DE4333426C1 - Method for metallising solar cells comprising crystalline silicon - Google Patents
Method for metallising solar cells comprising crystalline siliconInfo
- Publication number
- DE4333426C1 DE4333426C1 DE19934333426 DE4333426A DE4333426C1 DE 4333426 C1 DE4333426 C1 DE 4333426C1 DE 19934333426 DE19934333426 DE 19934333426 DE 4333426 A DE4333426 A DE 4333426A DE 4333426 C1 DE4333426 C1 DE 4333426C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metallization
- trenches
- solar cell
- metal
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 7
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 24
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims description 3
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 5
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000454 electroless metal deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000010871 livestock manure Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQLVQOSNDJXLKG-UHFFFAOYSA-N prosulfocarb Chemical compound CCCN(CCC)C(=O)SCC1=CC=CC=C1 NQLVQOSNDJXLKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Unter Metallisierung von Solarzellen wird die Herstellung oder Aufbringung von stromabführenden elektrisch leitenden Kontakten auf Vorder- und Rückseiten von Solarzellen verstanden. Die Metal lisierung muß daher einen guten ohmschen Kontakt zum Halbleiter aufbauen können, damit ein ungestörter Austritt der Ladungsträger aus dem Halbleiter in die stromabführenden Kontakte gewährleistet ist. Zur Vermeidung von Stromverlusten muß die Metallisierung au ßerdem eine ausreichende Stromleitfähigkeit aufweisen, das heißt entweder eine hohe Leitfähigkeit und/oder einen ausreichend hohen Leiterbahnquerschnitt besitzen.Under the metallization of solar cells, the manufacture or Application of current-carrying, electrically conductive contacts understood on the front and back of solar cells. The metal lization must therefore have good ohmic contact with the semiconductor can build up so that an undisturbed discharge of the load carriers guaranteed from the semiconductor in the current-carrying contacts is. To avoid loss of current, the metallization must also have sufficient current conductivity, that is either a high conductivity and / or a sufficiently high one Have conductor cross-section.
Für die Metallisierung von Solarzellenrückseiten existieren eine Vielzahl von Verfahren, die diese Anforderungen erfüllen. Zur Me tallisierung der Vorder- oder Lichteinfallsseite der Solarzelle wird angestrebt, eine möglichst geringe Abschattung aktiver Halb leiteroberfläche zu erreichen, um möglichst viel Oberfläche zum Einfang von Photonen zu nutzen. Dies läßt sich jedoch nur mit einem geringeren Leiterbahnquerschnitt erreichen, was im Wi derspruch zur geforderten hohen Stromleitfähigkeit steht. Zusätz lich können bei feinen Leiterbahnstrukturen Haftungsprobleme der Metallisierung insbesondere auf kristallinem Silizium auftreten.There is one for the metallization of solar cell backs A variety of processes that meet these requirements. To me Tallization of the front or light side of the solar cell the aim is to minimize the shadowing of active half to reach the conductor surface in order to get as much surface as possible To capture photons. However, this can only be done with achieve a smaller conductor cross-section, which in Wi the claim to the high current conductivity required. Additional Liability problems can arise with fine conductor track structures Metallization occur particularly on crystalline silicon.
Die Metallisierung durch Dickfilmtechnik ist eine wirtschaftliche und gebräuchliche Technik. Die eingesetzten Pasten enthalten Metallpartikel (vorwiegend Silber) und sind dadurch elektrisch leitend. Sie können durch Sieb-, Schablonen- und Tampondruck oder durch Pastenschreiben aufgebracht werden. Weit verbreitet ist derzeit das Siebdruckverfahren, mit dem zur Metallisierung fingerförmige Metallisierungslinien bis ca. 80-100 µm Breite möglich sind. Bereits bei dieser Gridbreite zeigen sich im Vergleich zur reinen Metallstruktur Verluste an elektrischer Leitfähigkeit, was sich im Serienwiderstand und damit im Füllfaktor und im Wirkungsgrad negativ auswirken kann. Bei noch geringeren aufgedruckten Leiterbahnbreiten verstärkt sich dieser Effekt, da die Leiterbahnen verfahrensbedingt gleichzeitig auch flacher werden. Eine wesentliche Ursache für diese verminderte Leitfähigkeit stellen die nicht leiten den Oxid- bzw. Glasanteile zwischen den Metallpartikeln dar. Andererseits ist der Glasanteil für die Haftung der Leiterbahnen auf der Solarzelle erforderlich.Metallization using thick film technology is economical and common technology. The pastes used contain Metal particles (mainly silver) and are therefore electrical conductive. You can by screen, stencil and pad printing or be applied by paste writing. Is widespread currently the screen printing process with which to metallize Finger-shaped metallization lines up to approx. 80-100 µm wide possible are. Even with this grid width, the Comparison to the pure metal structure loss of electrical Conductivity, what is in the series resistance and thus in Filling factor and can have a negative impact on efficiency. At reinforced even smaller printed conductor widths this effect because the conductor tracks are procedural become flatter at the same time. An essential cause for this reduced conductivity they do not lead the oxide or glass portions between the metal particles. On the other hand, the glass portion is responsible for the adhesion of the Conductor tracks on the solar cell required.
Aufwendigere Verfahren zur Herstellung der Vorderseitenkon takte nutzen Laser- oder Phototechnik zur Definition der Lei terbahnstrukturen. Um die Metallisierung haftfest und in der für die elektrische Leitfähigkeit erforderlichen Dicke auf zubringen, sind oft verschiedene Metallisierungsschritte notwendig. So wird in der nicht-vorveröffentlichten DE 43 11 173 A1 vorgeschlagen, daß bei einer naßchemischen Metal lisierung eine erste feine Metallisierung mittels Palladium keimen erfolgt und durch eine stromlose Nickelabscheidung haftfest verstärkt wird. Zur weiteren Erhöhung der Leitfä higkeit wird darüber stromlos oder elektrolytisch Kupfer ab geschieden, welches zweckmäßigerweise wiederum mit einer fei nen Silber- oder Zinnschicht vor einer Oxidation geschützt wird.More complex process for the production of the front side clocks use laser or photo technology to define the lei subway structures. To the metallization adherent and in the thickness required for electrical conductivity are often different metallization steps necessary. So in the unpublished DE 43 11 173 A1 suggested that at a wet chemical metal First fine metallization using palladium germination takes place and through an electroless nickel deposition is firmly reinforced. To further increase the guidelines Ability is de-energized or electrolytically copper divorced, which in turn expediently with a fei NEN silver or tin layer protected from oxidation becomes.
Nachteilig an diesen oft mehrere Metallisierungsbäder erfor dernden und daher auch unter Entsorgungsgesichtspunkten auf wendigen Verfahren ist außerdem, daß sie auf eine beispiels weise aufgedruckte Rückseitenmetallisierung mehr oder weniger schädigend einwirken und diese daher oft besonders geschützt wird.A disadvantage of these often require several metallization baths changing and therefore also from the point of view of disposal Agile procedure is also that it is based on an example wise printed backside metallization more or less act damaging and therefore often particularly protected becomes.
Aus der EP-A 0 542 148 ist ein Verfahren zur Herstellung ei ner Elektrodenstruktur für die Vorderseitenmetallisierung ei ner Solarzelle bekannt. Dabei wird zunächst eine Elektroden struktur in Dickfilmtechnik auf dem Solarzellenkörper erzeugt und anschließend durch galvanische Abscheidung von Silber oder Kupfer verstärkt.EP-A 0 542 148 describes a method for producing egg ner electrode structure for the front side metallization ner solar cell known. First, an electrode structure in thick film technology on the solar cell body and then by electrodeposition of silver or copper reinforced.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein anderes Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen anzugeben, wel ches einfach durchzuführen ist, keine galvanische Metallab scheidung und daher keine elektrische Kontaktierung erfordert und bei dem die Prozesse für Vorder- und Rückseitenmetalli sierung kompatibel sind. Es soll bei Leiterbahnbreiten von unter 100 µm ausreichend elektrisch leitende und auf Silizium gut haftende Kontakte erzeugen.The object of the present invention is therefore another Process for the metallization of solar cells to indicate wel is easy to do, no galvanic metal divorce and therefore no electrical contact required and where the processes for front and back metal are compatible. It should Sufficiently electrical with conductor track widths of less than 100 µm Generate conductive contacts that adhere well to silicon.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Weiterbildungen der Er findung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.This object is achieved by a method with the Features of claim 1 solved. Further training of the Er can be found in the subclaims.
Das erfindungsgemäße Verfahren verwendet zur Herstellung sowohl des Rückseiten- als auch des Vorderseitenkontaktes ein Dickfilm verfahren, insbesondere ein Druckverfahren mit leitfähiger Paste. Durch gleiche bzw. ähnliche Metallisierungsverfahren kann in bekannter Weise die beidseitige Metallisierung in einem gemeinsamen Schritt oder in zeitlich eng aufeinander folgenden Schritten durchgeführt werden. Mit dem Verfahren können auf Solarzellenvorderseiten Metallisierung erzeugt werden, deren Leiterbahnbreiten deutlich unter 100 µm liegen und die dennoch ausreichende Leitfähigkeit aufweisen. Der Nachteil der geringen Leitfähigkeit bekannter Dickfilmstrukturen wird durch die zusätz liche photoinduzierte Abscheidung eines elektrisch gut leitenden Metalles über der Dickfilmmetallisierung kompensiert. Durch das Aufwachsen der zusätzlichen Metallschicht können sogar nicht leitende Unterbrechungen in der aufgedruckten Dickfilmstruktur teilweise "repariert" werden. Das aufwachsende Metall wächst über solchen nicht leitenden Bereichen zusammen und überbrückt diese leitend.The method according to the invention uses both for the production a thick film on the rear and front contacts process, in particular a printing process with conductive paste. Through the same or similar metallization processes, in the two-sided metallization in a known manner common step or in close succession Steps. With the procedure on Solar cell front panels are generated, their Conductor widths are clearly below 100 µm and they are nevertheless have sufficient conductivity. The disadvantage of the low The conductivity of known thick film structures is increased by the additional Liche photo-induced deposition of an electrically good conductive Metal compensated over the thick film metallization. By the The additional metal layer cannot even grow conductive breaks in the printed thick film structure partially "repaired". The growing metal grows over such non-conductive areas and bridges them conductive.
Das Verfahren verbindet also die Vorteile einer Metallisierung mit einem gut leitenden Metall (gute Stromleitung bei geringem Leiterbahnquerschnitt) mit der guten Haftung und dem einfachen Aufbringen der Dickfilmmetallisierung, ohne deren Nachteile in Kauf zu nehmen. Mit der Dickfilmtechnik ist die Strukturierung der Vorderseitenmetallisierung, die beispielsweise in Form fin gerförmiger Kontakte erfolgen kann, in einfacher Weise möglich. Mit dem Aufbringverfahren für die leitfähige Paste wird bereits die Struktur definiert. Geeignete Verfahren sind beispielsweise Sieb-, Schablonen- und Tampondruck oder Pastenschreiben und ähn liche Verfahren.The process therefore combines the advantages of metallization with a well conductive metal (good power conduction at low Conductor cross-section) with good adhesion and simple Application of the thick film metallization without its disadvantages in To take purchase. With the thick film technique is the structuring the front side metallization, for example in the form fin ger-shaped contacts can be done in a simple manner. With the application process for the conductive paste is already defines the structure. Suitable methods are, for example Screen, stencil and pad printing or paste writing and the like process.
Die Metallabscheidung erfolgt photoinduziert und stromlos. Die zur Reduktion des Metallions aus der Lösung erforderlichen La dungsträger (Elektronen) werden lichtinduziert im Halbleiter als Ladungsträgerpaare erzeugt, am pn-Übergang von den Löchern ge trennt und zur Halbleiteroberfläche transportiert. Die Metallab scheidung erfolgt spezifisch auf der Dickfilmmetallisierung, die im guten ohmschen Kontakt zum Halbleiter steht und eine höhere Leitfähigkeit als der Halbleiter besitzt. Für die Metallabschei dung können aus der Galvanik bekannte Metallisierungsbäder ver wendet werden. Es sind auch solche Metallisierungsbäder geeignet, die bereits zur chemischen Abscheidung von Metallen verwendet werden. In diesem Fall wird die Metallabscheidung durch die Photounterstützung beschleunigt und/oder bei niedrigeren Temperaturen ermöglicht. Dies ist insbesondere bei chemisch ag gressiven Metallisierungsbädern von Vorteil, die in ungünstige Wechselwirkung mit der Dickfilmmetallisierung treten können. Beispielsweise kann die oxidische Bestandteile enthaltende leitfähige Paste im sauren und im basischen Milieu angegriffen werden, worauf es zur Ablösung der Leiterbahn bzw. zur Unterbrechung der Stromleitung kommen kann.The metal deposition is photo-induced and de-energized. The La required to reduce the metal ion from the solution Manure carriers (electrons) are light-induced in the semiconductor as Charge carrier pairs generated, ge at the pn junction from the holes separates and transported to the semiconductor surface. The Metallab Separation takes place specifically on the thick film metallization is in good ohmic contact with the semiconductor and a higher one Has conductivity than the semiconductor. For the metal parting metal plating baths known from electroplating be applied. Metallization baths are also suitable, already used for chemical deposition of metals become. In this case, the metal deposition is carried out by the Photo support accelerates and / or at lower ones Temperatures. This is especially true with chemisch ag gressive metallization baths which are advantageous in unfavorable Can interact with the thick film metallization. For example, the one containing oxidic components Conductive paste attacked in acidic and basic environments be what it is to replace the conductor track or Interruption of the power line can come.
Die photoinduzierte stromlose Metallabscheidung erfordert das Be strahlen des Halbleiters mit elektromagnetischer Strahlung im Ab sorptionsbereich des Halbleiters. Für Silizium wird daher sicht bares Licht oder nahes IR gewählt. Letzteres nutzt die Rotemp findlichkeit von Silizium und führt zu einer Erzeugung von La dungsträgerpaaren an einem Ort, der tiefer im Inneren des Halb leiters liegt.Photo-induced electroless metal deposition requires loading radiate the semiconductor with electromagnetic radiation in the Ab sorption area of the semiconductor. For silicon, therefore selectable light or near IR. The latter uses the Rotemp sensitivity of silicon and leads to the production of La Manure pairs in a place that is deeper inside the half leader.
Entscheidend für die Abscheidegeschwindigkeit ist die Verfügbarkeit der Elektronen von der Rückseitenmetallisierung zum Ladungsausgleich. Diese Metallisierung dient bei dem Prozeß sozusagen als Opferanonde, da hierbei Metall aufoxidiert wird und in Lösung geht. Es ist deshalb vorteilhaft, die Rücksei tenmetallisierung redundant aufzutragen, so daß sie ihrer späteren Funktion als Rückseitenkontakt noch voll gerecht wird.The decisive factor for the separation speed is Availability of electrons from backside metallization to Charge balancing. This metallization is used in the process as a victim probe, so to speak, since metal is oxidized here and goes into solution. It is therefore advantageous to have the back redundant tenmetallization so that they your later function as rear contact still fully satisfactory becomes.
Ausreichend ist es beispielsweise, die in einem Metallisie rungsbad angeordnete Solarzelle von der Vorderseite her in einem Abstand von ca. 30 cm mit einer 75 Watt Glühbirne (Wolframwendel) oder einer 150 Watt IR-Lampe zu beleuchten.It is sufficient, for example, that in a Metallisie solar cell arranged from the front in a distance of approx. 30 cm with a 75 watt light bulb (Tungsten filament) or a 150 watt IR lamp.
Für Rück- und Vorderseitenmetallisierung können wie erwähnt elektrisch leitende Pasten verwendet werden, die in einem Schritt gemeinsam eingebrannt werden können ("cofiring". Mög lich ist es auch, für die Vorderseitenmetallisierung einen Leitkleber oder Leitlack in Dickfilmtechnik aufzubringen. Auch dieser enthält metallische Partikel, insbesondere Sil ber, die für die Leitfähigkeit sorgen. Eingebettet sind die Partikel in eine organische Matrix die die Verarbeitbarkeit und Haftung des Klebers auf der Unterlage gewährleistet. Auch hier können feinste Leitkleberstrukturen durch die pho toinduzierte (stromlose) Metallabscheidung verstärkt werden.For back and front metallization, as mentioned electrically conductive pastes are used in one Step can be branded together ("cofiring". Poss It is also natural for the front metallization Apply conductive adhesive or conductive varnish using thick film technology. This also contains metallic particles, especially Sil that ensure conductivity. They are embedded Particles in an organic matrix which processability and adhesion of the adhesive to the base is guaranteed. Also Here, the finest conductive adhesive structures can be created using the pho to induced (electroless) metal deposition.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird zur Defi nition der Vorderseitenmetallisierung neben der Dickfilmtech nik noch eine weitere sogenannte Grabentechnik verwendet. Dazu werden in der Vorderseite der Solarzelle, die mit einer Schicht eines Dielektrikums versehen ist, feine bis in den Halbleiter hineinreichende Gräben erzeugt. Quer über diese Gräben erfolgt dann das Aufbringen und gegebenenfalls Ein brennen der leitfähigen Paste. Dabei ist es ausreichend, wenn die Paste die Gräben überbrückt. Beim Auftragen der Paste quer zu den Gräben werden auch deren Wände mehr oder weniger stark mit der Paste kontaktiert. Nicht unbedingt erforderlich ist jedoch ein völliges Ausfüllen der überbrückten Gräben bzw. der Kontakt der Paste mit dem Grabenboden. In a further embodiment of the invention, the defi nition of the front side metallization next to the thick film tech nik yet another so-called trench technology used. For this purpose, the front of the solar cell, which has a Layer of a dielectric is provided, fine to the Trenches reaching into semiconductors are produced. Across this Trenches are then applied and, if necessary, on burn the conductive paste. It is sufficient if the paste bridges the trenches. When applying the paste across the trenches, their walls become more or less heavily contacted with the paste. Not necessarily required is, however, a complete filling of the bridged trenches or the contact of the paste with the trench floor.
Im anschließenden stromlosen photoinduzierten Metallabscheidepro zeß wird das Metall nicht nur über der Dickfilmstruktur, sondern auch direkt auf der in den Gräben freigelegten Halbleiteroberfläche abgeschieden. Von Vorteil ist dabei, wenn der Halbleiter in den Gräben hoch n-dotiert ist. Während des Abscheidens wächst die in den Gräben abgeschiedene Metallschicht mit der Dickfilmstruktur bzw. der über der Dickfilmstruktur abgeschiedenen Metallschicht zusammen und bildet so eine elektrisch gut leitende Verbindung.In the subsequent electroless photo-induced metal separation pro The metal is not only over the thick film structure, but also also directly on the uncovered in the trenches Semiconductor surface deposited. It is an advantage if the semiconductor is highly n-doped in the trenches. During the The metal layer deposited in the trenches grows with the thick film structure or over the thick film structure deposited metal layer together and thus forms a good electrical connection.
Mit dieser Verfahrensvariante ist es möglich, äußerst feine stromableitende Kontakte für die Vorderseitenmetallisierung zu erzeugen. Die etwas breiteren Dickfilmstrukturen dienen als Stromsammelschienen oder sogenannte Busstrukturen. An den gut haftenden Busstrukturen wiederum lassen sich nun in einfacher Weise elektrische Leiter an die Solarzelle anschließen, beispielsweise durch Anlöten von Bändchen bei dicken- oder von Drähten bei schmalen Bussen. Das für die photoinduzierte Metall abscheidung bevorzugt verwendete Silber zeigt auf einer ebenen und selbst auf einer texturierten Siliziumoberfläche eine unge nügende Haftung. Wird das Silber dagegen nicht auf ebener Ober fläche, sondern in Gräben abgeschieden, ist die Haftung wesentlich verbessert. Eine durch die angelöteten elektrischen Leiter mögliche Zugbelastung oder sonstige mechanische Beanspruchung wirkt nur auf die gut haftenden Dickfilmstrukturen.With this process variant it is possible to be extremely fine current-conducting contacts for the front-side metallization produce. The somewhat wider thick film structures serve as Busbars or so-called bus structures. To the good adhering bus structures can now be simplified Way to connect electrical conductors to the solar cell, for example by soldering tapes at thick or from Wires on narrow buses. That for the photo-induced metal deposition preferred silver shows on a level and even on a textured silicon surface sufficient liability. In contrast, the silver is not on a level surface surface, but separated in trenches, liability is essential improved. One through the soldered electrical conductors possible tensile load or other mechanical stress only affects the well-adhering thick film structures.
Die Gräben für die Feinstrukturen der Vorderseitenmetallisierung können durch Laserbestrahlung erzeugt werden. Möglich ist es auch, die Feinstrukturen durch Phototechnik in einem Photolack zu erzeugen und die Gräben durch die Photolackmaske zu ätzen. Auch eine mechanische Erzeugung der Gräben durch Sägen, Kratzen oder dergleichen ist möglich.The trenches for the fine structures of the front metallization can be generated by laser radiation. It is possible also, the fine structures through photo technology in a photoresist too generate and etch the trenches through the photoresist mask. Also mechanical production of the trenches by sawing, scratching or the like is possible.
Eine weiter verbesserte Haftung der Metallstrukturen in den Grä ben wird erreicht, wenn die Grabeninnenwände vor der Metallab scheidung mittels einer Texturätzung aufgerauht werden. Dies führt zu einer guten Verzahnung der später abgeschiedenen Metall strukturen mit dem aufgerauhten Silizium. Eine besonders gute Verzahnung wird dabei in Gräben in polykristallinem Silizium erzielt. Hier ist die erzielbare Textur durch die unterschied lichen Kristallorientierungen vorteilhafterweise sehr unregel mäßig ausgerichtet.A further improved adhesion of the metal structures in the grains ben is achieved when the inner trench walls in front of the metal divorce can be roughened using a texture etching. This leads to a good interlocking of the later deposited metal structures with the roughened silicon. A particularly good one Gearing is in trenches in polycrystalline silicon achieved. Here is the attainable texture by the difference Liche crystal orientations advantageously very irregular moderately aligned.
Im folgenden werden drei Ausführungsbei spielen der Erfindung anhand von sieben Figuren näher beschrieben.The following are three examples play the invention with reference to seven figures.
Die Fig. 1 bis 3 zeigen einen schematischen Querschnitt durch eine Solarzelle während verschiedener Verfahrens stufen eines ersten Ausführungsbeispiels, Figs. 1 to 3 show a schematic cross section through a solar cell during different process stages of a first embodiment,
die Fig. 4 zeigt eine REM-Aufnahme einer verstärkten Metalli sierung und Fig. 4 shows a SEM image of a reinforced metallization and
die Fig. 5 bis 7 zeigen in einer perspektivischen Aufrißdar stellung die Solarzelle während verschiedener Ver fahrensstufen des zweiten Ausführungsbeispiels. Figs. 5 to 7 show in a perspective Aufrißdar position the solar cell during different stages Ver drive of the second embodiment.
Fig. 1 als Solarzellenkörper 1 wird ein Wafer aus kristallinem oder polykristallinem Silizium verwendet, welcher eine p-Grund dotierung aufweist. Die Vorderseite kann einer kristallorien tierten Texturätzung unterzogen werden, um eine Reflexionen ver mindernde verbesserte Lichteinfallsgeometrie der Oberfläche zu schaffen (in der Fig. 1 nicht dargestellt). Zur Erzeugung des Halbleiterübergangs erfolgt nun eine Phosphordiffusion auf der Vorderseite des Solarzellenkörpers 1, wobei ein flacher n-dotier ter Schichtbereich 3 entsteht. Fig. 1 as a solar cell body 1, a wafer of crystalline or polycrystalline silicon is used, which has a p-base doping. The front can be subjected to a crystallized texture etching in order to create a reflection-reducing improved light incidence geometry of the surface (not shown in FIG. 1). To produce the semiconductor junction, a phosphorus diffusion now takes place on the front side of the solar cell body 1 , a flat n-doped layer region 3 being produced .
Zur weiteren Verbesserung der optischen und elektrischen Eigen schaften des Solarzellenkörpers 1 wird auf der Vorderseite eine dielektrische Schicht 4 erzeugt. Diese dient zugleich als Passi vierungs- und Antireflexschicht. Dies kann eine Oxidschicht SiOx, eine Nitridschicht Si₃N₄, eine Kombination aus beiden oder eine Kombination mit einer Titanoxidschicht TiOx sein.To further improve the optical and electrical properties of the solar cell body 1 , a dielectric layer 4 is produced on the front. This also serves as a passivation and anti-reflective layer. This can be an oxide layer SiO x , a nitride layer Si₃N₄, a combination of both, or a combination with a titanium oxide layer TiO x .
Die Rückseitenmetallisierung wird in Form einer elektrisch leit fähigen Paste durch eines der genannten Pastendruck- oder Schreibverfahren aufgebracht. Die Paste enthält neben einem aus brennbaren organischen Binder eine Glasmatrix, in die elektrisch leitfähige Partikel eingebettet sind. Die im Beispiel silberhal tige Paste kann außerdem Aluminium enthalten, welches beim Ein brennen der Paste in die Rückseite einlegiert oder teilweise ein diffundiert, dabei den Ohmschen Kontakt verbessert und dort p⁺ dotierte Bereiche erzeugt. Möglich ist es auch, durch vorheriges Aufbringen von Al oder B mit anschließendem Eindiffundieren eine hochdotierte p⁺ Zone, ein sogenanntes "back surface field" zu erzeugen.The rear side metallization is in the form of an electrically conductive capable paste by one of the paste printing or Writing process applied. The paste contains one flammable organic binder a glass matrix in which electrical conductive particles are embedded. The silver hal in the example Paste may also contain aluminum, which is burn the paste alloyed into the back or partially diffuses, thereby improving ohmic contact and there p⁺ doped areas generated. It is also possible through previous Application of Al or B with subsequent diffusion highly doped p⁺ zone, a so-called "back surface field" produce.
Weiterhin kann eine Aluminium-haltige Paste vor dem Aufbringen der Rückseitenmetallisierung aufgebracht und eingebrannt werden. Gegebenenfalls wird der Rest der Aluminium-haltigen Paste nach dem Einbrennen wieder von der Rückseite des Solarzellenkörpers 1 entfernt.Furthermore, an aluminum-containing paste can be applied and burned in before the rear metallization is applied. If necessary, the rest of the aluminum-containing paste is removed from the back of the solar cell body 1 after the stoving.
Die Rückseitenmetallisierung kann ganz flächig oder in Form eines beliebigen groben Rasters aufgebracht werden.The backside metallization can be flat or in the form of a any coarse grid can be applied.
Für die Vorderseitenmetallisierung 6 wird die gleiche leitfähige Paste wie für die Rückseite, jedoch ohne Al verwendet. Mit einem geeigneten Aufbringverfahren werden strukturierte Vorderseitenkontakte aufgebracht, die je nach Anzahl aus mehr oder weniger dicken Stromsammelschienen (Busstrukturen) und aus quer dazu aufgebrachten Feinstrukturkontakten bestehen können.The same conductive paste as for the rear, but without Al, is used for the front-side metallization 6 . With a suitable application method, structured front contacts are applied, which depending on the number can consist of more or less thick busbars (bus structures) and fine structure contacts applied transversely to them.
In einem Ofenprozeß werden nun die aufgedruckten Rückseitenkon takte 5 und die Vorderseitenkontakte 6 gemeinsam eingebrannt. Die erforderlichen Temperaturen sind von der Pastenzusammensetzung und der Dicke der dielektrischen Schicht abhängig, können anson sten jedoch frei gewählt werden. In Abhängigkeit von der Pastenzusammensetzung kann das Brennen in oxidativer Atmosphäre oder unter Inertgas mit wenig Sauerstoff erfolgen. Möglich ist auch ein zweistufiger Brennprozeß mit einem Vorbrand unter wenig Sauerstoff bis ca. 400°C und anschließendem Brennen bei höherer Temperatur unter Inertgas bzw. reduzierender Atmosphäre.In a furnace process, the printed back contacts 5 and the front contacts 6 are now baked together. The required temperatures depend on the paste composition and the thickness of the dielectric layer, but can otherwise be chosen freely. Depending on the paste composition, the firing can take place in an oxidative atmosphere or under an inert gas with little oxygen. A two-stage firing process is also possible, with pre-firing under little oxygen up to approx. 400 ° C. and subsequent firing at a higher temperature under an inert gas or reducing atmosphere.
Nach dem Einbrennprozeß erfolgt bei der Grabentechnik eine kurze Behandlung in verdünnter, gegebenenfalls gepufferter, HF-Lösung zur Entfernung von entstandenem Oxid. Da bereits beim Stehen an Luft ein natives Oxid auf Silizium aufwächst, welches die Metallabscheidung stört, sollte dieser sogenannte HF-Dip bei der Grabentechnik (Anordnung der Metallisierung in Gräben) grund sätzlich erfolgen unabhängig von den Brennbedingungen.After the burn-in process there is a short one in the trench technique Treatment in dilute, optionally buffered, HF solution for Removal of oxide. Because even when standing in air a native oxide grows on silicon, which the Metal deposition interferes, should this so-called HF dip at Trench technology (arrangement of the metallization in trenches) in addition, regardless of the firing conditions.
Bei der Planartechnik, bei der nur die aufgedruckten Strukturen der Vorderseite photoinduziert verstärkt werden, kann auf einen HF-Dip verzichtet werden. Die cyanidische Silberlösung ermöglicht hier allerdings einen größeren Spielraum bei der Einstellung der Brennbedingungen, und die n-Dotierung kann schwächer gewählt werden, was zu geringeren Rekombinationsverlusten führt. Die elektrischen Parameter lassen sich durch eine kurze photoinduzierte Silberabscheidung aus cyanidischer Lösung zusätzlich verbessern, ähnlich wie durch den HF-Dip. Dabei zeigt sich eine deutliche Stabilitätserhöhung im Feuchtetest, selbst nach einem vorangegangenen HF-Dip. Ohne die Exposition im Silbercyanidbad zeigen passivierte Solarzellen mit aufgedruckten Vorderseitenkontakten nach einer sauren Behandlung eine deutliche Instabilität im Feuchtetest. Somit wird durch das erfindungsge mäße Verfahren die Grabentechnik überhaupt erst sinnvoll er möglichtWith planar technology, where only the printed structures The front side can be photo-induced amplified HF dip can be dispensed with. The cyanide silver solution enables here, however, there is greater scope for setting the Firing conditions, and the n-doping can be chosen weaker become, which leads to lower recombination losses. The electrical parameters can be determined by a short photo-induced silver deposition from cyanide solution additionally improve, similar to the HF dip. It shows a significant increase in stability in the moisture test, itself after a previous HF dip. Without exposure in Silver cyanide bath show passivated solar cells with printed Front contacts after an acidic treatment a clear one Instability in the moisture test. Thus is by the fiction trench technology makes sense in the first place possible
Zur Verstärkung der aufgedruckten Vorderseitenkontakte wird eines der elektrisch gut leitenden Metalle Kupfer oder Silber gewählt. Bevorzugt ist jedoch Silber, welches bereits in der aufgedruckten Paste der Vorder- und Rückseitenkontakte 5 und 6 enthalten ist. Dies hat den Vorteil, daß für die Metallisierung der Solarzelle außer Aluminium, was auch durch Bor ersetzt sein kann, nur ein einziges Metall verwendet werden muß. Die Verwendung von nur einem Metallsalzbad vereinfacht den Entsorgungsaufwand im Fertigungsprozeß. Der Verzicht auf unterschiedliche Metalle erleichtert die gegebenenfalls erforderliche spätere Entsorgung oder das Recycling nicht mehr funktionstüchtiger Solarzellen.One of the electrically highly conductive metals copper or silver is chosen to reinforce the printed front contacts. However, silver is preferred, which is already contained in the printed paste of the front and rear contacts 5 and 6 . This has the advantage that, apart from aluminum, which can also be replaced by boron, only a single metal has to be used for the metallization of the solar cell. The use of only one metal salt bath simplifies the disposal effort in the manufacturing process. Dispensing with different metals facilitates the later disposal or recycling of non-functional solar cells that may be required.
Zur photoinduzierten Silberabscheidung eignen sich die in der Galvanik üblichen cyanidischen Silberbäder, die pro Liter 20 bis 100 g Silber und 120 bis 1 g Kaliumcyanid als Elektrolyt enthalten können. Es handelt sich dabei um stark bis schwach basische Lösungen. Gute Silberabscheidungen sind auch aus nichtcyanidischen Silberlösungen photoinduziert erzielbar, so zum Beispiel aus einem Bad, welches gelöstes Natriumthiosulfat und Silberchlorid enthält. Allerdings ist die Badstabilität unter Beleuchtung ungenügend.For photo-induced silver deposition, those in the Electroplating customary cyanide silver baths, which are 20 to 20 liters per liter Contain 100 g of silver and 120 to 1 g of potassium cyanide as the electrolyte can. It is strongly to weakly basic Solutions. Good silver deposits are also made from non-cyanide Silver solutions can be obtained photo-induced, for example from a bath containing dissolved sodium thiosulfate and silver chloride contains. However, the bathroom stability is under lighting insufficient.
Zur Metall- bzw. Silberabscheidung werden die Solarzellenkörper in das Metallisierungsbad getaucht und beleuchtet. Als Licht quelle kann eine normale Glühlampe von beispielsweise 75 Watt oder eine Infrarotlampe verwendet werden. Dabei können die Solarzellenkörper hintereinander in entsprechende Horden ein gestellt werden und schräg seitlich beleuchtet werden. So kann bei der Bestrahlung im Hordenbetrieb mit einer einzigen Lampe auf einer Vielzahl von Solarzellenkörpern gleichzeitig Metall abgeschieden werden.The solar cell bodies are used for metal or silver deposition dipped in the metallization bath and illuminated. As light source can be a normal light bulb of 75 watts, for example or an infrared lamp can be used. The Solar cell bodies one behind the other in corresponding hordes be placed and illuminated at an angle from the side. So can when irradiating with a single lamp a large number of solar cell bodies simultaneously metal be deposited.
Möglich ist es auch, die photoinduzierte Metallabscheidung konti nuierlich durchzuführen, wobei die Solarzellenkörper auf entspre chende Bänder oder Gestelle hintereinander bzw. über- und neben einanderliegend aufgebracht werden und kontinuierlich unter Be strahlung durch das Bad bewegt werden. Je nach verwendeter Vor richtung können die Solarzellenkörper dabei horizontal oder geneigt auf einem Träger aufliegen.It is also possible to continue the photo-induced metal deposition to be carried out with the solar cell body corresponding to appropriate tapes or frames one behind the other or above and next to are applied one above the other and continuously under loading radiation can be moved through the bathroom. Depending on the type used the solar cell body can be horizontal or lie inclined on a support.
Geeignete Vorrichtungen zur Durchführung der Metallabscheidung im kontinuierlichen Betrieb sind für Galvanisierungsanlagen bekannt. Beispielsweise ist es möglich, entsprechend auf einem Band oder einem Gestell montierte Solarzellenkörper unterhalb der Flüs sigkeitsoberfläche in ein Metallisierungsbad einzuführen, wobei das überlaufende Bad aufgefangen und in den Behälter des Me tallisierungsbads zurückgepumpt wird.Suitable devices for performing metal deposition in continuous operation are known for electroplating systems. For example, it is possible on a tape or a solar cell body mounted below the rivers liquid surface in a metallization bath, wherein the overflowing bath collected and in the container of the Me pump is pumped back.
Die Geschwindigkeit der Metallabscheidung ist abhängig von der gewählten Beleuchtungsleistung, dem Abstand der Strahlungsquelle von der zu metallisierenden Oberfläche, von der Temperatur des Metallisierungsbades und nicht zuletzt von der Art der Rücksei tenmetallisierung. Von ihr hängt es ab, wie leicht ihre Metallkomponenten aufoxidiert und aufgelöst werden, so daß Elektronen für den Ladungsausgleich und damit für die Metallre duktion auf der Vorderseite zur Verfügung stehen. Bei der licht induzierten Metallabscheidung kann auf der n-dotierten Oberfläche nur soviel Metall abgeschieden werden, wie auf der gegen überliegenden, p-dotierten Seite wieder in Lösung geht.The speed of metal deposition depends on the selected lighting power, the distance of the radiation source from the surface to be metallized, from the temperature of the Metallization bath and last but not least on the type of backside metallization. It depends on her how easy hers is Metal components are oxidized and dissolved so that Electrons for charge balance and thus for the metal production on the front are available. At the light induced metal deposition can be on the n-doped surface only as much metal is deposited as on the opposite overlying, p-doped side goes back into solution.
Das Verfahren erweitert die Anwendung der photoinduzierten Me tallabscheidung vom aus reinem Metall bestehenden Vorder- und Rückseitenkontakt hin zu aufgedruckten und gebrannten Kontakten. Trotz der umgebenden gesinterten Oxid- und Glaskomponenten werden durch die Paste des Rückseitenkontaktes auch nach einem Einbrenn prozeß unter Sauerstoff ausreichend Elektronen zum Ladungs ausgleich zur Verfügung gestellt.The process extends the use of photo-induced Me tallabteilung from the front and pure metal Backside contact to printed and burned contacts. Despite the surrounding sintered oxide and glass components through the paste of the back contact even after a burn-in process under oxygen sufficient electrons to charge compensation provided.
Es ist auch nicht erforderlich, daß das auf der Rückseite in Lösung gehende Metall unedler als das auf der Vorderseite abzu scheidende Metall ist.It is also not necessary that the on the back in Solution metal less noble than that on the front is outgoing metal.
Die Metallabscheidung erfolgt ausschließlich auf der aufgedruck ten Vorderseitenmetallisierung 6. In Abhängigkeit von den angege benen Größen sowie zusätzlich von der Breite der aufgedruckten Metallisierungsbahnen 6 wird nach einer Zeit von 5 Sekunden bis 3 Minuten eine derart dicke Metallschicht 7 abgeschieden, daß die Vorderseitenkontakte dadurch eine zur Stromableitung ausreichende Leitfähigkeit erhalten.The metal is deposited exclusively on the printed front metallization 6 . Depending on the specified sizes and additionally on the width of the printed metallization tracks 6 , such a thick metal layer 7 is deposited after a time of 5 seconds to 3 minutes that the front-side contacts thereby have sufficient conductivity for current dissipation.
Fig. 3 zeigt eine solche stromlos verstärkte Dickfilmmetallisie rung im schematischen Querschnitt, während Fig. 4 einen Quer schnitt als REM-Aufnahme zeigt. Gut zu erkennen ist die relativ grobe Struktur der Dickfilmmetallisierung 6, die bei entsprechend feinen und schmalen Leiterbahn leicht zu einer Unterbrechung des Strompfades führen kann. Die darüber abgeschiedene durchgehende glatte Silberschicht 7 kann nun vorher voneinander getrennte Me tallpartikel in der Dickfilmmetallisierung elektrisch leitend miteinander verbinden. Fig. 3 shows such a currentless thick film metallization tion in schematic cross section, while Fig. 4 shows a cross section as a SEM image. The relatively coarse structure of the thick film metallization 6 , which can easily lead to an interruption of the current path with a correspondingly fine and narrow conductor track, can be clearly seen. The continuous smooth silver layer 7 deposited over it can now connect previously separated metal particles in the thick film metallization in an electrically conductive manner.
Herstellung von Gräben auf der Vorderseite der Solarzelle.Production of trenches on the front of the solar cell.
Fig. 5 der wie im ersten Ausführungsbeispiel vorbereitete und mit einer Schicht eines Dielektrikums versehene Solarzellenkörper 1 wird auf der Vorderseite zunächst mit einem Grabenmuster über zogen, welches die Feinstrukturen für die Vorderseitenmetal lisierung definiert. Die Gräben 8 können durch Photolithographie und anschließendes Ätzen definiert und erzeugt werden oder direkt mit einem Laser oder mechanische mit Hilfe eines entsprechend harten Werkzeuges durch Sägen, Kratzen oder dergleichen gebildet werden. Die Gräben 8 reichen durch das Dielektrikum 4 hindurch ca. 2-20 µm tief in den Halbleiter des Solarzellenkörpers 1 hinein. Gegebenenfalls kann im Anschluß daran eine saure Nachbehandlung oder eine alkalische Texturätzung zur Aufrauhung der Grabenoberflächen durchgeführt werden. Fig. 5 zeigt die Anordnung nach der Aushebung der Gräben 8. Fig. 5 of the prepared as in the first embodiment and provided with a layer of a dielectric solar cell body 1 is first coated on the front with a trench pattern, which defines the fine structures for the front metalization. The trenches 8 can be defined and produced by photolithography and subsequent etching or can be formed directly with a laser or mechanically with the aid of a correspondingly hard tool by sawing, scratching or the like. The trenches 8 extend through the dielectric 4 approximately 2-20 μm deep into the semiconductor of the solar cell body 1 . If necessary, an acidic aftertreatment or an alkaline texture etching can then be carried out to roughen the trench surfaces. Fig. 5 shows the arrangement after the excavation of the trenches 8.
Fig. 6 zur besseren ohmschen Kontaktierung der anschließend in den Gräben 8 abzuscheidenden Metallschicht wird eine zweite Dif fusion mit einem n-Dotierstoff durchgeführt, die im Bereich der Gräben zu einer n⁺⁺-Dotierung 9 führt. Fig. 6 for a better ohmic contact with the subsequently deposited in the trenches 8 metal layer, a second Dif is fusion with a n-type dopant is carried out, which leads in the region of the trenches to a n⁺⁺-type doping. 9
Im Anschluß an die zweite Diffusion wird die Rückseitenmetal lisierung wie beim ersten Ausführungsbeispiel angegeben erzeugt. Auch für die Vorderseitenmetallisierung wird wie im ersten Aus führungsbeispiel eine elektrisch leitfähige Paste 10 in feinen Bahnen quer über die Gräben 8 hinweg aufgebracht. Das Einbrennen von Vorder- und Rückseitenmetallisierung erfolgt wiederum gemein sam in einem einzigen Schritt.Following the second diffusion, the rear side metalization is produced as specified in the first exemplary embodiment. As in the first exemplary embodiment, an electrically conductive paste 10 is also applied to the front-side metallization in fine paths across the trenches 8 . The burn-in of the front and rear side metallization takes place together in a single step.
Fig. 7 der so vorbereitete und auszugsweise in Fig. 6 schema tisch dargestellte Solarzellenkörper wird nun photoinduziert metalli siert, wobei wie im ersten Ausführungsbeispiel vorgegangen wird. Die Metallabscheidung erfolgt nun jedoch nicht nur über den aufgedruckten Vorderseitenmetallisierungen 10, sondern auch direkt auf der in den Gräben 8 freigelegten hochdotierten Halb leiteroberfläche. Durch das teilweise Zuwachsen der Gräben mit der abgeschiedenen Metallschicht 12 und das Aufdicken der Dick filmstrukturen 10 durch die aufwachsende Metallschicht 11 wird die Dickfilmstruktur mit der in den Gräben aufwachsenden Metall schicht 12 elektrisch leitend verbunden. Fig. 7 of the thus prepared and partially shown schematically in Fig. 6 solar cell body is now photo-induced metalli based, as in the first embodiment, the procedure is. The metal deposition now takes place not only via the printed front metallizations 10 , but also directly on the highly doped semiconductor surface exposed in the trenches 8 . Due to the partial overgrowth of the trenches with the deposited metal layer 12 and the thickening of the thick film structures 10 by the growing metal layer 11 , the thick film structure is electrically conductively connected to the metal layer 12 growing in the trenches.
Ein Solarzellenkörper wird wie im zweiten Ausführungsbeispiel vorbereitet und mit einer Grabenstruktur auf der Vorderseite ver sehen. Nach dem Erzeugen und Einbrennen einer Dickfilmstruktur für die Rückseitenmetallisierung wird eine erste Vorderseiten metallisierung in Form feiner Leiterbahnen aus Leitkleber oder Leitlack aufgebracht. Im Unterschied zur leitfähigen und Oxidpartikel enthaltenden Paste wird der Leitlack jedoch nicht eingebrannt, da die organische Matrix zur Haftung des Leitlackes auf dem Solarzellenkörper bzw. über der Schicht des Dielektrikums 4 benötigt wird.A solar cell body is prepared as in the second embodiment and has a trench structure on the front. After producing and baking a thick film structure for the rear side metallization, a first front side metallization is applied in the form of fine conductor tracks made of conductive adhesive or conductive lacquer. In contrast to the conductive paste containing oxide particles, however, the conductive lacquer is not baked, since the organic matrix is required for the adhesion of the conductive lacquer on the solar cell body or over the layer of the dielectric 4 .
Im analog durchzuführenden anschließenden Metallisierungsschritt wird Silber in den Gräben 8 abgeschieden und gleichzeitig die Leitlack- oder Leitkleberstrukturen auf der Vorderseite mit einem Silberüberzug versehen.In the subsequent metallization step to be carried out analogously, silver is deposited in the trenches 8 and at the same time the conductive lacquer or conductive adhesive structures are provided with a silver coating on the front.
In einer Variation dieses Ausführungsbeispiels ist es auch mög lich, die Leitlack- bzw. Leitkleberstrukturen nach der photoindu zierten stromlosen Metallabscheidung in den Gräben 8 quer zu die sen auf der Vorderseite aufzubringen.In a variation of this exemplary embodiment, it is also possible to apply the conductive lacquer or conductive adhesive structures after the photoinduced electroless metal deposition in the trenches 8 transversely to the sen on the front.
Da pro Solarzelle ein oder zwei breitere Leiterbahnen als Bus strukturen ausreichend sind, können diese auch entsprechend dick ausgeführt werden, ohne daß es zu einer nennenswert vergrößerten Abschattung photovoltaisch aktiver Halbleiterfläche kommt. Aus schlaggebend jedoch ist, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren nach einem der drei Ausführungsbeispiele feinste Leiterbahnstruk turen für die Vorderseitenmetallisierung erzeugt werden können, die im Vergleich zu bekannten aufgedruckten Leiterbahnen zu einer wesentlich verminderten Abschattung der Solarzellenoberfläche führen. Im Vergleich zu den bekannten Verfahren, die mit Hilfe einer Mehrschichtmetallisierung zu ähnlich feinen Leiterbahn strukturen führen, ist das erfindungsgemäße Verfahren deutlich vereinfacht.Because there are one or two wider conductor tracks per bus than a bus structures are sufficient, they can also be correspondingly thick be carried out without it being significantly enlarged Shading of photovoltaically active semiconductor surface comes. Off the decisive factor, however, is that with the method according to the invention finest interconnect structure according to one of the three exemplary embodiments can be generated for the front side metallization, the compared to known printed conductor tracks to one significantly reduced shading of the solar cell surface to lead. Compared to the known methods using a multilayer metallization to a similarly fine conductor track lead structures, the inventive method is clear simplified.
Die Prozeßbedingungen beim Einbrennen der leitfähigen Paste kön nen weiter gefaßt werden. So können die elektrischen Parameter der Solarzelle durch die bereits genannte saure Nachbehandlung der eingebrannten Dickfilmmetallisierungen verbessert werden, ohne daß es dadurch zu einer erhöhten Feuchteempfindlichkeit der fertigen Solarzelle kommt, die bisher bei schwach dotierten So larzellenvorderseiten mit Dielektrikum nach einer sauren Behand lung beobachtet wurde. Die Feuchtestabilität so erzeugter Solar zellen ist also gegenüber bekannten Verfahren erhöht. Dies wird auf einen durch das cyanidische Metallisierungsbad bewirkten Effekt zurückgeführt. Der selbe Effekt bewirkt auch eine deutliche Verbesserung der elektrischen Parameter der späteren Solarzellen.The process conditions when baking the conductive paste can NEN can be taken further. So the electrical parameters the solar cell through the acidic after-treatment already mentioned the baked thick film metallizations are improved, without this resulting in an increased sensitivity to moisture finished solar cell comes, the previously with weakly doped So Lar cell front with dielectric after an acid treatment lung was observed. The moisture stability of solar generated in this way cells is therefore increased compared to known methods. this will to one caused by the cyanide metallization bath Effect attributed. The same effect does one significant improvement in the electrical parameters of the later Solar cells.
Weiterhin wird eine deutliche Verbesserung in der Belötbarkeit der aufgedruckten Kontakte erhalten. Auf der Vorderseite erfolgt dies verständlicherweise durch das abgeschiedene Silber. Aber auch die aufgedruckten Rückseitenkontakte lassen sich nach dem cyanidischen Silberbad besser löten.Furthermore, there is a significant improvement in solderability of the printed contacts received. Done on the front understandably this is due to the deposited silver. But the printed back contacts can also be after Solder the cyanide silver bath better.
Claims (10)
- a) Bereitstellen eines Solarzellenkörpers (1) aus kristallinem Silizium mit einem flachen n-dotierten Bereich (3) in der Nähe der Vorderseite des Solarzellenkörpers (1),
- b) Erzeugen eines Dielektrikums (4) auf der Vorderseite,
- c) Herstellen der Rückseitenmetallisierung (5) durch Aufbringen und Einbrennen einer leitfähigen Paste,
- d) Aufbringen zumindest der Busstruktur (6, 10) für die Vorder seitenmetallisierung in Dickfilmtechnik,
- e) photoinduzierte stromlose Abscheidung eines Metalles (7, 11, 12), ausgewählt aus Silber oder Kupfer, auf der Vorderseite zumindest über der Dickfilmstruktur (6, 10) unter Verwendung der eingebrannten leitfähigen Paste (5) auf der Rückseite als Opferanode.
- a) providing a solar cell body ( 1 ) made of crystalline silicon with a flat n-doped region ( 3 ) in the vicinity of the front side of the solar cell body ( 1 ),
- b) producing a dielectric ( 4 ) on the front,
- c) producing the rear side metallization ( 5 ) by applying and baking a conductive paste,
- d) applying at least the bus structure ( 6 , 10 ) for the front side metallization in thick film technology,
- e) photo-induced currentless deposition of a metal ( 7 , 11 , 12 ), selected from silver or copper, on the front at least above the thick film structure ( 6 , 10 ) using the burned-in conductive paste ( 5 ) on the back as a sacrificial anode.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19934333426 DE4333426C1 (en) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Method for metallising solar cells comprising crystalline silicon |
| PCT/DE1994/001106 WO1995009440A1 (en) | 1993-09-30 | 1994-09-22 | Process for metallising solar cells made of crystalline silicon |
| JP51005195A JP3429768B2 (en) | 1993-09-30 | 1994-09-22 | Metallization method for solar cells made of crystalline silicon |
| EP94927480A EP0721666A1 (en) | 1993-09-30 | 1994-09-22 | Process for metallising solar cells made of crystalline silicon |
| US08/888,463 US5882435A (en) | 1993-09-30 | 1997-07-07 | Process for the metal coating of solar cells made of crystalline silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19934333426 DE4333426C1 (en) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Method for metallising solar cells comprising crystalline silicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4333426C1 true DE4333426C1 (en) | 1994-12-15 |
Family
ID=6499126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19934333426 Expired - Fee Related DE4333426C1 (en) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | Method for metallising solar cells comprising crystalline silicon |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0721666A1 (en) |
| JP (1) | JP3429768B2 (en) |
| DE (1) | DE4333426C1 (en) |
| WO (1) | WO1995009440A1 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056324A2 (en) * | 1998-04-29 | 1999-11-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method for producing contact structures in solar cells |
| DE10020541A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Univ Konstanz | Method of manufacturing a solar cell and solar cell |
| DE10234659A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-12 | Infineon Technologies Ag | Connecting arrangement used in a chip card comprises an integrated electronic component with contact surfaces electrically insulated from each other, a switching circuit support and electrically conducting connections |
| WO2004081849A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Scirocco Ab | A system for identification using a transponder powered by solar cells |
| DE102007031958A1 (en) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Deutsche Cell Gmbh | Contact structure for a semiconductor device and method for producing the same |
| DE102009022337A1 (en) | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Method and device for treating a substrate |
| WO2012000810A2 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Method for producing a contact of a solar cell and solar cell |
| WO2014071458A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Newsouth Innovations Pty Ltd | Formation of metal contacts |
| EP2470692A4 (en) * | 2009-08-28 | 2016-12-07 | Macdermid Acumen Inc | Light induced electroless plating |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101484737B1 (en) * | 2007-02-15 | 2015-01-22 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | Solar cells with textured surfaces |
| US8337942B2 (en) * | 2009-08-28 | 2012-12-25 | Minsek David W | Light induced plating of metals on silicon photovoltaic cells |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0542148A1 (en) * | 1991-11-11 | 1993-05-19 | SIEMENS SOLAR GmbH | Process for forming fine electrode structures |
| DE4311173A1 (en) * | 1992-04-03 | 1993-10-07 | Siemens Solar Gmbh | Electrode structures prodn on semicondcutor body - by masking, immersing in palladium hydrogen fluoride soln., depositing nickel@ layer, and depositing other metals |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2348182C3 (en) | 1973-09-25 | 1979-04-05 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Process for the galvanic deposition of a metal layer on the surface of a semiconductor body |
| US4144139A (en) * | 1977-11-30 | 1979-03-13 | Solarex Corporation | Method of plating by means of light |
| JPS55118680A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-11 | Motorola Inc | Electrically plating method |
| GB2188774B (en) * | 1986-04-02 | 1990-10-31 | Westinghouse Electric Corp | Method of forming a conductive pattern on a semiconductor surface |
| JPH03250671A (en) * | 1990-01-31 | 1991-11-08 | Sharp Corp | Semiconductor photoelectric converting device and its manufacture |
| JPH03263877A (en) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Sharp Corp | Formation of electrode of solar cell |
-
1993
- 1993-09-30 DE DE19934333426 patent/DE4333426C1/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-22 WO PCT/DE1994/001106 patent/WO1995009440A1/en active Application Filing
- 1994-09-22 EP EP94927480A patent/EP0721666A1/en not_active Withdrawn
- 1994-09-22 JP JP51005195A patent/JP3429768B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0542148A1 (en) * | 1991-11-11 | 1993-05-19 | SIEMENS SOLAR GmbH | Process for forming fine electrode structures |
| DE4311173A1 (en) * | 1992-04-03 | 1993-10-07 | Siemens Solar Gmbh | Electrode structures prodn on semicondcutor body - by masking, immersing in palladium hydrogen fluoride soln., depositing nickel@ layer, and depositing other metals |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056324A2 (en) * | 1998-04-29 | 1999-11-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method for producing contact structures in solar cells |
| WO1999056324A3 (en) * | 1998-04-29 | 1999-12-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Method for producing contact structures in solar cells |
| DE10020541A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Univ Konstanz | Method of manufacturing a solar cell and solar cell |
| US6846984B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-01-25 | Universitat Konstanz | Solar cell and method for making a solar cell |
| DE10234659A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-12 | Infineon Technologies Ag | Connecting arrangement used in a chip card comprises an integrated electronic component with contact surfaces electrically insulated from each other, a switching circuit support and electrically conducting connections |
| WO2004081849A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Scirocco Ab | A system for identification using a transponder powered by solar cells |
| DE102007031958A1 (en) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Deutsche Cell Gmbh | Contact structure for a semiconductor device and method for producing the same |
| DE102009022337A1 (en) | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Method and device for treating a substrate |
| EP2470692A4 (en) * | 2009-08-28 | 2016-12-07 | Macdermid Acumen Inc | Light induced electroless plating |
| WO2012000810A2 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Method for producing a contact of a solar cell and solar cell |
| DE102010026421A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Method for producing a contact of a solar cell and solar cell |
| WO2014071458A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Newsouth Innovations Pty Ltd | Formation of metal contacts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0721666A1 (en) | 1996-07-17 |
| JP3429768B2 (en) | 2003-07-22 |
| JPH09503345A (en) | 1997-03-31 |
| WO1995009440A1 (en) | 1995-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0630525B1 (en) | Process for producing a solar cell with combined metallization | |
| EP2250675B1 (en) | Method for the production of monocrystalline n-silicon solar cells | |
| DE102011050089B4 (en) | Method for making electrical contacts on a solar cell, solar cell and method for making a rear contact of a solar cell | |
| EP2151869A2 (en) | Semiconductor component | |
| EP2368272A1 (en) | Method for producing a metal contact on a semiconductor substrate provided with a coating | |
| EP2062299A1 (en) | Method for applying electric contacts to semi-conductor substrates, semi-conductor substrate and use of said method | |
| EP2162922A1 (en) | Contact structure for a semiconductor component and a method for production thereof | |
| DE4333426C1 (en) | Method for metallising solar cells comprising crystalline silicon | |
| DE19525720C2 (en) | Manufacturing process for a solar cell without front-side metallization | |
| DE102018202513A1 (en) | Method for metallizing a component | |
| US5882435A (en) | Process for the metal coating of solar cells made of crystalline silicon | |
| EP1784870B1 (en) | Semiconductor element with an electric contact arranged on at least one surface | |
| DE102011115581B4 (en) | Process for the production of a solar cell | |
| DE4311173A1 (en) | Electrode structures prodn on semicondcutor body - by masking, immersing in palladium hydrogen fluoride soln., depositing nickel@ layer, and depositing other metals | |
| DE102012104616B4 (en) | A method of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device | |
| WO2013080072A2 (en) | Solar cell and process for producing a solar cell | |
| DE102011086302A1 (en) | Method for producing contact grid on surface of e.g. photovoltaic solar cell for converting incident electromagnetic radiation into electrical energy, involves electrochemically metalizing contact region with metal, which is not aluminum | |
| DE102007051725B4 (en) | Method for contacting solar cells | |
| DE19536019B4 (en) | Process for the preparation of fine discrete metal structures and its use | |
| WO2022179650A1 (en) | Method for metallizing a component, and components produced in this manner | |
| EP2700106A1 (en) | Method for producing a metal contact structure of a semiconductor structure with a via, and photovoltaic solar cell | |
| EP2128899A1 (en) | Method for electrodepositing a metal, especially copper, use of said method and integrated circuit | |
| EP3472869A1 (en) | Method for interconnecting solar cells | |
| CH669476A5 (en) | ||
| DE102017217713A1 (en) | Method for producing electrical contacts on a solar cell |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
| D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SHELL SOLAR GMBH, 80807 MUENCHEN, DE |
|
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES DEUTSCHLAND GMBH, 81739 , DE |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |