DE4326423A1 - Verfahren zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle sowie Anordnung - Google Patents
Verfahren zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle sowie AnordnungInfo
- Publication number
- DE4326423A1 DE4326423A1 DE19934326423 DE4326423A DE4326423A1 DE 4326423 A1 DE4326423 A1 DE 4326423A1 DE 19934326423 DE19934326423 DE 19934326423 DE 4326423 A DE4326423 A DE 4326423A DE 4326423 A1 DE4326423 A1 DE 4326423A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- effect transistor
- field effect
- consumer
- voltage
- arrangement according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/18—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to reversal of direct current
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Entkopplung eines
Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle sowie
eine Anordnung.
Aus der DE 40 31 288 C1 ist eine Schaltungsanordnung zum
Schutz gegen Falschpolung bekannt. Zwischen einer
Gleichspannungs-Versorgungsquelle und einem Verbraucher ist
ein Feldeffekttransistor vorgesehen, der bei Falschpolung
unverzögert abgeschaltet wird. Es ist dort eine Diode zwischen
Gate des Feldeffekttransistors und der vom
Feldeffekttransistor abgewandten Verbraucherzuleitung
vorgesehen. Im Falle einer Falschpolung ist diese Diode
leitend. Es fließt dann ein Ausräumstrom der den
Feldeffekttransistor abschaltet.
Bei Änderung der Belastung von Stromversorgungseinrichtungen,
z. B. beim Zuschalten weiterer Verbraucher, kann es zu
Spannungseinbrüchen auf der Versorgungsspannung kommen, die zu
unzulässigen Betriebszuständen führen. Insbesondere beim
Vorhandensein von Energiespeichern, z. B. Kondensatoren,
zwischen Versorgungsquelle und Verbraucher kann es zur
Stromumkehr und eventuellen Schädigung von Verbrauchern
kommen, ohne daß eine eigentliche Falschpolung vorliegt.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist es ein Verfahren zur
Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-
Versorgungsquelle anzugeben, welches unzulässige
Betriebszustände verhindert. Außerdem soll eine Anordnung zur
Verhinderung solcher unzulässiger Betriebszustände angegeben
werden. Diese Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens durch die
Schritte des Anspruchs 1 und bezüglich der Anordnung durch die
Merkmale des Anspruchs 3 gelöst. Die übrigen Ansprüche zeigen
Weiterbildungen des Verfahrens bzw. der Anordnung auf.
Die Erfindung weist insbesondere folgende Vorteile auf:
Die Versorgungsquelle ist von einem angeschlossenen Verbraucher nicht nur bei einer Falschpolung ausreichend entkoppelt, sondern auch bei Spannungseinbrüchen der Versorgungsspannung, z. B. beim Stecken weiterer Verbrauchereinschübe. Insbesondere wenn Energiespeicher wie Glättungskondensatoren zwischen Versorgungsquelle und Verbraucher oder in Paralleinheiten, die von der gleichen Versorgungsquelle gespeist werden, vorgesehen sind, können unzulässige Betriebszustände wie z. B. Stromumkehr nicht auftreten.
Die Versorgungsquelle ist von einem angeschlossenen Verbraucher nicht nur bei einer Falschpolung ausreichend entkoppelt, sondern auch bei Spannungseinbrüchen der Versorgungsspannung, z. B. beim Stecken weiterer Verbrauchereinschübe. Insbesondere wenn Energiespeicher wie Glättungskondensatoren zwischen Versorgungsquelle und Verbraucher oder in Paralleinheiten, die von der gleichen Versorgungsquelle gespeist werden, vorgesehen sind, können unzulässige Betriebszustände wie z. B. Stromumkehr nicht auftreten.
Wird der Feldeffekttransistor zur Entkopplung gemäß den
Ansprüchen 2 oder 4 im Normalzustand invers betrieben, sind
die Verluste sehr gering.
Wird der Feldeffekttransistor erst dann hochohmig geschaltet,
wenn der gegenüber dem Normalbetrieb in anderer Richtung
fließende Strom einen vorgegebenen Schwellwert erreicht hat,
läßt sich die Verfügbarkeit erhöhen, ohne daß nachteilige
Folgen infolge der geänderten Stromrichtung eintreten.
Durch einfache Zusatzeinrichtungen läßt sich erreichen, daß
der Feldeffekttransistor schnell entkoppelt (Anspruch 12), bei
Falschpolung, z. B. der Versorgungsquelle, sofort abschaltet
(Anspruch 11) und/oder vor zu hoher Gatespannung (Anspruch 10)
geschützt wird.
Anhand der Zeichnungen werden nun Ausführungsbeispiele der
Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild für den zur Entkopplung
vorgesehenen Feldeffekttransistor mit Beschaltung,
Fig. 2 ein Prinzipschaltbild wie in Fig. 1, jedoch mit
anderer Polarität des Feldeffekttransistors,
Fig. 3 ein Prinzipschaltbild wie in Fig. 1, jedoch mit
abweichender Ausgestaltung des Stromrichtungssensors und der
Einrichtung zum Steuern des Feldeffekttransistors,
Fig. 4 ein Prinzipschaltbild wie in Fig. 1, jedoch mit
abweichender Gewinnung des Gate-Steuerpotentials und
Fig. 5 ein Prinzipschaltbild wie in Fig. 1 mit
Zusatzeinrichtungen.
Fig. 1 zeigt einen Feldeffekttransistor V1 zur Entkopplung
einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle Q von einem
Verbraucher V bei unzulässigen Betriebszuständen. Der
Feldeffekttransistor V1 besteht in diesem Ausführungsbeispiel
aus einem n-Kanal FET in der Minuspotential führenden
Verbraucherzuleitung. Die Drainelektrode weist zur
Versorgungsquelle Q und die Sourceelektrode zum Verbraucher.
Im Normalzustand fließt dann ein Strom I von der
Versorgungsquelle Q über die Pluspotential führende
Verbraucherzuleitung zum Verbraucher V. Zurück fließt dieser
Strom I über die Minuspotential führende Verbraucherzuleitung
und über den in Inversrichtung betriebenen
Feldeffekttransistor V1 - Drain-Source Widerstand RSD on
parallel zur Inversdiode ID. Die Gatespannung für den
Feldeffekttransistor V1 liefert eine Hilfsspannungsquelle QH
mit einem Serienwiderstand R5, die diesen leitend hält. Ein
Stromrichtungssensor bestehend aus dem Widerstand R3 und dem
Bipolartransistor V2 überwacht die Stromrichtung durch den
Feldeffekttransistor V1. Erscheint an der Versorgungsquelle Q
selbst oder auf dem Weg zum Verbraucher V ein
Spannungseinbruch, kann es zu einer Stromumkehr kommen, da
dann die Spannung an einem Energiespeicher, hier symbolisch
durch die Glättungskapazität CG dargestellt, größer werden
kann als die Spannung von der Versorgungsquelle Q. In diesem
Falle liegen die in Klammer gesetzten Polaritäten am
Feldeffekttransistor V1 vor. Der Transistor V2 erhält nun über
ein Koppelelement - hier z. B. einen Widerstand R3 - von der
Drainelektrode des Feldeffekttransistors V1 her positives
Basispotential. Da er als npn-Transistor ausgebildet ist, wird
er nach Erreichen einer Basis-Emitterspannung von ca. 0,6 V
leitend. Die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors V2 ist
parallel zur Gate-Source Strecke des Feldeffekttransistors V1
angeordnet. Demzufolge wird der Feldeffekttransistor V1 nach
Leitendsteuerung des Transistors V2 hochohmig und die
Versorgungsquelle Q ist vom Verbraucher V für diesen
nichtzulässigen Betriebszustand hochohmig abgetrennt.
Verschwindet der Spannungseinbruch von der Versorgungsquelle
Q, fließt wieder ein Strom I in der gezeigten Richtung. Der
Transistor V2 erhält negatives Basispotential und sperrt. Über
die Hilfsspannungsquelle QH und den Serienwiderstand R5 ist
der Feldeffekttransistor V1 nun wieder leitend gesteuert.
Bei Verwendung eines p-Kanal FET als Feldeffekttransistor V1
ist dieser in der normalerweise Pluspotential führenden
Zuleitung anzuordnen (Fig. 2). Für den Transistor V2 muß
entsprechend ein pnp-Transistor verwendet werden, um das
gleiche Verhalten wie in Fig. 1 zu erreichen.
Der Widerstand R3 wirkt zusammen mit dem Transistor V2 als
Stromrichtungssensor und als Steuereinrichtung für den
Feldeffekttransistor V1. Da der Transistor V2
Schwellwertverhalten aufweist (UBE < 0,6V), wird ein kleiner
Spannungseinbruch mit Stromumkehr noch zugelassen. Das
Schwellwertverhalten erhöht die Verfügbarkeit der Schaltung
bei ausreichendem Schutz. Das Schwellwertverhalten des
Stromrichtungssensors kann je nach den Bedürfnissen beliebig
geändert werden, z. B. durch Ausbilden des Koppelelements als
Spannungsteiler R2, R3 (Fig. 5). Auch kann die Ansprechzeit
des Stromrichtungssensors verändert werden, z. B. dadurch, daß
wie in Fig. 5 dargestellt, dem Widerstand R3 ein RC-Glied in
Form des Widerstandes R4 und des Kondensators C1 parallel
geschaltet ist. In diesem Falle wird der Transistor V2 bei
Stromumkehr schneller leitend gesteuert. In einer Abwandlung
kann dem Widerstand R3 bzw. dem Spannungsteiler R2, R3 ganz
oder einem der Teilerwiderstände ein Kondensator in Serie oder
parallel geschaltet sein.
Als Stromrichtungssensor und Steuereinrichtung für den
Feldeffekttransistor V1 kann auch ein Komparator K1 verwendet
werden (Fig. 3). Der erste Vergleichseingang dieses
Komparators K1 ist über das Koppelelement - Widerstand R3 -
mit Drain des Feldeffekttransistors V1 verbunden. Natürlich
sind die zuvor vorgestellten Abwandlungen für das
Koppelelement auch für die Ausgestaltung einsetzbar. Der
zweite Vergleichseingang des Komparators K1 ist mit einer
Referenzspannungsquelle QR verbunden. Mit dieser
Referenzspannungsquelle QR läßt sich der Schwellwert für die
Höhe einstellen, ab dem der Feldeffekttransistor V1 hochohmig
geschaltet werden soll. Der Komparator K1 hat also neben der
Funktion eines Stromsensors die Funktion einer
Schwellwerteinrichtung für den maximal zulässigen Strom in
umgekehrter Richtung. Natürlich ist es auch möglich diesen
Schwellwert zu Null anzusetzen. Über eine Schutzschaltung S am
Eingang des Komparators K1 ist ein Schutz gegen unzulässige
Spannungen gewährleistet.
Bisher wurde zur Bereitstellung des Gatepotentials für den
Feldeffekttransistor V1 eine separate Hilfsspannungsquelle QH
eingesetzt. Um diese Hilfsspannungsquelle einzusparen, kann
das Gatepotential und gegebenenfalls die Versorgungsspannung
des Transistors V2 oder des Komparators K1 beispielsweise über
den Widerstand R1 aus jener Zuleitung entnommen werden, in
deren Weg der Feldeffekttransistor V1 nicht liegt. Im Falle
der Ausgestaltung gemäß Fig. 4 ist dies die Pluspotential
führende Zuleitung.
Zum schnellen Sperren des Feldeffekttransistors V1 bei
Falschpolung der Versorgungsquelle Q ist die Diode V3 parallel
zum Widerstand R1 vorgesehen. Diese Diode V3 ist so gepolt,
daß bei Falschpolung der Versorgungsquelle Q der
Feldeffekttransistor V1 unverzögert abschaltet. Einzelheiten
zur Funktionsweise dieser Ausgestaltung sind der DE 40 31 288
C1 entnehmbar.
Wenn die Verbraucherspannung zu hoch ist zur direkten
Verwendung als Gatespannung des Feldeffekttransistors V1 kann
diese Spannung z. B. über einen Spannungsteiler heruntergeteilt
werden. Besser ist die in Fig. 5 aufgezeigte Ausgestaltung
mit einer Zenerdiode V4 in Serie zum Widerstand R1, die
zwischen Gate und Source des Feldeffekttransistors V1
angeordnet ist. Sie begrenzt das Gatepotential auch bei
Schwankungen der Versorgungsspannung oder bei plötzlicher
Entlastung auf den durch die Zenerspannung vorgegebenen Wert.
Claims (13)
1. Verfahren zur Entkopplung eines Verbrauchers (V) von einer
Gleichspannungs-Versorgungsquelle (Q) bei einem
nichtzulässigen Betriebszustand, insbesondere bei einem
Spannungseinbruch der Versorgungsquelle (Q), wobei zur
Entkopplung ein Feldeffekttransistor (V1) vorgesehen ist, mit
folgenden Schritten:
- - es wird die Richtung des den Feldeffekttransistor (V1) durchfließenden Stromes festgestellt,
- - wenn die Richtung und gegebenenfalls zusätzlich der Betrag des den Feldeffekttransistor (V1) durchfließenden Stromes einem nichtzulässigen Betriebszustand entspricht, wird der Feldeffekttransistor (V1) hochohmig gesteuert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, daß der Feldeffekttransistor
(V1) für den Normalzustand invers betrieben wird.
3. Anordnung zur Entkopplung eines Verbrauchers (V) von einer
Gleichspannungs-Versorgungsquelle (Q) bei einem nichtzulässigen Betriebszustand, insbesondere bei einem Spannungseinbruch der Versorgungsquelle (Q), bestehend aus:
Gleichspannungs-Versorgungsquelle (Q) bei einem nichtzulässigen Betriebszustand, insbesondere bei einem Spannungseinbruch der Versorgungsquelle (Q), bestehend aus:
- - einem Feldeffekttransistor (V1) zur Entkopplung des Verbrauchers (V) von der Versorgungsquelle (Q),
- - einem Stromrichtungssensor (R3, V2; K1) für den Strom durch den Feldeffekttransistor (V1),
- - einer Einrichtung (V2; K1) zum Steuern des Feldeffekttransistors (V1) in den hochohmigen Zustand, wenn ein nichtzulässiger Betriebszustand aufgrund der Stromrichtung und gegebenenfalls zusätzlich dem Betrag des Stromes durch den Feldeffekttransistor (V1) erreicht ist.
4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
Feldeffekttransistor (V1) so zwischen Versorgungsquelle (Q)
und Verbraucher (V) geschaltet ist, daß er für den
Normalbetriebszustand invers arbeitet.
5. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einrichtung zum Steuern des Feldeffekttransistors (V1)
in den hochohmigen Zustand eine Schwellwerteinrichtung (K1, QR)
aufweist, die dazu geeignet ist den Feldeffekttransistor (V1)
erst dann hochohmig zu steuern, wenn der Strom durch den
Feldeffekttransistor (V1) mit einer Richtung, die einem
nichtzulässigen Betriebszustand entspricht, den Schwellwert
der Schwellwerteinrichtung
(K1, QR) übersteigt.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Steuern des
Feldeffekttransistors (V1) in den hochohmigen Zustand aus
einem Transistor (V2) besteht, dessen Hauptelektroden zwischen
Gate und der zum Verbraucher (V) weisenden Hauptelektrode des
Feldeffekttransistors (V1) angeordnet sind und dessen
Steuerelektrode über ein Koppelelement (R3) mit der vom
Verbraucher (V) abgewandten Hauptelektrode des
Feldeffekttransistors (V1) verbunden ist.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Steuern des
Feldeffekttransistors (V1) in den hochohmigen Zustand aus
einem Komparator (K1) besteht, dessen erster Vergleichseingang
über ein Koppelelement (R3) mit der vom Verbraucher (V)
abgewandten Hauptelektrode des Feldeffekttransistors (V1)
verbunden ist, dessen zweiter Vergleichseingang an eine
Referenzspannungsquelle (QR) angeschlossen ist und dessen
Ausgang zum Gate des Feldeffekttransistors (V1) führt.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gate des Feldeffekttransistors (V1) an
eine Hilfsgleichspannungsquelle (QH) - gegebenenfalls über
einen Widerstand (R5) - angeschlossen ist.
9. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als
Hilfsgleichspannungsquelle (QH) ein Widerstand (R1) vorgesehen
ist, der zwischen Gate des Feldeffekttransistors (V1) und der
vom Feldeffekttransistor (V1) abgewandten Verbraucherzuleitung
angeordnet ist.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Zenerdiode (V4) zwischen Gate und der
zum Verbraucher (V) weisenden Hauptelektrode des
Feldeffekttransistors (V1) vorgesehen ist.
11. Anordnung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet,
daß dem zwischen Gate des Feldeffekttransistors (V1) und der
vom Feldeffekttransistor (V1) abgewandten Verbraucherzuleitung
vorgesehenen Widerstand (R1) eine Diode (V3) parallel
geschaltet ist.
12. Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß das Koppelelement ein Widerstand (R3) ist,
dem gegebenenfalls ein RC-Glied (R4, C1) parallel geschaltet
ist.
13. Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß das Koppelelement ein Spannungsteiler
(R2, R3) für die Spannung über dem Feldeffekttransistor (V1)
ist, wobei den Spannungsteilerelementen (R2, R3) gegebenenfalls
Kondensatoren parallel oder in Serie geschaltet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934326423 DE4326423B4 (de) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Anordnung zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934326423 DE4326423B4 (de) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Anordnung zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4326423A1 true DE4326423A1 (de) | 1995-02-09 |
DE4326423B4 DE4326423B4 (de) | 2004-05-13 |
Family
ID=6494595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934326423 Expired - Lifetime DE4326423B4 (de) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | Anordnung zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4326423B4 (de) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19506074A1 (de) * | 1995-02-22 | 1996-09-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zum Schutz der elektrischen Verbraucher eines Kraftfahrzeugs vor unzulässigen negativen Spannungen auf dem Bordnetz |
DE19537920A1 (de) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Telefunken Microelectron | Integrierte Schaltungsanordnung mit Diodencharaktaristik |
FR2742600A1 (fr) * | 1995-12-19 | 1997-06-20 | Bosch Gmbh Robert | Circuit electronique a protection contre une inversion de poles |
DE10040879A1 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Thomson Brandt Gmbh | Netzteil mit einer Batterie |
DE10129550A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-16 | Hella Kg Hueck & Co | Elektronische Schaltungsanordnung für ein Kraftfahrzeug zum Schutz einer Elektronik gegen Verpolung und Bordnetzwelligkeiten |
WO2003052896A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Tellabs Oy | A polarity protection implemented with a mosfet |
WO2016074833A1 (de) * | 2014-11-10 | 2016-05-19 | Robert Bosch Gmbh | Filtervorrichtung mit aktiver ansteuerung |
DE102018207503A1 (de) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Schaltungsanordnung zum Schutz einer elektronischen Baugruppe |
DE102018216595A1 (de) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Zf Friedrichshafen Ag | Verpolschutzvorrichtung zum elektrischen Schutz eines Gleichspannungswand-lers, Verfahren zum Bereitstellen eines elektrischen Schutzes eines Gleichspan-nungswandlers und Kraftfahrzeug mit einer Verpolschutzvorrichtung |
DE102020108166A1 (de) | 2020-03-25 | 2021-09-30 | Audi Aktiengesellschaft | Verpolschutzschaltung mit Überstromschutz |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2634601A1 (fr) * | 1988-07-19 | 1990-01-26 | Thomson Csf | Circuit electronique de protection contre les surtensions et les surintensites |
DE4000637A1 (de) * | 1990-01-11 | 1991-07-18 | Vdo Schindling | Schaltungsanordnung zum schutz eines verbrauchers |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4031288C1 (en) * | 1990-10-04 | 1991-11-28 | Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De | Incorrect polarity protection CCT - has drain-source connected into minus or positive line between DC source |
-
1993
- 1993-08-06 DE DE19934326423 patent/DE4326423B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2634601A1 (fr) * | 1988-07-19 | 1990-01-26 | Thomson Csf | Circuit electronique de protection contre les surtensions et les surintensites |
DE4000637A1 (de) * | 1990-01-11 | 1991-07-18 | Vdo Schindling | Schaltungsanordnung zum schutz eines verbrauchers |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
N.N.: Reverse Bias Over-Current Protection for Power Fiels-Effect Transistors. In: IBM-TDB, Juli 1986, S. 567-569 * |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19506074A1 (de) * | 1995-02-22 | 1996-09-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zum Schutz der elektrischen Verbraucher eines Kraftfahrzeugs vor unzulässigen negativen Spannungen auf dem Bordnetz |
DE19537920A1 (de) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Telefunken Microelectron | Integrierte Schaltungsanordnung mit Diodencharaktaristik |
US5825214A (en) * | 1995-10-12 | 1998-10-20 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Integrated circuit arrangement with diode characteristic |
DE19537920C2 (de) * | 1995-10-12 | 1999-08-19 | Temic Semiconductor Gmbh | Integrierte Schaltungsanordnung mit Diodencharaktaristik |
FR2742600A1 (fr) * | 1995-12-19 | 1997-06-20 | Bosch Gmbh Robert | Circuit electronique a protection contre une inversion de poles |
US6687102B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-02-03 | Thomson Licensing S.A. | Battery-operated power supply unit |
DE10040879A1 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Thomson Brandt Gmbh | Netzteil mit einer Batterie |
DE10129550A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-16 | Hella Kg Hueck & Co | Elektronische Schaltungsanordnung für ein Kraftfahrzeug zum Schutz einer Elektronik gegen Verpolung und Bordnetzwelligkeiten |
WO2003052896A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Tellabs Oy | A polarity protection implemented with a mosfet |
US7126801B2 (en) | 2001-12-17 | 2006-10-24 | Tellabs Oy | Polarity protection implemented with a MOSFET |
CN100382403C (zh) * | 2001-12-17 | 2008-04-16 | 提莱波斯公司 | 以mosfet实现的极性保护装置 |
WO2016074833A1 (de) * | 2014-11-10 | 2016-05-19 | Robert Bosch Gmbh | Filtervorrichtung mit aktiver ansteuerung |
DE102018207503A1 (de) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Schaltungsanordnung zum Schutz einer elektronischen Baugruppe |
DE102018216595A1 (de) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Zf Friedrichshafen Ag | Verpolschutzvorrichtung zum elektrischen Schutz eines Gleichspannungswand-lers, Verfahren zum Bereitstellen eines elektrischen Schutzes eines Gleichspan-nungswandlers und Kraftfahrzeug mit einer Verpolschutzvorrichtung |
DE102020108166A1 (de) | 2020-03-25 | 2021-09-30 | Audi Aktiengesellschaft | Verpolschutzschaltung mit Überstromschutz |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4326423B4 (de) | 2004-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0423885B1 (de) | Stromversorgungseinrichtung mit Einschaltstrombegrenzungsschaltung | |
DE112010006027T5 (de) | Gate-Treiber für einen MOSFET-Schalter, MOSFET-Schalter-System und Verfahren | |
DE2810641A1 (de) | Spannungsfolge-steuerschaltung | |
DE19603117A1 (de) | Verpolungs-Schutzschaltung | |
DE2638178A1 (de) | Schutzvorrichtung fuer elektronische schaltungen gegen ueberspannungen | |
DE4410978A1 (de) | Verfahren und Schaltung zur Verbesserung der Kurzschlußbeständigkeit eines bipolaren IGBT | |
DE2638177A1 (de) | Schutzvorrichtung gegen spannungsumpolung und ueberspannungen bei integrierten schaltungen | |
DE112016005269T5 (de) | Umschaltschaltung und Stromversorgungssystem | |
EP3021444A1 (de) | Schaltung zum schutz vor überspannungen | |
DE3034927C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Schutz eines Leistungs-MOSFET gegen Überlastung | |
DE2504648A1 (de) | Einrichtung zum verhindern von ueberstrom oder ueberspannung | |
DE4326423B4 (de) | Anordnung zur Entkopplung eines Verbrauchers von einer Gleichspannungs-Versorgungsquelle | |
DE2740763A1 (de) | Integrierte stromversorgungsschaltung | |
DE102014113715A1 (de) | Eine Schutzschaltung für den Schutz elektronischer Steuerungen vor transienten Automobil-Überspannungsimpulsen | |
DE4031288C1 (en) | Incorrect polarity protection CCT - has drain-source connected into minus or positive line between DC source | |
DE10145520B4 (de) | Schaltungsanordnung zur Spannungsversorgung eines Zweidrahtsensors | |
DE19506074A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Schutz der elektrischen Verbraucher eines Kraftfahrzeugs vor unzulässigen negativen Spannungen auf dem Bordnetz | |
EP0436778A2 (de) | Schaltungsanordnung zum Schutz eines Verbrauchers | |
EP0696849B1 (de) | Steuergerät mit einer Schaltungsanordnung zum Schutz des Steuergerätes bei Unterbrechung der Steuergerätemasse | |
DE4333156C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Anschließen einer elektronischen Baugruppe an eine Betriebsspannung | |
DE3903789C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Einschaltstrombegrenzung | |
EP1078460A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum umschalten eines feldeffekttransistors | |
DE4116318C2 (de) | ||
DE1057172B (de) | Schaltungsanordnung zur Sperrung eines einen Teil eines Geraetes, insbesondere der Nachrichtentechnik, bildenden Schalttransistors | |
EP3794701B1 (de) | Schaltungsanordnung zum schutz einer elektronischen baugruppe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ROBERT BOSCH GMBH, 70469 STUTTGART, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MARCONI COMMUNICATIONS GMBH, 71522 BACKNANG, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ERICSSON AB, STOCKHOLM, SE |
|
R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |