DE4231828A1 - Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung - Google Patents
Transistor-Leistungsverstärker-AnordnungInfo
- Publication number
- DE4231828A1 DE4231828A1 DE19924231828 DE4231828A DE4231828A1 DE 4231828 A1 DE4231828 A1 DE 4231828A1 DE 19924231828 DE19924231828 DE 19924231828 DE 4231828 A DE4231828 A DE 4231828A DE 4231828 A1 DE4231828 A1 DE 4231828A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- block
- connection pins
- power amplifier
- amplifier arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/642—Capacitive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Transistor-Leistungsver
stärker-Anordnung, deren Leistungstransistor entweder
in Gegentaktschaltung mit zwei parallelen Leiterstreifen
oder in Eintakt-Schaltung mit nur einem Leiterstreifen
eines Anpaß-Netzwerkes verbunden ist.
Leistungsverstärkeranordnungen dieser Art sind bekannt.
Fig. 1 zeit den prinzipiellen Aufbau einer solchen
Gegentakt-Verstärker-Anordnung. Der Leistungstransistor 2
ist mit seinem Gehäuse zur Wärmeableitung auf einem Kühler
21 befestigt, seine Anschlußfahnen 3 und 4 sind auf den
Enden von zwei parallelen Streifenleitungen 5 und 6
aufgelötet, die auf einer Platine 1 ausgebildet sind
und zwischen sich einen vorbestimmten Wellenwiderstand
Z aufweisen. Die Platine 1 ist auf ihrer Rückseite mit
einer als Massefläche M wirkenden Rupferkaschierung
versehen. Zusätzlich sind meist noch Keramikkondensatoren
7 und 8 zwischen diesen Leiterstreifen 5 und 6 in vor
bestimmten Abständen angeordnet, sie bilden einen Teil
des Anpassungsnetzwerkes zwischen dem Transistor 2 und
dem nicht dargestellten Verbraucher.
Infolge des bei größeren Ausgangsleistungen niederohmigen
Lastwiderstandes treten bei Schaltungen dieser Art im
Bereich der Transistorfahnen 3, 4 und dem durch die
Streifenleitungen 5 und 6 angedeuteten Teil des Aus
gangs-Anpassungsnetzwerkes sehr große Hochfrequenzstrome
auf, durch welche die einzelnen Bauteile abhängig von
ihrer Güte und Wärmeableitfähigkeit unterschiedlich
erhitzt werden. Bei speziellen Betriebsarten solcher
Verstärkerschaltungen kann diese Wärmeentwicklung sehr
störend sein. So kann es beispielsweise bei Leistungs
verstärkern, die im Zeitschlitzverfahren in Sendern des
Cityruf-Sendernetzes betrieben werden und bei denen es
innerhalb kurzer Zeitintervalle zu permanentem Wechsel
zwischen Vollast- und Standby-Betrieb im beispielsweise
30 sec-Zyklus kommt, zu thermisch bedingten Ermüdungs
erscheinungen an der Lötverbindung zwischen den Anschluß
fahnen 3 und 4 (Kollektor- bzw. Drain-Anschlußfahnen
des Transistors) kommen. Durch den dabei auftretenden
hohen Temperaturgradienten tritt eine Versprödung der
Lötstelle auf, die zur Loslösung der Transistoranschluß
fahnen von den Streifenleitungen führen kann.
Es ist Aufgabe der Erfindung, bei einer Transistor-Lei
stungsverstärker-Anordnung dieser Art solche Mängel zu
vermeiden.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Transistor-Gegen
takt-Leistungsverstärker-Anordnung laut Oberbegriff des
Anspruchs 1 bzw. einer Transistor-Eintakt-Leistungsver
stärker-Anordnung laut Oberbegriff des Anspruchs 2 durch
die jeweils kennzeichnenden Merkmale dieser Ansprüche
gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Durch die zusätzlich aufgesetzten Metallblöcke wird im
Übergangsbereich zwischen den Anschlußfahnen des Tran
sistors und den dort angelöteten Streifenleitungen eine
Art Wärmespeicher wirksam, durch welchen der Temperatur
gradient längs der Lötstelle zwischen Anschlußfahne und
Streifenleitung extrem klein gehalten wird, d. h. der
Temperaturunterschied zwischen dem unmittelbar dem
Transistor benachbaren Punkt der Lötstelle und dem
entfernteren Ende der Anschlußfahne wird klein gehalten,
damit werden die bei schnellem Leistungswechsel auftre
tenden aufeinanderfolgenden großen Temperaturänderungen
vermieden und es können keine Versprödungen der Lötstelle
auftreten. Es wird so verhindert, daß im Laufe des
Betriebes die Lötstelle der Anschlußfahne des Transistors
sich löst.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer
Zeichnungen an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 2 zeigt im perspektivischer Darstellung im Maßstab
von etwa 1 : 1 eine Gegentakt-Verstärkeranordnung gemäß
Fig. 1, bei welcher auf die beiden Enden der Streifen
leitungen 5 und 6 im Bereich der Lötstelle für die in
Fig. 2 nicht sichtbaren Ausgangs-Anschlußfahnen 3 und
4 des Transistors 2 zwei Kupferblöcke 10 und 11 auf ge
lötet sind, deren sich gegenüberstehende Seitenflächen
12 und 13 eine durch die Größe der Flächen und durch
den Abstand bestimmte Kapazität bilden. Im Schlitz 14
zwischen diesen beiden Blöcken 10 und 11 kann bei Bedarf
ein Dielektrikum oder ein flacher Keramikkondensator
angeordnet werden, die Blöcke 10 und 11 bilden in diesem
Fall vorzugsweise eine Baueinheit, die auf die Streifen
leiter aufgelötet wird. Auf der Unterseite der Blöcke
10 und 11 kann ggf. eine flache Nut 15 für die Aufnahme
der Anschlußfahnen 3, 4 ausgebildet sein. Die Größe dieser
zwischen den Blöcken 10 und 11 ausgebildeten Kapazität
ist durch Wahl der Größe dieser Blöcke und deren Abstand
so gewählt, daß sie einen Teil, beispielsweise die erste
Kapazität 7 des Anpassungsnetzwerkes bildet. Damit
erfüllen die Blöcke gleichzeitig zwei Aufgaben, nämlich
einerseits die Kompensation der thermischen Wechselbelastung
der Anschlußstelle und andererseits gleichzeitig
auch die Funktion einer Kapazität des Anpassungsnetz
werkes, die noch dazu nicht mehr periodisch aufgeheizt
wird, sondern im wesentlichen auf gleicher Temperatur
gehalten wird. Über die Blöcke 10 und 11 kann hoch
frequenzmäßig ggf. auch eine Induktivität zwischen den
beiden Streifenleitungen 5 und 6 ausgebildet werden,
dazu ist es nur nötig, die beiden Blöcke 10 und 11 oben
durch einen weiteren Block zu einem U-förmigen Metallbügel
zu ergänzen.
Fig. 3 zeigt die Anwendung der erfindungsgemäßen Maßnahme
bei einer Eintakt-Transistorleistungsverstärker-Anordnung,
bei welcher der auf der Oberseite der Platine 1 befestigte
Transistor 2 über seine nicht sichtbare Ausgangsanschluß
fahne auf einer einzigen Streifenleitung 16 aufgelötet
ist. In diesem Bereich der Lötstelle zwischen Anschluß
fahne und Leiterstreifen ist wiederum ein Kupferblock
17 aufgelötet, der in diesem Fall als Doppel-U-Bügel
ausgebildet ist und mit seinem mittleren Schenkel 18
auf dem Ende des Leiterstreifens 16 zusammen mit der
Anschlußfahne aufgelötet ist. Die beiden seitlichen
Schenkel 19 und 20 sitzen flach auf der unkaschierten
Oberfläche der Platine 1 auf und ihre Stirnflächen bilden
mit der rückseitigen Massefläche M der Platine 1 jeweils
eine Kapazität gegen Masse. Die beiden U-Bügel können
in dieser Ausführung auch wieder als Induktivität wirken,
wenn die seitlichen Schenkel 19 und 20 über eine Kapazität
mit der Masseseite (Unterseite) der Platine verbunden
sind. Die Größe der Induktivität hängt wieder von der
Länge und Breite dieser Bügel ab.
Die Größe der Blöcke 10, 11 bzw. 17 richtet sich nach
der abzuführenden Wärmeleistung und hängt von dem
verwendeten Material ab. Bei gut wärmeleitendem Material
wie Kupfer besitzen die Blöcke beispielsweise ein Volumen
von 1 bis 3 cm3.
Claims (5)
1. Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung mit einem
Leistungstransistor (2), dessen Ausgangs-Anschlußfahnen
(3, 4) an den Enden von zwei auf einer Platine (1)
ausgebildeten parallelen Streifenleitungen (5, 6),
aufgelötet sind (Gegentakt-Schaltung nach Fig. 2),
dadurch gekennzeichnet, daß auf den
mit den Anschlußfahnen (3, 4) verbundenen Enden der
Streifenleitungen (5, 6) jeweils ein Block (10, 11)
aus gut wärmeleitendem Material, insbesondere Kupfer,
so aufgelötet ist, daß die sich gegenüberstehenden
Seitenflächen (12, 13) der beiden Blöcke (10, 11)
zwischen den Streifenleitungen (5, 6) eine Kapazität
und/oder Induktivität bilden.
2. Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung mit einem
Leistungstransistor (2), dessen Anschlußfahne an dem
Ende mindestens einer auf einer Platine (1) ausge
bildeten Streifenleitung (16), aufgelötet ist (Ein
takt-Schaltung nach Fig. 3), dadurch
gekennzeichnet, daß auf dem mit der
Anschlußfahne verbundenen Ende der Streifenleitung
(16) ein Block (17) aus gut wärmeleitendem Material,
insbesondere Kupfer, aufgelötet ist, der mit mindestens
einer seiner Flächen mit mindestens einer Leiterfläche
(M) der Platine (1) zwischen der Streifenleitung (16)
und dieser Leiterfläche (M) eine Kapazität und/oder
Induktivität bildet.
3. Anordnung nach Anspruch i oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kapazität
und/oder Induktivität ein Teil des durch den bzw.
die Streifenleitungen (16 bzw. 5, 6) gebildeten
Anpassungsnetzwerkes ist.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß zwischen den beiden Blöcken
(10, 11) ein Dielektrikum oder ein flacher Kondensator
angeordnet ist.
5. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Block (17) die Form eines
Einfach- oder Doppel-U-Bügels besitzt und ein Schenkel
(18) auf dem Ende der Streifenleitung (16) aufgelötet
ist während der oder die anderen Schenkel (19 bzw.
20) mit einer anderen Leiterfläche (M) der Platine (1)
eine Kapazität bilden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924231828 DE4231828C2 (de) | 1992-09-23 | 1992-09-23 | Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924231828 DE4231828C2 (de) | 1992-09-23 | 1992-09-23 | Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4231828A1 true DE4231828A1 (de) | 1994-03-24 |
DE4231828C2 DE4231828C2 (de) | 1996-05-30 |
Family
ID=6468623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19924231828 Expired - Fee Related DE4231828C2 (de) | 1992-09-23 | 1992-09-23 | Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4231828C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0929142A2 (de) * | 1997-12-09 | 1999-07-14 | MAGNETEK S.p.A. | Herstellungsverfahren von einem Kondensatorelement, in einer Schaltung mit Leistungsbauelement verbunden, und so hergestellte Schaltung |
DE102005039706A1 (de) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Leiterplattenanordnung |
US20110013366A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Abb Research Ltd | Electronic circuit board with a thermal capacitor |
US20110284271A1 (en) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | Joinset Co., Ltd. | Heat sink |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19910500A1 (de) * | 1999-03-10 | 2000-10-05 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches Gerät |
DE102012100578B4 (de) * | 2012-01-24 | 2018-06-21 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Erstellen eines Layouts für eine Leiterplatte und entsprechende Leiterplatte |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3753056A (en) * | 1971-03-22 | 1973-08-14 | Texas Instruments Inc | Microwave semiconductor device |
DE2800304C2 (de) * | 1977-01-07 | 1987-02-26 | Varian Associates, Inc., Palo Alto, Calif., Us | |
EP0391057A2 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-10 | Motorola Inc. | Thermischer Nebenschluss für einen elektronischen Schaltkreis |
-
1992
- 1992-09-23 DE DE19924231828 patent/DE4231828C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3753056A (en) * | 1971-03-22 | 1973-08-14 | Texas Instruments Inc | Microwave semiconductor device |
DE2800304C2 (de) * | 1977-01-07 | 1987-02-26 | Varian Associates, Inc., Palo Alto, Calif., Us | |
EP0391057A2 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-10 | Motorola Inc. | Thermischer Nebenschluss für einen elektronischen Schaltkreis |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0929142A2 (de) * | 1997-12-09 | 1999-07-14 | MAGNETEK S.p.A. | Herstellungsverfahren von einem Kondensatorelement, in einer Schaltung mit Leistungsbauelement verbunden, und so hergestellte Schaltung |
EP0929142A3 (de) * | 1997-12-09 | 2004-11-03 | MAGNETEK S.p.A. | Herstellungsverfahren von einem Kondensatorelement, in einer Schaltung mit Leistungsbauelement verbunden, und so hergestellte Schaltung |
DE102005039706A1 (de) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Leiterplattenanordnung |
US20110013366A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Abb Research Ltd | Electronic circuit board with a thermal capacitor |
US20110284271A1 (en) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | Joinset Co., Ltd. | Heat sink |
US8383946B2 (en) * | 2010-05-18 | 2013-02-26 | Joinset, Co., Ltd. | Heat sink |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4231828C2 (de) | 1996-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4425803A1 (de) | Leiterplatte | |
DE4231828C2 (de) | Transistor-Leistungsverstärker-Anordnung | |
DE3007580C2 (de) | Oszillator mit einem dielektrischen Resonator | |
DE4336727A1 (de) | Anordnung aus elektrischen Bauteilen | |
DE69718280T2 (de) | Hochfrequenzverstärker | |
DE10105696A1 (de) | Symmetrierübertrager | |
DE2929547C2 (de) | Mikrowellen-Dämpfungsglied | |
DE19625934C1 (de) | Elektrischer Leiter | |
EP0282646B1 (de) | Ferritkernspule mit mehr als zwei Spulenanschlüssen für Reflow-Lötung auf einer Leiterplatte | |
DE4306416A1 (de) | Spulenstruktur für eine Leiterplattenanordnung | |
DE10001180B4 (de) | Doppelseitenmuster-Verbindungskomponente, gedruckte Schaltungsplatte und Verfahren zum Verbinden von auf beiden Seiten einer gedruckten Schaltungsplatte gebildeten Verbindungsmustern | |
DE1515846B1 (de) | Uebertragungsleitung mitkleinem Wellenwiderstand | |
DE4002901A1 (de) | Schaltungsplatine fuer die optimale entkopplung von schaltungen mit digitalen ic's | |
EP0878870A1 (de) | HF-Koaxial-Steckverbinderteil | |
DE8711808U1 (de) | Transformator | |
DE19837025A1 (de) | Richtkoppler | |
DE19928943B4 (de) | Richtkoppler mit einstellbarer Koppeldämpfung | |
DE3611595A1 (de) | Elektrischer widerstand fuer wechselstrom und verfahren zu seiner herstellung | |
DE4337054A1 (de) | Spule | |
EP0838133B1 (de) | Vorrichtung zur montage elektrischer bauteile auf leiterplatten | |
DE1949328C3 (de) | Verstärker für sehr kurze elektromagnetische Wellen mit einem Halbleiterelement mit negativer Widerstandscharakteristik | |
DE19503245C2 (de) | Elektrischer Lastwiderstand für Mikrowellen | |
DE2929612C2 (de) | Schaltungsanordnung in Microstrip-Bauweise für mit Leistungstransistoren bestückte Schaltungen der Höchstfrequenztechnik | |
DE29611468U1 (de) | Gasgefüllter Überspannungsableiter mit drei Elektroden für liegende Anordnung | |
DE1959766C3 (de) | Verstärkereinrichtung in Gemeinschaftsantennenanlage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |