DE4213097A1 - Zuführvorrichtung für Dotierungsstoffe für eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkristallen - Google Patents
Zuführvorrichtung für Dotierungsstoffe für eine Vorrichtung zur Herstellung von SiliziumeinkristallenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung
zur Herstellung von Siliziumeinkristallen nach dem
Czochralski-Verfahren, insbesondere eine Zuführvor
richtung für Dotierstoffe zur Einstellung bzw. Anpas
sung des Dotierungsgrades der Siliziumschmelze.
Bei der Herstellung von Siliziumeinkristallen wird
häufig das sogenannte Czochralski-Verfahren (im fol
genden CZ-Verfahren genannt) eingesetzt, bei dem ein
Impfkristall in die in einem Quarzschmelztiegel be
findliche Siliziumschmelze getaucht und unter Drehung
gezogen wird.
Bei diesem Verfahren werden der Siliziumschmelze zur
Steuerung des spezifischen Widerstandes eines Silizi
umeinkristalls vorab Dotierungsstoffe, wie z. B. Phos
phor- oder Boratome zugesetzt. Die Segregationskoeffi
zienten dieser Elemente sind jedoch kleiner als 1, so
daß die Dotierungsdichte der Siliziumschmelze beim
Ziehen des Siliziumeinkristalls erhöht wird.
Dadurch steigt der Dotierungsgrad im Siliziumeinkri
stall allmählich vom Kopf zum Ende hin an, so daß der
größte Teil des Kristalls den Anforderungen an den Wi
derstand nicht entspricht.
Zur Lösung dieses Problems ist das kontinuierliche
CZ-Verfahren bekannt, bei dem unter kontinuierlicher Zu
fuhr von Siliziumausgangsmaterial in den Tiegel eine
entsprechende Dotierungsstoffmenge zugeführt wird, so
daß der Dotierungsgrad der Siliziumschmelze konstant
gehalten und der spezifische Widerstand des Silizi
umeinkristalls entlang seiner Längsrichtung gleichmä
ßig gestaltet wird.
Es sind für die Zuführung von Dotierungsstoffen be
reits Verfahren bekannt, z. B. eines, bei dem das zuzu
führende Ausgangsmaterial vorab mit einem Dotierstoff
gemischt wird oder bei einem anderen ein Siliziumstab,
der einen Dotierungsstoff enthält, in die Silizium
schmelze getaucht wird.
Diese Verfahren werfen allerdings Probleme auf, d. h.
beim ersten das der Gleichmäßigkeit des Mischens und
bei dem zweiten das der Schwankung bei der Schmelz
menge unter anderem aufgrund der Welligkeit der Sili
ziumschmelze, was eine genaue Steuerung der zugeführ
ten Dotierstoffmenge erschwert.
Zur Lösung dieser Probleme wird in dem offengelegten
japanischen Patent 2-18377 eine Vorrichtung gemäß Fig. 5
als Verfahren zur Unterteilung des Inneren eines
Schmelztiegels durch ein Quarzelement offenbart, bei
dem unter kontinuierlicher Zufuhr von Siliziumaus
gangsmaterial auf die Außenseite des Quarzelementes
eine quantitativ und periodisch entsprechende Menge
des Dotierungsstoffes der Außenseite des Quarzelemen
tes zugeführt wird.
In der Fig. 5 stellt Bezugsziffer (30) eine Vorrich
tung für die Zufuhr von Dotierungsstoffen dar, (31)
einen in Schräglage angeordneten, oben offenen Zylin
der, (32) einen Kolben, (33) eine über einen Stab (34)
mit dem Kolben (31) verbundene Antriebseinheit, (35)
ein Dotierstoffzuführrohr und (36) Dotierstoff-Sub
strate.
Die Dotierungsstoff-Zuführvorrichtung ist derart ge
staltet, daß die Chips (36), die durch Schneiden von
Siliziumscheibchen mit bekanntem Dotierungsgrad in
eine regelmäßige Form hergestellt wurden, vom Zylinder
(31) einzeln vorgeschoben werden und durch das Dotie
rungsstoff-Zufuhrrohr (35) in die Siliziumschmelze im
Materialzufuhrabschnitt fallen.
In dem US-Patent 4,696,716 wird ebenfalls eine Vor
richtung für die Zufuhr von Dotierungsstoffen offen
bart (Fig. 6 und 7), sie weist jedoch einen anderen
Aufbau auf.
Bezugsziffer (40) der Fig. 6 und 7 bezeichnet eine
Dotierstoff-Zufuhrvorrichtung mit trichterförmigem
Silo (41) und schräg angeordnetem, mit dem Silo (41)
über eine Rohrverbindungsöffnung (47) verbundenem Rohr
(42). Ein Auslaßrohr (48) des Rohrs (42) ist über
einen offenen Ablauf (43) mit dem Rohr (42) verbunden;
im Rohr (42) ist ein Kolben (44), der von einem An
triebsstab (45) angetrieben wird, angeordnet.
Wie aus Fig. 6 und 7 ersichtlich, werden in der Do
tierstoff-Zuführeinrichtung (40) kugelförmige Stücke
(46) als Dotierungsstoff eingesetzt.
Allerdings kann der Dotierstoff nur schwer in eine re
gelmäßige Form und feststehende Konzentration gebracht
werden, so daß der Dotierungsgrad schwer genau zu fas
sen ist.
Außerdem müssen die Dotierstoff-Stücke (36) der Fig.
5 für ihren Einsatz in dieser Vorrichtung nicht nur
einzeln übereinander in dem Silo (41) angeordnet
werden, sondern es muß auch ein Kolben (44) eingesetzt
werden, der dünner ist als die Dicke der Chips, und
das ist praxisfern.
Da in der Vorrichtung nach dem offengelegten japani
schen Patent 2-18377 die durch genaues Schneiden der
Siliziumscheibchen erhaltenen Siliziumchips (36) als
Dotierungsstoff eingesetzt werden, haben die Splitter
an sich eine hohe quantitative Eigenschaft, weil sie
bezüglich Konzentration und Gewicht gleich sind, und
es zudem möglich ist, daß die Chips immer einzeln her
unter fallen. Dadurch kann der Dotierungsgrad der Si
liziumschmelze exakt gesteuert werden.
Aufgrund der jüngsten Tendenz, die Länge und den
Durchmesser von Siliziumeinkristallen zu steigern, hat
sich die erforderliche Menge an Dotierungsstoff erheb
lich erhöht, so daß bei dieser Vorrichtung entweder
der Dotierungsgrad der Chips erhöht oder der Zylinder
verlängert werden muß, um diesen Anforderungen zu ent
sprechen.
Da jedoch im ersten Fall die Dotierstoff-Chips durch
Schneiden von Siliziumscheibchen hergestellt werden,
gibt es bei der Herstellung von Siliziumeinkristall
produkten mit hohem Dotierungsgrad, aus denen die
Chips geschnitten werden, ebenso eine Begrenzung wie
bei der Erhöhung der Dotierungsdichte der Chips. Zudem
kommt es bei der Anwendung von Dotierstoff-Stücken mit
hoher Konzentration zu stärkeren Schwankungen des Do
tierungsgrades der Siliziumschmelze bevor und nachdem
ein Chip eingebracht wurde, und der Kristall weist
keinen gleichmäßigen Widerstand mehr auf.
Im zweiten Fall muß, zusätzlich zur Länge des Zylin
ders, auch die Kammer mit druckreduzierter Atmosphäre
zur Unterbringung der Dotierungsstoff-Zufuhrvorrich
tung vergrößert werden, außerdem ist die den Kolben
stützende Welle kleiner als der Durchmesser des Zylin
ders oder die Größe der Chips, so daß die Festigkeit
ein neues Problem aufwirft.
Zudem ist das Stapeln und Beladen der einzelnen Do
tierstoff-Chips in den sehr langen Zylinder ausgespro
chen schwierig.
Mit der vorliegenden Erfindung werden die Mängel des
Standes der Technik überwunden. Der vorliegenden Er
findung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Einsatz in ei
ner Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkri
stallen nach dem kontinuierlichen CZ-Verfahren, bei
dem Ausgangsmaterial kontinuierlich zugeführt wird und
Siliziumeinkristalle mit einem entlang der Längsrich
tung des Kristalls gleichmäßigen Widerstand herge
stellt werden, eine Vorrichtung für die Zufuhr von Do
tierungsstoffen bereitzustellen, die außerordentlich
große Mengen dieser Dotierungsstoffe bei Bedarf und in
der erforderlichen Menge der Siliziumschmelze zuführt,
von der eigentlichen Vorrichtung entfernt werden kann
und eine kompakte Bauweise aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird daher erfindungsgemäß
eine Vorrichtung zur Zuführung von Dotierungsstoffen
für eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumein
kristallen nach dem kontinuierlichen CZ-Verfahren, bei
dem das Innere eines Schmelztiegels durch ein Quarz
element unterteilt wird, so daß der Außenseite des
Quarzelementes kontinuierlich Ausgangsmaterial und Do
tierstoff-Substrate, die durch Schneiden von
Siliziumscheibchen mit bekanntem spezifischem Wider
stand in eine regelmäßige Form erhalten werden, zuge
führt werden, bereitstellt, wobei dieser Dotierstoff-
Speiseapparat umfaßt: eine eigentliche Dotierungs
stoff-Zuführvorrichtung, eine Kassette für Dotier
stoff-Substrate, die in Schrägstellung und einfach
entfernbar auf der eigentlichen Vorrichtung angebracht
und mit einer Vielzahl von Rillen versehen ist, so daß
sie mit Zwischenstücken verschiedener Dicke und mit
den Chips beschickt werden kann, einen Kolben und eine
Kolbenantriebsvorrichtung, so daß die Dotierstoff-
Chips einzeln aus der Kassette fallen, ein Zählwerk
für die Dotierstoff-Stücke, das an der Seite eines Do
tierstoff-Zuführrohres angebracht ist, um die Anzahl
der in die Siliziumschmelze im Materialzuführbereich
gefallenen Dotierungsstoff-Stückchen zu erfassen, so
wie eine Steuereinheit für die Regelung der Zufuhrge
schwindigkeit, die Signale von einer Ausgangsmaterial-
Zufuhreinrichtung und der Zählvorrichtung für die Do
tierstoff-Stückchen zur Steuerung der Kolbenarbeit
empfängt.
Wie aus den Fig. 1 und 2 ersichtlich, weist die er
findungsgemäß eingesetzte Kassette für die Dotier
stoff-Chips zwei oder mehrere Rinnen auf, wobei die
Breite jeder Rille an einem Ende abnimmt, so daß sie
das untere Ende bildet, wenn die Kassette in die Vor
richtung eingesetzt wird, um das Herabfallen der sich
in jeder Rinne befindenden Abstandsstücke zu verhin
dern.
Zwischenstücke verschiedener Dicke sind jeweils in die
Rillen eingesetzt, die Dotierstoff-Chips sind auf je
dem der Zwischenstücke gestapelt.
Da die Kassette von der eigentlichen Apparatur ent
fernt werden kann und die obere Oberfläche der Kas
sette im Gegensatz zu dem Zylinder der in Fig. 5 dar
gestellten konventionellen Vorrichtung offen ist, wird
der Beladungsvorgang mit den Chips bedeutend verbes
sert.
Durch die Bildung einer Vielzahl von Nuten in der Kas
sette wird diese mit der Dotierstoff-Zuführvorrichtung
als Einheit in kompakter Form montiert, wobei wesent
lich mehr Chips eingesetzt werden können.
Da bei einer derartigen Vorrichtung Verschmutzung
durch Fremdkörper im Dotierungsstoff so weit wie mög
lich vermieden werden muß, kann die Kassette für die
Dotierstoff-Stücke der erfindungsgemäßen Zuführvor
richtung aus Kieselglas oder Silizium hergestellt
sein; sie kann ferner aus der eigentlichen Zuführvor
richtung für Dotierungsstoffe entfernt und somit einer
Routinesäuberung unterzogen werden.
Durch die schräge Montage der mit den Chips beladenen
Kassette auf der eigentlichen Dotierungsstoff-Zuführ
vorrichtung und langsames Antreiben des Kolbens von
der unterhalb angebrachten Antriebseinheit werden die
Chips angestoßen und fallen herunter; dabei wird die
Zahl der fallenden Stückchen von der Zählvorrichtung,
die auf dem Dotierstoffzuführungsrohr angebracht ist,
erfaßt und die Antriebseinheit bei Erreichen der ange
setzten Menge angehalten.
Bezogen auf die Dicke der eingesetzten Dotierstoff-
Chips, können zu diesem Zeitpunkt durch geeignete Aus
wahl der Dicke der jeweiligen in die Nuten eingesetz
ten Zwischenstücke die Dotierstoff-Chips nacheinander
einzeln von denjenigen in den ersten Reihen abgeworfen
werden, ohne daß Chips gleichzeitig aus den verschie
denen Rillen herunterfallen, so daß die Dotierstoff-
Stückchen exakt zugesetzt werden können.
Durch diese Bauweise können mit der erfindungsgemäßen
Zuführvorrichtung für Dotierungsstoffe außergewöhnlich
hohe Mengen an Dotierungsstoffen zugesetzt werden.
Dadurch kann bei der Herstellung von Siliziumeinkri
stallen nach dem CZ-Verfahren, bei dem das Ausgangsma
terial kontinuierlich zugeführt wird, ein Siliziumein
kristall mit in Längsrichtung des Kristalls einheitli
chem Widerstand erhalten werden, indem der Silizium
schmelze von Zeit zu Zeit die erforderliche Dotier
stoffmenge zugeführt wird.
Die erfindungsgemäße Zuführvorrichtung für Dotierungs
stoffe ist daher sehr vielseitig, hat einen einfachen
Aufbau und wird in kompakter Form eingebaut, so daß
die Vorrichtung zur Steigerung der Länge und des
Durchmessers von Kristallen eingesetzt werden kann,
ohne daß die Konstruktion des bestehenden Schmelzofens
beeinflußt wird; zudem ist die Beladung mit den Chips
durch das Einsetzen der Dotierstoff-Stückchen in die
Kassette, die abnehmbar auf der eigentlichen Dotie
rungsstoff-Zuführvorrichtung angebracht ist, einfach;
durch die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen Vorrich
tung wird eine gute Ausbeute erzielt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der beiliegen
den Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Ansicht einer Ausfüh
rungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung für die
Zuführung von Dotierungsstoffen.
Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht der erfin
dungsgemäßen Vorrichtung für die Zuführung von Dotie
rungsstoffen.
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung eines Bei
spiels einer Vorrichtung zur Herstellung von Silizi
umeinkristallen nach dem kontinuierlichen CZ-Verfah
ren, die mit der erfindungsgemäßen Zuführungsvorrich
tung für Dotierungsstoffe ausgestattet ist.
Fig. 4 ist eine grafische Darstellung, die in einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Bezie
hung zwischen dem Dickenunterschied zwischen den in
den Rillen der Kassette für die Dotierstoff-Chips be
findlichen Abstandsstücke und der Wahrscheinlichkeit
darstellt, daß Dotierstoff-Chips einzeln herunter fal
len.
Fig. 5 ist eine schematische Darstellung einer kon
ventionellen Zuführvorrichtung für Dotierungsstoffe.
Fig. 6 ist eine schematische Darstellung einer weite
ren konventionellen Zuführvorrichtung für Dotierungs
stoffe.
Fig. 7 ist eine schematische Darstellung der Zuführ
vorrichtung für Dotierungsstoffe nach Fig. 6.
Bei den Fig. 1 und 2 handelt es sich um eine sche
matische Seitenansicht bzw. eine Draufsicht auf eine
Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Zuführungsvorrichtung für Dotierungsstoffe, Fig. 3
stellt ein Beispiel einer Vorrichtung zur Herstellung
von Siliziumeinkristallen nach dem kontinuierlichen
CZ-Verfahren dar, die mit einer erfindungsgemäßen Zu
führungsvorrichtung für Dotierungsstoffe ausgestattet
ist.
Bezugsziffer (1) der Fig. 1 bis 3 bezeichnet einen
Schmelztiegel aus Quarz, der durch einen Graphittiegel
(2) gestützt wird, der seinerseits drehbar auf einem
Sockel (3) gelagert ist.
Der Quarzschmelztiegel (1) wird durch ein ringförmiges
Trennelement (4), welches ebenfalls aus Quarz herge
stellt ist, in einen Einkristallwachstumsabschnitt (A)
und einen Materialzuführungsabschnitt (B) unterteilt.
In diesem Zusammenhang ist die kleine Öffnung (5) für
den Durchfluß der Siliziumschmelze (6) zu beachten.
Bezugsziffer (7) bezeichnet einen aus der Silizium
schmelze (6) gezogenen Siliziumeinkristall, (9) eine
an der Außenseite des Graphittiegels (2) angebrachte
Heizvorrichtung und (10) eine Schmelzofenkammer.
Bezugsziffer (11) bezeichnet eine Aufgabeeinrichtung
für das Siliziumausgangsmaterial (13), welches durch
das Materialzufuhrrohr (12) in den Materialzuführungs
abschnitt (B) eingebracht wird.
Bezugsziffer (20) bezeichnet eine erfindungsgemäße
Vorrichtung für die Zufuhr von Dotierungsstoffen, (21)
eine in Schrägstellung angeordnete Kassette für die
Dotierstoff-Stücke, (22) einen Kolben, der einer Harke
entsprechend die gleiche Zahl Zinken wie die Kassette
(21) für die Dotierstoff-Chips Rillen aufweist. (23)
bezeichnet eine Antriebseinheit für den Kolben (22),
die mit diesem über eine Welle (24) verbunden ist.
Diese Bestandteile befinden sich innerhalb der Kammer
(10a) der Vorrichtung für die Zufuhr von Dotierungs
stoffen.
Bezugsziffer (26) bezeichnet Dotierstoff-Stückchen,
mit denen die Kassette (21) beladen ist. Da als Rohma
terial für die Dotierstoff-Stücke Siliziumscheibchen
verwendet werden, ist ihr Widerstand und ihre Dicke
sehr genau bekannt, zudem sind sie präzise in quadra
tische Stücke geschnitten, wodurch sie sehr einheit
lich gestaltet sind. Die Dotierungsstoff-Stücke (26)
werden durch das Zuführungsrohr (25) in den Material
zuführungsabschnitt (B) eingebracht.
Die Anzahl der zugeführten Dotierungsstoff-Chips (26)
wird von einer Zählvorrichtung (28) erfaßt.
In diesem Zusammenhang ist anzumerken, daß bei dieser
Zuführungsvorrichtung für Dotierungsstoffe die direkt
mit den Dotierstoff-Stückchen (26) in Berührung kom
menden Teile aus Materialien hergestellt sind, die zu
diesen Chips (26) eine geringe Reibung aufweisen und
keine unerwünschten Verunreinigungen verursachen, d. h.
die Kassette (21) für die Dotierstoff-Stücke ist aus
Kieselglas oder reinem Polykristall- oder Einkristall-Si
lizium und das Zuführrohr (25) aus Kieselglas herge
stellt.
Anhand der oben beschriebenen Bauweise wird im folgen
den das Verfahren für die Zuführung von Dotierungs
stoffen mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung (20) be
schrieben.
Zunächst wird der Kolben (22) zurückgezogen und die
Kassette (21) für die Dotierstoff-Chips von der ei
gentlichen Vorrichtung (20) für die Zuführung von Do
tierungsstoffen entfernt.
Die Kassette (21) weist eine Vielzahl von Nuten für
die Aufnahme der Dotierstoff-Stückchen (26) auf; die
Breite jeder Rille ist an einem Ende schmaler und
dient als unteres Ende, wenn die Kassette (21) in
schräger Stellung auf die eigentliche Vorrichtung (20)
für die Zuführung von Dotierungsstoffen angebracht
wird. Diese Breite wird derart festgelegt, daß der Ha
ken des Kolbens hindurchgeht das Zwischenstück (29)
jedoch nicht.
Die Siliziumzwischenstücke (29), die unterschiedliche
Dicken aufweisen, sind in diesen Bereichen der Rillen
entsprechend eingesetzt und die Dotierstoff-Stückchen
(26) auf diesen Abstandstücken (29) gestapelt. Danach
wird die Kassette (21) schräg auf die Vorrichtung für
die Zuführung von Dotierungsstoffen montiert.
Durch langsames Vorschieben des Kolbens (22) über die
Antriebseinheit (23) fallen die Dotierungsstoff-Chips
(26) herunter. Dabei werden die Dotierungsstoff-Chips
(26) insgesamt nach oben geschoben, so daß sie, da die
Leerstücke (29) in den jeweiligen Rillen unterschied
lich dick sind, nacheinander einzeln aus der Kassette
(21), beginnend mit den an den vorderen Enden liegen
den Chips, herausfallen. Die Chips werden in dieser
Weise in den Materialzuführungsabschnitt (B) im
Schmelztiegel (1) durch das Dotierstoff-Zuführungsrohr
(25) eingebracht.
Dabei sollten die Abstandsstücke (29) vorzugsweise so
breit wie möglich sein, solange zwischen dem Abstands
stück (29) und den Rillenwänden keine Reibung ent
steht. Die Länge jeder Seite der Dotierstoff-Stücke
(26) sollte vorzugsweise nicht weniger als 70% der
Breite der Rillen betragen und schmaler sein als die
Breite der Abstandsstücke (29), so daß die Chips rich
tig gestapelt sind und keine Reibung zwischen Chip und
Rillenwänden entsteht.
Andererseits darf der schiefe Winkel bei der Montage
der Kassette (21) für die Dotierstoff-Chips auf die
eigentliche Vorrichtung nicht kleiner als 10 Grad von
der horizontalen Ebene sein, um das Herabfallen von
Chips aufgrund von Erschütterungen und dergleichen bei
der Vorwärtsbewegung des Kolbens zu vermeiden. Der
Winkel sollte vorzugsweise 20 Grad oder mehr betragen,
wenn die Dicke der Chips nicht kleiner als 0,4 mm und
nicht größer als 0,5 mm beträgt. Damit die Chips an
den vordersten Enden aus der Kassette fallen, reicht
andererseits ein Winkel von weniger als 80 Grad aus,
da die Reibung zwischen den Chips äußerst gering ist.
Fig. 4 zeigt die Beziehung zwischen dem Dickenunter
schied der Abstandsstücke in den Rillen der die Do
tierstoff-Stücke enthaltenden Kassette (21) und der
Wahrscheinlichkeit, daß die Dotierstoff-Chips (26)
einzeln herausfallen.
Die Figur zeigt die Ergebnisse von Untersuchungen,
durchgeführt durch Beladen mit dem Dotierungsstoff.
1 mm dicke Chips (26) wurden in die zwei Nuten der Kas
sette (21) für Dotierstoff-Chips eingelegt und der
Dickenunterschied zwischen den Abstandsstücken in den
Rillen in vielfacher Weise geändert und
Dotierungsstoff-Chips zugeführt. Dabei ist anzumerken,
daß der schiefe Winkel der Kassette (21) 40 Grad und
die Geschwindigkeit der Kolben-Vorwärtsbewegung 1,5
mm/min beträgt.
Wie aus Fig. 4 ersichtlich, ist bei geringer Verände
rung der Stückdicke die Lage der Dotierstoff-Stückchen
an den vordersten Enden der jeweiligen Rillen im we
sentlichen gleich und die Wahrscheinlichkeit, daß zwei
Chips gleichzeitig herunterfallen groß, wohingegen bei
einer Schwankung der Stückdicke von 0,2 mm und mehr
die Wahrscheinlichkeit, daß die Dotierungsstoff-Chips
einzeln herunterfallen im wesentlichen 1 beträgt. Dar
aus ergibt sich, daß zur Erzielung einer genauen Ein
zelabgabe der Dotierstoff-Chips der Unterschied in der
Dicke zwischen den Abstandsstücken in den Rillen, d. h.
der Unterschied der Lage zwischen den Dotierungsstoff-
Chips, mit 0,2 mm oder mehr ausgewählt werden muß.
Wenn z. B. die Kassette (21) mit vier Rillen ausgebil
det ist und Dotierungsstoff-Stückchen von 1 mm Dicke
eingesetzt werden, wenn der Dickenunterschied zwischen
den Abstandsstücken in den Rillen mit 0,25 mm oder 1/4
der Chipdicke gewählt wird, beträgt der Unterschied
zwischen der Dicke des dünnsten Abstandsstücks plus
einem Chip sowie die Dicke des dicksten Abstandsstücks
0,25 mm, und somit erfüllen alle Abstandsstücke zuein
ander die oben beschriebene Bedingung. Anders ausge
drückt heißt das, daß die Dotierstoff-Chips sukzessive
aus den vier Rillen einzeln in regelmäßigen Abständen
herunterfallen.
Aus einem anderen Blickwinkel betrachtet: wenn die An
zahl der Rillen in der eingesetzten Kassette (21) für
die Stückchen des Dotierungsstoffs n beträgt, darf zur
Erfüllung der oben genannten Bedingung die Dicke der
Dotierstoff-Chips (26) nicht kleiner als 0,2×n mm
betragen.
Bei hoher Geschwindigkeit der Kolbenvorwärtsbewegung
erhöht sich jedoch die Wahrscheinlichkeit, daß zwei
Chips gleichzeitig herunterfallen. Die Geschwindigkeit
der Vorwärtsbewegung muß 10 mm/min oder weniger betra
gen.
Die Zahl der herunterfallenden Dotierungsstoff-Chips
(26) wird von der Zählvorrichtung (28), die an dem Zu
führrohr (25) angebracht ist, registriert und die An
triebsvorrichtung (23) angehalten, wenn die festge
legte Anzahl an Chips erreicht ist.
Die Vorwärtsbewegung und das Anhalten des Kolbens (22)
wird von einer Steuereinheit (27) für die Zufuhrge
schwindigkeit geregelt, welche von der Ausgangsmate
rial-Zufuhreinrichtung (11) und dem Zählwerk (28) Si
gnale empfängt.
Da das Zuführungsrohr (25) für die Stückchen des Do
tierungsstoffes aus Kieselglas hergestellt ist, kann
ein kompakter lichtempfindlicher Sensor als Zählwerk
(28) eingesetzt werden.
Das Dotierstoff-Zählwerk (28) sollte vorzugsweise so
hoch wie möglich am Dotierstoff-Zufuhrrohr (25) ange
bracht werden, so daß, sobald ein Dotierstoff-Chip
(26) aus der Kassette (21) herausgefallen ist, dieser
sofort gezählt und ein Signal an die Vorrichtung (27)
zur Steuerung der Zufuhrgeschwindigkeit abgegeben
wird.
Entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird die
Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkristallen
gemäß Fig. 3 eingesetzt, und die Kassette für die Do
tierstoff-Chips ist mit vier Rillen ausgebildet, die
jeweils eine Breite von 7 mm aufweisen. Nachdem die
vier jeweils 6,5 mm breiten Abstandsstücke, die jedoch
vom benachbarten Stück eine um 0,25 mm unterschiedli
che Dicke aufweisen, eingesetzt worden sind, und die
Dotierungsstoff-Chips (26), die erhalten wurden, indem
Siliziumscheiben mit einem spezifischen Widerstand von
0,01 Ωcm und einer Dicke von 1,0 mm exakt in 5×5 mm
große rechteckige Stücke geschnitten wurden, in die
Kassette geladen sind, wird diese in einem schiefen
Winkel von 40 Grad auf die eigentliche Vorrichtung
(20) für die Zufuhr von Dotierungsstoffen montiert.
Danach wird mittels der Ausgangsmaterial-Zufuhrein
richtung (11) Siliziumausgangsmaterial (13) in den Ma
terialzuführungsabschnitt (B) eingebracht und gleich
zeitig der Kolben (22) mit einer Geschwindigkeit von
1,5 mm/min vorwärts bewegt, wobei jedes Mal 594 g Si
liziumausgangsmaterial zugeführt wird und Dotierstoff-
Chips (26) einzeln herunterfallen, dadurch wird ein
Siliziumeinkristall mit einheitlicher Dotierungsdichte
und einem Widerstand von 10 Ωcm über die Gesamtlänge
hergestellt.
Dabei ist anzumerken, daß die erforderliche Anzahl an
Dotierstoff-Stückchen zum Ziehen von zwei Kristallen
mit einem Durchmesser von jeweils 15,24 cm (6 inches)
und einer Kristallänge von 1 m 180 beträgt, der Ge
samthub des Kolbens (22) beträgt etwa 45 mm.
Wenn in der konventionellen Vorrichtung gemäß Fig. 5
die gleichen Dotierstoff-Chips eingesetzt werden,
beträgt der Gesamthub des Kolbens 180 mm, und allein
der Zylinder muß etwa 200 mm lang sein. Es ist außer
ordentlich schwierig, die Chips in einen derartig lan
gen Zylinder (wie in Fig. 5 dargestellt) zu stapeln.
Da die Welle zum Vorschub des Kolbens von der An
triebseinheit bis zum vorderen Ende des Zylinders etwa
300 mm lang sein muß, und auch die Kammer, in der sich
die Welle befindet, 500 mm oder mehr Länge aufweisen
muß, wird unter Berücksichtigung der Hubhöhe der Welle
nicht nur die Vorrichtung für die Zufuhr von Dotie
rungsstoffen und die Kammer zu ihrer Aufnahme vergrö
ßert, sondern die Welle wird zudem in den Zylinder
eingeführt, was Probleme, wie unzureichende Festigkeit
aufgrund von eingeschränkter Wellendicke und Auftau
chen von Verunreinigungen wegen des Kontakts zwischen
Welle und Zylinder, aufwirft, dadurch entspricht diese
Vorrichtung für die Zufuhr von Dotierungsstoffen, wie
bereits erwähnt, nicht den Praxisbedingungen.
Dementsprechend müssen dabei Dotierungsstoff-Stücke
mit höherem Dotierungsgrad als bei der erfindungsgema
ßen Vorrichtung für die Zufuhr von Dotierungsstoffen
eingesetzt werden. Außerdem muß auch der Zeitabstand
beim Abwerfen der Chips erhöht werden, was im Gegen
satz zur erfindungsgemäßen Ausführungsform zu einer
erheblichen Schwankung im Dotierungsgrad der Silizium
schmelze führt.
In der vorliegenden Ausführungsform werden Zwischen
stücke mit einer Dickenschwankung von 0,25 mm für 1,0
mm dicke Chips eingesetzt und dadurch die Dotierstoff-
Chips einzeln abgeworfen, wenn z. B. im Hinblick auf
Konzentration und Dicke der Chips zwei der Chips paar
weise fallen sollen, können zwei Paare der
Abstandsstücke mit unterschiedlicher Dicke zusammen
als ein Paar eingesetzt werden und dadurch die Dotie
rungsstoff-Chips im wesentlichen paarweise fallen.
Dies ist eine Wirkungsweise, die bislang durch keine
konventionelle Vorrichtung erzielt wurde.
Die Wirkung, die durch Veränderung der Dicke der Ab
standsstücke erzielt wird, kann auch durch Änderung
der Dicke des Kolbens (22) in den jeweiligen Rillen
erreicht werden.
Claims (3)
1. Zuführungsvorrichtung für Dotierungsstoffe für eine
Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkristallen
nach dem Czochralski-Verfahren, bei dem das Innere
eines Schmelztiegels durch ein Quarzelement unterteilt
wird, einer Außenseite des Quarzelementes kontinuier
lich Ausgangsmaterial zugeführt wird sowie Dotier
stoff-Chips, die hergestellt werden, indem Silizium
scheiben eines bekannten Widerstandes in eine regelmä
ßige Form geschnitten werden, ebenfalls der Außenseite
mit hoher Präzision zugeführt werden, wobei die Vor
richtung für die Zuführung von Dotierungsstoffen um
faßt:
eine Kassette für Dotierstoff-Stückchen, die in schrä ger Stellung und leicht entfernbar auf einer eigentli chen Dotierstoff-Zuführvorrichtung angebracht ist, wobei diese Kassette für Dotierungsstoff-Chips eine Vielzahl von Rillen aufweist, und eine Vielzahl von Abstandsstücken mit unterschiedlicher Dicke zusammen mit den Dotierstoff-Stücken in diese Rillen gesetzt werden,
einen Kolben und eine Kolbenantriebseinheit, um die Dotierstoff-Stücke einzeln aus der Kassette für Do tierstoff-Chips abzugeben,
eine Zählvorrichtung für die Dotierstoff-Stücke, die an einem Seitenbereich eines Dotierstoff-Zuführrohres angebracht ist, um die Anzahl der in die Silizium schmelze innerhalb eines Materialzuführabschnitts ge fallenen Dotierstoff-Chips zu zählen, und
eine Steuereinheit für die Zuführgeschwindigkeit, wel che Signale von einer Ausgangsmaterial-Zufuhreinrich tung und dem Zählwerk der Dotierstoff-Chips erhält, um die Tätigkeit des Kolbens zu steuern.
eine Kassette für Dotierstoff-Stückchen, die in schrä ger Stellung und leicht entfernbar auf einer eigentli chen Dotierstoff-Zuführvorrichtung angebracht ist, wobei diese Kassette für Dotierungsstoff-Chips eine Vielzahl von Rillen aufweist, und eine Vielzahl von Abstandsstücken mit unterschiedlicher Dicke zusammen mit den Dotierstoff-Stücken in diese Rillen gesetzt werden,
einen Kolben und eine Kolbenantriebseinheit, um die Dotierstoff-Stücke einzeln aus der Kassette für Do tierstoff-Chips abzugeben,
eine Zählvorrichtung für die Dotierstoff-Stücke, die an einem Seitenbereich eines Dotierstoff-Zuführrohres angebracht ist, um die Anzahl der in die Silizium schmelze innerhalb eines Materialzuführabschnitts ge fallenen Dotierstoff-Chips zu zählen, und
eine Steuereinheit für die Zuführgeschwindigkeit, wel che Signale von einer Ausgangsmaterial-Zufuhreinrich tung und dem Zählwerk der Dotierstoff-Chips erhält, um die Tätigkeit des Kolbens zu steuern.
2. Zuführungsvorrichtung für Dotierungsstoffe nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kassette für
Dotierstoff-Stückchen auf der eigentlichen Vorrichtung
in einem schiefen Winkel von 10 Grad oder mehr von ei
ner horizontalen Ebene montiert ist.
3. Zuführungsvorrichtung für Dotierungsstoffe nach
Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kassette für die Dotierstoff-Stücke aus einem Mate
rial, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Kiesel
glas, Polykristallsilizium und Einkristallsilizium,
hergestellt ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP38809292 | 1992-04-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4213097A1 true DE4213097A1 (de) | 1993-10-21 |
Family
ID=18509894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19924213097 Withdrawn DE4213097A1 (de) | 1992-04-19 | 1992-04-21 | Zuführvorrichtung für Dotierungsstoffe für eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkristallen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4213097A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2697412A4 (de) * | 2011-04-14 | 2014-09-03 | Gt Advanced Cz Llc | Siliciumblock mit mehreren gleichmässigen dotierungsmitteln sowie verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung |
-
1992
- 1992-04-21 DE DE19924213097 patent/DE4213097A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2697412A4 (de) * | 2011-04-14 | 2014-09-03 | Gt Advanced Cz Llc | Siliciumblock mit mehreren gleichmässigen dotierungsmitteln sowie verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |