DE4401609C1 - Leistungsverstärker für die Speisung einer induktiven Last mit geschalteten Transistoren - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Leistungsverstärker für die Speisung einer induktiven Last mit geschalteten Transistoren, wobei für jede Stromrichtung durch die induktive Last eine Brückenhälfte vorgesehen ist, bei der zwischen Versorgungs­ spannungsanschlüssen jeweils ein erster Brückenzweig mit einer parallelgeschalteten Gruppe von Reihenschaltungen von Transistoren mit Freilaufdioden und ein zweiter Brückenzweig mit einer parallelgeschalteten Gruppe von Reihenschaltungen von Freilaufdioden mit Transistoren angeordnet ist und wobei die induktive Last zwischen den Verbindungspunkten von Tran­ sistoren und Freilaufdioden des ersten Brückenzweiges und den Verbindungspunkten von Transistoren und Freilaufdioden des zweiten Brückenzweiges angeschlossen ist.

Ein derartiger Leistungsverstärker ist aus der DE-A1-40 07 566 bekannt. Dabei werden Leistungs-MosFet-Tran­ sistoren verwendet, die im Vergleich zu bipolaren Transisto­ ren höhere Schaltgeschwindigkeiten und damit reduzierte Um­ schaltverluste ermöglichen. Ferner haben MosFet-Transistoren im Gegensatz zu bipolaren Transistoren keine durch eine Speicherzeit verzögerte Abschaltverzögerung, so daß die Regelbarkeit des Leistungsverstärkers verbessert wird. Ein Nachteil der Leistungs-MosFet-Transistoren gegenüber bipola­ ren Transistoren ist die geringere Stromtragfähigkeit. Wenn von einem Leistungsverstärker hohe Ströme gefordert werden, müssen viele MosFet-Transistoren parallelgeschaltet werden.

Hohe Anforderungen an Leistungsverstärker treten beispiels­ weise bei Gradientenverstärkern von Kernspintomographen auf.

Dabei sind Spulenanordnungen zur Erzeugung linearer Magnet­ feldgradienten mit Strom zu versorgen. Es ergeben sich z. B. folgende typische Anforderungen an solche Leistungsverstär­ ker:

• a) Die Ströme müssen in einem großen Bereich exakt einge­ stellt werden können;
• b) Es werden Ströme in zwei Richtungen gefordert;
• c) Eine durch eine Ansteuerung vorgegebene Stromkurvenform muß möglichst präzise wiedergegeben werden;
• d) Der Leistungsverstärker muß eine Ausgangsspannung liefern, die eine ausreichende Stromanstiegsgeschwindigkeit der Gradientenspule sicherstellt;
• e) Der Leistungsverstärker muß bei einem möglichst großen Nennstrom einen möglichst hohen "duty-cycle" zulassen;
• f) Der Leistungsverstärker muß möglichst kompakt sein.

Bei der Parallelschaltung vieler Transistoren und hoher Schaltgeschwindigkeit tritt das Problem der gleichmäßigen Stromaufteilung auf die parallelgeschalteten Transistoren auf. Insbesondere bei Umschaltvorgängen besteht die Gefahr, daß - z. B. aufgrund von Leitungsinduktivitäten - die Strom­ aufteilung ungleichmäßig ist, was zur Zerstörung von Transi­ storen führen kann.

Gemäß der eingangs genannten DE-A1-40 07 566 wird dieses Problem dadurch gelöst, daß die parallelgeschalteten Transi­ storen jeweils auf einem thermisch und elektrisch leitenden ersten Ring befestigt, symmetrisch über diesen Ring verteilt und mit diesem mit jeweils einem Anschluß elektrisch verbun­ den sind, wobei die Verbindungen zu weiteren Anschlüssen der Transistoren im wesentlichen rotationssymmetrisch über groß­ flächige Leiterplatten erfolgt.

Durch die symmetrische Anordnung der Transistoren in Kreis­ form und eine flächige Ausführung der Verbindungsleitungen wird erreicht, daß die gleichmäßige Aufteilung des zu schal­ tenden Stromes auf die einzelnen Transistoren auch bei den erreichbaren höchsten Umschaltgeschwindigkeiten zu jedem Zeitpunkt sichergestellt ist. Um zu vermeiden, daß die jedem MosFet-Transistor inhärente Diode, die eine relativ lange Sperrverzögerungszeit aufweist, einen unzulässig hohen Quer­ strom bewirkt, ist in jedem Brückenzweig eine Drossel vorge­ sehen. Damit wird erreicht, daß der Laststrom nur über diese Drosseln auf eine inhärente Diode kommutieren kann. Um das Bauvolumen der Drosseln in Grenzen zu halten, wird eine Sättigung der Drosselkerne durch den Ausgangsstrom durch eine Stromkompensation der Drosseln vermieden.

Bei dieser bekannten Anordnung wird ein sehr kompakter Aufbau erreicht. Durch die rotationssymmetrische Anordnung sind allerdings spezielle, verhältnismäßig aufwendig herzustellen­ de Kühlkörper und Leiterplatten erforderlich. Der bekannte Leistungsverstärker ist für Ströme bis 250 A und Ausgangs­ spannungen bis ± 300 V konzipiert. Bei Anwendung schneller Pulssequenzen in der Kernspintomographie kommt man jedoch mit diesen Werten nicht mehr aus. Bei höheren dissipativen Ener­ gien der Halbleiterbauelemente kann die Verlustwärme wirt­ schaftlich nicht mehr über Luftkühlung abgeführt werden. Bei höheren Betriebsspannungen ist der bekannte Aufbau problema­ tisch im Hinblick auf mögliche Kriechstrecken.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Leistungsverstärker der eingangs genannten Art so auszuführen, daß höhere Be­ triebsspannungen möglich werden, daß eine höhere Verlustlei­ stung abgeführt werden kann und daß auf spezielle, aufwendig herzustellende Bauteile weitgehend verzichtet werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Gruppen von Transistoren und Freilaufdioden linear angeordnet sind und daß in der Verbindung jeder Reihenschaltung mit der induktiven Last eine Drossel angeordnet ist, die derart stromkompensiert ist, daß sie nur dann eine wirksame Indukti­ vität aufweist, wenn in einen Brückenzweig eine ungleichmä­ ßige Stromaufteilung zwischen den Reihenschaltungen auftritt.

Durch den Übergang auf die lineare Anordnung kann man höhere Betriebsspannungen und höhere Verlustleistungen besser in den Griff bekommen. Die Schaltung kann modular aufgebaut werden, d. h. der Leistungsverstärker kann aus einer beliebigen Anzahl von Einzelverstärkern zusammengesetzt werden, die unabhängig von ihrer geometrischen Anordnung parallel geschaltet werden können. Durch den linearen Aufbau kann auf spezielle, nur aufwendig herzustellende mechanische Teile für den Kühlkörper und auf eine aufwendige Leiterplattenkonstruktion verzichtet werden. Die weitgehend gleichmäßige Belastung aller Transi­ storen, die beim obengenannten Stand der Technik durch die rotationssymmetrische Anordnung sichergestellt ist, wird gemäß der Erfindung durch die stromkompensierten Drosseln erreicht.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unter­ ansprüchen angegeben.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 4 näher erläutert. Dabei zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Schaltbild des Leistungsverstär­ kers,

Fig. 2 die detaillierte Schaltung eines Ausführungsbei­ spiels,

Fig. 3 die Detailschaltung einer Baugruppe BG,

Fig. 4 den mechanischen Aufbau des Leistungsverstärkers.

In Fig. 1 ist eine schematische Schaltung des Leistungsver­ stärkers mit zwei Brückenhälften A und B dargestellt. Jede Brückenhälfte A, B liefert den Strom durch die induktive Last L für eine Stromrichtung. In jeder Brückenhälfte A und B sind zwischen Versorgungsspannungsanschlüssen Ub+ und Ub- zwei Brückenzweige 1 und 2 bzw. 3 und 4 mit Gruppen von Reihenschaltungen vorgesehen. Im jeweils ersten Brückenzweig (1, 4) jeder Brückenhälfte sind jeweils drei Reihenschaltungen von Transistoren T11 bis T13 bzw. T41 bis T43 mit Dioden D11 bis D13 bzw. D41 bis D43 vorgesehen. Dabei kennzeichnet die erste Kennziffer jeweils die Zugehörigkeit zum entsprechenden Brückenzweig, die zweite Kennziffer ist für parallelge­ schaltete Bauelemente jedes Brückenzweiges durchnumeriert. Diese Nomenklatur wird auch im folgenden beibehalten.

Die Transistoren T11 bis T13 und T41 bis T43 liegen jeweils am positiven Anschluß der Betriebsspannungsquelle Ub, die Anoden der Dioden D11 bis D13 bzw. D41 bis 43 liegen am negativen Anschluß der Betriebsspannungsquelle Ub. In jeder Brückenhälfte ist ein zweiter Brückenzweig 2 bzw. 3 vorgese­ hen, die ebenfalls aus mehreren Reihenschaltungen von Transi­ storen T21 bis T23 und Dioden D21 bis D23 bzw. Transistoren T31 bis T33 und Dioden D31 bis D33 besteht. Bei diesen zwei­ ten Brückenzweigen sind jedoch die jeweiligen Transistoren mit dem negativen Anschluß der Versorgungsspannungsquelle Ub und die Kathoden der jeweiligen Dioden mit dem positiven Anschluß der Versorgungsspannungsquelle Ub verbunden.

Die Verbindungspunkte der Dioden D11 bis D13 mit den Transi­ storen T11 bis T13 sind jeweils über Drosseln Dr11 bis Dr13 mit einem ersten Anschluß der induktiven Last L und Verbin­ dungspunkte der Dioden D21 bis D23 mit den Transistoren T21 bis T23 sind über Drosseln Dr21 bis Dr23 mit dem zweiten Anschluß der induktiven Last L verbunden. Ebenso sind die Verbindungspunkte der Transistoren T31 bis T33 mit den Dioden D31 bis D33 über Drosseln Dr31 bis Dr33 mit dem ersten An­ schluß der induktiven Last L und die Verbindungspunkte der Dioden D41 bis D43 mit den Transistoren T41 bis T43 über Drosseln Dr41 bis Dr43 mit dem zweiten Anschluß der indukti­ ven Last verbunden.

Die Drosseln Dr11 und Dr23, Dr12 und Dr22, Dr13 und Dr21, Dr31 und Dr43, Dr32 und Dr42, Dr33 und Dr41 sind jeweils magnetisch miteinander gekoppelt, d. h. die entsprechenden Windungen liegen auf einem gemeinsamen Kern. Diese magneti­ schen Kopplungen sind in Fig. 1 durch gestrichelte Linien angegeben. Der Windungssinn aller Drosseln einer Brücken­ hälfte A bzw. B ist gleich, was in Fig. 1 durch Punkte an den Drosseln Dr1. bis Dr4. angegeben ist.

Zur Speisung der induktiven Last L in der in Fig. 1 durch einen Pfeil markierten Stromrichtung werden die Transistoren T11 bis T13 und T21 bis T23 gleichzeitig eingeschaltet. Der Strom durch die induktive Last L wird durch eine Pulsbreiten­ modulation der Ansteuerung der Transistoren T11 bis T13 und T21 bis T23 bestimmt. Beim Ausschalten der Transistoren T11 bis T13 und T21 bis T23 wird der Strom durch die induktive Last L weitergetrieben und fließt über die Freilaufdioden D11 bis D13 und D21 bis D23. Entsprechendes gilt für die zweite Brückenhälfte B, die im Unterschied zur Brückenhälfte A einen Strom durch die induktive Last L in negativer Richtung erzeugt.

Solange der Laststrom auf die parallelgeschalteten Transisto­ ren bzw. Dioden T11 bis T13, D11 bis D13; T21 bis T23, D21 bis D23; T31 bis T33, D31 bis D33; T41 bis T43, D41 bis D43 gleichmäßig aufgeteilt ist, fließen durch die gekoppelten Drosseln Dr11 und Dr23, Dr12 und Dr22, Dr13 und Dr21 jeweils zwei Ströme in entgegengesetzter Richtung, so daß kein resul­ tierender magnetischer Fluß und damit auch keine resultie­ rende Induktivität entsteht. Dies bezeichnet man auch als "stromkompensierte" Drossel. Bei gleichmäßiger Stromauf­ teilung liegt somit keine störende Induktivität im Strompfad zur induktiven Last. Wenn jedoch ein Transistor etwas schnel­ ler als die anderen schaltet, entsteht aufgrund der Strom­ differenz ein magnetischer Fluß und damit eine Induktivität, die den Stromanstieg im schneller schaltenden Pfad so lange bremst, bis dort derselbe Strom fließt wie in dem über die entsprechende Drossel gekoppelten Strompfad.

Eine detailliertere Schaltung des Leistungsverstärkers ist in den Fig. 2 und 3 dargestellt. Dabei zeigt Fig. 3 die De­ tailschaltung der jeweils identisch aufgebauten Baugruppen BG nach Fig. 2, wobei sich die Numerierung (11) der Bauelemente (T11a, T11b, RC11a, RC11b) hier auf die erste Baugruppe BG im ersten Brückenzweig bezieht. In jedem Brückenzweig sind je­ weils n Reihenschaltungen von Transistoren T . . und Dioden D . . parallelgeschaltet, wobei jedoch jeweils nur die erste und die letzte Reihenschaltung dargestellt sind.

Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind zu jeder Diode D . . in der zugeordneten Baugruppe BG zwei parallelgeschaltete Transistoren T . . a und T . . b in Reihe geschaltet. Sämtliche Transistoren T . . a und T . . b werden über RC-Glieder RC . . a bzw. RC . . b angesteuert. Diese RC-Glieder sind so dimensioniert, daß ihre Zeitkonstante wesentlich größer ist als die Unter­ schiede in den Laufzeiten der Ansteuersignale zu den ein­ zelnen Transistoren. Damit wird verhindert, daß einzelne Transistoren aufgrund solcher Laufzeitunterschiede schneller angesteuert werden als andere.

Jede Brückenhälfte A und B wird von einer gemeinsamen Ver­ sorgungsspannungsquelle U_B gespeist, wobei an der Versor­ gungsspannungsquelle Pufferkondensatoren C_V angeschlossen sind. Ferner ist jeder Gruppe von Reihenschaltungen aus Dioden D . . und Transistoren T . . a, T . . b ein Pufferkondensator C1-C4 parallelgeschaltet. Schließlich ist jedem Ausgang der Brückenzweige ein Filter nachgeschaltet, das jeweils aus einer in Serie zum Ausgang liegenden Drossel DR1 bis Dr4 und einem mit Masse verbundenen Parallel-RC-Glied RC1 bis RC4 besteht. Mit diesen Filtern soll verhindert werden, daß auf die Zuleitungen zur induktiven Last L Hochfrequenzstörungen übertragen werden. In Fig. 2 sind ferner die externen Lei­ tungsinduktivitäten Le1 bis Le4 in den Zuleitungen zur induk­ tiven Last L eingezeichnet.

Die Drosseln Dr . . wirken nicht nur zur Vergleichmäßigung der Stromaufteilung zwischen den einzelnen Reihenschaltungen, sondern gleichzeitig auch als Strombegrenzungsinduktivitäten zwischen den Brückenzweigen 1 und 3 sowie 2 und 4. Damit wird es möglich, die Transistoren zweier in Reihe liegender Brüc­ kenzweige ohne Zeitlücken, also ohne Totzeit zu schalten, wodurch Verzerrungen beim Stromnulldurchgang vermieden wer­ den.

Schließlich wirken die Drosseln Dr11 bis Dr4N auch als Filterinduktivitäten. Sie liegen in Serie zu den Filterdros­ seln Dr1 bis Dr4 und erhöhen damit die Serieninduktivität. Die Stromkompensation, die verhindert, daß die Drosseln Dr11 bis Dr4N bei gleichmäßiger Stromaufteilung für den Nutzstrom eine Induktivität darstellen, beeinträchtigt nicht die Wir­ kung als Filterinduktivität.

Der mechanische Aufbau einer Brückenhälfte ist in Fig. 4 in einer Querschnittzeichnung dargestellt. In einer säulenför­ migen Anordnung sind zwei von Kühlmittel durchströmte Vier­ kantrohre parallel zueinander angeordnet. An jedem Vierkant­ rohr R1, R2 sind jeweils sämtliche Leistungshalbleiterbau­ elemente für einen Brückenzweig befestigt. Dabei sind die Transistoren T1 . . bzw. T2 . . jeweils auf einer Breitseite des Vierkantrohrs, die Dioden D1., D2. an einer schmäleren Seite des jeweiligen Vierkantrohrs R1 bzw. R2 befestigt. Um kurze Leitungswege zwischen den jeweils zugeordneten Transistoren T . . und Freilaufdioden D . . zu schaffen, sind einander zuge­ ordnete Elemente jeweils unmittelbar benachbart und mit ihren Anschlüssen zueinander weisend angeschlossen. Zwischen den jeweiligen Leistungshalbleiterbauelementen und den Vierkant­ rohren R1 und R2 ist jeweils ein gut wärmeleitendes Plättchen PL1, PL2 angeordnet. Die Leistungshalbleiterbauelemente T1 . . , D1. des ersten und D1., T2 . . des zweiten Brückenzweiges sind räumlich einander derart zugeordnet, daß die jeweils zwei magnetisch gekoppelten Drosseln Dr . . zugeordneten Leistungs­ halbleiterbauelemente in einer Ebene senkrecht zur Längsrich­ tung der Anordnung liegen. Die beiden magnetisch gekoppelten Drosseln Dr . . können damit aus einem einzigen Ferritkern F bestehen, durch die die beiden Anschlußleitungen zu den einander zugeordneten Leistungshalbleiterbauelementen T1 . . , D1., T2., D2. des ersten und zweiten Brückenzweiges geführt sind. Die Anschlußleitungen zu sämtlichen parallelgeschal­ teten Reihenschaltungen werden in zwei parallel zu den Kühl­ körpern R1, R2 verlaufenden Sammelleitungen SL1, SL2 zusam­ mengefaßt, wobei an diese Sammelleitungen die induktive Last L angeschlossen wird.

An der Ober- und Unterseite der Baueinheit sind jeweils Lei­ terplatten P1 und P2 vorgesehen, in der unter anderem die Anschlußdrähte der Leistungshalbleiterbauelemente D1., D2., T1 . . , T2 . . verlötet sind. Der Anschluß an die Versorgungs­ spannung U_B erfolgt ebenso wie die Ansteuerung der Transi­ storen über diese Leiterplatten P1, P2.

In der Baueinheit sind ferner noch die für jeden Brückenzweig benötigten Kondensatoren C eingebaut.

Für die komplette Brückenschaltung benötigt man zum Beispiel zwei der in Fig. 4 dargestellten Baugruppen, nämlich eine für die positive und eine für die negative Stromrichtung durch die induktive Last. Da die gesamte Einheit modular auf­ gebaut ist, könnte man den Leistungsverstärker aber auch auf mehr als zwei Baugruppen aufteilen.

Da bei der in Fig. 4 dargestellten Einheit Verlötungen nur auf der Unter- und Oberseite der Baugruppen erfolgen müssen, ist problemlos die Anwendung eines Schwall-Lötverfahrens bei der fertig montierten Baugruppe möglich. Mit der dargestell­ ten Anordnung lassen sich hohe Spannungsfestigkeiten erzie­ len. Es wurde beispielsweise ein Leistungsverstärker mit einer Betriebsspannung von 800 V aufgebaut. Durch den modula­ ren Aufbau kann entsprechend den Stromerfordernissen die Anzahl parallelgeschalteter Teilverstärker angepaßt werden. Durch die vorgestellte Schaltung wird eine gleichmäßige Bela­ stung aller Teilverstärker, unabhängig von ihrer geometri­ schen Anordnung erreicht.

Claims (13)

1. Leistungsverstärker für die Speisung einer induktiven Last (L) mit geschalteten Transistoren (T . . ), wobei für jede Stromrichtung durch die induktive Last (L) eine Brückenhälfte (A, B) vorgesehen ist, bei der zwischen Versorgungsspannungs­ anschlüssen (Ub+, Ub-) jeweils ein erster Brückenzweig (1, 4) mit einer parallel geschalteten Gruppe von Reihenschaltungen von Transistoren (T . . ) mit Freilaufdioden (D . . ) und ein zweiter Brückenzweig (2, 3) mit einer parallel geschalteten Gruppe von Reihenschaltungen von Freilaufdioden (D . . ) mit Transistoren (T . . ) angeordnet ist und wobei die induktive Last (L) zwischen den Verbindungspunkten von Transistoren (T . . ) und Freilaufdioden (D . . ) des ersten Brückenzweiges (1, 4) und den Verbindungspunkten von Transistoren (T . . ) und Freilaufdioden (D . . ) des zweiten Brückenzweiges (2, 3) ange­ schlossen ist, dadurch gekennzeich­ net, daß die Gruppen von Transistoren (T . . ) und Freilaufdioden (D . . ) linear angeordnet sind und daß in der Verbindung jeder Reihenschaltung mit der induktiven Last (L) eine Drossel (Dr . . ) angeordnet ist, die derart stromkom­ pensiert ist, daß sie nur dann eine wirksame Induktivität aufweist, wenn in einem Brückenzweig (1 bis 4) eine ungleich­ mäßige Stromaufteilung zwischen den Reihenschaltungen auf­ tritt.

2. Leistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwei den beiden Brückenzweigen (1, 2; 3, 4) einer Brückenhälfte (A, B) zuge­ ordnete Drosseln (Dr . . ) einen gemeinsamen Kern (F) mit zwei Wicklungen aufweisen und daß die beiden Wicklungen so in den jeweiligen Strompfad zu den Reihenschaltungen Transistor (T . . )-Diode (D . . ) geschaltet sind, daß im Betrieb die beiden Wicklungen entgegengesetzte magnetische Flüsse erzeugen, so daß bei Gleichheit der Ströme in den beiden Wicklungen kein resultierender magnetischer Fluß entsteht.

3. Leistungsverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern ein Ferritkern (F) ist und daß jede Wicklung nur aus einem durch den Ferrit­ kern gesteckten Leiter besteht.

4. Leistungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Transistoren (T . . ) und Freilaufdioden (D . . ) auf einem längs­ gestreckten Kühlkörper (R1, R2) angeordnet sind, wobei die einander zugeordneten Transistoren (T . . ) und Freilaufdioden (D . . ) einer Reihenschaltung in unmittelbarer Nähe zueinander angeordnet sind.

5. Leistungsverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (R1, R2) ein wassergekühltes Vierkantrohr ist.

6. Leistungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß alle Transistoren (T . . ) und Freilaufdioden (D . . ) eines Brücken­ zweiges (1-4) auf je einem Kühlkörper (R1, R2) angeordnet sind.

7. Leistungsverstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlkörper (R1, R2) für die beiden Brückenzweige (1, 2; 3, 4) einer Brückenhälfte (A, B) parallel zueinander angeordnet sind.

8. Leistungsverstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden (D . . ) und Transistoren (T . . ), die magnetisch gekoppelten Drosseln (Dr . . ) zugeordnet sind, räumlich unmittelbar benachbart angeordnet sind.

9. Leistungsverstärker nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zum Kühlkörper (R1, R2) zwei Stromsammelschienen (SL1, SL2) für den Anschluß der induktiven Last (L) angeordnet sind.

10. Leistungsverstärker nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen den Stromsammelschienen (SL1, SL2) und den Transistoren (T . . )/Dioden (D . . ) über durch Ferritkerne (F) gesteckte Leiter erfolgt.

11. Leistungsverstärker nach einem der Ansprüche 4 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zum Kühlkörper (R1, R2) mindestens eine Leiterplatte (P1, P2) angeordnet ist.

12. Leistungsverstärker nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Versorgungsspan­ nungsanschlüsse über die Leiterplatten (P1, P2) geführt werden.

13. Leistungsverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuersignale aller Transistoren (T . . ) über RC-Glieder (RC . . ) geführt werden, deren Zeitkonstanten wesentlich größer sind als die Laufzeitunterschiede der Ansteuersignale der einzelnen Transistoren aufgrund unterschiedlicher Leitungs­ längen.