DE4212220A1 - Mikroelektronisches Bauelement - Google Patents
Mikroelektronisches BauelementInfo
- Publication number
- DE4212220A1 DE4212220A1 DE4212220A DE4212220A DE4212220A1 DE 4212220 A1 DE4212220 A1 DE 4212220A1 DE 4212220 A DE4212220 A DE 4212220A DE 4212220 A DE4212220 A DE 4212220A DE 4212220 A1 DE4212220 A1 DE 4212220A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cluster
- microelectronic component
- component according
- molecules
- microelectronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
Description
Die Erfindung betrifft ein mikroelektronisches Bauelement, bestehend aus ei
nem die elektronischen Eigenschaften des Bauelementes bestimmenden Bauelement
körper und aus mindestens zwei mit dem Material des Körpers elektrisch (und
mechanisch) verbundenen Anschlußelektroden zur elektrischen Kontaktierung
nach außen, insbesondere in einer elektronischen Schaltung.
Mikroelektronische Bauelemente sind Einzelteile elektronischer Schaltkrei
se oder Systeme, in denen sie unterschiedliche Funktionen erfüllen können,
insbesondere Erzeugung und Umwandlung elektrischer Signale, logische Funk
tionen etc. Heutzutage sind mikroelektronische Bauelemente im Regelfall
Halbleiterbauelemente, aufgebaut in Chip-Technik. Sehr verbreitet sind
heutzutage in MOS-Technik aufgebaute mikroelektronische Bauelemente. Das
Halbleitermaterial ist in der überwiegenden Mehrzahl aller Fälle Silizium
(generell zu mikroelektronischen Bauelementen "Lexikon Elektronik und Mikro
elektronik", VDI-Verlag, Düsseldorf, 1990).
Derzeit gehen modernste Forschungen dahin, in Halbleitermaterialien Elek
tronen-Quanteneffekte zu neuen Wirkungen und einer Verkleinerung der Struk
turen zu nutzen. Bekanntgeworden sind schon sogenannte Quantum-Well-Struk
turen. Das sind Strukturen, bei der eine dünne Schicht eines Halbleiters
geringen Bandabstandes zwischen dickeren Schichten eines Halbleiters höhe
ren Bandabstandes eingebettet ist. Die eingebettete Schicht beträgt weni
ge Nanometer Dicke, sie ist dünner als die freie Weglänge der Elektronen.
Die Beschränkung der Bewegung führt zu einer Quantisierung der kinetischen
Energie. Diese Quantisierung beschränkt sich aber nur auf eine Dimension,
in der Schicht können sich die Elektronen frei bewegen - ein zweidimensio
nales Elektronengas entsteht. Das Ergebnis ist eine stufenförmige Zustands
dichte des zweidimensionalen Elektronengases (Lexikon Elektronik und Mikro
elektronik aaO. Seite 677 ff.). Man versucht nun weiter, die Quantum-Well-
Strukturen mit einem zweidimensionalen Elektronengas weiter zu quantisie
ren, also die Bewegung der Elektronen in einer weiteren Raumrichtung zu be
schränken und zu quantisieren - Quantum-Wire/Quantendraht - oder gar in al
len drei Raumrichtungen - Quantum-Box/Quantenpunkt. Im Falle eines Quanten
punktes bestände die Zustandsdichte aus einer Folge von singulären Energiezu
ständen. Die Herstellung von Quantenpunkten in der Praxis ist aber bislang
noch nicht gelungen.
Bekannt sind allerdings schon Quantum-Well-Halbleiterlaser und Quantum-Well-
Transistoren (aaO. Seite 680).
Auch in großen Forschungslaboratorien versucht man derzeit mit erheblichem
Aufwand, Quantum-Well-Strukturen bis hin zu Quantenpunkt-Strukturen in Halb
leitermaterialien zu realisieren (Spektrum der Wissenschaft, Ultrarechner,
1991, Seite 28 ff.). Bei diesen Versuchen wird stets mit Halbleitermateria
lien, allerdings nicht mit Silizium, sondern mit Galliumarsenid bzw. Alu
miniumgalliumarsenid gearbeitet. Man muß hier häufig bei sehr niedrigen
Temperaturen arbeiten. Berichtet wird dabei auch über den Versuch, Quan
tenpunkte in Zeolith-Strukturen chemisch zu isolieren, man versucht dort
Clustermoleküle aus Cadmiumsulfid in Zeolith-Kammern zu isolieren. Mit
chemischen Verfahren unter Verwendung von Zeolithen kann man zwar erheb
lich kleinere Quantenpunkte durch Halbleiter-Clustermoleküle realisieren,
als mit herkömmlicher Halbleiter-Technik, die chemisch realisierten Halb
leitercluster variieren aber in der Größe und finden sich in der Zeolith-
Struktur auch nur in Abständen. Das ist für wissenschaftliche Zwecke in
teressant, in der Praxis aber noch einer Umsetzung fern.
Wie die voranstehenden Erläuterungen deutlich machen, fehlt es trotz inten
siver Forschungstätigkeit bislang an einem Vorschlag für ein wirklich in
der Praxis funktionierendes mikroelektronisches Bauelement auf der an sich
äußerst vielversprechenden Grundlage eines Quantum-Well-, Quantendraht-
oder gar Quantenpunkt-Systems. Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt,
dieses Problem einer Lösung zuzuführen.
Zum Verständnis für den Hintergrund der Erfindung darf auf die zuvor ange
sprochenen Literaturstellen verwiesen werden, deren Inhalt zum Zwecke der
Erläuterung auch zum Offenbarungsgehalt der vorliegenden Anmeldungsunter
lagen gemacht wird.
Die Erfindung besteht nun für ein mikroelektronisches Bauelement mit den
Merkmalen des Oberbegriffs von Anspruch 1 darin, daß der Bauelementkörper
aus mindestens zwei, zumeist aber einer Vielzahl von in Anlage aneinander
befindlichen Clustermolekülen aus metallischem Clusterkern und nicht-me
tallischer (isolierender), den Clusterkern nach außen abschirmender und
stabilisierender Ligandenhülle besteht.
Clustermoleküle aus metallischem Clusterkern und nicht-metallischer Ligan
denhülle sind an sich bekannt, sie sind seit langem wegen ihrer besonderen
Bindungsverhältnisse zwischen kovalenter und metallischer chemischer Bin
dung, wegen ihrer polyedrischen Strukturen und wegen ihrer Reaktivität von
erheblichem Interesse (Römpp Chemie Lexikon, 9. Auflage, Band 1, 1989, Sei
te 754, 755). Die Ligandenhülle schützt den metallischen Clusterkern davor,
sich mit dem metallischen Clusterkern benachbarter Clustermoleküle zu ver
binden, sie stabilisiert den metallischen Clusterkern, so daß Clustermole
küle mit metallischen Clusterkernen weitgehend eigenstabil sind. Besondere
Untersuchungen sind für Übergangsmetall-Clustermoleküle durchgeführt wor
den (EP-B 00 66 287), der Offenbarungsgehalt dieser vorveröffentlichten
Druckschrift wird ebenfalls zum Zwecke der Erläuterung zum Inhalt der vor
liegenden Anmeldungsunterlagen gemacht. In diesem Stand der Technik sind
insbesondere M55-Clustermoleküle untersucht worden, ihre besondere Eig
nung als Katalysatoren bei der katalytischen Hydrierung, aber auch zur
Metallbeschichtung beliebiger Oberflächen wurde festgestellt (aaO., Seite
2, Zeilen 56 bis 62, M = Au, Rh, Pt, Ru).
Wie die weiter oben gegebenen Ausführungen deutlich machen, richtet sich
der Blick aller Forscher derzeit auf Quantum-Well-Systeme mit Halbleiterma
terialien wie sie bei mikroelektronischen Bauelementen ohnehin praktisch
immer verwendet werden. Erfindungsgemäß ist demgegenüber die
Erkenntnis gewonnen worden, daß für den Bereich von Katalysatoren und zur
Metallbeschichtung ebenfalls seit längerem bekannte Clustermoleküle mit
metallischem Clusterkern und nicht-metallischer Ligandenhülle den Aufbau
mikroelektronischer Bauelemente mit verblüffenden Eigenschaften erlauben.
Erkannt worden ist dabei, daß Clustermoleküle mit metallischem Clusterkern
bei richtiger Wahl der Größe ohnehin in ihren Eigenschaften an der Grenze
zwischen Metall und Halbleiter liegen, wohingegen Clustermoleküle aus Halb
leitermaterialien nahe dem Übergang Halbleiter/Isolator in ihren Eigen
schaften anzusiedeln sind. Die gewünschten Eigenschaften mikroelektroni
scher Bauelemente erreicht man also nach erfindungsgemäßer Erkenntnis bes
ser, vielleicht überhaupt nur mit Metall-Clustermolekülen. Die Erfindung
hat ferner die Erkenntnis gewonnen, daß ein in der Größe richtig bemesse
nes Metall-Clustermolekül praktisch einen durch die Ligandenhülle tatsäch
lich isolierten und stabilisierten Quantenpunkt bildet. Diese Quantenpunk
te sind chemisch ohne weiteres herzustellen, es macht überhaupt keine be
sondere Mühe, die dazu erforderlichen Verfahren sind verfügbar (EP-B
00 66 287), ganz im Gegensatz zu den extrem schwierigen Verfahren im Be
reich der Halbleitermaterialien. Anders als bei Separierung der Cluster
moleküle in dem Netzwerk von Zeolithen liegen hier die Clustermoleküle,
da in sich stabil, ohne weiteres aneinander.
Die Tatsache, daß die Clustermoleküle, aus denen der Bauelementkörper des
erfindungsgemäßen mikroelektronischen Bauelementes aufgebaut ist, mit den
Ligandenhüllen aneinander anliegen, verhindert eine Verbindung zwischen
den metallischen Clusterkernen benachbarter Clustermoleküle, erlaubt aber
ein Durchtunneln der Ligandenhüllen durch entsprechend energiereiche bzw.
passend energiereiche Elektronen. Dies ergibt also eine Tunnelleitfähig
keit, und zwar eine quantisierte Tunnelleitfähigkeit mit einzelnen Elek
tronen, letztlich ergibt sich in einem solchen mikroelektronischen Bau
element eine Vielzahl von elektronenleitenden Quantenkanälen (Quantum-
Wires).
Mit dem erfindungsgemäßen mikroelektronischen Bauelement ist ein Durchbruch
in Richtung weiterer Miniaturisierung auf dem Gebiet der Mikroelektronik
gelungen. Gegenüber 250 nm Platzbedarf auf einem Chip für bisher bekannte
Transistorelemente hat ein mindestens aus zwei Metall-Clustermolekülen be
stehender Quantendraht nur Abmessungen von 2 bis 4 nm.
Für die weitere Diskussion des erfindungsgemäßen mikroelektronischen Bau
elementes darf zunächst auf die in Anspruch 2 angegebenen Materialien für
das Metall des Clusterkerns hingewiesen werden, insbesondere Gold er
scheint sehr passend, mit Gold sind entsprechend umfangreiche Versuche
durchgeführt und erfolgreich abgeschlossen worden. Gemäß Anspruch 3 ist
die Größe des Clustermoleküls für die Lehre der Erfindung auch von erheb
licher Bedeutung. Es ist bekannt, daß in Clustermolekülen dieser Größenord
nung die Metallatome im Clusterkern regelmäßig in dichtester Kugelpackung
vorliegen. In dichtester Kugelpackung ergibt sich eine Kugelschale von 12 Ato
men um ein inneres erstes Atom. Auf jeder weiteren Kugelschale befinden sich
dann 10 n2 + 2 Atome. Ein zweischaliges Metall-Clustermolekül ist also ein
M55-Cluster, insbesondere ein Au55-Clustermolekül hat sich als eine hervor
ragende Realisierungsmöglichkeit für ein mikroelektronisches Bauelement er
wiesen. Es liegt die Vermutung nahe, daß das nächstkleinere Au13-Clustermole
kül schon zu stark halbleitende Eigenschaften hat, um für ein mikroelektro
nisches Bauelement noch nutzbar zu sein. Größere Clustermoleküle sind ein
setzbar, erhöhen aber den Platzbedarf.
Der Clusterkern eines Au55-Clustermoleküls bildet einen dreidimensional be
grenzten Raum, in dem sich zwei freie Elektronen befinden (Pauli-Prinzip),
die genau quantisierte Energiezustände einnehmen. Das wird weiter noch ge
nauer erläutert.
Für die Ligandenhülle gilt die Erläuterung in Anspruch 4, auch darf natür
lich insgesamt auf die Literatur verwiesen werden.
Für die Abmessungen der Clustermoleküle in besonders zweckmäßiger Weise gilt
Anspruch 5.
Wesentlich ist nun, wie man den Bauelementkörper des erfindungsgemäßen mi
kroelektronischen Bauelementes überhaupt makroskopisch erstellt. Denkbar ist
zwar mikroskopisch die Verwendung von nur zwei Clustermolekülen, das ist die
minimale Anzahl, durch die ein Mikro-Quantenkanal gebildet wird. Normaler
weise wird man aber mit einer Vielzahl von Clustermolekülen arbeiten. Bei
den aus dem Stand der Technik bekannten Herstellungsverfahren gelangt man
zu Metall-Clustermolekülen in Form eines Granulats bzw. Pulvers. Man kann
diese Clustermoleküle als Schüttung in einer Aufnahmefassung aufnehmen und
entsprechend kontaktieren. Besonders zweckmäßig ist es aber, daß die Cluster
moleküle in großer Anzahl unter hohem Druck, vorzugsweise einem Druck von
mindestens ca. 108 Pa, zu einem mechanisch zusammenhängenden Bauelementkör
per verpreßt sind. Natürlich ist es zweckmäßiger, einen mechanisch zusammen
hängenden, als solchen handhabbaren Bauelementkörper zu haben. Dies ist in
Versuchen auch gelungen. Der dabei hergestellte Bauelementkörper - Preßkör
per - ist eine kleine Scheibe mit einem Durchmesser von 5 mm und einer Dic
ke von 0,379 mm. Allgemein ist es wohl zweckmäßig, daß der Bauelementkör
per, insbesondere der durch Verpressung unter hohem Druck entstandene Bau
elementkörper, maximale laterale Abmessungen - insbesondere einen Durchmes
ser - von einigen mm, vorzugsweise von 2 bis 10 mm, insbesondere von ca.
5 mm, und eine Dicke von 0,1 bis 1,0 mm, insbesondere von ca. 0,4 mm, auf
weist.
Unabhängig davon, ob man die Anschlußelektroden nach Herstellen des Bau
elementkörpers auf diesen aufbringt oder direkt beim Verpressen mit dem
Material des Bauelementkörpers verbindet, empfiehlt es sich in jedem Fall,
diese auf zwei einander gegenüberliegenden Flächen des Bauelementkörpers
anzuordnen, so daß sich zwischen den Anschlußelektroden im Bauelementkör
per die zuvor schon beschriebenen, zweckmäßigen Quantenkanäle - Reihen
von aneinander anliegenden Clustermolekülen, die jeweils einen Quantenpunkt
bilden - bilden. Durch Anlegen einer Gleichspannung an den Anschlußelektro
den fließt zunächst ein Tunnelstrom einzelner Elektronen durch die Quanten
kanäle (Gleichspannung beispielsweise 0,1 bis 5 V). Diesen Ruhestrom kann
man ohne weiteres hinnehmen. Es hat sich nun gezeigt, daß man bei richti
ger Handhabung des mikroelektronischen Bauelements den Ruhestrom, der aus
angelegter Gleichspannung resultiert und auf Tunnelstrom einzelner Eletro
nen beruht, dadurch verdoppeln kann, daß man die beiden freien Elektronen
jedes Quantenpunktes quantenmechanisch aktiviert. Das geschieht durch An
legen einer bestimmten Wechselfrequenz, es handelt sich beispielsweise bei
Raumtemperatur und einem Au55-Clustermolekül um eine Frequenz von 60 kHz,
bei der sich plötzlich der Stromfluß durch den Quantenkanal sprunghaft ver
doppelt. Überlagert man der Wechselspannung nochmals eine Gleichspannung,
kann man damit die Frequenz - Resonanzfrequenz/Schaltfrequenz - verändern.
Mit einem erfindungsgemäßen mikroelektronischen Bauelement kann man also,
wie zuvor beschrieben, einen auf einem quantenmechanischen Tunneleffekt
basierenden Widerstand realisieren, der sich in einer Resonanz sprunghaft
halbiert, - Tunnelresonanzwiderstand. Die erfindungsgemäß angestellten Ver
suche haben aber weiter gezeigt, daß man die zwischen den Anschlußelektro
den im Bauelementkörper ausgebildeten Quantenkanäle aus Clustermolekülen
durch Querspannungen steuern kann, wodurch parallele Quantenkanäle quer
zur Haupt-Stromrichtung miteinander wechselwirken können, und zwar in ex
tern beeinflußbarer Weise.
Man kann zweckmäßigerweise die Anschlußelektroden und ggf. auch die entspre
chenden Steuerelektroden als Raster aus einzelnen, voneinander separierten
Mikroelektroden ausführen. Versuche haben gezeigt, daß bei hinreichendem
lateralen Abstand der Mikroelektroden voneinander die zwischen den einan
der gegenüberliegenden Mikroelektroden eröffneten Quantenkanäle sich gegen
seitig kaum oder gar nicht beeinflussen. Man könnte also mit dem erfindungs
gemäßen mikroelektronischen Bauelement auf einer minimalen Oberfläche eine
extrem große Anzahl von jeweils für sich steuerbaren Tunnelresonanzwiderstän
den realisieren. Nutzt man die Wechselwirkungen einander benachbarter Quan
tenkanäle aus, so gelangt man zum Prinzip eines "zellulären Automaten" (siehe
Spektrum der Wissenschaft, aaO., Seite 38, rechte Spalte). Das macht sich die
Tatsache zunutze, daß im erfindungsgemäß realisierten Bauelementkörper die
Clustermoleküle als solche auch wieder in dichtester Kugelpackung vorliegen
(jedenfalls dann, wenn man mit den hohen Preßdrücken gemäß Anspruch 7 arbei
tet) und daher im Prinzip jedes Clustermolekül mit seinen zwölf nächsten
Nachbarn zur Anlage kommt. Man nennt dies "massive Parallelität", ein Effekt,
den man dann besonders nutzen kann, insbesondere wenn man weitere Steuerelek
troden zusätzlich zu den Anschlußelektroden realisiert.
Ein wesentlicher Vorzug des erfindungsgemäßen mikroelektronischen Bauelemen
tes liegt darin, daß es bei Raumtemperatur betrieben werden kann, man also
eine volle mikroelektronische Funktionsfähigkeit hat, ohne auf Tiefsttem
peraturen gehen zu müssen.
Im Grundsatz kann man davon ausgehen, daß man mikroelektronische Bauelemente
auf der erfindungsgemäßen Grundlage der Metall-Clustermoleküle mit einem wei
ten Bereich von Metallen mit einer geeigneten chemischen Schutzhülle - Li
gandenhülle - realisieren kann. Die Clusterkerne können im Prinzip zwischen
13 und mehr als 1000 Atomen aufweisen, wobei ein unter allen Aspekten be
sonderer Schwerpunkt mit besonders vorteilhaften Eigenschaften wohl beim
zweischaligen M55-Cluster liegen dürfte.
Ein erfindungsgemäß hergestellter Preßkörper als Bauelementkörper hat bei
den angegebenen Preßdrücken und auf der Grundlage eines Au55-Clusters eine
Dichte von ca. 3,3 bis 3,7 g/cm3, sehr nahe an dem theoretisch ermittelten
Wert für die dichteste Kugelpackung in diesem Fall. Es arbeitet bei Raumtem
peratur, aber auch bei tieferen Temperaturen, wobei Verunreinigungen in der
Probe von unwesentlicher Bedeutung sind, da sich für die Quantenkanäle bei
Auftreten von Verunreinigungen Umweg-Pfade eröffnen, ohne daß sich der Wider
stand erhöht. Das ist überhaupt ein wesentliches Charakteristikum des erfin
dungsgemäßen mikroelektronischen Bauelementes, da nämlich die Leitfähigkeit
eines einzelnen Clustermoleküls gleich der Leitfähigkeit des gesamten Quan
tenkanals ist. Dadurch ist diese sprunghafte Verdoppelung des Tunnelstroms
bei Erreichen einer Resonanzfrequenz und der so verursachten Nutzung des
zweiten Elektrons für Leitungszwecke zu erklären.
Anhand der Zeichnung soll die Lehre der Erfindung nachfolgend in Ausführungs
beispielen noch kurz erläutert werden. Fig. 1 zeigt mikroelektronische Bau
elemente erfindungsgemäßen Aufbaus in verschiedenen äußeren Gestaltungsfor
men (a, b, c, d), während Fig. 2 einerseits den kleinsten "Quantenkanal" mit
zwei Clustermolekülen (a), andererseits einen realistischen Quantenkanal in
einem Bauelementkörper (b) zeigt.
Das in Fig. 1 schematisch dargestellte elektronische Bauelement besteht aus
einem die mikroelektronischen Eigenschaften bestimmenden Bauelementkörper 1
in Blockform, auf dessen Ober- und Unterseite sich jeweils eine mit dem Ma
terial des Bauelementkörpers 1 elektrisch und mechanisch verbundene Anschluß
elektrode 2 findet. Nur die obere Anschlußelektrode 2 ist hier zu sehen. Die
Anschlußelektroden 2 dienen zur elektrischen Kontaktierung, sei es zu Meß
zwecken, sei es, in der Praxis, nach außen hin in eine elektronische Schal
tung. Wesentlich ist nun, daß der Bauelementkörper 1 aus einer Vielzahl
von in Anlage aneinander befindlichen Clustermolekülen 3 aus metallischem
Clusterkern 4 und nicht-metallischer Ligandenhülle 5 besteht. Zwei solcher
Clustermoleküle 3 sind in Fig. 2a schematisch dargestellt. Sie bilden ge
meinsam einen (den minimalen) Quantenkanal 6, angedeutet in Fig. 1b sind die
parallel zwischen den Anschlußelektroden 2 verlaufenden, durch die angeleg
te Spannung eröffneten Quantenkanäle 6.
Das dargestellte Ausführungsbeispiel befaßt sich mit einem Clusterkern 4
der Clustermoleküle 3 aus Atomen eines Übergangsmetalls, nämlich hier aus
Gold (Au). Diese Atome liegen im Clusterkern 4 in dichtester Kugelpackung vor,
und zwar hier zweischalig, 55 Metallatome. Das scheint nach den bisherigen
Untersuchungen ein besonders zweckmäßiger Clusterkern 4 zu sein (siehe auch
EP-B 00 66 287 hinsichtlich der Herstellung von Clustermolekülen dieser Grö
ßenordnung). Beispiele eines M309- und M561-Clustermoleküls sind Pt309 phen36
O30 und Pd561 phen36 O200. Die Ligandenhülle 5 der Clustermoleküle 3 ist in
an sich bekannter Weise aus Phosphanmolekülen PR3 und Chloratomen aufgebaut
(Formel Au55 [P(C6H3)3]12 Cl6), sie dient der Isolierung gegenüber Ionenlei
tung, der Abtrennung der Clusterkerne 4 benachbarter Clustermoleküle 3 von
einander und der mechanischen Stabilisierung der jeweiligen Clustermoleküle 3
für sich.
Das in Fig. 2a schematisch dargestellte Clustermolekül 3 hat einen Außen
durchmesser von ca. 2 nm, bei einem Kerndurchmesser von ca. 1,4 nm.
Während sich in Fig. 1a ein blockartiger Preßling aus Clustermolekülen 3
zeigt, der in der in den Ansprüchen erläuterten Weise hergestellt ist, zei
gen die Fig. 1b, c und d einen scheibenförmigen Bauelementkörper 1. Ein
zweckmäßiger Durchmesser wäre beispielsweise 5 mm bei einer Dicke von ca.
0,38 mm. Die Anschlußelektroden 2 sind dabei auf den einander gegenüberlie
genden Flächen des Bauelementkörpers 1 angeordnet, im in den Fig. 1c und d
dargestellten Ausführungsbeispielen sind die Anschlußelektroden 2 als Ra
ster aus einzelnen, separierten Mikroelektroden ausgeführt. Das hat die in
der voranstehenden Beschreibung schon erläuterte Ausbildung zueinander paral
lele Quantenkanäle 6 zwischen den einzelnen Mikroelektroden oder einer Reihe
von Mikroelektroden zur Folge.
Fig. 2b zeigt einen solchen Quantenkanal 6 aus Clustermolekülen 3, woraus
sich ohne weiteres erkennen läßt, daß ein Quantenkanal 6 nicht ohne weite
res geradlinig hintereinander bzw. aufeinander liegende Clustermoleküle 3
haben muß. Im Regelfall wird ein Quantenkanal 6 eher einen Verlauf wie in
Fig. 2b aufweisen, was aber für die physikalischen Eigenschaften nichts aus
macht.
Fig. 1d zeigt zusätzlich zu den Anschlußelektroden 2 noch Steuerelektroden 7,
durch die eine Steuerspannung quer zur Anschlußspannung über die Anschluß
elektroden 2 an den Bauelementkörper 1 angelegt werden kann, so daß die
Quantenkanäle 6 in Querrichtung beeinflußt werden. Schon mit dem Ausführungs
beispiel nach Fig. 1c kann man Querströme zwischen den Quantenkanälen 6 auf
bauen und ausnutzen, schon damit ergibt sich die weiter oben erläuterte "mas
sive Parallelität" der Quantenpunkte. Schon damit ist das Funktionsprinzip
eines "zellulären Automaten" realisierbar. Besonders zweckmäßig geht das
aber in der Beeinflussung der Querströme natürlich mit den zusätzlichen
Steuerelektroden 7 im Ausführungsbeispiel nach Fig. 1d. Dadurch lassen sich
auf extrem kleinem Raum eine ungeheure Vielzahl von parallelen Kanälen
steuern, so daß sich beispielsweise der Gesamt-Stromfluß über das mikroelek
tronische Bauelement gemäß der Erfindung steuern läßt oder andere, auch
nichtlineare Effekte erzielt werden können.
Wesentlich ist, daß sich das mikroelektronische Bauelement gemäß der Erfin
dung nicht nur bei tiefen Temperaturen betreiben läßt, sondern auch und be
sonders bei Raumtemperatur. Man muß noch nicht einmal von der Umgebungsat
mosphäre her besondere Voraussetzungen schaffen, wenngleich eine Inertgas
atmosphäre für den Betrieb vorteilhaft ist.
Claims (14)
1. Mikroelektronisches Bauelement bestehend aus einem die elektronischen Ei
genschaften des Bauelementes bestimmenden Bauelementkörper (1) und aus min
destens zwei mit dem Material des Körpers elektrisch (und mechanisch) ver
bundenen Anschlußelektroden (2) zur elektrischen Kontaktierung nach außen,
insbesondere in einer elektronischen Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß
der Bauelementkörper (1) aus mindestens zwei, zumeist aber einer Vielzahl
von in Anlage aneinander befindlichen Clustermolekülen (3) aus metallischem
Clusterkern (4) und nicht-metallischer (isolierender), den Clusterkern (4)
nach außen abschirmender und stabilisierender Ligandenhülle (5) besteht.
2. Mikroelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Clusterkern (4) der Clustermoleküle (3) aus Atomen eines Übergangs
metalls, vorzugsweise von Silber (Ag), Gold (Au), Kobalt (Co), Palladium (Pd),
Platin (Pt), Rhodium (Rh), Ruthenium (Ru), insbesondere von Gold (Au), be
steht.
3. Mikroelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Atome im Clusterkern (4) der Clustermoleküle (3) in dichtester
Kugelpackung zweischalig vorliegen, also M55 (55 Metallatome)-Cluster bilden,
ggf. auch größer sind und z. B. M147-, M309- oder M561-Cluster bilden.
4. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ligandenhülle (5) der Clustermoleküle (3) aus Phos
phanmolekülen und Chloratomen aufgebaut ist.
5. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Clustermoleküle (3) einen Außendurchmesser von ca.
2 nm, mit einem Durchmesser des Clusterkerns (4) von ca. 1,2 bis 1,6 nm, ins
besondere von ca. 1,4 nm, aufweisen.
6. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Clustermoleküle (3) als Schüttung in einer Aufnahme
fassung entsprechender Größe aufgenommen sind und so den Bauelementkörper (1)
bilden und die Anschlußelektroden (2) die Schüttung in der Aufnahmefassung
kontaktieren.
7. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Clustermoleküle (3) in großer Anzahl unter hohem
Druck, vorzugsweise einem Druck von mindestens ca. 108 Pa, zu einem mecha
nisch zusammenhängenden Bauelementkörper (1) verpreßt sind.
8. Mikroelektronisches Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Anschlußelektroden (2) durch das Verpressen mit dem Material des Bau
elementkörpers (1) gleichzeitig kontaktiert sind.
9. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, insbeson
dere nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Bauele
mentkörper (1), insbesondere der durch Verpressung unter hohem Druck entstan
dene Bauelementkörper (1), maximale laterale Abmessungen - insbesondere ei
nen Durchmesser - von einigen mm, vorzugsweise von 2 bis 10 mm, insbesondere
von ca. 5 mm, und eine Dicke von 0,1 bis 1,0 mm, insbesondere von ca. 0,4 mm,
aufweist.
10. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anschlußelektroden (2) auf einander gegenüberliegen
den Flächen des Bauelementkörpers (1) angeordnet sind.
11. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anschlußelektroden (2) als Raster aus einzelnen, vor
zugsweise voneinander separierten Mikroelektroden ausgeführt sind.
12. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß zusätzlich zu den Anschlußelektroden (2) weitere, vorzugs
weise quer dazu angeordnete Steuerelektroden (7), insbesondere auch als Raster
angeordnet, vorgesehen sind.
13. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß im Betrieb an die Anschlußelektroden (2) Spannungen un
terschiedlicher Frequenz anlegbar sind.
14. Mikroelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das Bauelement bei Raumtemperatur und, vorzugsweise, in
einer Inertgasatmosphäre betrieben wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4212220A DE4212220C3 (de) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Verwendung einer Anordnung aus Clustermolekülen als mikroelektronisches Bauelement |
DE4242367A DE4242367A1 (de) | 1992-04-09 | 1992-12-15 | Mikroelektronisches Bauelement |
US08/041,239 US5350930A (en) | 1992-04-09 | 1993-03-31 | Cluster compound microelectronic component |
JP5083445A JPH0715002A (ja) | 1992-04-09 | 1993-04-09 | マイクロエレクトロニクス構成素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4212220A DE4212220C3 (de) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Verwendung einer Anordnung aus Clustermolekülen als mikroelektronisches Bauelement |
DE4242367A DE4242367A1 (de) | 1992-04-09 | 1992-12-15 | Mikroelektronisches Bauelement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4212220A1 true DE4212220A1 (de) | 1993-10-14 |
DE4212220C2 DE4212220C2 (de) | 1994-03-10 |
DE4212220C3 DE4212220C3 (de) | 2000-05-04 |
Family
ID=25913871
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4212220A Expired - Fee Related DE4212220C3 (de) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Verwendung einer Anordnung aus Clustermolekülen als mikroelektronisches Bauelement |
DE4242367A Withdrawn DE4242367A1 (de) | 1992-04-09 | 1992-12-15 | Mikroelektronisches Bauelement |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4242367A Withdrawn DE4242367A1 (de) | 1992-04-09 | 1992-12-15 | Mikroelektronisches Bauelement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5350930A (de) |
JP (1) | JPH0715002A (de) |
DE (2) | DE4212220C3 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4401442C1 (de) * | 1994-01-19 | 1995-03-23 | Siemens Ag | Mikroelektronisches Bauelement |
DE19621994C1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-06-12 | Siemens Ag | Einzelelektron-Speicherzellenanordnung |
DE19738115C1 (de) * | 1997-09-01 | 1999-03-18 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit Einzelelektron-Bauelementen, Verfahren zu deren Betrieb und Anwendung des Verfahrens zur Addition von Binärzahlen |
DE19820050C1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-03-25 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit Einzelelektron-Bauelementen und Verfahren zu deren Betrieb |
EP1748501A1 (de) * | 2005-07-26 | 2007-01-31 | Universität Duisburg-Essen | Mikroelektronisches Bauelement |
US7602069B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-10-13 | Universität Duisburg-Essen | Micro electronic component with electrically accessible metallic clusters |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5742071A (en) * | 1991-10-15 | 1998-04-21 | Hitachi, Ltd. | Wiringless logical operation circuits |
JP3500541B2 (ja) * | 1994-02-15 | 2004-02-23 | 富士通株式会社 | 単電子トンネル接合装置の製造方法 |
JP3560384B2 (ja) * | 1995-04-06 | 2004-09-02 | 富士通株式会社 | パラメトリック発振器を用いた論理ネットワーク |
US6107243A (en) * | 1996-09-09 | 2000-08-22 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Cluster-included material |
DE19704479A1 (de) * | 1997-02-06 | 1998-08-13 | Cerdec Ag | Dekorpräparat zur Herstellung goldhaltiger Dekore und deren Verwendung |
US7057214B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-06-06 | Optiswitch Technology Corporation | Light-activated semiconductor switches |
US20050218394A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Gunther Schmid | Micro electronic component |
DE102004050176A1 (de) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | Universität Duisburg-Essen | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen durch Photonen |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0066287B1 (de) * | 1981-06-03 | 1986-09-10 | Wacker-Chemie GmbH | Übergangsmetall-Komplexverbindungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE4102573A1 (de) * | 1990-02-22 | 1991-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur herstellung einer quantenwannenstruktur |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3893148A (en) * | 1974-02-25 | 1975-07-01 | Us Navy | Layered superlattic switching and negative resistance devices |
US5032877A (en) * | 1984-07-02 | 1991-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Quantum-coupled ROM |
JP2584811B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-02-26 | キヤノン株式会社 | 非線形光学素子 |
US5037732A (en) * | 1989-08-28 | 1991-08-06 | Eastman Kodak Company | Photographic emulsions containing internally modified silver halide grains |
JP3124305B2 (ja) * | 1991-03-20 | 2001-01-15 | 富士通株式会社 | 光信号波長選択方法および光波長フィルタ |
US5253258A (en) * | 1991-10-17 | 1993-10-12 | Intellectual Property Development Associates Of Connecticut, Inc. | Optically encoded phase matched second harmonic generation device and self frequency doubling laser material using semiconductor microcrystallite doped glasses |
-
1992
- 1992-04-09 DE DE4212220A patent/DE4212220C3/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-15 DE DE4242367A patent/DE4242367A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-03-31 US US08/041,239 patent/US5350930A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-09 JP JP5083445A patent/JPH0715002A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0066287B1 (de) * | 1981-06-03 | 1986-09-10 | Wacker-Chemie GmbH | Übergangsmetall-Komplexverbindungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE4102573A1 (de) * | 1990-02-22 | 1991-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur herstellung einer quantenwannenstruktur |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
DE-Buch: Lexikon Elektronik und Mikroelektro- nik, VDI-Verlag Düsseldorf, 1990, S. 677-683 * |
DE-Buch: Römpp Chemie Lexikon, 9. Aufl., Bd. 1, 1989, S. 754/755 * |
DE-Z.: Spektrum der Wissenschaft, 1991, Sonder- heft 11 Ultrarechner, S. 28-38 * |
US-Z.: J. Vac. Sci. Techn. B, Bd. 8, 1990, S. 242-245 * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4401442C1 (de) * | 1994-01-19 | 1995-03-23 | Siemens Ag | Mikroelektronisches Bauelement |
EP0664569A1 (de) * | 1994-01-19 | 1995-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikroelektronisches Bauelement |
JPH07240509A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-09-12 | Siemens Ag | マイクロ電子デバイス |
US5540977A (en) * | 1994-01-19 | 1996-07-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Microelectronic component |
DE19621994C1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-06-12 | Siemens Ag | Einzelelektron-Speicherzellenanordnung |
DE19738115C1 (de) * | 1997-09-01 | 1999-03-18 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit Einzelelektron-Bauelementen, Verfahren zu deren Betrieb und Anwendung des Verfahrens zur Addition von Binärzahlen |
US6307422B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-10-23 | Infineon Technologies Ag | Circuit configuration having single-electron components, a method for its operation and use of the method for addition of binary numbers |
DE19820050C1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-03-25 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit Einzelelektron-Bauelementen und Verfahren zu deren Betrieb |
US6320447B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-11-20 | Infineon Technologies Ag | Circuit configuration with single-electron components, and operating method |
US7602069B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-10-13 | Universität Duisburg-Essen | Micro electronic component with electrically accessible metallic clusters |
EP1748501A1 (de) * | 2005-07-26 | 2007-01-31 | Universität Duisburg-Essen | Mikroelektronisches Bauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4212220C2 (de) | 1994-03-10 |
US5350930A (en) | 1994-09-27 |
DE4242367A1 (de) | 1994-06-16 |
DE4212220C3 (de) | 2000-05-04 |
JPH0715002A (ja) | 1995-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4212220C2 (de) | Mikroelektronisches Bauelement | |
DE3721799C2 (de) | Integrierte Redox-Bauelementschaltung und Verfahren zum Herstellen | |
DE2542518C3 (de) | ||
DE60010505T2 (de) | Festelektrolytkondensatoren und deren herstellungsverfahren | |
DE1789084A1 (de) | Duennschicht-Verknuepfungsglied und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2911660C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE3413829C2 (de) | ||
DE102005018344B4 (de) | Herstellungsverfahren für rekonfigurierbare Verbindung | |
DE3140348A1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen herstellung mehrfacher elektrischer verbindungen, insbesondere zum elektrischen anschluss eines halbleiterbauelementes | |
EP1595266B1 (de) | Quantenpunkt aus elektrisch leitendem kohlenstoff, verfahren zur herstellung und anwendung | |
DE1614389B2 (de) | Feldeffekt halbleiterbauelement | |
DE1806835A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2806099A1 (de) | Halbleiter-baugruppe | |
DE102004028927B4 (de) | Beschleunigungssensor | |
DE2720474A1 (de) | Fuehler zum abfuehlen der konzentration einer spezies in einem fluid | |
DE1573720A1 (de) | Elektro-mechanischer Wandler | |
EP0664569A1 (de) | Mikroelektronisches Bauelement | |
DE1275221B (de) | Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes | |
DE3035933A1 (de) | Pyroelektrischer detektor sowie verfahren zur herstellung eines solchen detektors | |
DE2438832C3 (de) | Festbett- oder Fließbett-Elektrodensystem | |
DE2445659A1 (de) | Metalloxyd-varistor mit einer passivierenden beschichtung | |
DE19710375C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von räumlich strukturierten Bauteilen | |
EP0363679A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils | |
DE3702780A1 (de) | Integrierte Varistor-Schutzvorrichtung zum Schutz eines Elektronikbauteils gegen die Wirkungen von elektromagnetischen Feldern oder statischen Ladungen | |
DE3151891A1 (de) | Halbleiter-sensor fuer die messung der konzentration von teilchen in fluiden |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8380 | Miscellaneous part iii |
Free format text: SPALTE 6, ZEILE 64, DIE FORMEL LAUTET RICHTIG: "AU(PFEIL ABWAERTS)5(PFEIL ABWAERTS)(PFEIL ABWAERTS)5(PFEIL ABWAERTS) (P(C(PFEIL ABWAERTS)6(PFEIL ABWAERTS)H(PFEIL ABWAERTS)5(PFEIL ABWAERTS))(PFEIL ABWAERTS)3(PFEIL ABWAERTS))(PFEIL ABWAERTS)1(PFEIL ABWAERTS)(PFEIL ABWAERTS)2(PFEIL ABWAERTS) CL(PFEIL ABWAERTS)6(PFEIL ABWAERTS))," |
|
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
D4 | Patent maintained restricted | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |