DE4300516A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermo
dul, das ein elektrisch isolierendes Substrat enthält, das
wenigstens auf seiner oberen, dem Modulinneren zugewandten
Hauptfläche metallisierte Flächen aufweist, auf denen Lei
stungshalbleiterbauelemente aufgelötet sind, und das An
schlußlaschen zur Bildung äußerer Modulanschlüsse aufweist.
Ein solches Leistungshalbleitermodul ist aus der DE-OS
37 17 489 bekannt. Als Substrat ist dort eine Keramikplatte
eingesetzt, die zugleich den Boden des Moduls bildet. Die
Keramikplatte trägt Leiterbahnen in Form von dünnen Kupfer
blechen, die nach einem Direktverbindungsverfahren mit der
Keramikplatte festhaftend verbunden sind. Das in solchen
Modulen verwendete Kupferblech hat eine Dicke von einigen
Zehntel Millimeter, typisch 0,3 mm. Die Dicke des Kupfer
blechs kann nicht beliebig vergrößert werden, weil sonst zu
hohe mechanische Spannungen in der Keramik entstehen
können.
Die Anschlußlaschen für die äußeren Stromanschlüsse des Mo
duls sind typisch aus einem 1 bis 2 mm dicken Blech herge
stellt und mit ihrem Fußpunkt auf Flächen der Substratme
tallisierung mit Weichlot aufgelötet. Ein bevorzugtes Ver
fahren zum Auflöten der Anschlußlaschen ist die Impulslö
tung. Zur Durchführung der Impulslötung wird ein Lötwerk
zeug in das oben offene Modulgehäuse eingeführt. Die Abmes
sungen der Elektroden des Lötwerkzeugs und damit der not
wendige Platz im Modul, der den Zugang zur Lötstelle ermög
licht, ist abhängig von der Größe der Lötfläche auf der
Substratmetallisierung. Die realisierbare Fläche der Löt
stelle ist deshalb auf relativ kleine Flächen begrenzt.
Kleine Anschlußflächen auf einer dünnen Substratmetallisie
rung führen aber zu einem geringen Stromspreizeffekt und
damit zu einer geringen Stromtragfähigkeit des Moduls.
Eine Kontaktstelle mit der Fläche 5×6 mm2 kann z. B. zer
stört werden, wenn kurzzeitig, d. h. etwa 10 ms lang ein
Strom von 20 kA fließt. Ein Strom von dieser Größenordnung
fließt z. B. im Kurzschlußfall, wenn keine Schmelzsicherun
gen, sondern sogenannte Unterbrecher-Schütze den Strom ab
schalten. Die Zerstörung der Kontaktstelle tritt durch Ver
dampfen der Metallisierung in der Nähe der Kontaktstelle
ein.
Weitere kritische Lötstellen im Modul sind solche, an denen
Metallstücke, die einen unterschiedlichen Ausdehnungskoef
fizienten haben, miteinander durch Weichlöten zu verbinden
sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Leistungs
halbleitermodul anzugeben, das in der oben beschriebenen
Lötkontakttechnik ausgeführt ist, wobei Maßnahmen zur Ver
besserung kritischer Lötkontaktstellen getroffen sind, ins
besondere eine verbesserte Stromtragfähigkeit der Anschluß
stellen der Modulanschlüsse erzielt ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermo
dul mit
- - einem elektrisch isolierenden Substrat, das Metalli sierungen aufweist,
- - Leistungshalbleiterbauelementen, die auf mit Metalli sierungen versehenen Flächen des Substrats aufgelötet sind, und
- - Anschlußlaschen zur Bildung äußerer Modulanschlüsse, wobei im Modul wenigstens ein Kontaktstück als Verbindungs glied zwischen einer Anschlußlasche und einer Substratme tallisierung oder einem Leistungshalbleiterbauelement ein gesetzt ist.
Das erfindungsgemäß angeordnete Kontaktstück bewirkt quasi
eine Lötflächentransformation, da es einerseits einen groß
flächigen Lötkontakt auf einer relativ dünnen Substratme
tallisierung ermöglicht und andererseits einen kleinflächi
gen Lötkontakt zwischen zwei relativ dicken Metallstücken.
Als Kontaktstück im Sinne der Erfindung kann auch ein im
Modul als Verbindungsteil ohnehin benötigtes Metallteil
ausgebildet werden.
Zur Vermeidung kritischer Lötkontaktstellen trägt die
Anordnung eines Zwischenstücks zwischen einer an Silizium
angepaßten Kontaktplatte oder Ausgleichsronde und einem
Kontaktstück bei. Der Ausdehnungskoeffizient des Zwischen
stücks ist an denjenigen des Kontaktstücks angepaßt, vor
zugsweise durch Wahl desselben Materials. Die Kontaktplatte
und das Zwischenstück sind durch Hartlöten miteinander ver
bunden.
Eine ausführlichere Beschreibung der Erfindung erfolgt
nachstehend anhand eines in den Zeichnungen dargestellten
Ausführungsbeispiels.
Es zeigen:
Fig. 1 ein bestücktes Substrat für ein Leistungshalb
leitermodul,
Fig. 2 die elektrische Schaltung des Leistungshalblei
termoduls gemäß Ausführungsbeispiel,
Fig. 3 einen Schnitt durch eine Ebene A′-A′′ die in
Fig. 1 eingetragen ist,
Fig. 4 eine Detaildarstellung eines Kontaktstücks mit
einer Anschlußlasche,
Fig. 5 einen Modulgehäuseteil mit eingesetztem Sub
strat,
Fig. 6 einen Schnitt durch die Anordnung gemäß Fig. 5,
Fig. 7 eine Außenansicht des fertiggestellten Moduls,
und
Fig. 8 eine Kontaktplatte mit Zwischenstück.
Die Zeichnungen beziehen sich alle auf ein Ausführungsbei
spiel eines Leistungshalbleitermoduls, dessen elektrische
Schaltung in Fig. 2 gezeigt ist. Die elektrische Schaltung
ist eine Reihenschaltung zweier Dioden 3.1, 3.3, die eine
in der Leistungselektronik als Teilbrückenschaltung häufig
vorkommende Grundschaltung ist. Ein Leistungshalbleitermo
dul, mit dem diese Grundschaltung realisiert ist, weist ne
ben den Dioden 3.1, 3.2 noch Metallteile zur Herstellung
der elektrischen Verbindungen und zur Schaffung äußerer
Stromanschlüsse A, K, A-K auf.
Fig. 1 zeigt ein bestücktes Substrat 1, das für einen Ein
bau in einen Modulgehäuserahmen 10 (siehe Fig. 5 und 6)
aus Kunststoff vorbereitet ist. Das Substrat 1 ist sowohl
auf seiner Unterseite als auch auf seiner Oberseite mit ei
ner Metallisierung 2 versehen. Das Substrat 1 besteht im
Ausführungsbeispiel aus einer Aluminiumoxidkeramik und hat
die Abmessungen 47×65 mm2, kann aber auch aus einem anderen
elektrisch isolierenden Material bestehen, und auch andere
Abmessungen haben. Die Metallisierung 2 besteht aus etwa
0,3 mm dicken Kupferfolien, die unter Anwendung eines Di
rektverbindungsverfahrens mit dem Keramiksubstrat 1 verbun
den sind. Die Dicke der Kupferfolie liegt typisch im Be
reich 0,25 bis 0,5 mm. Die obere Metallisierung 2 ist in
mehrere Einzelflächen unterteilt, entsprechend den Erfor
dernissen der elektrischen Schaltung, die mit dem Modul re
alisiert wird. Auf solchen Einzelflächen der Metallisierung
2 sind die Diodenchips 3.1, 3.2 jeweils mit ihrer Anoden
seite mittels Weichlot aufgelötet. Außerdem sind auf den
Metallisierungsflächen 2 oder den Dioden 3.1, 3.2 aus etwa
1 bis 2 mm dickem Kupferblech bestehenden Kontaktstücke
4.1, 4.2, 4.3 mittels Weichlot aufgelötet.
Die Diodenchips 3.1, 3.2 haben im Ausführungsbeispiel Ab
messungen von 29×23 mm2. Auf die Chips 3.1, 3.2 sind auf
der in Fig. 1 jeweils oben liegenden Kathodenseite Kon
taktplatten 7 aufgelötet. Der thermische Ausdehnungskoeffi
zient der Kontaktplatten 7 ist weitgehend an denjenigen von
Silizium angepaßt. Die Kontaktplatten 7 können z. B. aus Mo
lybdän oder noch besser aus einem Trimetall aus Cu/NiFe/Cu
hergestellt sein. Auf den Kontaktplatten 7 wurde in einem
vorausgegangenen Montageschritt, also vor dem Auflöten der
Kontaktplatten 7 auf den Diodenchips 3.1, 3.2, jeweils ein
Zwischenstück 6 (siehe Fig. 3 und 8) aus Kupfer mittels
Hartlot auf der Oberseite der Kontaktplatten 7 aufgebracht.
Durch die Anordnung des hartgelöteten Zwischenstücks 6 wird
eine Weichlotverbindung zwischen Materialien mit unter
schiedlichem Ausdehnungsvermögen, also z. B. eine Weichlot
verbindung zwischen Molybdän und Kupfer, vermieden. Dies
ist von Bedeutung, da zur Erlangung geringer Innenwider
stände der Kathodenstrom mittels massiver Kupferteile
weitergeleitet werden muß.
In Fig. 3 ist ein auf die Kontaktplatte 7 stumpfaufgelö
tetes Zwischenstück 6 gezeigt. Bei der Formgebung und An
ordnung des Zwischenstücks kam es ferner darauf an, die
Verwölbung der Kontaktplatte möglichst gering zu halten.
Dies wurde erreicht, indem das Zwischenstück 6 zentral so
auf der Kontaktplatte 7 angeordnet wird, daß die Strom
spreizung radial nach allen Seiten erfolgt. Die Fläche der
Stromeinspeisung in die Kontaktplatte muß für die Strombe
lastung groß genug sein, aber andererseits so klein, daß es
nicht zur bimetallähnlichen Verspannung der Kontaktplatte 7
kommt. In Fig. 8 ist eine vorteilhafte Gestaltung des Zwi
schenstücks 6 dargestellt. Das Zwischenstück 6 ist als zy
linderartiges Drehteil mit einer oberen Platte 6.1 gestal
tet. Es steckt in einer zentralen Öffnung 25 in der Kon
taktplatte 7 aus Trimetall. Der Zylinderteil 6.2 des Zwi
schenstücks 6 kontaktiert dabei die obere und untere
Kupferschicht in der Kontaktplatte 7 und ist mit der Kon
taktplatte 7 hart verlötet.
Ein erstes Kontaktstück 4.1 ist als Bindeglied zwischen dem
Kathodenanschluß (siehe Fig. 3) der ersten Diode 3.1 und
einer ersten Anschlußlasche 8.1 (siehe Fig. 5) für den Mo
dulanschluß K angeordnet. Das Kontaktstück 4.1 ist mittels
Weichlot mit dem Kathodenanschluß der Diode 3.1 verbunden.
Das zweite Kontaktstück 4.2 ist Bindeglied zwischen einer
mit der Anode der ersten Diode 3.1 verbundenen Metallisie
rungsfläche 2 und einer zweiten Anschlußlasche 8.2 (siehe
Fig. 5) für den Modulanschluß A-K. Außerdem ist das zweite
Kontaktstück 4.2 Verbindungsglied zwischen der Anode der
ersten Diode 3.1 und dem Kathodenanschluß der zweiten Diode
3.2.
Das dritte Kontaktstück 4.3 ist Bindeglied zwischen einer
mit der Anode der zweiten Diode 3.2 verbundenen Metallisie
rung 2 und einer dritten Anschlußlasche 8.3 für den Modul
anschluß A.
Alle Kontaktstücke 4.1, 4.2, 4.3 tragen auf ihrer Oberseite
eine Weichlotschicht 5 auf einer Fläche, die für den An
schluß einer Anschlußlasche 8.1, 8.2, 8.3 im Impulslöt
verfahren vorgesehen ist.
Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch eine in Fig. 1 eingetra
gene Ebene A′-A′′, anhand dessen weitere Einzelheiten er
läutert werden. In Fig. 3 ist das Substrat 1 mit der
strukturierten Metallisierung 2 auf der Oberseite und einer
ganzflächen Metallisierung 2 auf der Unterseite darge
stellt. Auf einer Teilfläche der Metallisierung 2 ist die
erste Diode 3.1 mit der Anodenseite mittels Weichlot auf
gelötet. Ebenfalls mittels Weichlot ist auf der Kathode der
Diode 3.1 eine Kathodenplatte 7 aus Trimetall aufgelötet.
Über eine Hartlotverbindung 12 ist ein Zwischenstück 6 aus
Kupfer mit dem Kontaktstück 7 verbunden. Das Zwischenstück
6 ist mittels Weichlot mit dem ersten Kontaktstück 4.1 ver
bunden. Ein in Fig. 3 auf der rechten Seite befindliches
Ende des Kontaktstücks 4.1 ist nach unten gebogen und liegt
dort auf einer mit Bezugszeichen 9 versehenen Teilfläche
der Metallisierung 2 auf. Das Kontaktstück muß nicht durch
eine Lötschicht mit der Metallisierung 2 verbunden sein, da
an dieser Stelle kein Strom fließt. Ein nicht angelötetes
Ende des Kontaktstückes kann als Dehnungsausgleich dienen
und vermeidet eine Verspannung und Wölbung des Substrats 1.
Fig. 4 zeigt in einer Detaildarstellung das dritte Kon
taktstücke 4.3 mit der Lotschicht 5 und darüber die dritte
Anschlußlasche 4.3 noch vor dem Anlöten. Der obere, mit ei
nem Loch 13 zur Durchführung einer Stromanschlußschraube
versehene Teil der Lasche 8.3 wird vor der Montage im Modul
und dem Impulslötvorgang noch um 90° gebogen, damit die La
sche 8.3 mit dem Loch 13 im fertigen Zustand des Moduls
(siehe Fig. 7) über einer Anschlußmutter 15 liegt, die
sich in einem Gehäusedeckel 11 befindet.
Das Kontaktteil 4.3 hat im dargestellten Beispiel die Form
eines C. Es wird mit den nach innen gebogenen Füßen auf die
Metallisierung 2 des Substrats 1 (siehe Fig. 1) gelötet.
Je nach Anforderungen und Platzverhältnissen kann das Kon
taktstück auch andere Formen haben.
Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf einen Modulgehäuserahmen
10 aus Kunststoff, der eine in Fig. 6 sichtbare Ausnehmung
in seiner Bodenebene hat, in die das bestückte Substrat 1
eingesetzt ist. Die weiteren Ausführungen beziehen sich
sowohl auf die Fig. 5 als auch auf die Fig. 6, die einen
Schnitt durch die Anordnung gemäß Fig. 5 in einer Ebene
B′-B′′ zeigt.
Der Modulgehäuserahmen 10 weist Befestigungsflansche 16 mit
Befestigungslöchern 17 auf. Außerdem hat der Rahmen 10 Ver
strebungen 18 mit angeformten Stützen 19. Die Stützen 19
drücken im fertigmontierten Zustand des Moduls auf die Kon
taktplatten 7 und verhindern damit eine nach innen gerich
tete Wölbung des Substrats 1. Mit fertigmontiertem Zustand
ist eine Anordnung gemeint, in der das Modul auf einem
nicht dargestellten Kühlkörper montiert ist mittels Schrau
ben, die durch die Befestigungslöcher 17 geführt sind. Im
montierten Zustand werden Druckkräfte von dem Gehäuserahmen
10 sowie über die Verstrebungen 18 und Stützen 19 auf das
Substrat 1 und die Bestückungselemente 3.1, 3.2 übertragen.
Der Gehäuserahmen 10 liegt nicht direkt auf dem Rand des
Substrats 1 auf. Das Substrat 1 befindet sich in einer Aus
nehmung 20 in der Bodenebene des Rahmens 10. Es besteht
eine elastische Verbindung zwischen Substratrand und
Gehäuserahmen, die vorzugsweise mittels einer etwa 0,5 bis
1 mm dicken Klebstoffraupe aus elastischem Silikon herge
stellt ist. Die Verbindung dient hauptsächlich der Abdich
tung. Das metallisierte Substrat 1 steht leicht, d. h. etwa
0,1 mm über der Bodenebene des Rahmens 10 über und wird da
durch federnd auf den Kühlkörper gedrückt.
In Fig. 5 sind die Verstrebungen 18 durch eine Schraffur
hervorgehoben, obwohl es sich nicht um Schnittflächen han
delt.
In den Fig. 5 und 6 ist der Modulanschluß A-K zu erken
nen, der gebildet ist durch die zweite Anschlußlasche 8.2
mit dem Loch 13 und einer darunter in einer Tasche 21 des
Gehäuserahmens 10 befindlichen Mutter 15.
Fig. 7 zeigt eine äußere Ansicht des Moduls nach dem ein
Gehäusedeckel 11 auf dem Gehäuserahmen 10 aufgesetzt ist
und das Modul mit Vergußmasse 14 gefüllt ist. Durch den
Deckel 11 sind die Anschlußlaschen 8.1 und 8.3 für die Mo
dulanschlüsse A und K geführt. Unterhalb der Laschen 8.1
und 8.3 befinden sich in Fig. 7 nicht sichtbare Muttern,
die in Taschen des Deckels liegen. Der Deckel 11 hat Öff
nungen 22, die geeignet sind zur Einführung eines Impuls
lötwerkzeugs und zum Einfüllen von Vergußmasse 14.
Die Herstellung des in den Fig. 1 bis 7 dargestellten
Moduls kann auf nachstehende Weise erfolgen. Ein Keramik
substrat 1, das z. B. aus Aluminiumoxid besteht, wird unter
Verwendung eines Direktverbindungsverfahrens mit einer Me
tallisierung 2 aus Kupferblechen oder Kupferfolien verse
hen. Die Metallisierung 2 wird chemisch vernickelt mit einer
Schichtdicke von einigen Mikrometern. Mit Hilfe einer Löt
form wird das in Fig. 1 gezeigte, mit Bestückungselementen
versehene Substrat 1 in einem Durchlaufofen mit Schutzgas
atmosphäre gelötet. In diesem Lötprozeß werden auch die in
Fig. 1 mit Bezugszeichen 5 versehenen Lotschichten auf den
Kontaktstücken 4.1, 4.2, 4.3 aufgebracht, also diese Kon
taktstücke mit Weichlot benetzt. Das bestückte und gelötete
Substrat 1 wird anschließend in die Ausnehmung 20 des Ge
häuserahmens 10 eingeklebt, wie oben näher beschrieben ist.
Im folgenden Fertigungsschritt wird die zweite Anschlußla
sche 8.2 für den Modulanschluß A-K in die Führungsvertie
fung 23 eingelegt und mit dem zweiten Kontaktstück 4.2
verlötet. Dies geschieht mittels Impulslötung, bei der der
Laschenfuß kurzzeitig auf eine hohe Temperatur erwärmt wird
und das auf dem Kontaktstück befindliche Lot zum Aufschmel
zen bringt. Die Laschen 8.1 bis 8.3 werden vor dem Anlöten
galvanisch verzinnt, um ein gutes Benetzungsverhalten zu
erzielen.
Der Gehäusedeckel 11 weist Taschen auf, in die M8-Muttern
für Stromanschlußschrauben eingelegt werden und außerdem
Schlitze 24, durch die vorgebogene Anschlußlaschen 8.1 und
8.3 gesteckt werden. Der Deckel 11 wird mit den eingehäng
ten Laschen 8.1, 8.3 auf den Gehäuserahmen 10 aufgesetzt
und mit diesem verklebt. Die Laschen 8.1 und 8.3 werden an
schließend mit dem jeweiligen Kontaktstück 4.1 bzw. 4.3
mittels Impulslötung verbunden. Dazu wird ein Impulslöt
werkzeug durch Öffnungen 22 im Deckel 11 geführt. In einem
letzten Herstellungsschritt wird Vergußmasse 14 durch die
Öffnungen 22 eingefüllt.
Als weitere vorteilhafte Ausgestaltung ist es möglich, Ge
häusedeckel 11 und Gehäuserahmen 10 als einstückiges Teil
zu fertigen. Dann wird die zweite Anschlußlasche 8.2 im
einstückigen Gehäuse vorbestückt, bevor das Substrat 1 in
die Ausnehmung 20 eingeklebt wird.
In Versuchen mit Modulen gemäß Ausführungsbeispiel hat sich
gezeigt, daß eine Stromtragfähigkeit über 25 kA während
10 ms gegeben ist, ohne daß dabei die 0,3 mm dicke Kupfer
metallisierung 2 und die Zwischenstücke 6 gemäß Fig. 8
zerstört werden.
Bezugszeichenliste
1 Substrat
2 Metallisierung
3.1 erste Diode
3.2 zweite Diode
4.1 erstes Kontaktstück
4.2 zweites Kontaktstück
4.3 drittes Kontaktstück
5 Weichlotschicht
6 Zwischenstück
6.1 Platte
6.2 Zylinderteil
7 Kontaktplatte
8.1 erste Anschlußlasche
8.2 zweite Anschlußlasche
8.3 dritte Anschlußlasche
9 Auflagefläche
10 Modulgehäuserahmen
11 Gehäusedeckel
12 Hartlotverbindung
13 Loch
14 Vergußmasse
15 Anschlußmutter
16 Befestigungsflansch
17 Befestigungsloch
18 Verstrebung
19 Stütze
20 Ausnehmung
21 Tasche
22 Einfüllöffnung
23 Führungsvertiefung
24 Schlitz
25 Öffnung
A Anoden-Modulanschluß
A-K Anoden/Kathoden-Modulanschluß
K Kathoden-Modulanschluß
2 Metallisierung
3.1 erste Diode
3.2 zweite Diode
4.1 erstes Kontaktstück
4.2 zweites Kontaktstück
4.3 drittes Kontaktstück
5 Weichlotschicht
6 Zwischenstück
6.1 Platte
6.2 Zylinderteil
7 Kontaktplatte
8.1 erste Anschlußlasche
8.2 zweite Anschlußlasche
8.3 dritte Anschlußlasche
9 Auflagefläche
10 Modulgehäuserahmen
11 Gehäusedeckel
12 Hartlotverbindung
13 Loch
14 Vergußmasse
15 Anschlußmutter
16 Befestigungsflansch
17 Befestigungsloch
18 Verstrebung
19 Stütze
20 Ausnehmung
21 Tasche
22 Einfüllöffnung
23 Führungsvertiefung
24 Schlitz
25 Öffnung
A Anoden-Modulanschluß
A-K Anoden/Kathoden-Modulanschluß
K Kathoden-Modulanschluß
Claims (5)
1. Leistungshalbleitermodul mit
- - einem elektrisch isolierenden Substrat, das Metalli sierungen aufweist,
- - Leistungshalbleiterbauelementen, die auf mit Metalli sierungen versehenen Flächen des Substrats aufgelötet sind, und
- - Anschlußlaschen zur Bildung äußerer Modulanschlüsse, dadurch gekennzeichnet, daß im Modul wenigstens ein Kon taktstück (4.1, 4.2, 4.3) als Verbindungsglied zwischen einer Anschlußlasche (8.1, 8.2, 8.3) und einer Substratmetallisie rung (2) oder einem Leistungshalbleiterbauelement (3.1, 3.2) eingesetzt ist.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß Leistungshalbleiterbauelemente
(3.1, 3.2), die mit einem Kontaktstück (4.1, 4.2, 4.3) zu ver
binden sind, auf der zu kontaktierenden Elektrode eine mit
tels Weichlot aufgelötete Kontaktplatte (7) aufweisen, auf
der ein Zwischenstück (6) zentral angeordnet ist, das mit
tels Hartlot mit der Kontaktplatte (7) und mittels Weichlot
mit dem Kontaktstück (4.1) verbunden ist und aus dem glei
chen oder bezüglich des Ausdehnungskoeffizienten ähnlichen
Material wie das Kontaktstück (4.1, 4.2, 4.3) besteht.
3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das metallisierte Substrat
(1, 2) eine Keramikplatte mit direkt damit verbundenen Kup
ferblechen ist.
4. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Modul ein
Kunststoffgehäuse (10, 11) aufweist, in das das bestückte
Substrat (1) als Bodenplatte eingesetzt ist.
5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das Kunststoffgehäuse (10, 11) ein rah
menförmiges Gehäuseteil (10) aufweist, in dessen Bodenebene
das Substrat (1) in einer Ausnehmung (20) so eingesetzt
ist, daß es etwa 0,1 mm weit über der Bodenebene hervor
steht und daß der Gehäuserahmen (10) Verstrebungen (18) mit
angeformten Stützen (19) hat.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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