DE4223987C2 - Vorrichtung für großflächiges Ionenätzen - Google Patents
Vorrichtung für großflächiges IonenätzenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für großflächi
ges, homogenes Ionenätzen innerhalb einer Vakuumanlage,
welche einen Rezipienten mit einer Gaseinlassöffnung und
einer Gasauslassöffnung sowie eine flächenhaft ausgebil
dete, auf Massepotential befindliche Anode und eine dazu
weitgehend parallel angeordnete Kathode hat, wobei der
gegenseitige Abstand zwischen der Oberfläche der Kathode
und der Anode unterschiedlich ist.
Eine Vorrichtung der vorstehenden Art ist Gegenstand der
GB 2 026 369 A. Bei der bekannten Vorrichtung sind die
Anode und Kathode kreisförmig ausgebildet. Die Anode
trägt die Substrate. Der Querschnitt der Anode nimmt ra
dial nach außen zu, so dass der Abstand zwischen Anode
und Kathode nach außen entsprechend abnimmt. Die Gasaus
lassöffnung und Gaseinlassöffnung sind koaxial zueinan
der, zentrisch zu der Anode und Kathode angeordnet.
Die US 4,425,210 beschreibt auch schon eine Vorrichtung
zum Ionenätzen, bei der mit einer HF-Spannungsquelle ver
bundene Kathoden stufenförmige Bereiche haben, so dass
ihr jeweiliger Abstand zur Anode stufenförmig nach außen
hin abnimmt. Jeweils eine Anode und eine Kathode bilden
ein Elektrodenpaar. Die Substrate werden bei dieser Vor
richtung zwischen den Elektrodenpaaren angeordnet, so
dass sich durch die stufenförmigen Bereiche nicht der Ab
stand zwischen den Kathoden und den Substraten verändert.
Vorrichtungen, die zum Ionenätzen geeignet sind und in
nerhalb von Vakuumanlagen betrieben werden, in denen ebenso
Sputterprozesse durchführbar sind, sind beispielsweise auch aus den
Druckschriften DE 22 41 229 C2 und DE 21 49 606
bekannt.
Hier sind Vorrichtungen beschrieben, die neben der Sub
stratbeschichtung mittels Kathodenzerstäubung durch
bloßes Umpolen der Elektroden auch Ionenätzen ermög
lichen.
In der DE 22 41 229 C2 wird zum Ionenätzen von Substraten
durch eine Glimmentladung ein sogenanntes geschlossenes
System beschrieben, innerhalb dessen sich ein Plasma aus
bildet, das für den Materialabtrag auf dem Substrat er
forderlich ist und von den Elektrodenflächen weitgehend
umschlossen wird. Ein steter Gasaustausch innerhalb des
Plasmavolumens findet dabei nicht statt. Die Aufrechter
haltung eines stabilen Plasmas innerhalb der geschlossenen
Ätzkammer erfordert jedoch zum einen einen hochpräzisen
mechanischen Einschluß, d. h. eine hochgenaue gegenseitige
Anbringung der Elektrodenflächen unter Berücksichtigung
genau einzuhaltender Abstandserfordernisse und zum anderen
eine präzise Einstellung der Potentialverhältnisse zwi
schen der auf Masse liegenden Kathode, an der das zu
ätzende Substrat angebracht ist und der darüber befind
lichen Anode.
Ferner ist zum gleichmäßigen Materialabtrag von der Sub
stratfläche eine weitgehend homogene Verteilung der Plas
madichte oberhalb des Substrats notwendig. In Verbindung
mit dem herrschenden Potentialgefälle können sich aber
auch durchaus unterschiedliche Ätzraten aufgrund lokaler
Unterschiede in den für den Ätzprozeß bestimmenden Para
metern (z. B. Plasmadichte, Elektrodenabstand und Span
nungsverhältnis) auf der Substratoberfläche ausbilden.
Mit den an sich bekannten Ätzvorrichtungen, wie sie bei
spielsweise in den vorgenannten Druckschriften beschrieben
sind, können weitgehend homogene Ätzraten auf scheiben
förmigen Substratkörpern mit einem Durchmesser von bis zu
150 mm erzielt werden. Größere Substratflächen sind jedoch
mit den bisher bekannten Ätzvorrichtungen nicht in der
beschriebenen Gleichmäßigkeit ätztechnisch zu behandeln,
da insbesondere an den Substratrandbereichen eine ge
ringere Abtragerate auftritt als im Mittelbereich des
Substrats. Dies liegt hauptsächlich daran, daß sich das
Plasma an den Substratrandbereichen aufgrund von Plasma
ausflüssen erheblich verdünnt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
für großflächiges, homogenes Ionenätzen innerhalb einer
Vakuumanlage mit einem Rezipienten, der Gasein- und Gas
auslaßöffnungen aufweist, derart weiterzubilden, daß die
Aufrechterhaltung eines stabilen Plasmas innerhalb des
Rezipientengehäuses vereinfacht wird und die Gleichmäßig
keit der Abtragerate auch bei größerflächigen Substraten,
als die mit den bisher bekannten Ätzvorrichtungen bisher
handhabbaren Substrate, gewährleistet werden kann.
Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im An
spruch 1 angegeben. Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der Unteransprüche.
Erfindungsgemäß ist eine Vorrichtung für großflächiges,
homogenes Ionenätzen innerhalb einer Vakuumanlage mit
einem Rezipienten, der Gasein- und Gasauslaßöffnungen
aufweist, mit wenigstens einer flächenhaft ausgebildeten
und auf Massepotential befindlichen Anode und einer dazu
weitgehend parallel angeordneten Kathode, die als Substrathalter
vorgesehen und mit einer HF-Spannungsquelle ver
bunden ist, derart angegeben, daß die Anodenoberfläche
stufenförmige Bereiche aufweist, die jeweils unterschied
lich weit von der Kathode beabstandet sind.
Das Prinzip des Ionenätzens mittels einer Vakuumkammer
beruht darauf, daß zwischen den zwei Elektrodenflächen,
von denen die Kathode den, das Substrat tragenden, nega
tiven Pol darstellt und die Anode, die flächenhaft der
Kathode gegenüberliegend angeordnet ist, Inertgas einge
leitet wird. Zumeist handelt es sich hierbei um Argon-Gas.
Zusätzlich wird an eine der beiden Elektroden eine HF-
Hochspannung angelegt, damit das zwischen den Elektroden
eingespeiste Inertgas ionisiert wird und sich zu einem sta
tionären Plasma ausbildet. Die dabei entstehenden posi
tiven Argon-Ionen werden aufgrund elektrostatischer An
ziehung in Richtung der negativ geladenen Substratober
fläche beschleunigt und lösen beim Aufprall auf der Sub
stratoberfläche in Abhängigkeit von ihrer kinetischen Energie
und den energetischen Oberflächenverhältnissen des Sub
strats eine bestimmte Menge an Substratmaterial aus. In
einem offenen System, in dem parallel zur Substratober
fläche ein Gasstrom aufrecht erhalten wird, werden somit
die abgesputterten Substratpartikel auf der Anode abge
schieden oder, falls gasförmige Verbindungen entstehen,
werden diese aus dem Plasmavolumen in den Gasstrom ent
fernt, wodurch die chemische Zusammensetzung und damit
verbunden die elektronischen Verhältnisse innerhalb der
Plasmawolke unverändert bleiben.
Prinzipiell richtet sich die Ätzrate nach der pro Zeit auf
die Substratoberfläche auftreffenden Argonionenzahl, die
sich vornehmlich nach der Anzahl der über der Substratoberfläche
befindlichen ionisierten Argonatome richtet. Bei
gegebenem Druck des in der Anlage vorhandenen Argongases
und gegebener Hochspannung zwischen der Kathode und dem
Gegenpotential brennt nur dann ein Plasma, wenn der Ab
stand zwischen den beiden Potentialen ausreichend groß
ist. Der Grund hierfür besteht darin, daß Ionen und Elek
tronen auf dem Wege zwischen den beiden Potentialen Stöße
ausführen, bei denen neue Ionen und Elektronen erzeugt
werden. Ist die Zahl der Stöße zu klein, beispielsweise
bei zu geringem Druck oder zu geringem Abstand zwischen
den beiden Potentialen, dann ist die Ionen-Elektronen
konzentration zu gering und das Plasma erlischt.
Will man umgekehrt vermeiden, daß zwischen zwei Flächen,
von denen eine Hochspannung führt, ein Plasma brennt, so
müssen diese Flächen so nahe zusammengerückt werden, daß
nur wenig Elektronen-Ionen-Paare entstehen. Allein diese
Überlegung zeigt bereits, daß man durch Variation des
Abstandes zwischen den sich gegenüberliegenden Elektroden
einen genau einzustellenden Regelparameter besitzt, um die
Ätzrate auf der Substratoberfläche beliebig wählen zu
können.
Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des all
gemeinen Erfindungsgedankens anhand von Ausführungsbei
spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung exemplarisch
beschrieben, auf die im übrigen bezüglich der Offenbarung
aller im Text nicht näher erläuterten erfindungsgemäßen
Einzelheiten ausdrücklich verwiesen wird. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein, die erfindungsge
mäßen Elektroden aufweisendes Rezipientenge
häuse,
Fig. 2 eine Draufsicht auf die erfindungsgemäße Stufen
anode.
Fig. 3 einen weiteren Querschnitt durch ein, die
erfindungsgemäßen Elektroden aufweisendes
Rezipientengehäuse.
Die in Fig. 1 dargestellte Seitenansicht eines Rezipi
entengehäuses, in dem die erfindungsgemäßen Elektroden
angeordnet sind, weist eine mittig angeordnete, flächen
hafte Elektrode 1 auf, die über ein spezielles Hochfre
quenzanpassungsnetzwerk 5 mit einer HF-Quelle 7 mit Hoch
spannung versorgt wird. Ihr gegenüberliegend innerhalb des
Rezipientengehäuses 4 befindet sich eine stufenförmig
ausgebildete Gegenelektrode 3, die vorzugsweise auf Masse
potential liegt. Die Elektrode 1 ist dabei durch einen
Kondensator mit der HF-Quelle 7 gekoppelt, ansonsten aber
gegen Erdpotential isoliert ausgeführt, so daß die Elek
trode 1 ein gegen Erdpotential von Null verschiedenes
Potential aufweisen kann. Ferner weist die Elektrode 1
gegenüber der Elektrode 3 und dem Rezipientengehäuse 4
eine kleinere Oberfläche auf, so daß die Elektrode 1 stets
negativ vorgespannt ist, wenn ein Plasma in dem Rezipi
enten R gezündet wird. Durch ein Gaseinlaßventil 2 tritt
Argongas in das Innere des Rezipienten R ein, überströmt
dabei die Elektrodenanordnung und wird auf der gegenüber
liegenden Seite durch ein geeignet angebrachtes Gasaus
laßventil 6 durch eine entsprechende Vakuumpumpe (nicht
dargestellt) wieder abgepumpt. Der Gaseinlaß 2 in den Re
zipienten R ist durch ein zusätzlich angebrachtes Fluß
meter (ebenfalls nicht dargestellt) regelbar. Der sich im
Rezipienten R dabei einstellende Arbeitsdruck beträgt
zwischen 10-3 und 10-2 hPa. Wegen der zwischen den Elektroden
1 und 3 anliegenden Hochspannung werden die im
Zwischenraum der Elektroden befindlichen Argon-Atome
ionisiert und auf die Substratoberfläche beschleunigt.
Dort lösen sie aufgrund ihrer hohen kinetischen Energie in
Form von Stoßprozessen Substratpartikel aus. Diese Sub
stratpartikel werden entweder auf der gegenüberliegenden
Anode erneut abgeschieden oder, falls diese mit einem zu
gesetzten Reaktivgas eine gasförmige Verbindung eingehen
durch Abpumpen aus dem Rezipienten R entfernt. Der offene
Aufbau mit stetiger Gaszuführung und Gasentfernung gewähr
leistet folglich eine weitgehend konstante Gaszusammen
setzung innerhalb des Rezipienten R.
Die Stufenanordnung der Ätzanode 3 ist dabei derart kon
zipiert, daß sie in der in Fig. 1 dargestellten Ausführungs
form im Bereich des Gaseinlasses am weitesten von der
Kathode beabstandet ist, da dort die frisch in das Rezi
pientengehäuse eingeleiteten Argonatome zunächst erst
ionisiert werden müssen, damit sie zum Ätzprozeß beitragen
können. Erst nach einer Mindestverweildauer zwischen den
Elektrodenplatten werden die Argonatome durch Stoßprozesse
ionisiert, was dazu führt, daß die Argonionenkonzentration
im Bereich des Gaseinlasses geringer ist als im Bereich
des Gasauslasses. Ferner ist bekannt, daß die Ätzrate
abhängig ist von dem Arbeitsdruck, so daß bedingt durch
lokal unterschiedliche Arbeitsdrücke, z. B. im Bereich des
Gaseinlasses 2 oder -auslasses 6, unterschiedliche Ätzraten
auftreten können. Um diese genannten unerwünschten Effekte
zu vermeiden und im gesamten Bereich der Substratfläche
eine einheitliche Ätzrate zu erzielen, wird - wie bereits
beschrieben - der gegenseitige Elektrodenabstand in Be
reichen zunehmender Argonionenkonzentration verringert.
Dies führt schließlich zu einer Stufenstruktur der Ätzanode,
wie sie in Fig. 1 dargestellt ist.
Fig. 2 stellt die Draufsicht auf die erfingungsgemäße
flächenhafte Stufenstruktur der Anode dar, wie sie bei
spielsweise in Fig. 1 im Querschnitt wiedergegeben ist.
Die treppenförmige Gestaltung der Oberfläche der Anode 3
erzeugt stufenförmige Bereiche 8, die in der Fig. 2 je
weils durch "Höhenlinienzüge" voneinander getrennt sind.
Ein die quadratische Anode 3 der Kantenlänge L, um
gebender Rahmen 9 sorgt für eine geeignete Positionierung
der Anode 3 innerhalb des Rezipientengehäuses 4.
Natürlich sind davon abweichende Stufenformanordnungen
denkbar, so z. B. eine Stufenüberhöhung im Mittelbereich
der Elektrodenanordnung, die zu den Randbereichen hin
jeweils abfällt. Eine derartige erfindungsgemäße Anoden
ausgestaltung gibt Fig. 3 wieder. Man hat erkannt, daß
die Plasmaausdünnung speziell in den Randbereichen dadurch
verringert werden kann, wenn die Elektrodenbeabstandung
stufenweise zu den Randbereichen vergrößert wird. Durch
eine stufenpyramidenförmige Anodenstruktur mit beliebig
vielen Stufenbereichen 8' kann somit der Plasmaausdünnung
entgegengewirkt werden.
Grundsätzlich kann mit der erfindungsgemäßen Ausgestaltung
der Ätzanode die lokale Ätzrate durch eine Variation in
der Elektrodenbeabstandung individuell eingestellt werden.
Somit ist es zum ersten Mal möglich, quadratische Substrat
flächen mit einer Seitenlänge von bis zu 50 cm in einem
bisher unerreichbar homogenen Maße zu ätzen.
Gerade die Herstellung von Halbleiterbausteinen in großer
Stückzahl erfordert eine nach den Maßstäben der Massenproduktion
ausgelegte Prozeßführung. Um den Wechsel einer
Ätzcharge zur nächsten so schnell wie möglich vornehmen zu
können, ist die Kathode mit den an ihr befestigten Sub
straten beweglich gelagert, so daß sie in die Ätzkammer
fahrbar ist. Dies erleichtert erheblich den Substrat
wechsel und sorgt für eine weitgehend optimale Ausnutzung
der Ätzanlage, was sich letztlich kostenmindernd auf die
Produktion auswirkt.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann die Ätztechnik
derart weitergebildet werden, daß kostengünstig groß
flächige Substrate in gewünschter Weise homogen bearbeitet
werden können.
Claims (7)
1. Vorrichtung für großflächiges, homogenes Ionenätzen
innerhalb einer Vakuumanlage, welche einen Rezipienten
(R) mit einer Gaseinlassöffnung (2) und einer Gasaus
lassöffnung (6) sowie eine flächenhaft ausgebildete, auf
Massepotential befindliche Anode (3) und eine dazu weit
gehend parallel angeordneten Kathode (1) hat, wobei der
gegenseitige Abstand zwischen der Oberfläche der Kathode
(1) und der Anode (3) unterschiedlich ist, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Kathode (1) als mit einer HF-Span
nungsquelle (7) verbundener Substrathalter ausgebildet
ist, dass die Gaseinlassöffnung (2) nahe eines Randes und
die Gasauslassöffnung (6) nahe des gegenüberliegenden
Randes der Anode (3) und Kathode (1) vorgesehen ist und
zur Abstandsänderung die Oberfläche der Anode (3) stufen
förmige Bereiche (8) hat, die jeweils unterschiedlich
weit von der Kathode (1) beabstandet sind, und dass die
Vorrichtung zwei sich flächenhaft gegenüberliegende An
oden (3, 3') hat und die Kathode (1) in der Ebene mittle
ren Abstands zwischen beiden Anoden (3, 3') vorgesehen
ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Anoden (3, 3') und die Kathode (1) quadratisch
sind und eine Seitenlänge (L) von bis zu 50 cm aufweisen.
3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, dass im Bereich des Gaseinlasses (2) der
Abstand zwischen der Kathode (1) und zumindest einer An
ode (3, 3') am größten und im Bereich des Gasauslasses
(6) am geringsten ist.
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, dass der Mittenbereich zumindest einer An
ode (3, 3') stufenförmige Abschnitte (8') aufweist, die
zur Kathode (1) einen kleineren Abstand aufweisen als de
ren Randbereiche.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass der Arbeitsdruck innerhalb des Rezi
pienten 10 -3 und 10 -2 hPa beträgt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, dass die Kathode (1) zur Bestückung mit
Substraten verfahrbar angeordnet ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, dass die Kathode (1) über ein HF-Anpas
sungsnetzwerk (5) mit der HF-Spannungsquelle (7) verbun
den ist.
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