Krafteinwirkung auf die Verlän­ gerungen weiter verbessert.
Die seitlichen Befestigungsflächen können durch vier Befesti­ gungsflächen gebildet werden, die rechtwinkling zueinander ste­ hen und den Hohlraum unter der Reflexionsfläche vollständig umschließen. Es können jedoch auch nur zwei, parallel zueinander verlaufende Befestigungsflächen vorgesehen sein, wobei an deren beiden Enden dann die Fläche zwischen den seitlichen Befesti­ gungsflächen jeweils durch ein Wandelement, beispielsweise eine eingeklebte Stahlplatte, geschlossen werden muß, um einen dich­ ten Hohlraum zur Einleitung von Kühlmittel unter die Reflexions­ fläche zu schaffen. Letztere Ananordnung ist in der Herstellung beim Herausarbeiten der Befestigungsflächen aus dem Kristall einfacher.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen in den Zeichnungen erläutert, in denen:
Fig. 1 schematische Darstellungen des Monochromatorkristalls im Schnitt senkrecht zur Reflexionsflächenebene in verschiedenen Durchbiegungszuständen zeigt;
Fig. 2 die Auslenkung der Kristalloberfläche gegenüber der ungestörten Reflexionsflächenebene als Funktion der Position in der Reflexionsflächenebene zeigt; und
Fig. 3 eine Schnittansicht einer Monochromatorkristall-Ein­ richtung zeigt.
In Fig. 1 ist eine Reihe von schematischen Darstellungen im Querschnitt senkrecht zur Reflexionsflächenebene zur Erläuterung der prinzipiellen Funktionsweise der erfindungsgemäßen Einrich­ tung gezeigt. Im oberen Teil ist der Kristall im ungestörten Zustand dargestellt. Der Monochromatorkristall ist aus einem Einkristall-Block, beispielsweise aus Silizium, herausgearbei­ tet, wobei unter der plattenförmigen Reflexionsfläche 2 senk­ recht nach unten abstehende seitliche Befestigungsflächen 4 herausgeschnitten sind, die an ihrer der Reflexionsfläche 2 gegenüberliegenden Seite auf einer Halterung festgeklemmt wer­ den. Die dargestellte Reflexionsfläche 2 wird durch eine Platte konstanter Dicke gebildet; die Dicke muß jedoch nicht konstant sein, sondern es kann auch ein an die Wärmelast angepaßtes Dic­ kenprofil gewählt werden.
Die Reflexionsfläche 2 ist auf beiden Seiten mit seitlich über die Befestigungsflächen 4 hinausragenden Verlängerungen 6 ausge­ bildet. Im Betrieb, bei hochintensivem Strahlungseinfall auf die Reflexionsfläche 2 verursachen die auftretenden Temperaturgra­ dienten eine Durchbiegung der Reflexionsfläche mit im wesentli­ chen zylindrischer, nach außen aufgewölbter Durchbiegung (die Durchbiegung ist im wesentlichen zylindrisch bei Kristallen mit länglicher Reflexionsfläche, bei Kristallen mit etwa quadrati­ scher Reflexionsfläche ist die Form der Durchbiegung eher sphä­ risch). Wie die Temperaturgradienten trägt der Druck des zwi­ schen den Befestigungsflächen 4 an die Reflexionsfläche 2 her­ angeführten Kühlmittels, dem aufgrund des im Betrieb im Strah­ lengang herrschenden Vakuums kein Gegendruck entgegensteht, zur Aufwölbung der Reflexionsfläche 2 nach außen bei. Die im Be­ triebszustand auftretende Durchbiegung der Reflexionsfläche 2 ist im mittleren Teil von Fig. 1 gezeigt.
Die störende Durchbiegung der Reflexionsfläche 2 kann in der erfindungsgemäßen Einrichtung durch Krafteinwirkung auf die überstehenden Verlängerungen 6 kompensiert werden, indem Stell­ mittel mit Kraftwirkung im wesentlichen senkrecht zur Ebene der Reflexionsfläche 2 auf diese einwirken, wie dies schematisch im unteren Teil von Fig. 1 gezeigt ist. Im optimal kompensierten Zustand, in dem die Reflexionsfläche 2 zwischen den Befestigu­ ngsflächen 4 in bestmöglicher Weise einer ebenen Oberflächenform angenähert ist, sind die seitlichen Verlängerungen 6 nach oben durchgebogen, was aber ohne Einfluß auf die reflektierte Strah­ lung ist, da der einfallende Strahl auf einen eigentlichen Reflexionsbereich zwischen den seitlichen Befestigungsflächen beschränkt ist.
In Fig. 2 ist die Deformation der Reflexionsfläche mit und ohne Kompensation gezeigt. Auf der y-Achse ist die Auslenkung der Oberfläche der Reflexionsfläche 2 gegenüber ihrem ungestörten, ebenen Zustand aufgetragen, auf der x-Achse ist die Position auf der Oberfläche der Reflexionsfläche in Richtung quer zu den seitlichen Befestigungsflächen aufgetragen, wobei der Ursprung genau in der Mitte zwischen den Befestigungsflächen liegt. Mit der gestrichelten Linie ist die durch die auftretenden Tempera­ turgradienten und den Kühlmitteldruck verursachte Auslenkung der Oberfläche der Reflexionsfläche 2 dargestellt. Mit der durch­ gezogenen Linie ist das Resultat der Kompensation durch Kraft­ einwirkung auf die Verlängerungen 6 senkrecht zur Reflexions­ flächenebene gezeigt. Zu erkennen ist, daß die Auslenkung der Oberfläche der Reflexionsfläche 2 im relevanten Bereich weitge­ hend auf Null gebracht ist und die ideal ebene Form der Refle­ xionsfläche damit wiederhergestellt ist. Die Kompensation des Zentralbereichs geht einher mit einer Durchbiegung der Verlänge­ rungen 6 nach oben, was jedoch in Kauf genommen wird, da der Kristall so dimensioniert und positioniert wird, daß die Ver­ längerungen 6 nicht im Strahlengang liegen.

Claims (5)

1. Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung, die einen Einkristall mit einer Reflexionsfläche und davon im wesentlichen rechtwinklig abstehenden seitlichen Befe­ stigungsflächen, welche die Reflexionsfläche über einer Halterung halten und zwischen denen ein Hohlraum liegt, in den Kühlmittel zur direkten Kühlung der Reflexionsfläche von hinten einführbar ist, und Stellmittel aufweist, die steu­ erbar Kraft auf den Einkristall ausüben, um die Form der Reflexionsfläche zu beeinflussen, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsfläche (2) über die seitlichen Befesti­ gungsflächen (4) hinausragende Verlängerungen (6) aufweist, und die Stellmittel (20) im wesentlichen senkrecht zur Ebene der Reflexionsfläche auf die Verlängerungen (6) der Refle­ xionsfläche einwirken.
2. Monochromatorkristall-Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsfläche (2) eine im wesent­ lichen rechteckige, längliche Form hat, daß die seitlichen Befestigungsflächen (4) parallel zueinander in Längsrichtung der Reflexionsfläche (2) verlaufen und die Verlängerungen auf ganzer Länge der Reflexionsfläche (2) über die seitli­ chen Befestigungsflächen (4) hinausragen.
3. Monochromatorkristall-Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die seitlichen Befestigungsflä­ chen (4) eine konstante Dicke aufweisen, aber die Befesti­ gungsflächendicke jeweils durch eine unmittelbar benachbart einer anschließenden Verlängerung parallel zur Ebene der Re­ flexionsfläche verlaufende erste Nut (8) und eine zur ersten Nut (8) parallele, in senkrechtem Abstand dazu verlaufende zweite Nut (10) geschwächt ist.
4. Monochromatorkristall-Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an jeder Befestigungsfläche jeweils die erste Nut (8) und die zweite Nut (10) auf gegenüberliegenden Seiten der Befestigungsfläche liegen.
5. Monochromatorkristall-Einrichtung nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Stellmit­ tel (20) durch Piezo-Elemente gebildet werden, die jeweils in Anlage an einen Bereich der Verlängerungen (6) und einem Bereich der Halterung (30) sind und in ihrer Ausdehnung senkrecht zur Ebene der Reflexionsfläche einstellbar sind.
DE19944425594 1994-07-06 1994-07-06 Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung Expired - Fee Related DE4425594C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19944425594 DE4425594C2 (de) 1994-07-06 1994-07-06 Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19944425594 DE4425594C2 (de) 1994-07-06 1994-07-06 Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4425594A1 DE4425594A1 (de) 1996-01-11
DE4425594C2 true DE4425594C2 (de) 1999-07-29

Family

ID=6523620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19944425594 Expired - Fee Related DE4425594C2 (de) 1994-07-06 1994-07-06 Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4425594C2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19606913C1 (de) * 1996-02-19 1997-08-21 Deutsches Elektronen Synchr Kipptisch für einen Synchrotronstrahlungs-Monochromatorkristall
DE10036305B4 (de) * 2000-07-26 2010-05-20 Frahm, Ronald, Prof.-Dr. Monochromator mit einem Kristall und Verfahren zur Monochromatisierung
GB2444962B (en) 2006-12-22 2010-01-27 Univ Muenster Wilhelms Adaptive crystalline X-ray reflecting device
US9435999B2 (en) * 2011-03-08 2016-09-06 Postech Academy-Industry Foundation Device for adjusting curvature of mirror while avoiding movement of central point of mirror, and mirror adjustment system comprising same

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP-Patents Abstracts 5-256999 (A) *
JP-Patents abstracts 5-297196(A) *
NL-Z.: "Nucl. Instr. Math. Phys. Res.A", 302, 1991, S.558-562 *
US-Z.: "Rev. Sci. Instrum.", 60 (7), Juli 1989, S. 1493-1500 *
US-Z.: "Rev.Sci.Instrum." 65, (1), Januar 1994, S.1-6 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4425594A1 (de) 1996-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4428194C2 (de) Lasersystem mit einer kompensierten Spiegeloptik
DE2018034A1 (de) Flächengepumpter Laser mit vielfacher Innenreflexion
DE3231894A1 (de) Vorrichtung zum schalten eines lichtstrahls
DE60035876T2 (de) Mikrostrahl-Kollimator für Hochauflösungs-Röntgenstrahl-Beugungsanalyse mittels konventionellen Diffraktometern
DE2357927C2 (de) Aufbau für einen optischen Hohlraum für einen Laser mit Spiegeln
DE4319886C1 (de) Anordnung zum Kompensieren temperaturabhängiger Volumenänderungen eines Hohlleiters
DE4425594C2 (de) Monochromatorkristall-Einrichtung für Synchrotronstrahlung
EP0301526B1 (de) Festkörperlaser-Stab
DE69003958T2 (de) Laser mit Halterungsvorrichtung des aktiven Materials und Halterungsvorrichtung für den Laseraufbau.
DE102006056406B4 (de) Laseroszillationsvorrichtung
DE60103675T2 (de) Justierbare Halterung für ein optisches Element in einem Gaslaser
DE60317014T2 (de) Hohlleiteranordnung mit stabiler Phase
DE3884245T2 (de) Laser-Kavität mit Trägerrohr für einen optisch gepumpten FIR-(im fernen Infrarot betriebenen)-Laser.
DE112008002013T5 (de) Kompensation thermischer Verzerrung für Laserspiegel
DE69823563T2 (de) Oberflächen-gekühlte optische Zelle für Hochleistungslaser
DE7833585U1 (de) Flaechengepumpter laser mit durch beugung begrenztem ausgangsstrahl
DE102017126291A1 (de) Vorrichtung zur Erzeugung einer Laserstrahlung
EP0140820A2 (de) Stabilisationseinrichtung für einen Halbleiter-Laser
DE102008061309A1 (de) Diodenlaserbauelement
DE69118682T2 (de) Vorrichtung zur stabilisierung der reflektivität eines phasenkonjugierungsspiegels für hohe wiederrholungsfrequenz der mit stimulierter brillouin-streuung wirkt
DE3412016C2 (de) Ringlaser
EP0901205B1 (de) Gaslaser mit in mehreren Ebenen gefaltetem Strahlengang
DE10036305B4 (de) Monochromator mit einem Kristall und Verfahren zur Monochromatisierung
DE102008057593B4 (de) Optische Beugungsanordnung großer Apertur
DE10102935C2 (de) Spiegel für Laseranwendungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee