DE4230779A1 - Anordnung zum Löschen von Lichtbögen in einer Vakuum-Beschichtungsanlage - Google Patents
Anordnung zum Löschen von Lichtbögen in einer Vakuum-BeschichtungsanlageInfo
- Publication number
- DE4230779A1 DE4230779A1 DE4230779A DE4230779A DE4230779A1 DE 4230779 A1 DE4230779 A1 DE 4230779A1 DE 4230779 A DE4230779 A DE 4230779A DE 4230779 A DE4230779 A DE 4230779A DE 4230779 A1 DE4230779 A1 DE 4230779A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cathode
- capacitor
- anode
- arrangement according
- inductance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Löschen von Lichtbögen in einer Vakuum-
Beschichtungsanlage.
Bei Gleichstrom-Sputteranlagen, die eine Kathode und eine Anode aufweisen, kommt es
oft zu Überschlägen, bei denen sich ein Strom einen elektrisch leitenden Kanal im Plasma
sucht, der sich zwischen Anode und Kathode befindet. Insbesondere bei dem sogenannten
reaktiven Beschichten eines Substrats, beispielsweise mit Siliziumoxid (SiO2), treten der
artige Überschläge relativ oft auf. Ursache hierfür ist der Umstand, daß neben dem Sub
strat selbst auch Teile der Sputteranlage, wie etwa die Innenwand der Prozeßkammer oder
Teile von Blenden mit elektrisch nichtleitenden oder schlecht leitenden Materialien be
schichtet werden.
Um größeren Schaden von einer Sputteranlage fernzuhalten, wird deshalb die Stromzufuhr
nach dem Auftreten eines Überschlags abgeschaltet (Douglas S. Schatz: The MDX as a
Strategy Tool in Reducing Accing, Schrift der Advanced Energy Industries, Inc., 1985).
Eine vereinfachte Methode zum Abschalten des Entladungsstroms bei einer Zwei-Elektroden-Anordnung
besteht darin, daß mit Hilfe von Thyristoren ein künstlicher Kurzschluß
zwischen Elektroden durchgeführt wird (DE-P 41 27 505.5).
Bei einer anderen Schaltungsanordnung zum Unterdrücken von Lichtbögen in einem Plas
ma wird der Augenblickswert der Spannung der Plasmastrecke mit einem Spannungswert
verglichen, der einer über eine vorgegebene Zeit ermittelten mittleren Plasmaspannung
entspricht. Übersteigt die Differenz zwischen dem Augenblickswert einen vorgegebenen
Wert, so wird die Plasmastrecke von der Spannungsquelle getrennt (DE-P 41 27 504.3).
Weiterhin wurde vorgeschlagen, bei einer Gleichstrom-Sputteranlage zwischen dem nega
tiven Pol der Gleichstromquelle und der Kathode eine Parallelschaltung aus Induktivität
und Widerstand sowie zwischen der Kathode und der Anode einen Kondensator vorzu
sehen (DE-P 40 42 289.5). Die Aufgabe der Induktivität soll hierbei darin bestehen, die
Kathodenspannung während des Kurzschlußverlaufs drastisch zu reduzieren und damit die
Löschung eines eventuellen Bogens zu ermöglichen. Mit dem Kondensator zwischen Ano
de und Kathode soll erreicht werden, daß die durch den Sputterprozeß induzierten Hoch
frequenz-Spannungs- und Stromschwingungen, die zu Überschlägen und Bogenentladun
gen führen, kurzgeschlossen werden.
Wie Messungen gezeigt haben, werden die Bogenentladungen jedoch weniger durch das
Kurzschließen der hochfrequenten Spannungen verhindert, als durch eine Umladung des
Kondensators. Indem der Kondensator seine Ladung ändert, kehrt er die Spannung
zwischen Kathode und Anode um und unterbricht auf diese Weise den Strom zwischen
Kathode und Anode.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfache Schaltungsanordnung für einen
überschlagsfreien Betrieb einer Sputteranlage zu schaffen.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß der zwischen Anode
und Kathode geschaltete Kondensator so bemessen ist, daß sich kein Lichtbogen einstellen
kann. Schon bei einem kurzen Überschlag, d. h. bereits in der Entstehungsphase des Licht
bogens, wird der Kondensator entladen und seine Energie zum Aufbau eines magnetischen
Feldes in der Induktivität zwischen Anode und Kathode verbraucht. Die beim Abbau die
ses magnetischen Feldes freiwerdende Energie, vermindert um die beim Überschlag in der
Entladungsstrecke verbrauchte Energie, fließt wieder in den Kondensator und lädt diesen
auf eine verminderte Spannung auf. Durch den immer noch in gleicher Richtung fließen
den Strom ergibt sich eine Umpolung der Kondensatorspannung, so daß kein Überschlag
mehr auftreten kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im
folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltungsanordnung zum Verhindern von Überschlägen in einer Sputter-
Anlage;
Fig. 2 eine Variante der Anordnung nach Fig. 1, bei der eine zusätzliche Maßnahme
zum Verhindern von Überschlägen durchgeführt ist.
In der Fig. 1 ist eine Sputteranlage 1 dargestellt, die ein Vakuumgehäuse 2 mit einem Gas
einlaßstutzen 3 und einem Gasauslaßstutzen 4 aufweist. Der Gasauslaßstutzen 4 ist mit
einer nicht dargestellten Pumpe verbunden, welche einen bestimmten Gasdruck in der
Vakuumkammer 2 aufrechterhält. Über den Gaseinlaßstutzen wird ein Gas, vorzugsweise
ein Edelgas, z. B. Argon, in die Vakuumkammer 2 eingegeben.
In der Vakuumkammer 2 liegen sich eine Kathode 5 und eine Anode 6 gegenüber. Die
Kathode 5 umschließt eine Scheibe 7 aus einem bestimmten Material, das zerstäubt bzw.
gesputtert werden soll. Auf der Anode 6 befindet sich ein Substrat 8, auf dem sich die
Sputterprodukte niederschlagen.
Kathode 5 und Anode 6 sind über Leitungen 9, 10 mit einer Stromversorgung 11 verbun
den, die eine Gleichspannung abgibt. Nimmt man an, daß zwischen der Kathode 5 und der
Anode 6 ein Kurzschluß auftritt, der durch die Ausbildung eines Überschlag-Kanals im
Plasma zwischen Anode und Kathode hervorgerufen wurde, so fließt zunächst der Strom
durch die Drossel 12 weiter zur Kathode 5. Da die Kathoden-Anoden-Strecke kurzge
schlossen ist, entlädt sich nun der Kondensator 13, der vorher auf der Spannung der Strom
versorgung 11 lag. Die Plasmastrecke zwischen Kathode und Anode besitzt eine Induktivi
tät. Zusammen mit den Induktivitäten der Leitungen 9, 10 bewirkt diese, daß der Strom
auch dann noch für eine bestimmte Zeit weiterfließt, wenn der Kondensator 13 vollständig
entladen ist. Hierdurch wird der Kondensator 13 wieder aufgeladen, jedoch in umgekehrter
Richtung, so daß eine Spannung am Kondensator 13 entsteht, die der ursprünglichen Span
nung entgegengerichtet ist.
Die maximal am Kondensator 13 entstehende Spannung mit umgekehrtem Vorzeichen ist
jedoch geringer als die ursprüngliche Spannung, weil aus der Stromversorgung 11 ein
Strom I1 und dann ein Strom I2 nachgeliefert wird. Wegen der Drossel 12, die einen
starken Stromanstieg verhindert, ist der Strom, der den Kondensator 13 wieder mit seiner
ursprünglichen Polarität versehen will, zunächst relativ klein.
Der Kondensator 13 muß in der Lage sein, die in den Induktivitäten der Leitungen 9, 10
und die in der Induktivität der kurzgeschlossenen Plasmastrecke gespeicherte magnetische
Energie als elektrische Energie aufzunehmen. Da die magnetische Energie 1/2 L I2 max ist,
wobei L die Gesamt-Kurzschlußinduktivität darstellt, die elektrische Energie am Konden
sator aber 1/2 C U2 max beträgt, gilt bei Energiegleichheit
LI2 max = CU2 max.
Diese Bedingung ist für jedes L und jedes C erteilt, weil durch einen entsprechenden
Strom Imax und/oder eine entsprechende Spannung Umax die Gleichheit gewährleistet
werden kann. Die Resonanzfrequenz des aus L und C gebildeten Schwingkreises beträgt,
wie man durch Umformung von C U2 max in Q2/C und Differentiation der resultierenden
Gleichung nach t sowie Lösung der sich ergebenden Differentialgleichung ersieht,
Da die Schwingungsdauer Tres = 1/fres ist, ergibt sich diese zu
Die Umpolung des Kondensators sollte innerhalb einer Zeit stattfinden, die in der Größen
ordnung derjenigen Zeit liegt, die für einen Anoden-Kathoden-Überschlag gilt. Da die
Vorwachsgeschwindigkeit einer Entladung etwa 300 km je Sekunde beträgt, ist eine
Strecke von ca. 1 m in ca. 3,3 * 10-6 Sekunden durchlaufen. Für Sputteranlagen beträgt die
Überschlagszeit somit etwa zwischen 1 µs und 15 µs. Nimmt man eine Zeit von 7 µs an, so
errechnet sich die Kapazität unter der Voraussetzung, daß Tres = 1/2 TLaufzeit, zu etwa
C = 3 * 10-13 sec2/L.
Der Wert der Kurzschlußinduktivität wird an der Anlage gemessen, wodurch C vollständig
bestimmt ist.
Die am Kondensator 13 sich aufbauende und entgegengerichtete Spannung nimmt aller
dings, wie bereits oben erwähnt, nicht dieselbe Höhe an wie die Spannung im Normalbe
trieb. Durch das Umpolen des Kondensators wird der Überschlag für eine bestimmte Zeit
unterbrochen; ein Teil der Energie geht in den Überschlag, und ein anderer Teil wird über
die Induktivität 12 an die Stromversorgung 11 abgegeben.
Der Kondensator 13 bleibt indessen nicht stets im umgepolten Zustand. Vielmehr versucht
er dann, wenn er die gesamte Energie der Induktivität des Schwingkreises aufgenommen
hat, diese wieder abzugeben. Seine umgepolte Spannung reicht indessen nicht aus, um
einen Überschlag in umgekehrter Richtung auszulösen. Somit wird diese Spannung all
mählich durch den zufließenden Strom 12 wieder abgebaut und in die ursprüngliche Polari
tät zurückgebracht. Die Anlage kann jetzt wieder im Normalbetrieb arbeiten.
Die Spule 12 wird so dimensioniert, daß bei einem Kurzschluß ein schneller Stromanstieg
verhindert wird. Sie dient außerdem zur wechselspannungsmäßigen Entkopplung zwischen
der Stromversorgung 11 und der Anlage 1 bzw. sie bildet eine quasi-stromkonstante Ein
speisung während der Umschwingungszeit. Die Spule 12 ist in vorteilhafter Weise als
Eisenkerndrossel mit Luftspalt ausgebildet. Sie stellt nicht nur für die Zeit des Überschlags
eine Stromanstiegsbegrenzung dar, sondern bildet zusätzlich mit dem Kondensator 13 zu
sammen ein LC-Filter. Die Auslegung dieses LC-Filters erfolgt auf eine niedrigere Fre
quenz als die Überschwingfrequenz des Resonanskreises aus dem Kondensator 13 und der
Überschlagstrecke. Beispielsweise kann sie 1/16 dieser Frequenz betragen. Im Hinblick
auf eine möglichst kurze Unterbrechung des Sputtervorgangs sollte die LC-Filterseite unter
1000 µs liegen, worauf sich eine Frequenz von f0< 1 kHz ergibt.
Die C- und L-Werte sind durch die Dimensionierung der Anlage bedingt. Hat die Kathode
5 etwa eine Länge von 750 mm und eine Breite von 280 mm, so ergibt sich bei einer
Stromversorgungs-Leistung von 30 kW für die Spule 12 ein Wert von 1 mH, während sich
für den Kondensator 13 ein Wert von 3 µF ergibt.
Die Überschläge, auch "Arcing" genannt, sind nicht nur auf die Anoden-Kathoden-Strecke
beschränkt, sondern können auch z. B. zwischen einer Elektrode und einer Wand des Pro
zeßraums auftreten. Hierdurch können nicht alle auftretenden Kurzschlußströme vorher
simuliert und meßtechnisch erfaßt werden. In der Praxis bedeutet dies, daß trotz der Maß
nahme der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 ab und zu noch Überschläge auftreten.
Um auch für einen solchen Fall eine Lösung anbieten zu können, ist in der Fig. 2 eine
Variante der Erfindung dargestellt, die zusätzliche Bauteile enthält.
In dieser Fig. 2 ist eine Sputteranlage 1 gezeigt, die eine Vakuumkammer 2 mit einem
Gaseinlaßstutzen 3 und einem Gasabsaugstutzen 4 aufweist. Der Gasabsaugstutzen 4 steht
mit einer nicht gezeigten Pumpe in Verbindung, wobei die Vakuumkammer 2 unter einem
bestimmten Gasdruck gehalten wird. Durch den Gaseinlaßstutzen 3 wird ein Reaktivgas
eingeführt, das mit den abgesputterten Teilchen eine Verbindung eingeht.
Eine Kathode 5 ist zur Anode 6 in einem Winkel von 90 Grad angeordnet. Es wäre aller
dings auch eine Anordnung wie in Fig. 1 möglich. Auf der Anode 6, die als Drehteller aus
gebildet sein kann, befindet sich das zu beschichtende Substrat 8. Ein Target 7, aus dem
die Teilchen herausgeschlagen werden, welche mit dem Reaktivgas eine Verbindung ein
gehen, steht direkt mit der Kathode 5 in Verbindung. Kathode 5 und Anode 6 sind mit
einer Gleichstromversorgung 11 verbunden, wobei die Anode 6 über die Leitung 10 direkt
an den Pluspol der Gleichstromversorgung 11 angeschlossen ist, während die Kathode 5
über eine Drossel 14, eine Diode 15 und die Drossel 12 am Minuspol der Gleichstromver
sorgung 11 liegt. Zwischen der Verbindungsleitung 10, welche die Anode 6 mit der Strom
versorgung verbindet, und der Kathode der Diode 15 liegt der Kondensator 13. Der Kon
densator 13 wird über die Drossel 12 aus der Stromversorgung 11 aufgeladen. Die am
Kondensator 13 anstehende Spannung wird während der Aufladungsphase des Kondensa
tors 13 über die Leitungen 9, 10 und über die Induktivität 12 der Plasmastrecke zwischen
Kathode 5 und Anode 6 zugeführt.
Durch Oxidation auf dem Target 7 der Kathode 5 bilden sich gewissermaßen kleine Kon
densatoren mit begrenzter Durchschlagsfestigkeit aus, deren eine Kondensatorplatte die
Oxidationsschicht und deren andere Platte das Target 7 ist. Werden diese Kondensatoren
während des Sputterns zu sehr aufgeladen, brechen sie durch und lösen sich durch Ver
dampfen auf. Dieser Metall- oder Metalloxiddampf bildet einen niedrigeren Widerstand im
Plasma und führe letztlich zu einem Lichtbögen oder "Arc" 16. Das Plasma erlischt hier
auf. Durch den Lichtbögen würde ohne besondere Maßnahmen die Stromversorgung 12
kurzgeschlossen.
Nimmt man an, daß bei der in der Fig. 2 gezeigten Vorrichtung zwischen Kathode 5 und
Anode 6 ein Kurzschluß auftritt, so spielen sich folgende Vorgänge ab.
Durch den Kurzschluß bzw. Überschlag steigt der Strom 13 und damit der Strom 14 des
entstehenden Lichtbogens sehr schnell an, wobei der Kondensator 13 entladen wird. Durch
die Induktivität 14 wird indessen verhindert, daß der Strom allzu schnell ansteigt und wo
möglich die Diode 15 zerstört. Außerdem setzt die Induktivität 14 die Schwingungsfre
quenz herab, die sich durch das Zusammenwirken der Induktivitäten der Leitungen 9, 10
und der Kathoden-Anoden-Strecke sowie der Kapazität des Kondensators 13 ergibt. Die
Kapazität des Kondensators 18, die auf den Schwingungsstrom abgestimmt ist, muß somit
auf den Kurzschlußfall abgestimmt werden.
Die Induktivität 12, die während des Umschwingvorgangs als Strombegrenzungselement
dient, entkoppelt im Falle des Auftretens eines Überschlags die Stromversorgung 11 von
dem eigentlichen Anoden-Kathoden-Stromkreis. Der Strom 13 fließt während des Feldab
baus in den Induktivitäten der Leitungen 9, 10 sowie in den Induktivitäten 12, 14 und der
Induktivität der Anoden-Kathoden-Strecke weiterhin. Hierdurch wird der durch den Über
schlag entladene Kondensator 13 über die Diode 15 wieder aufgeladen, und zwar mit um
gekehrter Polarität, was durch die gestrichelten Symbole + und - angedeutet ist. Eine er
neute Entladung in umgekehrter Richtung über die Anoden-Kathoden-Strecke wird folg
lich durch die Diode 15 verhindert. Diese Diode 15 hat somit eine mit einer Freilaufdiode
bei Relaisschaltungen vergleichbare Funktion.
Bis zur erneuten Umladung des Kondensators 13 über die Entkopplungs-Drossel 12 tritt
eine Strompause zwischen Anode 6 und Kathode 5 ein, d. h. 13 wird zu Null.
Während dieser Strompause löst sich die niedrige Impedanz zwischen Anode 6 und Katho
de 5 auf, so daß die ursprünglichen Verhältnisse wieder hergestellt sind. Hat der Konden
sator 13 voll seine ursprüngliche Spannung erreicht, läuft der Sputtervorgang in der übli
chen Weise ab.
Die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 2 ist bezüglich ihrer Hauptwirkung mit der Schal
tungsanordnung gemäß Fig. 1 identisch, d. h. es findet bei einem Kurschluß oder Über
schlag zwischen der Anode 6 und der Kathode 5 oder zwischen einer der beiden Elektro
den und einer anderen Stelle der Vakuumkammer 2 zunächst eine Entladung des Konden
sators 13 statt. Nach dieser Entladung findet eine Aufladung mit umgekehrter Polarität
statt, so daß sich die Spannung zwischen Anode und Kathode umkehrt, wodurch die Fun
kenstrecke erlischt.
Eine Rückzündung, d. h. eine Funkenstrecke in umgekehrter Richtung wird jedoch durch
die Diode 15 ausgeschlossen. Solche Rückzündungen treten bisweilen bei einer Anord
nung gemäß Fig. 1 auf.
Es versteht sich, daß eine Plasmastrecke außer einer Induktivität auch noch Kapazitäten
und Widerstände aufweist (Rutscher/Deutsch: Plasmatechnik, Grundlagen und Anwendun
gen, 1984, S. 352, Bild 5.78). Diese Kapazitäten und Widerstände können jedoch bei
Kurzschluß in erster Näherung vernachlässigt werden. Außerdem sind auch sie meßbar
und können bei der Belastung des Kondensators 13 leicht berücksichtigt werden.
Claims (12)
1. Anordnung zum Löschen von Lichtbögen in Vakuum-Beschichtungsanlagen mit einer
Anode und einer Kathode, die mit einer Gleichstromquelle verbunden sind, wobei
zwischen der Anode und der Kathode ein Kondensator geschaltet ist, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Kapazität des Kondensators (13) so ausgelegt ist, daß sie die Energie
aufnehmen kann, die im Kurzschlußfall von den Zuleitungen (9, 10) und einer Überschlag
strecke (16) abgebaut wird.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die abgebaute Energie eine
magnetische Energie ist, die durch die Überschlagsinduktivität und die Induktivität der Zu
leitungen (9, 10) bestimmt wird.
3. Anordnung nach Anspruch 1 und Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapa
zität des Kondensators (13) und die Induktivitäten der Überschlagstrecke (16) und der Zu
leitungen (9, 10) einen Schwingkreis bilden, dessen halbe Schwingungsdauer etwa der Zeit
entspricht, die der Überschlag für seine Ausbildung benötigt.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem negativen
Anschluß der Gleichspannungsquelle und der Kathode eine Induktivität (12) vorgesehen
ist.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (12) derart
bemessen ist, daß bei Kurzschluß eine Umpolung des Kondensators (13) gewährleistet ist.
6. Anordnung nach Anspruch 1, Anspruch 4 und Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Induktivität (12) mit dem Kondensator (13) ein LC-Filter bildet, dessen Frequenz
etwa 1/16 der Umschwingfrequenz ist.
7. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Filterzeit des Filters
(12, 13) kleiner als 1000 µs ist.
8. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Kathode (5)
und dem Kondensator (13) eine Diode (15) geschaltet ist, deren Kathode an dem Konden
sator (13) liegt.
9. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Anode der
Diode (15) und der Kathode (5) der Sputterkammer (2) eine Induktivität (14) geschaltet ist.
10. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität eine
Eisenkerndrossel mit Luftspalt ist.
11. Verfahren zur Dimensionierung des Kondensators in einer Anordnung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß
- a) zwischen Anode (6) und Kathode (5) ein Kurzschluß erzeugt und die Kurzschlußinduk tivität gemessen wird;
- b) zwischen Anode (6) und Kathode (5) ein Kurzschluß erzeugt und die Laufzeit des Über schlags zwischen Anode (6) und Kathode (5) gemessen und
- c) aus der gemessenen Kurzschlußinduktivität und der gemessenen Laufzeit des Über schlags die Kapazität errechnet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Laufzeit des Über
schlags aus der Entfernung zwischen Anode (6) und Kathode (5) errechnet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4230779A DE4230779C2 (de) | 1992-09-15 | 1992-09-15 | Anordnung zur Verhinderung von Lichtbögen in einer Vakuum-Beschichtungsanlage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4230779A DE4230779C2 (de) | 1992-09-15 | 1992-09-15 | Anordnung zur Verhinderung von Lichtbögen in einer Vakuum-Beschichtungsanlage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4230779A1 true DE4230779A1 (de) | 1994-03-17 |
DE4230779C2 DE4230779C2 (de) | 1996-05-30 |
Family
ID=6467966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4230779A Expired - Fee Related DE4230779C2 (de) | 1992-09-15 | 1992-09-15 | Anordnung zur Verhinderung von Lichtbögen in einer Vakuum-Beschichtungsanlage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4230779C2 (de) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4420951A1 (de) * | 1994-06-16 | 1995-12-21 | Leybold Ag | Einrichtung zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungsanlagen |
DE4438463C1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-02-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen |
DE4441206A1 (de) * | 1994-11-19 | 1996-05-23 | Leybold Ag | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen |
WO1996024154A1 (en) * | 1995-02-01 | 1996-08-08 | Materials Research Corporation | Plasma noise and arcing suppressor apparatus and method for sputter deposition |
DE19702187A1 (de) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen |
DE19826297A1 (de) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Aurion Anlagentechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung von Überschlägen bei Sputterprozessen durch eine aktive Arcunterdrückung |
DE19825056C1 (de) * | 1998-06-04 | 2000-01-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Einspeisen von Elektroenergie in ein Plasma |
DE19937859C2 (de) * | 1999-08-13 | 2003-06-18 | Huettinger Elektronik Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen |
DE102008060838A1 (de) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Zounek, Alexis, Dr. | Beschichtungsverfahren, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US9147555B2 (en) | 2010-07-20 | 2015-09-29 | Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg | Arc extinction arrangement and method for extinguishing arcs |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10034895C2 (de) * | 2000-07-18 | 2002-11-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Erkennung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD221202A1 (de) * | 1983-12-15 | 1985-04-17 | Fi Manfred V Ardenne | Einrichtung zur verhinderung von ueberschlaegen beim hochratezerstaeuben |
-
1992
- 1992-09-15 DE DE4230779A patent/DE4230779C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD221202A1 (de) * | 1983-12-15 | 1985-04-17 | Fi Manfred V Ardenne | Einrichtung zur verhinderung von ueberschlaegen beim hochratezerstaeuben |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4420951C2 (de) * | 1994-06-16 | 1998-01-22 | Leybold Ag | Einrichtung zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungsanlagen |
DE4420951A1 (de) * | 1994-06-16 | 1995-12-21 | Leybold Ag | Einrichtung zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungsanlagen |
US6005218A (en) * | 1994-10-27 | 1999-12-21 | Fraunhofer-Gesellschaft Zup Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process and circuit for the bipolar pulse-shaped feeding of energy into low-pressure plasmas |
DE4438463C1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-02-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen |
DE4441206A1 (de) * | 1994-11-19 | 1996-05-23 | Leybold Ag | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen |
US5611899A (en) * | 1994-11-19 | 1997-03-18 | Leybold Aktiengesellschaft | Device for suppressing flashovers in cathode sputtering installations |
WO1996024154A1 (en) * | 1995-02-01 | 1996-08-08 | Materials Research Corporation | Plasma noise and arcing suppressor apparatus and method for sputter deposition |
US5584972A (en) * | 1995-02-01 | 1996-12-17 | Sony Corporation | Plasma noise and arcing suppressor apparatus and method for sputter deposition |
DE19702187C2 (de) * | 1997-01-23 | 2002-06-27 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen |
US6340416B1 (en) | 1997-01-23 | 2002-01-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschund E.V. | Process and system for operating magnetron discharges |
DE19702187A1 (de) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen |
DE19825056C1 (de) * | 1998-06-04 | 2000-01-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Einspeisen von Elektroenergie in ein Plasma |
DE19826297A1 (de) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Aurion Anlagentechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung von Überschlägen bei Sputterprozessen durch eine aktive Arcunterdrückung |
DE19937859C2 (de) * | 1999-08-13 | 2003-06-18 | Huettinger Elektronik Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen |
DE102008060838A1 (de) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Zounek, Alexis, Dr. | Beschichtungsverfahren, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US9147555B2 (en) | 2010-07-20 | 2015-09-29 | Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg | Arc extinction arrangement and method for extinguishing arcs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4230779C2 (de) | 1996-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0553410B1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten | |
DE19937859C2 (de) | Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen | |
EP0591675B1 (de) | Einrichtung für die Verhinderung von Überschlägen in Vakuum-Zerstäubungsanlagen | |
EP0528163B1 (de) | Einrichtung zur Unterdrückung von Lichtbögen | |
DE2932781C2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung schneller gepulster Kondensatorentladungen in einem Laser | |
WO1996013964A1 (de) | Verfahren und schaltung zur bipolaren pulsförmigen energieeinspeisung in niederdruckplasmen | |
DE19848636C2 (de) | Verfahren zur Überwachung einer Wechselspannungs-Entladung an einer Doppelelektrode | |
DE4230779C2 (de) | Anordnung zur Verhinderung von Lichtbögen in einer Vakuum-Beschichtungsanlage | |
WO1998033201A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum betreiben von magnetronentladungen | |
DE4022708A1 (de) | Aetz- oder beschichtungsanlagen | |
EP0546293B1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten | |
DE3403619C2 (de) | ||
EP0116275A2 (de) | Blindleistungskompensator | |
EP0767483B1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum | |
DE1293323B (de) | Schaltungsanordnung zur Steuerung der Spannung eines ueber einen Thyristor an eine Gleichstromquelle angeschlossenen Verbrauchers | |
DE2608436C2 (de) | Elektrische Schaltung für einen elektrostatischen Staubabscheider | |
DE112008002242B4 (de) | Verfahren und Anordnung zum redundanten Anoden-Sputtern mit einer Dual-Anoden-Anordnung | |
DE4239218C2 (de) | Anordnung zum Verhindern von Überschlägen in einem Plasma-Prozeßraum | |
DE2918426C2 (de) | ||
DE1437235B2 (de) | Transistorschaltung zum erzeugen einer hochspannung fuer die bildroehre in fernsehgeraeten | |
DE3800727A1 (de) | Geraet zur elektroerosiven bearbeitung | |
DE3131037C2 (de) | ||
DE3010541C2 (de) | ||
DE2713045A1 (de) | Speisequelle fuer schweissanlagen | |
DE1539151C (de) | Ionen-Getterpumpe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450 |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 63450 HANAU, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |