DE4139245A1 - Mikrowellenschlitzantennen - Google Patents

Description

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung findet sowohl Verwendung bei der Herstel­ lung von flachen Satelliten-, Richtfunk- und Luftfahrt­ antennen im GHz-Bereich, bei denen es auf einen großen Gewinn bei kleinen und kompakten Abmessungen, eine flache Anordnung, Verwendung von mehreren Polarisationsarten gleichzeitig und eine zur Antennengrundflächennormalen mechanisch ohne Gewinnverlust neigbare Strahlungskeule ankommt, als auch Verwendung bei kompakten, in den mecha­ nischen Abmessungen kleinen und leistungsmäßig hochbe­ lastbaren C- und D-Netzantennen sowie Antennen des D- Nachfolgenetzes im Bereich von 1800 MHz.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik

Es sind Antennenanordnungen bekannt, mit denen in ver­ schiedenen Anwendungsfällen versucht wird, die her­ kömmlichen Spiegel im Mikrowellenbereich abzulösen. Dieses Ziel ist bisher nur im Ansatz gelungen, obwohl von der Antennentheorie her eine Flachantenne einen wesentlich höheren Flächenwirkungsgrad haben kann als ein Parabolspiegel. Generell muß dabei ein Antennenein­ zelelement gefunden werden, das bei flacher und einfacher Bauweise einen möglichst großen Gewinn liefert, zwei or­ thogonale lineare oder zwei orthogonale zirkulare Polari­ sationen erlaubt sowie sich mit weiteren Elementen dieser Art durch eine planare Schaltung zu einem Array HF-ver­ lustarm und breitbandig verbinden läßt.

Elemente mit den dazugehörigen Arrays bei Gewähr­ leistung einer Polarisationsart (linear vertikal, linear horizontal, zirkular rechts oder zirkular links) sind im Europäischen Patent Nr. 03 84 780 Int.-Cl. H01Q 21/06 dargestellt. In diesem Fall handelt es sich um eine Rund­ schlitzantenne mit Reflektor und relativ breitbandigen Einzelelementen, die zur Erreichung von 36-37 dBi Ge­ winn eine Array-Größe von 75... 80 cm mal 75... 80 cm bei nur einer Polarisationsart erfordern würde, so daß diese Antennenart für entsprechende Parabolspiegel technisch keine Konkurrenz darstellt.

Ein weiteres Element mit einem höheren Gewinn, das sich zu einem Array zusammenschalten läßt, ist das Microstrip­ element, z. B. dargestellt im Europäischen Patent Nr. 03 77 999 Int.-Cl. H01Q 21/06. Im Array ergeben sich hier Wellenleitungsverlustprobleme, die dazu führen, daß ab einer bestimmten Array-Größe bei weiterer Vergrößerung der Antennenfläche kein Gewinnzuwachs mehr zu verzeichnen ist. Auch hier ist nur eine Polarisationsart auf einer Fläche herstellbar.

Durch Kombination einer Triplateleitung mit einem Microstripstrahlerelement, das dadurch zu einem kombi­ nierten Microstrip-/Schlitzstrahlerelement wird, kann man die Wellenleiterverlustprobleme weitgehend beseitigen. Dies wird in den Europäischen Patenten Nr. 03 12 989 Int.- Cl. H01Q 21/06 und Nr. 03 01 580 Int.-Cl. H01Q 21/06 durchgeführt. Mit diesen Strahlerelementen, die einen höheren Gewinn als die im Europäischen Patent Nr. 03 84 780 Int.-Cl. H01Q 21/06 besitzen und denen im Euro­ päischen Patent Nr. 03 77 999 Int.-Cl. H01Q 21/06 gleich­ wertig sind, kommt der Flächenwirkungsgrad eines solchen Arrays in die Nähe eines gleich großen Spiegels. Eine solche Antenne besitzt aber immer noch nur eine Polarisa­ tionsart.

Eine Möglichkeit der Steigerung des Gewinns eines Microstripstrahler- oder eines kombinierten Microstrip-/ Schlitzstrahlerelementes bei Ermöglichung ebenfalls nur einer Polarisationsart wird im Europäischen Patent Nr. 02 71 458 Int.-Cl. H01Q 21/06 gezeigt. Hier wird dem primär angeregten Microstripstrahler- oder kombinierten Microstrip-/Schlitzstrahlerelement eine weitere metalli­ sierte Strahler- oder Direktorenfläche in der Art der Microstripstrahler vorgesetzt. Diese Anordnung liefert zwar einen gesteigerten Gewinn gegenüber den Elementen in den Europäischen Patenten Nr. 03 12 989 Int.-Cl. H01Q 21/06 sowie Nr. 03 01 580 Int.-Cl. H01Q 21/06 und ermög­ licht damit im Array eine kleinere Größe als ein gewinn­ gleichwertiger Parabolspiegel, ist aber durch die Erzeu­ gung nur einer Polarisationsart und durch die Verwendung weiterer teurer Leiterplattenbasismaterialfolien mit leitfähiger Beschichtung und deren notwendige Bearbeitung gegenüber einem gleichwertigen Parabolspiegel uneffektiv.

Die Möglichkeit der Steigerung des Gewinns einer Recht­ eckschlitzantenne unter Verwendung vorgesetzter metalli­ sierter Strahlerflächen in der Art der Microstripstrahler wurde im US-Patent 48 47 625 Int.-Cl. H01Q 01/38 darge­ stellt. Dieser Aufbau ist der im Europäischen Patent Nr. 02 71 458 Int.-Cl. H01Q 21/06 gezeigten Anordnung etwa gleichwertig und liefert gegenüber dem einfachen Recht­ eckschlitzstrahler einen gesteigerten Gewinn aber auch nur in einer Polarisationsart und unter Verwendung weiterer teurer Leiterplattenbasismaterialfolien mit entsprechender leitfähiger Beschichtung.

Elemente mit den dazugehörigen Arrays zur Erzeugung zweier Polarisationsarten (entweder linear vertikal und linear horizontal oder zirkular rechts und zirkular links) werden im Europäischen Patent Nr. 02 52 779 Int.- Cl. H01Q 21/06 benutzt. In diesem Patent handelt es sich um eine Rundschlitzantenne mit Reflektor und zwei HF- Verteilerebenen. Auch diese Antenne würde, allerdings im Gegensatz zum Europäischen Patent Nr. 03 84 780 Int.-Cl. H01Q 21/06 unter Gewährleistung von zwei Polarisations­ arten im Vergleich zu einem gewinngleichwertigen Parabol­ spiegel zu groß werden. Außerdem wird es Anpassungspro­ bleme der einzelnen Rundschlitzstrahler der beiden Ebenen untereinander geben, die mit dieser Anordnung nicht ge­ löst werden können, so daß ein doppelt polarisiertes Zweiebenenelement einen wesentlich geringeren Gewinn haben wird als ein einfachpolarisiertes Einebenenelement.

Aus den bisherigen Patentanmeldungen ist zu ersehen, daß die Konzipierung entsprechender Antennenelemente zur Ablösung der Parabolspiegel im Mikrowellenbereich noch nicht gelungen ist. Dies betrifft auch die mechanische Schwenkung der Strahlungskeule gegenüber der Antennen­ grundflächennormalen ohne Gewinnverlust bei einem ein­ fachen Aufbau.

Die. Verteilernetzwerke der bisher aufgebauten Arrays sind sehr schmalbandig, da mit λ/4-Transformatoren ge­ arbeitet wird. Bei mehrfacher Hintereinanderschaltung solcher λ/4-Transformatoren ergibt sich eine potenzier­ te Bandbreiteneinengung des gesamten Arrays, denn die einzelnen λ/4-Transformatoren besitzen ebenfalls sowohl in Richtung niedrigerer als auch in Richtung höherer Fre­ quenzen bezüglich ihrer Mittenfrequenz eine endliche Bandbreite, die vom Transformationsverhältnis des Wellen­ widerstandes abhängt. Weiterhin sind die Einkopplungen in die Primärstrahler vom Verteilernetzwerk aus generell sehr schmalbandig ausgeführt, so daß sich auch hieraus eine Bandbreiteneinengung ergibt.

Die stationären Mobilfunkantennen des C- und D-Netzes sowie die stationären Mobilfunkantennen des D-Nachfolge­ netzes im Bereich um 1800 MHz wurden bisher mit konven­ tionellen Methoden konstruiert, so daß sie bei bestimmten geforderten Gewinnwerten und Strahlöffnungswinkeln in ihren Abmaßen sehr groß ausfallen. Die Anbringung dieser Antennen an schwierigen Standpunkten ist deshalb oftmals problematisch, wobei sie sich auch nur schwer zum Bei­ spiel in ein Stadtbild einfügen. Eine Lösung des Problems erfolgte bisher noch nicht.

Ziel der Erfindung

Es ist das Ziel der Erfindung, eine flache Antennenanord­ nung herzustellen, die eine kleinere flächenmäßige Aus­ dehnung als ein herkömmlicher Spiegel besitzt, einfacher montierbar und billiger als ein herkömmlicher Spiegel ist, durch senkrechte Montage in der Umgebung nicht auf­ fällt und bei Benutzung von High-Power-Satelliten auf der Senderseite eine einfache, tragbare und in Empfänger in­ tegrierbare Anordnung gestattet sowie die Mängel bisher bekannter stationärer Antennen der C-, D-Netze und des D-Nachfolgenetzes behebt.

Aufgabe der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Antennen­ einzelelement zu finden, das bei flacher und einfacher Bauweise breitbandig einen möglichst großen Gewinn liefert, bei Empfang oder Abstrahlung eine lineare oder eine zirkulare oder zwei orthogonale lineare oder zwei orthogonale zirkulare Polarisationen erlaubt, sich mit weiteren Elementen dieser Art durch eine planare Schal­ tung breitbandig zu einem Array HF-verlustarm verbinden läßt, auch als Einzelelement mit kompakten und kleinen mechanischen Abmessungen in einer Einelementantenne ver­ wendbar ist sowie einen mechanisch einfach einstellbaren Winkel zwischen der Antennengrundflächennormalen und der Hauptstrahlungskeule besitzt, wobei der Gewinn der Anten­ ne nur sehr wenig vom Schwenkungswinkel der Hauptstrah­ lungskeule bezüglich der Antennengrundflächennormalen ab­ hängig sein und der Schwenkungswinkel nach Fertigstellung der Antenne nachträglich in Grenzen korrigierbar sein soll.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die in den Kenn­ zeichnungsteilen der Ansprüche genannten Merkmale gelöst. Dabei ist von Vorteil, daß entsprechend vorgegebener Kosten und Leistungsmerkmale, wie zum Beispiel Polarisa­ tionsarten, Gewinngrößen, Antennenöffnungswinkel und An­ tennenspeisung im Array oder als Einelementantenne, eine ausgewählte Primärstrahlerkonfiguration und ein ausge­ wählter Sekundärstrahlerschichtaufbau miteinander kombi­ niert werden können, die in den kennzeichnenden Merkmalen genannten zusammenhängenden gekrümmten oder zusammen­ hängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Ge­ raden weitgehend mit der Hauptstrahlrichtung der Antenne übereinstimmen und im Gegensatz zu der im Stand der Tech­ nik beschriebenen reinen Primärstrahlerkonfiguration die Auswirkungen der unterschiedlichen Phasenzentren zweier orthogonaler Polarisationen in einer Primärstrahlerkon­ figuration durch den Sekundärstrahlerschichtaufbau aus­ geglichen werden. Es können Gewinnwerte von über 12 dBi und Bandbreiten von über 2 GHz bei einer Mittenfrequenz von 12 GHz bei einem Antenneneinzelelement problemlos er­ zielt werden, wobei zur Erreichung dieser Werte je nach Ausführungsform maximal drei Sekundärstrahler enthaltende Schichten im Sekundärstrahlerschichtaufbau benutzt werden müssen.

Ausführungsbeispiele

Die Erfindung wird anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Rechteckschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation.

Fig. 2, 3 zeigen eine Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Rechteckschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation und Abweichung der Haupt­ strahlrichtung von der Antennengrund­ flächennormalen.

Fig. 4 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern für zwei Polarisationen.

Fig. 5 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern für eine Polarisation.

Fig. 6 zeigt eine Kreisschlitzprimärstrahlerkonfi­ guration für eine Polarisation nach An­ spruch 5.

Fig. 7 zeigt eine Kreisschlitzprimärstrahlerkonfi­ guration für zwei Polarisationen nach An­ spruch 3.

Fig. 8 zeigt eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration nach An­ spruch 5 und einem Sekundärstrahlerschicht­ aufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation.

Fig. 9 zeigt eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration nach An­ spruch 3 und einem Sekundärstrahlerschicht­ aufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern für zwei Polarisationen.

Fig. 10 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern für eine Po­ larisation.

Fig. 11 zeigt eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration nach An­ spruch 5 und einem Sekundärstrahlerschicht­ aufbau mit Rechteckschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation.

Fig. 12 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz als auch einem kreisförmigen Schlitz und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern für zwei Polari­ sationen.

Fig. 13, 14 zeigen eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz als auch einem kreisför­ migen Schlitz für zwei Polarisationen.

Fig. 15 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz als auch kreisförmigen Schlitzen und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern für zwei Polarisationen.

Fig. 16, 17 zeigen eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz als auch kreisförmigen Schlitzen für zwei Polarisationen.

Fig. 18 zeigt eine bekannte Kreisschlitzprimär­ strahlerkonfiguration mit Reflektor für zwei Polarisationen aber mit einer Ab­ weichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen.

Fig. 19 zeigt eine bekannte Kreisschlitzprimär­ strahlerkonfiguration mit Reflektor für eine Polarisation aber mit einer Ab­ weichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen.

Fig. 20 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit galvanischer Kopplung zwischen Primär­ strahler und Speisenetzwerk und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern für eine Polarisa­ tion.

Fig. 21 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen Primär­ strahler und Speisenetzwerk und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern für eine Polarisa­ tion.

Fig. 22, 23 zeigen eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen Primär­ strahler und Speisenetzwerk und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau sowohl mit Kreisschlitzsekundärstrahlern als auch mit kreisförmigen Microstripsekundärstrahlern für eine Polarisation.

Fig. 24 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombi­ nierten Microstripfläche als auch kreisför­ migen Schlitzen und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern für zwei Polarisationen.

Fig. 25 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombi­ nierten Microstripfläche als auch einem kreisförmigen Schlitz und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern für zwei Polarisationen.

Fig. 26 zeigt eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombinierten Microstripfläche als auch kreisförmigen Schlitzen für zwei Polarisationen.

Fig. 27 zeigt eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombinierten Microstripfläche als auch einem kreisförmigen Schlitz für zwei Polarisationen.

Fig. 28 zeigt ein Speisenetzwerk für mehrere Pri­ märstrahler mit Hyperbol-, Exponential- und Dolph-Tschebytschew-Wellenwiderstandstrans­ formatoren.

Fig. 29 zeigt die gabelförmigen Speiseleiterzüge mit einer Hyperbolwellenwiderstandstaperung für einen Primärstrahler einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration.

Fig. 30 zeigt den Speiseleiterzug mit einer Expo­ nentialwellenwiderstandstaperung für einen Primärstrahler einer Rechteckschlitzprimär­ strahlerkonfiguration.

Fig. 31 zeigt den Speiseleiterzug mit einer Dolph- Tschebytschew-Wellenwiderstandstaperung für einen Primärstrahler einer Kreisschlitzpri­ märstrahlerkonfiguration.

Fig. 32 zeigt den teilweise gekrümmten Speiselei­ terzug für einen Primärstrahler einer Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration.

Fig. 33 zeigt den außermittig in einem Kreisschlitz angebrachten, geraden Speiseleiterzug für einen Primärstrahler einer Kreisschlitzpri­ märstrahlerkonfiguration.

Fig. 34 zeigt die Berandungsformen eines aus einer leitenden Schicht ausgesparten Schlitz­ strahlers.

Fig. 35, 36, 37 zeigen die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit treppenförmigen, Rechteckschlitzsekundär­ strahler enthaltenden Schichten des Sekun­ därstrahlerschichtaufbaus und mit Ab­ weichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen.

Fig. 38 zeigt die Berandungsformen einer mit einem Schlitzstrahler kombinierten Microstrip­ strahlerfläche.

Die nachfolgend angegebenen Maße der Ausführungsbeispiele beziehen sich jeweils auf eine Antenne mit einer Mitten­ frequenz von 11,325 GHz. Zunächst werden nur Antennenein­ zelelemente und keine Arrays aus mehreren Antenneneinzel­ elementen betrachtet.

In den Fig. 1 bis 3 werden jeweils die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfigura­ tion und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Recht­ eckschlitzsekundärstrahlern 110... 11X, . . . 110a... 11Xa oder 110b... 11Xb (X = 1... max.9) für eine Polarisation und mit in den Fig. 2 und 3 gezeigten Abweichungen der Haupt­ strahlrichtungen (A-B) von der Antennengrundflächennor­ malen (A-C) dargestellt. Die Rechteckschlitzprimär­ strahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grund­ platte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer. Die Doppelschicht 10, 10a oder 10b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Koppelleiterzug 12, 12a oder 12b für die Anregung des Rechteckprimärstrahlerschlitzes 13, 13a oder 13b, der sich auf einer selbsttragenden leitenden Schicht 11, 11a oder 11b zum Beispiel aus Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm befindet. Der aus der selbst­ tragenden leitenden Schicht ausgesparte Rechteckschlitz darstellend den Rechteckprimärstrahlerschlitz 13, 13a oder 13b hat dabei eine Länge von 12,0 mm und eine Breite von 2,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthy­ lenschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschichten 2 zwischen der Grundplatte 1 und der Doppelschicht 10, 10a oder 10b bzw. zwischen der Doppelschicht 10, 10a oder 10b und der den Rechteckprimärschlitzstrahler 13, 13a oder 13b enthaltenden selbsttragenden Schicht 11, 11a oder 11b beträgt jeweils 2,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 100... 10X, . . . 100a... 10Xa oder 100b... 10Xb (X = 1... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Rechteckschlitzen 110... 11X, 110a. . . 11Xa oder 110b... 11Xb (X = 1... max.9). Die Rechteckschlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Rechteck­ sekundärstrahlerschlitz 110, 110a oder 110b die Maße 12,1 mm mal 2,1 mm, der zweite Rechtecksekundärstrahlerschlitz 111, 111a oder 111b die Maße 12,2 mm mal 2,2 mm und der dritte Rechtecksekundärstrahlerschlitz die Maße 12,3 mm mal 2,2 mm besitzen. Der Abstand der Rechtecksekundär­ strahlerschlitze voneinander und der Abstand zwischen Rechteckprimärstrahlerschlitz 13, 13a oder 13b und dem Rechtecksekundärstrahlerschlitz 110, 110a oder 110b, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. bei der hier angegebenen Frequenz entspricht dies etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektri­ kum 2 aus hochverschäumtem Polyäthylen ausgefüllt. In Fig. 1 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen, während in den Fig. 2 und 3 die Verbindungslinie (A-B) der Mit­ telpunkte des den Primärstrahler darstellenden Rechteck­ schlitzes 13a oder 13b und der die Sekundärstrahler dar­ stellenden Rechteckschlitze 110a... 11Xa oder 110b... 11Xb (X = 1...max.9) mit der Antennengrundflächennormalen (A- C) einen Winkel α in der parallel zur Grundplatte 1 liegenden ersten Raumrichtung und/oder einen Winkel β in der parallel zur Grundplatte 1 liegenden und auf der ersten Raumrichtung senkrecht stehenden zweiten Raum­ richtung bildet oder bilden, die Hauptstrahlrichtung (A- B) demzufolge nicht mit der Antennengrundflächennormalen (A-C) zusammenfällt. Die Winkel α und β sollten eine Größe von 20° bei Verwendung von planparallelen Schichten in der Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und im Sekundärstrahlerschichtaufbau nicht überschreiten. Werden die Winkel α und/oder β zu groß, so stimmt die Haupt­ strahlrichtung im Fall der planparallelen Schichten nicht mehr mit der Verbindungslinie der Flächenmittelpunkte des Rechteckprimärstrahlerschlitzes und der Rechtecksekundär­ strahlerschlitze überein. Dieser Mangel wird erst mit den Anordnungen in den Fig. 35 bis 37 durch Verwendung von treppenförmigen, Rechteckschlitzsekundärstrahler enthal­ tenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus be­ hoben. Zur Erhöhung der Bandbreite können der Rechteck­ primärstrahlerschlitz 13, 13a oder 13b und die Rechteck­ sekundärstrahlerschlitze 110... 11X, . . . 110a... 11Xa oder 110b 11Xb (X = 1...max.9) an ihren schmalen Seiten mit Run­ dungen versehen werden. Ein solches beschriebenes Anten­ neneinzelelement mit drei je einen Rechtecksekundär­ schlitzstrahler enthaltenden Schichten des Sekundär­ strahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 1 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahlerschichtauf­ bau mit nur einer einen Rechtecksekundärschlitzstrahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau eine einen Rechteckschlitzsekundärstrahler enthal­ tende Schicht und eine oder zwei je einen quadratischen oder runden Microstripsekundärstrahler anstelle eines Rechteckschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Band­ breite auf etwa 12 dBi gesteigert werden.

In der Fig. 4 wird die Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 210...21X (X = 1...max.9) für zwei Pola­ risationen dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahler­ konfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Reflektor. Die Doppelschicht 21 aus 25 µm star­ ker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiterzug 28 für die direkte Anregung der Kreisschlitzteilprimärstrahler 25 und 26. Die Doppelschicht 23 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Koppelleiterzug 29 für die direkte Anregung der Kreisschlitzteilprimärstrahler 26 und 27. Die aus den selbsttragenden leitenden Schichten 20, 22 und 24 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreisschlitze darstellend die Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 25, 26 und 27 haben dabei je­ weils einen Durchmesser von 16,86 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Di­ elektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kreisschlitzteilprimärstrahler 25 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 20 beträgt 5 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff be­ stehenden Dielektrikumsschichten 2 zwischen der ersten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 25 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 20 und der den Koppel­ leiterzug 28 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 21, zwischen der zweiten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 26 enthaltenden selbsttra­ genden leitenden Schicht 22 und der den Koppelleiterzug 28 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthal­ tenden Doppelschicht 21, zwischen der zweiten den Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 26 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 22 und der den Koppelleiterzug 29 des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 23 bzw. zwischen der dritten den Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 27 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 24 und der den Koppelleiterzug 29 des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 23 beträgt jeweils 1,0 mm. Der Sekundär­ strahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 200... 20X (X = 1... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Se­ kundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden lei­ tenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 210... 21X (X = 1... max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 210 einen Durch­ messer von 16,9 mm, der zweite Kreisschlitzsekundär­ strahler 211 einen Durchmesser von 17,0 mm und der dritte Kreisschlitzsekundärstrahler 212 einen Durchmesser von 17,2 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundär­ strahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitesten von der Grundplatte 1 entfernten Kreisschlitz­ teilprimärstrahler 27 und dem Kreisschlitzsekundär­ strahler 210, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. bei der hier angegebenen Frequenz entspricht dies etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polyäthylen ausgefüllt. In Fig. 4 fällt die Hauptstrahlrichtung (A- B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zu­ sammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden ge­ krümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise gera­ den Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Haupt­ strahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antennenein­ zelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreissekundärschlitzstrahler enthaltenden Schicht verwen­ det, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau zwei je einen qua­ dratischen oder kreisförmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreisschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbreite auf etwa 12 dBi gesteigert werden.

In der Fig. 5 wird die Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 310...31X (X = 1...max.9) für eine Pola­ risation dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 be­ steht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Reflektor. Die Doppelschicht 31 aus 25 µm star­ ker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Kop­ pelleiterzug 35 für die direkte Anregung der Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 33 und 34. Die aus den selbst­ tragenden leitenden Schichten 30 und 32 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreisschlitze darstellend die Kreisschlitz­ teilprimärstrahler 33 und 34 haben dabei jeweils einen Durchmesser von 16,95 mm. Die Dicke der aus hochver­ schäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektri­ kumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kreisschlitzteilprimärstrahler 33 enthaltenden selbst­ tragenden leitenden Schicht 30 beträgt 4,5 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehen­ den Dielektrikumsschichten 2 zwischen der ersten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 33 enthaltenden selbsttra­ genden leitenden Schicht 30 und der den Koppelleiterzug 35 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppelschicht 31 bzw. zwischen der zweiten den Kreisschlitzteilprimär­ strahler 34 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 32 und der den Koppelleiterzug 35 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppelschicht 31 beträgt jeweils 1,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 300... 30X (X = 1... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbst­ tragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 310...31X (X = 1...max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrah­ ler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 310 einen Durchmesser von 17,0 mm, der zweite Kreisschlitzse­ kundärstrahler 311 einen Durchmesser von 17,1 mm und der dritte Kreisschlitzsekundärstrahler 312 einen Durchmesser von 17,2 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekun­ därstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitesten von der Grundplatte 1 entfernten Kreisschlitz­ teilprimärstrahler 34 und dem Kreisschlitzsekundärstrah­ ler 310, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. bei der gewählten Mittenfrequenz etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 4 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten oder zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches be­ schriebenes Antenneneinzelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Ge­ winnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit nur einer einen Kreissekundärschlitz­ strahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrah­ lerschichtaufbau zwei je einen quadratischen oder kreis­ förmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreis­ schlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbreite auf etwa 12 dBi gesteigert werden.

In der Fig. 6 wird eine Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration für eine Polarisation nach Anspruch 5 darge­ stellt. Diese Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 40 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Koppelleiterzug 43 für die direkte Anregung des Kreis­ schlitzprimärstrahlers 42. Der aus der selbsttragenden leitenden Schicht 41 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Kreis­ schlitz darstellend den Kreisschlitzprimärstrahler 42 hat dabei einen Durchmesser von 17,3 mm. Der Koppelleiterzug 43 des Speisenetzwerkes endet auf einer kürzesten Verbin­ dungslinie zwischen der von leitendem Material ausgespar­ ten Fläche der selbsttragenden leitenden Schicht 41 dar­ stellend den Kreisschlitzprimärstrahler 42 und der Grund­ platte 1. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschichten 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Koppelleiterzug 43 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppelschicht 40 bzw. zwischen der den Kreisschlitzprimärstrahler 42 enthalten­ den selbsttragenden leitenden Schicht 41 und der den Kop­ pelleiterzug 43 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppel­ schicht 40 beträgt jeweils 2,0 mm. Ein solches be­ schriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 7 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In der Fig. 7 wird eine Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration für zwei Polarisationen nach Anspruch 3 dar­ gestellt. Diese Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 50 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiterzug 56 für die di­ rekte Anregung des Kreisschlitzteilprimärstrahlers 54. Die Doppelschicht 52 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Koppelleiterzug 57 für die direkte Anregung der Kreisschlitzteilprimärstrahler 54 und 55. Die aus den selbsttragenden leitenden Schichten 51 und 53 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreisschlitze darstellend die Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 54 und 55 haben dabei jeweils einen Durchmesser von 17,0 mm. Die Dicke der aus hochver­ schäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektri­ kumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kop­ pelleiterzug 56 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 50 bzw. zwischen der ersten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 54 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 51 und der den Koppel­ leiterzug 56 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 50 beträgt jeweils 2,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff be­ stehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der ersten den den Kreisschlitzteilprimärstrahler 54 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 51 und der den Koppel­ leiterzug 57 des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisa­ tion enthaltenden Doppelschicht 52 bzw. zwischen der zweiten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 55 enthalten­ den selbsttragenden leitenden Schicht 53 und der den Kop­ pelleiterzug 57 des Speisenetzwerkes der zweiten Polari­ sation enthaltenden Doppelschicht 52 beträgt jeweils 0,8 mm. In Fig. 7 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den Ansatzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 6,5 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In der Fig. 8 wird eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkombination nach Anspruch 5 und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 410...41X (X = 1...max.9) für eine Pola­ risation dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration ist entsprechend der Kreisschlitzprimärstrah­ lerkonfiguration in Fig. 6 aufgebaut, d. h. die Ziffer 40 entspricht der Ziffer 40a, die Ziffer 41 entspricht der Ziffer 41a, die Ziffer 42 entspricht der Ziffer 42a und die Ziffer 43 entspricht der Ziffer 43a. Auch die angege­ benen Maße stimmen bis auf den Durchmesser des Kreis­ schlitzprimärstrahlers 42a überein, der hier die Größe von 17,0 mm besitzt. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 400...40X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 410...41X (X = 1...max.9). Die Kreis­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreis­ schlitzsekundärstrahler 410 einen Durchmesser von 17,1 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 411 einen Durchmesser von 17,2 mm und der dritte Kreisschlitz­ sekundärstrahler 412 einen Durchmesser von 17,4 mm be­ sitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler von­ einander und der Abstand zwischen dem Kreisschlitzprimär­ strahler 42a und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 410, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 8 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Anten­ ne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet einen Ansatzpunkt dem in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung von drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreis­ schlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau zwei je einen quadratischen oder kreisförmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreisschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbrei­ te auf etwa 12 dBi gesteigert werden. Bei gleichen Leistungsmerkmalen besitzt die in Fig. 8 beschriebene An­ ordnung einen wesentlich einfacheren Aufbau als die in Fig. 5 beschriebene Anordnung.

In Fig. 9 wird die Kombination aus einer Kreisschlitz­ primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern 510...51X (X = 1...max.9) für zwei Polarisa­ tionen dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkonfi­ guration ist entsprechend der Kreisschlitzprimärstrahler­ konfiguration in Fig. 7 aufgebaut, d. h. die Ziffer 50 ent­ spricht der Ziffer 50a, die Ziffer 51 entspricht der Zif­ fer 51a, die Ziffer 52 entspricht der Ziffer 52a, die Ziffer 53 entspricht der Ziffer 53a, die Ziffer 54 ent­ spricht der Ziffer 54a, die Ziffer 55 entspricht der Zif­ fer 55a, die Ziffer 56 entspricht der Ziffer 56a und die Ziffer 57 entspricht der Ziffer 57a. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 500... 50X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 510...51X (X = 1...max.9). Die Kreis­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreis­ schlitzsekundärstrahler 510 einen Durchmesser von 17,1 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 511 einen Durchmesser von 17,1 mm und der dritte Kreisschlitzsekun­ därstrahler 512 einen Durchmesser von 17,3 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitesten von der Grund­ platte 1 entfernten Kreisschlitzteilprimärstrahler 55a und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 510, der der Grund­ platte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 9 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der An­ tennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches be­ schriebenes Antenneneinzelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne Ge­ winnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit nur einer einen Kreisschlitzsekundär­ strahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundär­ strahlerschichtaufbau zwei je einen quadratischen oder kreisförmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreisschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten ver­ wendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbreite auf etwa 12 dBi gesteigert werden. Bei gleichen Leistungs­ merkmalen besitzt die in Fig. 9 beschriebene Anordnung einen wesentlich einfacheren Aufbau als die in Fig. 4 be­ schriebene Anordnung.

In Fig. 10 wird die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern 610...61X (X = 1...max.9) für eine Polarisation dargestellt. Die Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfigura­ tion ist entsprechend der Rechteckschlitzprimärstrahler­ konfiguration in Fig. 1 bis 3 aufgebaut, d. h. die Ziffer 10c entspricht der Ziffer 10, die Ziffer 11c entspricht der Ziffer 11, die Ziffer 12c entspricht der Ziffer 12 und die Ziffer 13c entspricht der Ziffer 13. Auch die an­ gegebenen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahler­ schichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttra­ genden leitenden Schichten 600...60X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrah­ lern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 610...61X (X = 1... max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrahler werden, je wei­ ter sie von der Grundplatte 1 angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 610 einen Durchmesser von 16,8 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 611 einen Durchmesser von 16,9 mm und der dritte Kreisschlitz­ sekundärstrahler 612 einen Durchmesser von 17,1 mm be­ sitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler von­ einander und der Abstand zwischen dem Rechteckschlitzpri­ märstrahler 13c und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 610, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausge­ füllt. In Fig. 10 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusam­ men. Der Punkt A deutet einen Ansatzpunkt der in den An­ sprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 1 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung von drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthalten­ den Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht verwen­ det, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi.

In Fig. 11 wird die Kombination aus einer Kreisschlitz­ primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 5 und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Rechteckschlitzsekundär­ strahlern 710...71X (X = 1...max.9) für eine Polarisation dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Kreisschlitzprimärstrahlerkonfigura­ tion in Fig. 6 aufgebaut, d. h. die Ziffer 40b entspricht der Ziffer 40, die Ziffer 41b entspricht der Ziffer 41, die Ziffer 42b entspricht der Ziffer 42 und die Ziffer 43b entspricht der Ziffer 43. Auch die angegebenen Maße stimmen bis auf den Durchmesser des Kreisschlitzprimär­ strahlers 42b überein, der hier die Größe von 16,9 mm be­ sitzt. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 700...70X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit da­ rin enthaltenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Recht­ eckschlitzen 710...71X (X = 1...max.9). Die Rechteck­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Rechteck­ sekundärstrahlerschlitz 710 die Maße 12,0 mm mal 2,2 mm, der zweite Rechtecksekundärstrahlerschlitz 711 die Maße 12,1 mm mal 2,3 mm und der dritte Rechtecksekundärstrah­ lerschlitz die Maße 12,3 mm mal 2,3 mm besitzen. Der Ab­ stand der Rechtecksekundärstrahlerschlitze voneinander beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm, während der Ab­ stand zwischen Kreisschlitzprimärstrahler 42b und dem Rechtecksekundärstrahlerschlitz 710, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, etwa 10,5 mm beträgt, so daß ge­ schlußfolgert werden kann, daß bei Verwendung bestimmter unterschiedlicher Schlitzberandungsformen nebeneinander die λ/2-Abstandsregel nicht gilt. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 11 fällt die Hauptstrahlrichtung (A- B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zu­ sammen. Der Punkt A deutet einen Ansatzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 1 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung von drei je einen Rechteckschlitzsekundärstrahler enthal­ tenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Rechteckschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht ver­ wendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Die Leistungsmerkmale der in Fig. 11 beschriebenen Anordnung sind etwas geringer als die übrigen bisher beschriebenen Anordnungen mit einem Sekundärstrahlerschichtaufbau. Dies kann an einer noch nicht optimalen Gestaltung der Abmes­ sungen liegen.

In Fig. 12 wird die Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz 64b als auch einem kreisförmigen Schlitz 65b und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern 810...81X (X = 1...max.9) für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfi­ guration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 be­ steht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppel­ schicht 60b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem geraden Koppelleiterzug 66b für die direkte Anregung des Recht­ eckschlitzteilprimärstrahlers 64b. Die Doppelschicht 62b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem gegabelten Koppel­ leiterzug 67b für die direkte Anregung des Kreisschlitz­ teilprimärstrahlers 65b. Der aus der selbsttragenden lei­ tenden Schicht 61b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Recht­ eckschlitz darstellend den Rechteckschlitzteilprimär­ strahler 64b hat dabei eine Länge von 12,0 mm und eine Breite von 2,2 mm. Der aus der selbsttragenden leitenden Schicht 63b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in der Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Kreisschlitz dar­ stellend den Kreisschlitzteilprimärstrahler 65b hat dabei einen Durchmesser von 16,9 mm. Die Dicke der aus hochver­ schäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kop­ pelleiterzug 66b des Speisenetzwerkes der ersten Polari­ sation enthaltenden Doppelschicht 60b, zwischen der ersten den Rechteckschlitzteilprimärstrahler 64b enthal­ tenden selbsttragenden leitenden Schicht 61b und der den Koppelleiterzug 66b des Speisenetzwerkes der ersten Pola­ risation enthaltenden Doppelschicht 60b, zwischen der ersten den Rechteckschlitzteilprimärstrahler 64b enthal­ tenden selbsttragenden leitenden Schicht 61b und der den gegabelten Koppelleiterzug 67b des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 62b und zwischen der den gegabelten Koppelleiterzug 67b des Spei­ senetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Dop­ pelschicht 62b und der zweiten den Kreisschlitzteilpri­ märstrahler 64b enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 63b beträgt jeweils 2,0 mm. Um die Feldverläufe der ersten Polarisation durch den Koppelleiterzug der zweiten Polarisation nicht zu sehr zu beeinflussen, wurde die gegabelte Form 67b des Koppelleiterzuges der zweiten Polarisation gewählt. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 800...80X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 810...81X (X = 1...max.9). Die Kreis­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreis­ schlitzsekundärstrahler 810 einen Durchmesser von 17,1 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 811 einen Durchmesser von 17,2 mm und der dritte Kreisschlitzsekun­ därstrahler 812 einen Durchmesser von 17,4 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitestem von der Grund­ platte 1 entfernten Kreisschlitzteilprimärstrahler 65b und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 810, der der Grund­ platte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 12 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen ge­ nannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisation von etwa 1 GHz und der zweiten Polarisation von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekun­ därstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreis­ schlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 9 dBi.

In den Fig. 13 und 14 wird eine Primärstrahlerkonfigu­ ration nach Anspruch 3 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz 64 bzw. 64a als auch einem kreisförmigen Schlitz 65 bzw. 65a für zwei Polarisationen dargestellt. Die Pri­ märstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Primär­ strahlerkonfiguration in Fig. 12 aufgebaut, d. h. die Zif­ fer 60b entspricht den Ziffern 60 und 60a, die Ziffer 61b entspricht den Ziffern 61 und 61a, die Ziffer 62b ent­ spricht den Ziffern 62 und 62a, die Ziffer 63b entspricht den Ziffern 63 und 63a, die Ziffer 64b entspricht den Ziffern 64 und 64a, die Ziffer 65b entspricht den Ziffern 65 und 65a und die Ziffer 66b entspricht den Ziffern 66 und 66a. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Fig. 13 und 14 unterscheiden sich nur in der Art der Aus­ führung des Koppelleiterzuges des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation. In Fig. 14 ist der Koppelleiterzug 67a gegabelt ausgeführt, während in Fig. 13 der Koppellei­ terzug 67 asymmetrisch bezüglich des Kreisschlitzes 65 angeordnet ist. Dabei darf die Asymmetrie nicht zu groß werden, da sonst die Polarisation gedreht wird. In den Fig. 13 und 14 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den Ansatzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängen­ den gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung bezüglich der ersten Polarisation an. Ein solches beschriebenes Anten­ neneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 6,5 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisation von etwa 1 GHz und der zweiten Polarisation von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In Fig. 15 wird eine Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz 75b als auch kreisförmigen Schlitzen 76b und 77b und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern 910...91X (X = 1...max.9) für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahler­ konfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppel­ schicht 70b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppel­ leiterzug 78b für die direkte Anregung des Rechteck­ schlitzteilprimärstrahlers 75b. Die Doppelschicht 73b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem asymmetrisch angebrachten Koppelleiterzug 79b für die direkte Anregung der Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 76b und 77b. Der aus der selbsttragenden leitenden Schicht 71b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Rechteckschlitz darstellend den Rechteck­ schlitzteilprimärstrahler 75b hat dabei die Abmessungen 12,0 mm mal 2,2 mm. Die aus den selbsttragenden leitenden Schichten 72b und 74b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreis­ schlitze darstellend die Kreisschlitzteilprimärstrahler 76b und 77b haben dabei jeweils einen Durchmesser von 16,9 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Koppelleiterzug 78b des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 70b bzw. zwischen der ersten den Rechteck­ schlitzteilprimärstrahler 75b enthaltenden selbsttragen­ den leitenden Schicht 71b und der den Koppelleiterzug 78b des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 70b beträgt jeweils 2,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht zwischen der zweiten den Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 76b enthaltenden selbsttragen­ den leitenden Schicht 72b und der den Koppelleiterzug 79b des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthal­ tenden Doppelschicht 73b bzw. zwischen der dritten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 77b enthaltenden selbst­ tragenden leitenden Schicht 74b und der den Koppelleiter­ zug 79b des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 73b beträgt jeweils 0,8 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polystyrolschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der ersten den Rechteckschlitzteilprimärstrahler 75b enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 71b und der zweiten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 76b enthaltenden selbst­ tragenden leitenden Schicht 72b beträgt λ/4 bis λ/2. In Fig. 15 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der An­ tenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden innerhalb der Primärstrahlerkonfiguration für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Der Sekundärstrah­ lerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbst­ tragenden leitenden Schichten 900...90X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundär­ strahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 910...91X (X = 1... max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrahler werden, je wei­ ter sie von der Grundplatte 1 angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 910 einen Durchmesser von 17,0 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 911 einen Durchmesser von 17,0 mm und der dritte Kreisschlitzsekun­ därstrahler einen Durchmesser von 17,2 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem Kreisschlitzteilprimärstrahler 77b und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 910, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektri­ kum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisation von etwa 1 GHz und der zweiten Po­ larisation von etwa 2 GHz ohne Gewinnabfall an den Band­ grenzen bei Verwendung von drei je einen Kreisschlitzse­ kundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrah­ lerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthal­ tenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 9,5 dBi.

In den Fig. 16 und 17 wird eine Primärstrahlerkonfigu­ ration nach Anspruch 4 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz 75 und 75a als auch kreisförmigen Schlitzen 76, 76a, 77 und 77a für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Primär­ strahlerkonfiguration in Fig. 15 aufgebaut, d. h. die Zif­ fer 70b entspricht den Ziffern 70 und 70a, die Ziffer 71b entspricht den Ziffern 71 und 71a, die Ziffer 72b ent­ spricht den Ziffern 72 und 72a, die Ziffer 73b entspricht den Ziffern 73 und 73a, die Ziffer 74b entspricht den Ziffern 74 und 74a, die Ziffer 75b entspricht den Ziffern 75 und 75a, die Ziffer 76b entspricht den Ziffern 76 und 76a, die Ziffer 77b entspricht den Ziffern 77 und 77a, die Ziffer 78b entspricht den Ziffern 78 und 78a und die Ziffer 79b entspricht der Ziffer 79. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Fig. 16 und 17 unterscheiden sich nur in der Art der Ausführung des Koppelleiterzuges des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation. In Fig. 17 ist der Koppelleiterzug 79a gegabelt ausgeführt, während in Fig. 16 der Koppelleiterzug 79 asymmetrisch bezüglich des Kreisschlitzes 76 und des Kreisschlitzes 77 angeordnet ist. Auch hier darf die Asymmetrie nicht zu groß werden, da sonst die Polarisation gedreht wird. In den Fig. 16 und 17 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 6,5 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisa­ tion von etwa 1 GHz und der zweiten Polarisation von etwa 2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In den Fig. 18 und 19 werden bekannte Kreisschlitzpri­ märstrahlerkonfigurationen mit Reflektor für eine bzw. für zwei Polarisationen aber mit einer Abweichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 18 ist entsprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 4 und die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 19 ist ent­ sprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 5 auf­ gebaut, d. h. die Teile der Konfigurationen mit den gleichen Zahlen entsprechen sich, wobei die Buchstaben­ indizes der Zahlen unberücksichtigt bleiben. Auch die an­ gegebenen Maße dieser Teile stimmen überein. Die Verbin­ dungslinien (A-B) der Flächenmittelpunkte der die Kreisschlitzteilprimärstrahler darstellenden und aus den selbsttragenden leitenden Schichten 20a, 22a, 24a bzw. 30a und 32a ausgesparten Kreisschlitze 25a, 26a, 27a bzw. 33a und 34a bilden mit der Antennengrundflächennormalen (A-C) einen Winkel δ bezüglich der Fig. 18 bzw. einen Winkel γ bezüglich der Fig. 19. Dies bedeutet, daß die Hauptstrahlrichtung bezüglich der Antennengrundflächen­ normalen (A-C) auch bei diesen Primärstrahlerkonfigura­ tionen schwenkbar gestaltet werden kann. Die Winkel δ und γ sollten eine Größe von 15° bei Verwendung von planparallelen Schichten in diesen Primärstrahlerkonfi­ gurationen nicht überschreiten, da sonst die Verbindungs­ linien der Flächenmittelpunkte der Kreisschlitzprimär­ teilstrahler nicht mehr mit den Hauptstrahlrichtungen übereinstimmen und der Gewinn der Konfigurationen etwas geringer wird. In Fig. 18 und 19 sind die Punkte A die An­ satzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammen­ hängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung, während der Punkt A′ einen solchen Ansatzpunkt andeuten soll.

In Fig. 20 wird eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit galvanischer Kopplung zwischen Primärstrahler 81 und Speisenetzwerk 82 und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern 1010...101X (X = 1...max.9) für eine Polarisation dargestellt. Die Microstripprimärstrah­ lerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer. Die Doppelschicht 80 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Speiseleiterzug 82 für die direkte galvanische Anregung des Microstripprimär­ strahlers 81, der eine kreisförmige Struktur besitzt und sich mit den gängigen Berechnungsmethoden konstruieren läßt. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der Doppelschicht 80 beträgt 2,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus zwei oder mehr selbsttragenden leitenden Schichten 1000... 100X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreis­ schlitzen 1010...101X (X = 1...max.9). Die Kreisschlitz­ sekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplat­ te 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekun­ därstrahler 1010 einen Durchmesser von 16,8 mm, der zwei­ te Kreisschlitzsekundärstrahler 1011 einen Durchmesser von 16,9 mm und der dritte Kreisschlitzsekundärstrahler 1012 einen Durchmesser von 17,1 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Ab­ stand zwischen Microstripprimärstrahler 81 und dem Kreis­ schlitzsekundärstrahler 1010, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hoch­ verschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 20 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennen­ grundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den An­ satzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängen­ den gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurve oder Geraden für die Schwenkung der Haupt­ strahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antennenein­ zelelement mit zwei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 300 MHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In Fig. 21 wird eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen Primärstrahler 88 und Speisenetzwerk 87 und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitz­ sekundärstrahlern 1110... 111X (X= 1... max.9) für eine Po­ larisation dargestellt. Die Microstripprimärstrahlerkon­ figuration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 be­ steht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche der Microstripleitung. Die Doppel­ schicht 85 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Speiseleiterzug 87 für die Anre­ gung des Microstripprimärstrahlers 88. Die Doppelschicht 86 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt den Microstrip­ primärstrahler, der eine kreisförmige Struktur besitzt und sich mit gängigen Berechnungsmethoden konstruieren läßt. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der Doppelschicht 85 beträgt 1,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaum­ stoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Doppelschicht 85 und der Doppelschicht 86 beträgt 4,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus zwei oder mehr selbsttragenden leitenden Schichten 1100... 110X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthal­ tenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttra­ genden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 1110...111X (X = 1...max.9). Die Kreisschlitzsekundär­ strahler besitzen dieselben Maße wie die in Fig. 20. Die Leistungsmerkmale eines solchen beschriebenen Antennen­ einzelelementes sind denen des in Fig. 20 beschriebenen Antenneneinzelelementes gleichwertig. Nur die Bandbreite ist mit 900 MHz wesentlich größer.

In den Fig. 22 und 23 wird die Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kon­ taktloser Kopplung zwischen Primärstrahler 88a, 88b und Speisenetzwerk 87a, 87b und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau sowohl mit Kreisschlitzsekundärstrahlern 1211...121X, 1310, 1312...131X (X = 2...max.9) als auch mit kreisförmigen Microstripsekundärstrahlern 1210, 1311 für eine Polarisation dargestellt. Die Microstripprimär­ strahlerkonfiguration ist entsprechend der Microstrippri­ märstrahlerkonfiguration in Fig. 21 aufgebaut, d. h. die Ziffer 85 entspricht den Ziffern 85a und 85b, die Ziffer 86 entspricht den Ziffern 86a und 86b, die Ziffer 87 ent­ spricht den Ziffern 87a und 87b und die Ziffer 88 ent­ spricht den Ziffern 88a und 88b. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer Mischung von selbsttragenden leitenden Schichten 1201... 120X oder 1300, 1302... 130X (X = 2... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Se­ kundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden lei­ tenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 1211...121X oder 1310, 1312... 131X (X = 2...max.9) und Doppelschich­ ten aus 25 µm starker Polyesterfolie, die die Microstrip­ sekundärstrahler 1210 oder 1311 mit kreisförmiger Struk­ tur tragen. Die Durchmesser der Microstripsekundärstrah­ ler und der Kreisschlitzsekundärstrahler sind ebenso wie ihre Abstände voneinander und zum Microstripprimärstrah­ ler sehr vom gewählten Sekundärstrahlerschichtaufbau ab­ hängig. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau eine einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltende Schicht und zwei je einen kreisförmigen Microstripsekundärstrah­ ler enthaltende Schichten verwendet, so kann dieses An­ tenneneinzelelement einen Gewinn von 12 dBi bei einer Bandbreite von etwa 900 MHz erreichen. Dabei werden die Abstände zwischen den Sekundärstrahler 1210... 121X bzw. 1310... 131X (X = 1...max.9) enthaltenden Schichten 1200... 120X bzw. 1300...130X (X = 1...max.9) und zwischen der den Primärstrahler 88a bzw. 88b enthaltenden Schicht 86a bzw. 86a und der einen Sekundärstrahler 1210 bzw. 1310 enthaltenden Schicht 1200 bzw. 1300, die der Grundplatte 1 am nächsten liegt, mit einem Dielektrikum 2 aus hoch­ verschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In den Fig. 22 und 23 fallen die Hauptstrahlrichtungen (A-B) der Antennen mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an.

In Fig. 24 wird die Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 125a kombinierten Microstripfläche 129a als auch kreisförmigen Schlitzen 126a, 127a und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 1410... 141X (X = 1...max.9) für zwei Po­ larisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 120a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speise­ netzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiter­ zug 128a für die direkte Anregung des kombinierten Micro­ strip-/Schlitzteilprimärstrahlers 129a/125a. Der Micro­ strip-/Schlitzteilprimärstrahler 129a/125a ist in die leitende Schicht 131a der Doppelschicht 121a eingebettet. Das dielektrische Trägermaterial der Doppelschicht 121a besteht aus einer 100 µm starken Polyesterfolie. Die Dop­ pelschicht 123a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Koppelleiterzug 130a für die direkte Anregung der Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 126a und 127a in den leitenden Schichten 122a bzw. 124a. Die Dicken und das Material der Dielektrikumsschichten 2 in dieser Primärstrahlerkonfigu­ ration entsprechen den Dicken und dem Material der mit Fig. 15 beschriebenen Dielektrikumsschichten 2 der dortigen Primärstrahlerkonfiguration. Der Sekundärstrah­ lerschichtaufbau mit den Kreisschlitzsekundärstrahlern 1410...141X (X = 1...max.9) auf den leitenden Schichten 1400... 140X (X = 1...max.9) entspricht in Abmessungen und Aufbau dem Sekundärstrahlerschichtaufbau in Fig. 15 mit den Kreisschlitzsekundärstrahlern 910...91X (X = 1...max. 9) auf den leitenden Schichten 900...90X (X = 1...max.9). In Fig. 24 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der An­ tenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht in der ersten Polarisation einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisation einen Gewinn von etwa 9,5 dBi und eine Band­ breite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung nur einer einen Kreis­ schlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht im Sekundär­ strahlerschichtaufbau.

In Fig. 25 wird die Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 95a kombinierten Microstripfläche 97a als auch einem kreisförmigen Schlitz 94a und einem Sekun­ därstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundärstrah­ lern 1510... 151X (X = 1...max.9) für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Masse­ fläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 90a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiterzug 96a für die direkte Anregung des kombinierten Microstrip-/ Schlitzteilprimärstrahlers 97a/95a. Der Microstrip-/ Schlitzteilprimärstrahler 97a/95a ist in die leitende Schicht 99a der Doppelschicht 91a eingebettet. Das di­ elektrische Trägermaterial der Doppelschicht 91a besteht aus einer 100 µm starken Polyesterfolie. Die Doppel­ schicht 92a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Kop­ pelleiterzug 98a für die direkte Anregung des kombinier­ ten Microstrip-/Schlitzteilprimärstrahlers 97a/95a und für die direkte Anregung des Kreisschlitzteilprimärstrah­ lers 94a in der leitenden Schicht 93a. Die Dicken und das Material der Dielektrikumsschichten 2 in dieser Primär­ strahlerkonfiguration entsprechen den Dicken und dem Ma­ terial der mit Fig. 9 beschriebenen Dielektrikumsschichten 2 der dortigen Primärstrahlerkonfiguration. Der Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit den Kreisschlitzsekundärstrah­ lern 1510... 151X (X = 1...max.9) auf den leitenden Schichten 1500...150X (X = 1...max.9) entspricht in Ab­ messungen und Aufbau dem Sekundärstrahlerschichtaufbau in Fig. 9 mit den Kreisschlitzsekundärstrahlern 510... 51X (X = 1...max.9) auf den leitenden Schichten 500...50X (X = 1...max.9). In Fig. 25 fällt die Hauptstrahlrichtung (A - B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zu­ sammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement er­ reicht in der ersten Polarisation einen Gewinn von etwa 10,5 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisation einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinn­ abfall an den Bandgrenzen bei Verwendung nur einer einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht im Se­ kundärstrahlerschichtaufbau.

In Fig. 26 wird eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 125 kombinierten Microstripfläche 129 als auch kreisförmigen Schlitzen 126, 127 für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 26 ist ent­ sprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 24 auf­ gebaut, d. h. die Teile der Konfigurationen mit den gleichen Zahlen entsprechen sich, wobei die Buchstaben­ indizes der Zahlen unberücksichtigt bleiben. Auch die an­ gegebenen Maße dieser Teile stimmen überein. In Fig. 26 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen ge­ nannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht in der ersten Polarisation einen Gewinn von etwa 7 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisa­ tion einen Gewinn von etwa 6,5 dBi. und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In Fig. 27 wird eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 95 kombinierten Microstripfläche 97 als auch einem kreisför­ migen Schlitz 94 für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 27 ist entsprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 25 aufgebaut, d. h. die Teile der Konfigurationen mit den gleichen Zahlen entsprechen sich, wobei die Buchstabenindizes der Zahlen unberücksichtigt bleiben. Auch die angegebenen Maße dieser Teile stimmen überein. In Fig. 27 fällt die Haupt­ strahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrund­ flächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den Ansatz­ punkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise ge­ raden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Haupt­ strahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antennenein­ zelelement erreicht in der ersten Polarisation einen Ge­ winn von etwa 8 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisation einen Gewinn von etwa 7 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen.

In Fig. 28 wird ein Speisenetzwerk für mehrere Primär­ strahler für eine Polarisation mit einem Hyperbolwellen­ widerstandstransformator 137, Exponentialwellenwider­ standstransformatoren 136 und Dolph-Tschebytschew-Wellen­ widerstandstransformatoren 134, 135 dargestellt. Dabei sind die Koppelleiterzüge 132 für die direkte Anregung der Primärstrahler oder Primärteilstrahler noch schmal­ bandig als gerade Leiterbahnen ausgeführt. Aus Platz­ mangel müssen auch noch λ/4-Transformatoren 133 verwen­ det werden. Um die Bandbreite dieser λ/4-Transformatoren nicht zu sehr einzuengen, ist allerdings darauf zu achten, daß das Transformationsverhältnis des Wellen­ widerstandes nicht zu groß wird. Mit einem solchen Spei­ senetzwerk sind Bandbreiten in einem 512-Elemente-Kreis­ schlitzprimärstrahlerarray von mindestens 1,2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen erreichbar. Dieses Ergebnis kann durch getaperte Koppelleiterzüge, wie in den Fig. 29 bis 31 dargestellt, noch wesentlich verbessert werden.

In den Fig. 29 und 31 werden die Speiseleiterzüge 143 auf den Doppelschichten 140 mit einer Hyperbolwellen­ widerstandstaperung 146 oder mit einer Dolph-Tscheby­ tschew-Wellenwiderstandstaperung 148 mit jeweils kreis­ förmig abgerundeten Leiterzugenden für die direkte Anre­ gung von aus den leitenden Schichten 141 ausgesparten Kreisschlitzen 142 dargestellt. Im Inneren 144 der Kreis­ schlitze 142, die als Primärstrahler oder als Primärteil­ strahler dienen, befindet sich ein nichtleitendes dielek­ trisches Medium zum Beispiel Luft. Während der Speise­ leiterzug 143 in Fig. 31 gerade ausgeführt ist, wurde in Fig. 29 eine gegabelte Ausführung gewählt. Die Gründe für die Wahl korrelieren mit denen in den Ausführungen zu den Fig. 12, 14 und 17. Bei Vermeidung sämtlicher Wellenwider­ standssprünge im Speisenetzwerk eines 512-Elemente-Kreis­ schlitzprimärstrahlerarrays durch Anwendung der mit den Fig. 28 bis 31 beschriebenen Prinzipien sind Bandbreiten in diesem Array bis zu 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnab­ fall an den Bandgrenzen realisierbar.

In Fig. 30 wird der Speiseleiterzug 143 auf der Doppel­ schicht 140 mit einer Exponentialwellenwiderstandsta­ perung 147 mit kreisförmig abgerundetem Leiterzugende für die direkte Anregung eines aus der leitenden Schicht 141 ausgesparten Rechteckschlitzes 145 dargestellt. Im Inne­ ren 144 des Rechteckschlitzes 145, der als Primärstrahler oder als Primärteilstrahler dient, befindet sich ein nichtleitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft. Zur weiteren Bandbreitenerhöhung sind die schmalen Seiten des Rechteckschlitzes 145 kreisförmig abgerundet. Mit diesem Aufbau läßt sich die Bandbreite gegenüber einem Aufbau ohne Rundungen und Taperungen um etwa 15% er­ höhen.

In den Fig. 32 und 33 werden die Speiseleiterzüge 143 auf den Doppelschichten 140 für die direkte Anregung von aus den leitenden Schichten 141 ausgesparten Kreis­ schlitzen 142 dargestellt. Im Inneren 144 der Kreis­ schlitze 142, die als Primärstrahler oder als Primärteil­ strahler dienen, befindet sich ein nichtleitendes dielek­ trisches Medium zum Beispiel Luft. In Fig. 32 ist der Speiseleiterzug 143 teilweise gekrümmt, wobei das Speise­ leiterzugstück 143 außerhalb der Kreisschlitzfläche 142/ 144 entlang einer gedachten Gerade durch den auf die Dop­ pelschicht 140 projizierten Mittelpunkt der Kreisschlitz­ fläche 142/144 verläuft, während das gerade Speiseleiter­ zugstück 149 innerhalb der Kreisschlitzfläche 142/144 auf einer zu einer gedachten Gerade durch den Mittelpunkt der Kreisschlitzfläche 142/144 parallelen Gerade ver­ läuft. In Fig. 33 verläuft der Leiterzug 143/150 außerhalb und innerhalb der Kreisschlitzfläche 142/144 auf einer zu einer gedachten Gerade durch den Mittelpunkt der Kreisschlitzfläche 142/144 parallelen Gerade. Die Gründe für die Wahl dieser zwei Anordnungen korrelieren mit denen in den Ausführungen zu den Fig. 13, 15 und 16. Da­ bei darf die Asymmetrie der Leiterzugführung gegenüber der Kreisschlitzfläche 142/144 nicht zu groß sein, da sonst die Polarisation gedreht wird. Dies trifft beson­ ders auf die Anordnung in Fig. 33 zu. Die Leiterzüge 143/ 149 bzw. 143/150 in den Fig. 32 und 33 können zur Erhöhung der Bandbreite ebenfalls mit einer Hyperbol-, Exponential- oder Dolph-Tschebytschew-Wellenwiderstandstaperung und mit Rundungen an den Leiterzugsenden versehen sein.

Bisher wurden bei den Speiseleiterzügen für Kreis­ schlitzprimärstrahler oder Kreisschlitzteilprimärstrahler nur Anordnungen für lineare Polarisation betrachtet. Die Anordnungen können aber auch in abgewandelter Form für zirkulare Polarisation verwendet werden, wenn auf den das Speisenetzwerk tragenden Doppelschichten 140 zwei ortho­ gonal aufeinander stehende Koppelleiterzüge einer be­ schriebenen Art oder zweier beschriebener Arten für einen Kreisschlitzprimärstrahler oder einen Kreisschlitzteil­ primärstrahler plaziert sind.

In Fig. 34 sind einige mögliche Berandungsformen von aus leitenden Schichten 3 ausgesparten Schlitzstrahlern dargestellt. Im Inneren 4 der Schlitzstrahler befindet sich stets ein nichtleitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft. Die Schlitze können die Form einer Ellipse 160, eines Kreises 161, eines Zweieckes mit kreisförmigen Verbindungslinien zwischen den Ecken 162, eines Dreieckes 163, eines Sechseckes 167 oder eines Viereckes 164, spe­ zieller eines Rechteckes 165 oder eines Quadrates 166 be­ sitzen. Die Auswahl der Form der Schlitzstrahler muß ent­ sprechend des geforderten Frequenzbereiches und der ge­ forderten Polarisation erfolgen. In der Regel beträgt der Umfang der Schlitze rund 2*λ.

In den Fig. 35 bis 37 wird die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit treppen­ förmigen, Rechteckschlitzsekundärstrahler 1610, 1610a, 171X, 1720... 172X, 1730, 1731 (X = 1...max.9) enthal­ tenden Schichten 1600, 1600a, 1700... 170X (X = 1...max.9) und mit Abweichungen der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen dargestellt. Die Recht­ eckschlitzprimärstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration in Fig. 1 aufgebaut, d. h. die Ziffer 10 entspricht den Ziffern 10d, 10e und 10f, die Ziffer 11 entspricht den Ziffern 11d, 11e und 11f, die Ziffer 12 entspricht den Ziffern 12d, 12e, 12f und 12f′ und die Ziffer 13 entspricht den Ziffern 13d, 13e, 13f und 13f′. Auch die angeg 10295 00070 552 001000280000000200012000285911018400040 0002004139245 00004 10176e­ benen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahlerschicht­ aufbau besteht aus einer oder mehreren treppenförmigen oder wellenförmigen selbsttragenden leitenden Schichten 1600, 1600a oder 1700... 170X (X = 1...max.9) der Stär­ ke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundärstrah­ lern in Form von aus den treppen- oder wellenförmigen selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Rechteckschlitzen 1610, 1610a oder 171X, 1720... 172X, 1730, 1731 (X = 1...max.9). Sind mehrere Rechtecksekun­ därschlitzstrahler 1720, 1730 oder 1721, 1731 oder 171X, 172X in einer treppen- oder wellenförmigen selbsttragen­ den leitenden Schicht 1700 bzw. 1701 bzw. 170X angeord­ net, so schließen die Flächen dieser Rechtecksekundär­ strahlerschlitze den gleichen Winkel mit der Grundplatte 1 ein. Dabei können auf einer Treppenstufe einer selbst­ tragenden leitenden Schicht ein oder mehrere Rechteck­ schlitzsekundärstrahler enthalten sein. In Fig. 35 fällt die Verbindungslinie (A-A′) der Flächenmittelpunkte des den Primärstrahler darstellenden Rechteckschlitzes 13d und des den Sekundärstrahler darstellenden Rechteck­ schlitzes 1610 mit der Antennengrundflächennormalen (A - C) zusammen. Durch die Neigung der Flächennormalen (A′ - B) der Rechteckschlitzsekundärstrahlerfläche 1610 gegen die Antennengrundflächennormale (A-C) mit dem Winkel R₁ wird eine um näherungsweise R₁ gegen die Antennen­ rundflächennormale (A-C) geneigte Hauptstrahlrichtung der Antenne erzeugt. In Fig. 36 bildet die auf der Recht­ eckschlitzsekundärstrahlerfläche 1610a senkrecht stehende Verbindungslinie (A-B) der Flächenmittelpunkte des den Primärstrahler darstellenden Rechteckschlitzes 13e und des den Sekundärstrahler darstellenden Rechteckschlitzes 1610a mit der Antennengrundflächennormalen (A-C) einen Winkel R₂. Durch die Neigung der Flächennormalen der Rechteckschlitzsekundärstrahlerfläche 1610a und der Ver­ bindungslinie (A-B) gegen die Antennengrundflächennor­ male (A-C) mit dem Winkel R₂ wird eine um näherungs­ weise R₂ gegen die Antennengrundflächennormale (A-C) geneigte Hauptstrahlrichtung der Antenne erzeugt. Durch Korrektur der Verbindungslinien (A-B) zwischen den Punkten A und A′ in den Fig. 35 und 36 läßt sich die Neigung der Hauptstrahlrichtungen gegenüber der Antennen­ grundflächennormalen (A-C) in Grenzen verändern. In Fig. 37 werden die in den Fig. 35 und 36 erläuterten Grund­ prinzipien auf ein sekundärstrahlermäßig mehrfach ge­ stocktes Rechteckschlitzstrahler-Array angewendet. Dabei sind die zusammenhängenden gekrümmten oder zusammen­ hängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Ge­ raden durch die Punkte A⁺⁺ und B gegenüber der zusammen­ hängenden gekrümmten oder zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurve oder Geraden (A⁺-B⁺) parallel verschoben. Diese zusammenhängenden gekrümmten oder zu­ sammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden A⁺⁺, (A⁺-B⁺), B gehen durch die Flächen­ mittelpunkte der entsprechenden Rechteckprimärstrahler­ schlitze 13f bzw. 13f′ und Rechtecksekundärstrahler­ schlitze 171X bzw. 1720... 172X (X = 1...max.9) bzw. 1730, 1731, bilden mit der jeweiligen Rechteckschlitzstrahler­ fläche, durch die eine Kurve oder Gerade hindurchgeht, einen rechten Winkel und schließen mit der Antennengrund­ flächennormalen (A⁺-C) einen Winkel τ ein, der sich mit dem Kurvenverlauf ändern kann. Die Rechteckschlitz­ sekundärstrahler 1720... 172X (X = 1...max.9) bzw. 1730, 1731 werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer. Der Abstand auf einer Kurve oder Gerade A⁺⁺, (A⁺-B⁺), B der Rechtecksekundär­ strahlerschlitze voneinander und zwischen Rechteckprimär­ strahlerschlitz 13d bzw. 13e bzw. 13f bzw. 13f′ und dem Rechtecksekundärstrahlerschlitz 1610 bzw. 1610a bzw. 1720 1730, der der Grundplatte 1 am nächsten angeordnet ist, liegt in der Größenordnung von λ/2. Die genauen Werte der Abstände und der Größen der Rechtecksekundärstrahler­ flächen hängen stark vom Winkel τ ab. Die Abstände wer­ den mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Poly­ styrol ausgefüllt. Wird eine Dielektrikumsschicht 2 zwischen zwei Sekundärstrahler enthaltenden Schichten 1700 und 1701 bzw. 1701 und 170X durch eine Ebene F1 bzw. F2 geteilt, so kann durch Verschiebung der dadurch ent­ stehenden zwei Teile der Dielektrikumsschicht 2 gegenein­ ander die Neigung der Hauptstrahlrichtung gegenüber der Antennengrundflächennormalen (A-C) in Grenzen korri­ giert werden. Erfolgt die Schwenkung der Hauptstrahl­ richtung der Antenne mit der in diesem Absatz beschriebe­ nen Methode, so ist gegenüber einer Antenne mit analogem Aufbau aber in die Richtung der Antennengrundflächennor­ malen (A-C) zeigenden Hauptstrahlrichtung kein Gewinn­ verlust zu verzeichnen. Neben den in diesem Absatz ver­ wendeten Rechteckschlitzstrahlern können in einem solchen Sekundärstrahlerschichtaufbau auch alle in den Ansprüchen und in der Beschreibung aufgeführten Schlitzstrahlerfor­ men, Microstripstrahlerformen oder kombinierten Micro­ strip-/Schlitzstrahlerformen benutzt werden.

In Fig. 38 werden die Berandungsformen einer mit einem Schlitzstrahler 5 kombinierten Microstripstrahlerfläche 6 dargestellt. Die kombinierten Microstrip-/Schlitzstrah­ ler 6/5 sind aus der leitenden Schicht einer Doppel­ schicht 3 aus einem dielektrischen Trägermaterial mit einer leitenden Schicht herausgearbeitet. Als dielek­ trisches Trägermaterial ist Polyesterfolie der Dicke von 25 µm bis 200 µm gut geeignet. Die zwei Berandungen eines einen Microstripstrahler 6 umschließenden Schlitzstrah­ lers 5 können eine gleichartige geometrische Form be­ sitzen, wie zum Beispiel die Form einer Ellipse 170, eines Kreises 171, eines Zweieckes mit kreisförmigen Ver­ bindungslinien zwischen den Ecken 172, eines Dreieckes 173, eines Sechseckes 177 oder eines Viereckes 174, spe­ zieller eines Rechteckes 175 oder eines Quadrates 176. Die zwei Berandungen eines einen Microstripstrahler 6 um­ schließenden Schlitzstrahlers 5 können auch zwei unter­ schiedliche geometrische Formen besitzen, wie zum Bei­ spiel die Form eines Kreises und eines Quadrates 182/178, 179/183 oder die Form eines Quadrates und eines Dreieckes 184/180 oder die Form eines Quadrates und eines Recht­ eckes 185/181. Die Auswahl der Berandungsformen der kom­ binierten Microstrip-/Schlitzstrahler 6/5 muß ent­ sprechend des geforderten Frequenzbereiches und der ge­ forderten Polarisation erfolgen. In der Regel beträgt der Umfang der Mittellinie des den Microstripstrahler 6 um­ gebenden Schlitzes 5 rund 2*λ.

Zusammenfassend wurden mehrere miteinander kombinier­ bare Primärstrahlerkonfigurationen und Sekundärstrahler­ schichtaufbauten gefunden, die die Herstellung eines An­ tenneneinzelelementes erlauben, das bei flacher und ein­ facher Bauweise breitbandig einen großen Gewinn liefert, bei Empfang oder Abstrahlung eine lineare oder eine zir­ kulare oder zwei orthogonale lineare oder zwei orthogona­ le zirkulare Polarisationen erlaubt und sich mit weiteren Elementen dieser Art durch eine planare Schaltung breit­ bandig zu einem Array HF-verlustarm verbinden läßt. Für zwei orthogonale Polarisationen erweist sich der Aufbau nach Fig. 9 als sehr kostengünstig und leistungsmäßig aus­ reichend. Mit den beschriebenen Primärstrahlerkonfigura­ tionen und Sekundärstrahlerschichtaufbauten lassen sich Antennenarrays aufbauen, die mit 512 Einzelantennenele­ menten in der Fläche 50 mal 50 cm² einem Gewinn von 36 bis 39 dBi erreichen und eine Bandbreite bis zu 2 GHz be­ sitzen. Durch Verwendung von Phasen- und Amplituden- Steuerungen über der Apertur sind auf der genannten Flächengröße möglicherweise noch höhere Gewinnwerte zu erzielen. Außerdem läßt sich der Winkel zwischen der An­ tennengrundflächennormalen und der Hauptstrahlungskeule sehr einfach mechanisch einstellen, wobei der Gewinn der Antenne nur sehr wenig vom Schwenkungswinkel der Haupt­ strahlungskeule bezüglich der Antennengrundflächennorma­ len abhängt. Auch ein Antenneneinzelelement, kombiniert aus einer Primärstrahlerkonfiguration und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau, hat kompakte und mechanisch kleine Abmessungen und ist in einer Einelementantenne verwend­ bar. Hier tritt außerdem der günstige Fall ein, daß der Strahlbündelungseffekt bei klein gehaltenen metallischen Flächen um die Schlitzstrahler herum teilweise sehr große Werte gegenüber einem einfachen Primärstrahlerelement an­ nimmt (bis zu 14 dBi). Durch Variation der Abstände der jeweils einen Primärstrahler oder Sekundärstrahler ent­ haltenden Schichten zueinander kann die Strahlungskeule eines Antenneneinzelelementes geformt werden. Dies hat weiterhin zur Folge, daß in einem Array bestehend aus einer Primärstrahlerkonfiguration und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit vielen Antenneneinzelelementen die am Rand des Arrays liegenden Strahler wesentlich bes­ ser ausgenutzt werden können.

Claims (38)

nsprüche<

1. Mikrowellenschlitzantennen unter Verwendung ver­ schiedener, schichtförmig aufgebauter Primärstrahler­ konfigurationen, das heißt der oder die Primärstrahler sind mit einem Hochfrequenz-Speisenetzwerk in Tri­ plate- oder Microstrip-Ausführung direkt über einen angebrachten Kontakt gekoppelt und impedanzmäßig ein­ ander angepaßt oder der oder die Primärstrahler sind mit einem Hochfrequenz-Speisenetzwerk in Triplate- oder Microstrip-Ausführung direkt kontaktlos, ohne Zwischenschaltung eines weiteren Hochfrequenz-Schal­ tungselementes außer einem Dielektrikum gekoppelt und impedanzmäßig einander angepaßt, wie zum Beispiel

• (I) einer Rechteckschlitzstrahlerkonfiguration für eine lineare Polarisationsart bestehend aus einem Schichtaufbau nachstehend aufgeführter aufeinan­ derfolgender Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) begin­ nend, die als Massefläche einer Triplate- Anordnung dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten Grundplatte (1) anliegenden ersten Dielektrikums­ schicht (2) zum Beispiel aus Polytetra­ flouräthylen, Schaumstoff oder Luft; 4
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten ersten Dielektrikumsschicht (2) anliegen­ den ersten Doppelschicht (10) eines di­ elektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der vorgenannten leitenden Schicht das Speisenetzwerk (12) für den oder die Pri­ märstrahler (13) herausgeätzt ist und die vorgenannte leitende Schicht sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) be­ züglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grund­ platte (1) weg weisen kann;
  • (iv) mit einer an der vorgenannten ersten Doppel­ schicht (10) aus dielektrischem Trägermate­ rial mit leitender Schicht anliegenden zwei­ ten Dielektrikumsschicht (2) zum Beispiel aus Polytetraflouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (v) mit einer an der vorgenannten zweiten Dielek­ trikumsschicht (2) anliegenden selbsttragen­ den leitenden Schicht (11) oder zweiten Dop­ pelschicht eines dielektrischen Trägermate­ rials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei die leitende Schicht einen oder mehrere von leitendem Material ausgesparte Rechteckschlitze (13) besitzt, ein jeweils einen Rechteckschlitz (13) speisender Lei­ terzug des Speisenetzwerkes (12) auf der er­ sten Doppelschicht (10) nicht direkt zwischen Rechteckschlitz (13) und Grundplatte (1) en­ det, die Rechteckschlitze (13) den oder die Primärstrahler darstellen und im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium beinhalten sowie die leitende Schicht der zweiten Doppelschicht sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des di­ elektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (II) einer Rundschlitzstrahlerkonfiguration mit Re­ flektor für zwei lineare oder zwei zirkulare oder eine lineare und eine zirkulare Polarisationsart bestehend aus einem Schichtaufbau nachstehend aufgeführter aufeinanderfolgender Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) begin­ nend, die als Reflektor dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten Reflektor­ grundplatte (1) anliegenden ersten Dielek­ trikumsschicht (2);
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten ersten Dielektrikumsschicht (2) anliegen­ den ersten selbsttragenden leitenden Schicht (20), wobei die erste selbsttra­ gende leitende Schicht (20) einen oder mehrere von leitendem Material ausgesparte Kreise (25), Kreisschlitze genannt, be­ sitzt, die vorgenannten Kreisschlitze (25) Teil eines oder mehrerer Primärstrahler (25, 26, 27) sind und in ihrem Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium beinhalten;
  • (iv) mit einer an der vorgenannten ersten selbsttragenden leitenden Schicht (20) an­ liegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2);
  • (v) mit einer an der vorgenannten zweiten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden ersten Doppelschicht (21) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der vorgenannten ersten Doppelschicht (21) das Speisenetzwerk (28) für den oder die Primärstrahler (25, 26) für die erste Polarisationsart herausgeätzt ist und die leitende Schicht der vorgenannten ersten Doppelschicht (21) sowohl zur vor­ genannten leitenden Reflektorgrundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Träger­ materials als auch von vorgenannter leitender Reflektorgrundplatte (1) weg weisen kann;
  • (vi) mit einer an der vorgenannten ersten Dop­ pelschicht (21) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden dritten Dielektrikumsschicht (2);
  • (vii) mit einer an der vorgenannten dritten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden zweiten selbsttragenden leitenden Schicht (22), wobei die zweite selbsttragende leitende Schicht (22) einen oder mehrere von leiten­ dem Material ausgesparte Kreise (26), Kreisschlitze genannt, besitzt, die vor­ genannten Kreisschlitze (26) Teil eines oder mehrerer Primärstrahler (25, 26, 27) sind und in ihrem Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium bein­ halten;
  • (viii) mit einer an der vorgenannten zweiten selbsttragenden leitenden Schicht (22) an­ liegenden vierten Dielektrikumsschicht (2);
  • (ix) mit einer an der vorgenannten vierten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden zwei­ ten Doppelschicht (23) eines dielek­ trischen Trägermaterials mit einer auf­ gebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der vorgenannten zweiten Doppelschicht (23) das Speisenetz­ werk (29) für den oder die Primärstrahler (26, 27) für die zweite Polarisationsart herausgeätzt ist und die leitende Schicht der vorgenannten zweiten Doppelschicht (23) sowohl zur vorgenannten leitenden Reflek­ torgrundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vor­ genannter leitender Reflektorgrundplatte (1) weg weisen kann;
  • (x) mit einer an der vorgenannten zweiten Dop­ pelschicht (23) aus dielektrischem Trägermaterial mit leitender Schicht anliegenden fünften Dielektrikumsschicht (2);
  • (xi) mit einer an der vorgenannten fünften Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden dritten selbsttragenden leitenden Schicht (24), wobei die dritte selbsttragende leitende Schicht (24) einen oder mehrere von leiten­ dem Material ausgesparte Kreise (27), Kreisschlitze genannt, besitzt, die vor­ genannten Kreisschlitze (27) Teil eines oder mehrerer Primärstrahler (25, 26, 27) sind und in ihrem Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium be­ inhalten;
• wobei die Flächennormalen aller vorgenannten Schichten (1, 2, 20, 21, 22, 23, 24) stets aufeinanderfallen und durch alle drei Mittel­ punkte (A, A′, A′′) der in dem Schichtaufbau übereinander liegenden sowie jeweils zu einem vollständigen Primärstrahler mit zwei Polari­ sationsarten gehörenden drei vorgenannten Schlitze (25, 26, 27) gehen, die vorgenannten reinen Dielektrikumsschichten (2) aus Poly­ tetraflouräthylen, Schaumstoff oder Luft und die vorgenannten selbsttragenden leitenden Schichten (20, 22, 24) auch aus jeweils einer Doppelschicht eines dielektrischen Träger­ materials mit einer leitenden Schicht unter der Maßgabe, daß sich der oder die Kreis­ schlitze (25, 26, 27) in der leitenden Schicht der jeweiligen Doppelschicht befinden und die leitende Schicht der jeweiligen Doppelschicht sowohl zur vorgenannten leitenden Reflektor­ grundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Reflektorgrundplatte (1) weg weisen kann, bestehen können;
• (III) einer Rundschlitzstrahlerkonfiguration mit Re­ flektor für eine lineare oder eine zirkulare Polarisationsart bestehend aus einem Schichtauf­ bau nachstehend aufgeführter aufeinanderfolgen­ der Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) begin­ nend, die als Reflektor dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten Reflektor­ grundplatte (1) anliegenden ersten Dielek­ trikumsschicht (2);
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten ersten Dielektrikumsschicht (2) anliegen­ den ersten selbsttragenden leitenden Schicht (30), wobei die erste selbsttra­ gende leitende Schicht (30) einen oder mehrere von leitendem Material ausgespar­ te Kreise (33), Kreisschlitze genannt, be­ sitzt, die vorgenannten Kreisschlitze (33) Teil eines oder mehrerer Primärstrahler (33, 34) sind und in ihrem Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium beinhalten;
  • (iv) mit einer an der vorgenannten ersten selbsttragenden leitenden Schicht (30) an­ liegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2);
  • (v) mit einer an der vorgenannten zweiten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden Doppel­ schicht (31) eines dielektrischen Träger­ materials mit einer aufgebrachten leiten­ den Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der vorgenannten Doppelschicht (31) das Speisenetzwerk (35) für den oder die Primärstrahler (33, 34) herausgeätzt ist und die leitende Schicht der vorge­ nannten Doppelschicht (31) sowohl zur vor­ genannten leitenden Reflektorgrundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Träger­ materials als auch von vorgenannter leitender Reflektorgrundplatte (1) weg weisen kann;
  • (vi) mit einer an der vorgenannten Doppel­ schicht (31) eines dielektrischen Träger­ materials mit einer aufgebrachten leiten­ den Schicht anliegenden dritten Dielek­ trikumsschicht (2);
  • (vii) mit einer an der vorgenannten dritten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden zweiten selbsttragenden leitenden Schicht (32), wobei die zweite selbsttragende leitende Schicht (32) einen oder mehrere von leiten­ dem Material ausgesparte Kreise (34), Kreisschlitze genannt, besitzt, die vor­ genannten Kreisschlitze (34) Teil eines oder mehrerer Primärstrahler (33, 34) sind und in ihrem Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium beinhalten;
• wobei die Flächennormalen aller vorgenannten Schichten (1, 2, 30, 31, 32) stets aufeinan­ derfallen und durch alle zwei Mittelpunkte (A, A′) der in dem Schichtaufbau übereinander liegenden sowie jeweils zu einem vollständigen Primärstrahler gehörenden zwei vorgenannten Kreisschlitze (33, 34) gehen, die vorgenannten reinen Dielektrikumsschichten (2) aus Poly­ tetraflouräthylen, Schaumstoff oder Luft und die vorgenannten selbsttragenden leitenden Schichten (30, 32) auch aus jeweils einer Dop­ pelschicht eines dielektrischen Trägermaterials mit einer leitenden Schicht unter der Maß­ gabe, daß sich der oder die Kreisschlitze (33, 34) in der leitenden Schicht der jeweiligen Doppelschicht befinden und die leitende Schicht der jeweiligen Doppelschicht sowohl zur vorgenannten leitenden Reflektorgrundplat­ te (1) bezüglich des dielektrischen Trägerma­ terials als auch von vorgenannter leitender Reflektorgrundplatte (1) weg weisen kann, be­ stehen können;
• (IV) einer Microstripstrahlerkonfiguration für eine lineare oder eine zirkulare Polarisationsart mit einer galvanischen Kopplung zwischen einem oder mehreren Primärstrahlern (81) und Speisenetzwerk (82) bestehend aus einem Schichtaufbau nachstehend aufgeführter aufeinanderfolgender Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) be­ ginnend, die als Massefläche der Micro­ strip-Anordnung dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten Grundplatte (1) anliegenden Dielektrikumsschicht (2) zum Beispiel aus Polytetraflouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten Dielektrikumsschicht (2) anliegenden Dop­ pelschicht (80) eines dielektrischen Trä­ germaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der vorge­ nannten leitenden Schicht das Speisenetz­ werk (82) in der Form von Leiterbahnen so­ wie der oder die Microstrip-Primärstrahler (81) in der Form von einer oder mehreren leitenden Flächen beliebiger Berandung herausgeätzt sind, das Speisenetzwerk (82) und der oder die Microstrip-Primärstrahler (81) galvanisch leitend miteinander ver­ bunden sind und die vorgenannte leitende Schicht sowohl zur vorgenannten leiten­ den Grundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vor­ genannter Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (V) einer Microstripstrahlerkonfiguration für eine lineare oder eine zirkulare Polarisationsart mit einer kontaktlosen Kopplung zwischen einem oder mehreren Primärstrahlern (88) und Speisenetzwerk (87) bestehend aus einem Schichtaufbau nachstehend aufgeführter aufeinanderfolgender Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) be­ ginnend, die als Massefläche der Micro­ strip-Anordnung dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten Grundplatte (1) anliegenden ersten Dielektrikums­ schicht (2) zum Beispiel aus Polytetra­ flouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten ersten Dielektrikumsschicht (2) anliegen­ den ersten Doppelschicht (85) eines di­ elektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der vorgenannten ersten Doppelschicht (85) das Speisenetz­ werk (87) in der Form von Leiterbahnen für den oder die Primärstrahler (88) heraus­ geätzt ist und die leitende Schicht der vorgenannten ersten Doppelschicht (85) sowohl zur vorgenannten leitenden Grund­ platte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
  • (iv) mit einer an der vorgenannten ersten Doppelschicht (85) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2) zum Beispiel aus Polytetraflouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (v) mit einer an der vorgenannten zweiten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden zweiten Doppelschicht (86) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leiten­ den Schicht der vorgenannten zweiten Dop­ pelschicht (86) der oder die Microstrip- Primärstrahler (88) in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen beliebiger ge­ schlossener Berandung herausgeätzt sind und die leitende Schicht der vorgenannten zweiten Doppelschicht (86) sowohl zur vor­ genannten leitenden Grundplatte (1) bezüg­ lich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (VI) einer kombinierten Microstripstrahler/Schlitz­ strahlerkonfiguration für eine lineare oder eine zirkulare Polarisationsart mit kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primär­ strahlern (97/96, 129/125) und dem Speisenetzwerk (96, 128) bestehend aus einem Schichtaufbau nach­ stehend aufgeführter aufeinanderfolgender Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) be­ ginnend, die als Massefläche der Triplate- Anordnung dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten Grundplatte (1) anliegenden ersten Dielektrikums­ schicht (2) zum Beispiel aus Polytetra­ flouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten ersten Dielektrikumsschicht (2) anliegen­ den ersten Doppelschicht (90, 120) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der vorgenannten ersten Doppelschicht (90, 120) das Speise­ netzwerk (96, 128) für den oder die kombi­ nierten Microstrip-/Schlitz-Primärstrahler (97/95, 129/125) herausgeätzt ist und die leitende Schicht der vorgenannten ersten Doppelschicht (90, 120) sowohl zur vorge­ nannten leitenden Grundplatte (1) bezüg­ lich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grund­ platte (1) weg weisen kann;
  • (iv) mit einer an der vorgenannten ersten Dop­ pelschicht (90, 120) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2) zum Beispiel aus Polytetraflouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (v) mit einer an der vorgenannten zweiten Di­ elektrikumsschicht (2) anliegenden zweiten Doppelschicht (91, 121) eines dielek­ trischen Trägermaterials mit einer auf­ gebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der vorgenannten zweiten Doppelschicht (91, 121) der oder die kombinierten Microstrip-/Schlitz-Pri­ märstrahler (97/95, 129/125) in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen be­ liebiger geschlossener Berandung (97, 129), Microstrip-Primärteilstrahlerelemente ge­ nannt, mit anschließend um jede dieser leitenden Flächen beliebiger geschlossener Berandung (97, 129) liegenden von leiten­ dem Material ausgesparten Flächen mit je­ weils zwei beliebigen geschlossenen Be­ randungen (95, 125), Schlitz-Primärteil­ strahlerelemente genannt, aber jeweils einer gemeinsamen Berandung mit den vor­ genannten leitenden Flächen beliebiger ge­ schlossener Berandung (97, 129) und je­ weils einer gemeinsamen Berandung mit den anschließend um die von leitendem Material ausgesparten Flächen mit jeweils zwei be­ liebigen geschlossenen Berandungen (95, 125) liegenden leitenden Flächen (99, 131), herausgeätzt sind und die leitende Schicht der vorgenannten zweiten Doppelschicht (91, 121) sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielektri­ schen Trägermaterials als auch von vorge­ nannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann sowie die Microstrip-Primär­ teilstrahlerelemente (97, 129) nicht auf derselben Trägermaterialschichtseite wie die übrigen vorgenannten leitenden Flächen (99, 131) liegen müssen, das heißt, daß statt der vorgenannten zweiten Doppel­ schicht (91, 121) auch eine Dreifach­ schicht mit einem dielektrischen Träger­ material im Zentrum des Dreifachschichtauf­ baus und mit zwei bezüglich der Trägerma­ terialschicht jeweils entgegengesetzt auf­ gebrachten leitenden Schichten verwendet werden kann;
• (VII) einer kombinierten Microstripstrahler/Schlitz­ strahlerkonfiguration für eine lineare oder eine zirkulare Polarisationsart mit galvanischer Kopp­ lung zwischen einem oder mehreren Microstrip-Pri­ märteilstrahlerelementen und kontaktloser Kopp­ lung zwischen einem oder mehreren Schlitz-Primär­ teilstrahlerelementen und dem Speisenetzwerk be­ stehend aus einem Schichtaufbau nachstehend auf­ geführter aufeinanderfolgender Schichten:
  • (i) mit einer leitenden Grundplatte beginnend, die als erste Massefläche der Triplate-An­ ordnung dient;
  • (ii) mit einer an der vorgenannten leitenden Grundplatte anliegenden ersten Dielektri­ kumsschicht zum Beispiel aus Polytetra­ flouräthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (iii) mit einer folgenden an der vorgenannten ersten Dielektrikumsschicht anliegenden Doppelschicht eines dielektrischen Träger­ materials mit einer aufgebrachten leiten­ den Schicht, wobei aus der vorgenannten leitenden Schicht das Speisenetzwerk in der Form von Leiterbahnen sowie das oder die Microstrip-Primärteilstrahlerelemente in der Art von einem oder mehreren Strei­ fenleitungsresonatoren und in der Form von einer oder mehreren leitenden Flächen be­ liebiger Berandung herausgeätzt sind, das Speisenetzwerk und das oder die Micro­ strip-Primärteilstrahlerelemente galva­ nisch leitend miteinander verbunden sind, das Speisenetzwerk in Verbindung mit einem Microstrip-Primärteilstrahlerelement der direkten und kontaktlosen Anregung eines Schlitz-Primärteilstrahlerelementes dient und die vorgenannte leitende Schicht so­ wohl zur vorgenannten leitenden Grundplat­ te bezüglich des dielektrischen Trägerma­ terials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte weg weisen kann;
  • (iv) mit einer an der vorgenannten Doppel­ schicht eines dielektrischen Trägermateri­ als mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden zweiten Dielektrikums­ schicht zum Beispiel aus Polytetraflour­ äthylen, Schaumstoff oder Luft;
  • (v) mit einer an der vorgenannten zweiten Di­ elektrikumsschicht anliegenden selbsttra­ genden leitenden Schicht, wobei die selbsttragende leitende Schicht ein oder mehrere Schlitz-Primärteilstrahlerelemente in Form von einer oder mehreren von lei­ tendem Material in der Dicke der selbst­ tragenden leitenden Schicht ausgesparten Flächen geschlossener Berandung besitzt, die Schlitz-Primärteilstrahlerelemente in ihrem Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes Medium beinhalten, die selbsttragende leitende Schicht als zweite Massefläche der Triplate-Anordnung dient sowie die leitende Fläche beliebiger Be­ randung eines Microstrip-Primärteilstrah­ lerelementes und die von leitendem Mate­ rial in der Dicke der selbsttragenden lei­ tenden Schicht ausgesparte Fläche ge­ schlossener Berandung eines Schlitz-Pri­ märteilstrahlerelementes eine von der lei­ tenden Grundplatte ausgehende Flächennor­ male berühren;

dadurch gekennzeichnet, daß an die Schicht, Doppelschicht oder Dreifachschicht (11, 24, 32, 41, 53, 63, 74, 80, 86, 91, 93, 121, 124), die von der leitenden, einer Primärstrahlerkonfigura­ tion als flächenmäßig geschlossen leitender Reflektor und/oder als flächenmäßig geschlossen leitende Masse­ fläche bezüglich einer Triplate- und/oder Microstrip- Anordnung des mit dem oder den Primärstrahlern direkt ohne Zwischenschaltung eines weiteren Hochfrequenz- Schaltungselementes außer einer Dielektrikumsschicht gekoppelt und impedanzmäßig angepaßten Speisenetz­ werkes dienenden Grundplatte (1) gesehen am weitesten entfernt ist und den oder die Primärstrahler (13, 42, 81, 88, 95, 97, 125, 129) oder wenn der oder die Pri­ märstrahler aus mehreren Teilen in verschiedenen Schichten bestehen den oder die von der vorgenannten Grundplatte (1) am weitesten entfernten Teile eines oder mehrerer Primärstrahler (27, 34, 55, 65, 77, 94, 127) enthält, ein weiterer Schichtaufbau, Sekundär­ strahlerschichtaufbau genannt, enthaltend unmittelbar ohne Zwischenschaltung eines weiteren Hochfrequenz- Schaltungselementes außer einer Dielektrikumsschicht oder mittelbar mit dem oder den Primärstrahlern (13, 25...27, 33, 34, 42, 54, 55, 64, 65, 75...77, 81, 88, 94, 95, 97, 125... 127, 129) gekoppelte ein oder mehrere Sekundärstrahler in der Art der Schlitz­ strahler (110... 11X, 210...21X, 310... 31X, 410...41X, 510...51X, 610...61X, 710...71X, 810...81X, 910...91X, 1010... 101X, 1110... 111X, 1410... 141X, 1510... 151X, 1610, 171X, 1720... 172X, 1730, 1731) und/oder kombi­ nierten Microstripstrahler/Schlitzstrahler, wobei bei mittelbarer Kopplung Sekundärstrahler nur über andere Sekundärstrahler ohne Zwischenschaltung weiterer Hoch­ frequenz-Schaltungselemente außer einer oder mehrerer Dielektrikumsschichten mit dem oder den Primär­ strahlern gekoppelt sein können, bestehend aus nach­ stehend aufgeführten alternierend aufeinanderfolgend aneinanderliegenden zwei Schichtarten beginnend mit einer Dielektrikumsschicht (2) anliegt:

• (a) einer Schichtart in Form einer Dielektrikums­ schicht (2) bestehend aus einem homogenen Dielek­ trikumsmaterial oder aus einer Mischung ver­ schiedener Dielektrika oder aus verschiedenen Teilschichten eines oder mehrerer verschiedener Dielektrika oder Mischungen verschiedener Dielek­ trika, wobei neben anderen Materialien zum Bei­ spiel feste Dielektrika wie Polytetraflour­ äthylen, glasfaserverstärktes Polytetraflour­ äthylen, Polystyrol, Epoxidharze, glasfaserver­ stärkte Epoxidharze und andere Plastmaterialien, ferrimagnetische Werkstoffe, Keramiken, Quarzglas und andere Gläser, Schaumstoffe wie Polyäthylen­ schaumstoff, Polypropylenschaumstoff, Polystyrol­ schaumstoff und Polyurethanschaumstoff, Gase wie Luft und Stickstoff und/oder eine Mischung der vorgenannten Beispiel-Dielektrikumsstoffe zur An­ wendung kommen können;
• (b) einer Schichtart in Form
  • (b1) einer selbsttragenden leitenden Schicht (100... 10X, 200...20X, 300...30X, 400... 40X, 500...50X, 600...60X, 700...70X, 800... 80X, 900...90X, 1000... 100X, 1100... 110X, 1400... 140X, 1500... 150X, 1600, 1700 ... 170X) mit einer oder mehreren von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung (110... 11X, 160... 167, 210...21X, 310...31X, 410... 41X, 510... 51X, 610... 61X, 710... 71X, 810... 81X, 910...91X, 1010... 101X, 1110... 111X, 1410... 141X, 1510... 151X, 1610, 171X, 1720... 172X, 1730, 1731) beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Bei­ spiel Luft und darstellend den oder die Sekundärstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler; oder
  • (b2) einer Doppelschicht eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, worin die leitende Schicht sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann, und wobei die leitende Schicht eine oder mehrere von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparte Flächen geschlossener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Bei­ spiel Luft und darstellend den oder die Sekundärstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler besitzt, oder wobei die leitende Schicht und das dielektrische Trägermaterial eine oder mehrere von leitendem Material und Dielektrikum gemeinsam in der Dicke der leitenden Schicht und des Dielektrikums vollständig ausgesparte Flächen geschlos­ sener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Sekundär­ strahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler bezüglich der von leitendem Material ausgesparten Fläche oder Flächen der leitenden Schicht be­ sitzen; oder
  • (b3) einer Doppelschicht eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der oder die kombinierten Micro­ strip-/Schlitz-Sekundärstrahler in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht, Microstrip-Sekundärteil­ strahlerelemente genannt, mit einer an­ schließend jedes Microstrip-Sekundärteil­ strahlerelement in Form einer leitenden Fläche geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht umschließenden, von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen, Schlitz-Sekundärteilstrahlerelement ge­ nannt, aber einer gemeinsamen ge­ schlossenen Berandung mit dem Microstrip- Sekundärteilstrahlerelement in Form einer leitenden Fläche geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht und einer gemeinsamen Berandung mit einer an­ schließend um das Schlitz-Sekundärteil­ strahlerelement in Form einer von leiten­ dem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen herum liegenden leitenden Fläche in der Dicke der leitenden Schicht herausgearbeitet sind, die zuletzt genannte leitende Fläche mit leitenden Flächen gleicher Art von weiteren kombinierten Microstrip-/Schlitz- Sekundärstrahlern, herausgearbeitet aus der gleichen leitenden Schicht, eine Ein­ heit mit galvanischem Kontakt bilden kann und die leitende Schicht sowohl zur vorge­ nannten leitenden Grundplatte (1) bezüg­ lich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grund­ platte (1) weg weisen kann; oder
  • (b4) einer Dreifachschicht mit einem dielek­ trischen Trägermaterial im Zentrum des Dreifachschichtaufbaus und mit zwei bezüg­ lich der Trägermaterialschicht jeweils entgegengesetzt auf den zwei Trägermate­ rialschichtseiten aufgebrachten leitenden Schichten, wobei aus den beiden leitenden Schichten der oder die kombinierten Micro­ strip-/Schlitz-Sekundärstrahler in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung auf der ersten Trägermaterialschichtseite in der Dicke der darauf befindlichen leitenden Schicht, Microstrip-Sekundärteilstrahlerelemente ge­ nannt, und einer oder mehreren von leiten­ dem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung auf der zweiten Trägermaterialschichtseite, wobei jeweils eine Berandung eines Microstrip-Sekundär­ teilstrahlerelementes in Form einer leiten­ den Fläche mit geschlossener Berandung auf der ersten Trägermaterialschichtseite in der Dicke der darauf befindlichen leiten­ den Schicht und jeweils eine Berandung einer von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausge­ sparten Fläche auf der zweiten Trägerma­ terialschichtseite zusammen im Dreifach­ schichtaufbau so übereinander liegen, daß die beiden Berandungen eine in der Gesamt­ dicke der Dreifachschicht vollständig von leitendem Material ausgesparte Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen, Schlitz- Sekundärteilstrahlerelement genannt, bil­ den, herausgearbeitet sind, eine leitende Fläche eines kombinierten Microstrip-/ Schlitz-Sekundärstrahlers auf der zweiten Trägermaterialschichtseite mit leitenden Flächen gleicher Art von weiteren kombi­ nierten Microstrip-/Schlitz-Sekundär­ strahlern, herausgearbeitet aus der gleichen leitenden Schicht, eine Einheit mit galvanischem Kontakt bilden kann und die leitenden Schichten auf der ersten und auf der zweiten Trägermaterialschichtseite bei Beachtung der jeweils entgegenge­ setzten Aufbringung der zwei leitenden Schichten auf die zwei Trägermaterial­ schichtseiten sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen können;
• wobei nur eine oder nur zwei oder nur drei oder alle vier der vorstehend beschriebenen Formen der möglichen Ausführung von Schichten beinhaltend einen oder mehrere Sekundärstrahler, speziell be­ inhaltend einen oder mehrere vorgenannte Schlitz- Sekundärstrahler oder kombinierte Microstrip-/ Schlitz-Sekundärstrahler, in dem vorgenannten Sekundärstrahlerschichtaufbau enthalten sein kann oder können; und

der vorgenannte Sekundärstrahlerschichtaufbau aus zu­ sammen maximal 40 alternierend aufeinanderfolgend an­ einanderliegenden, vorstehend beschriebenen Schichten der vorgenannten zwei Schichtarten bestehen kann, wobei im Falle der Verwendung einer Primärstrahlerkonfigura­ tion in Form einer genannten Rechteckschlitzstrahler­ konfiguration oder einer genannten kombinierten Micro­ stripstrahler/Schlitzstrahlerkonfiguration mit galva­ nischer Kopplung zwischen einem oder mehreren Micro­ strip-Primärteilstrahlerelementen bzw. kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Schlitz-Primär­ teilstrahlerelementen und dem Speisenetzwerk mit einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit einer einzigen einen oder mehrere genannte Sekundärstrahler in Form soge­ nannter Schlitze oder Schlitzstrahler enthaltenden Schicht die Anzahl der Sekundärstrahler gleich der An­ zahl der Primärstrahler ist und wobei im Falle der Verwendung einer Primärstrahlerkonfiguration in Form einer genannten Microstripstrahlerkonfiguration mit einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit ausschließlich einen oder mehrere genannte Sekundärstrahler in Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler enthaltenden Schichten der Sekundärstrahlerschichtaufbau mindestens zwei je einen oder mehrere Sekundärstrahler enthalten­ de Schichten besitzen muß.

2. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Primärstrahlerkonfigurationen betref­ fend die in den voraussetzenden Merkmalen des An­ spruches 1 genannten Rechteckschlitzstrahlerkonfigura­ tion (10...13), kombinierte Microstripstrahler/Schlitz­ strahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primärstrahlern und dem Speisenetzwerk (90, 91, 95...97, 99, 120, 121, 125, 128, 129, 131) sowie Microstripstrahlerkonfigurationen (80... 82, 85... 88) und die Primärstrahlerkonfiguration in Anspruch 7 in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau eine oder mehrere aber nicht alle vorgenannten selbsttra­ genden leitenden Schichten und/oder vorgenannten Dop­ pelschichten und/oder vorgenannten Dreifachschichten der Schichtart enthaltend einen oder mehrere Sekundär­ strahler in der Form von einem oder mehreren Schlitz- Sekundärstrahlern und/oder einem oder mehreren kombi­ nierten Microstrip-/Schlitz-Sekundärstrahlern durch eine oder mehrere Doppelschichten (1200, 1301) eines dielektrischen Trägermaterials mit pro Doppelschicht einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der oder den leitenden Schichten einer oder mehrerer Dop­ pelschichten ein oder mehrere Microstrip-Sekundär­ strahler pro Doppelschicht in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht herausge­ arbeitet sind (1210, 1311), ersetzt werden kann oder können, wobei jeweils eine vorgenannte selbsttragende leitende Schicht oder vorgenannte Doppelschicht oder vorgenannte Dreifachschicht enthaltend einen oder mehrere Sekundärstrahler in der Form von einem oder mehreren Schlitz-Sekundärstrahlern oder einem oder mehreren kombinierten Microstrip-/Schlitz-Sekundär­ strahlern nur durch jeweils eine Doppelschicht enthal­ tend einen oder mehrere Microstrip-Sekundärstrahler ersetzt werden kann.

3. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, Grundlage für den Sekundärstrahlerschichtaufbau eine Primärstrahlerkonfiguration für zwei lineare oder zwei zirkulare oder eine lineare und eine zirkulare Polari­ sationsart bestehend aus einem Schichtaufbau nach­ stehend aufgeführter aufeinanderfolgend aneinander­ liegender Schichten verwendet werden kann:

• (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) beginnend, die als Massefläche einer Triplate-Anordnung dient;
• (ii) mit einer an der Grundplatte (1) anliegenden ersten Dielektrikumsschicht (2) bestehend aus einem homogenen Dielektrikumsmaterial oder aus einer Mischung verschiedener Dielektrika oder aus verschiedenen Teilschichten eines oder mehrerer verschiedener Dielektrika oder Mischungen ver­ schiedener Dielektrika, wobei neben anderen Ma­ terialien zum Beispiel feste Dielektrika wie Polytetraflouräthylen, glasfaserverstärktes Poly­ tetraflouräthylen, Polystyrol, Epoxidharze, glas­ faserverstärkte Epoxidharze und andere Plastma­ terialien, ferrimagnetische Werkstoffe, Kera­ miken, Quarzglas und andere Gläser, Schaumstoffe wie Polyäthylenschaumstoff, Polypropylenschaum­ stoff, Polystyrolschaumstoff und Polyurethan­ schaumstoff, Gase wie Luft und Stickstoff und/ oder eine Mischung der genannten Beispiel-Dielek­ trikumsstoffe zur Anwendung kommen können;
• (iii) mit einer folgenden an der ersten Dielektrikums­ schicht (2) anliegenden ersten stets vorhandenen Doppelschicht (50, 60, 90) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der er­ sten stets vorhandenen Doppelschicht (50, 60, 90) das Speisenetzwerk (56, 66, 96) in Form von einer oder mehreren Leiterbahnen für den oder die Pri­ märteilstrahler in Form eines oder mehrerer Schlitz-Primärteilstrahler (54, 64) oder eines oder mehrerer kombinierter Microstrip-/Schlitz- Primärteilstrahler (97/95) für die erste Polari­ sationsart herausgearbeitet ist und die leitende Schicht der ersten stets vorhandenen Doppel­ schicht (50, 60, 90) sowohl zur vorgenannten lei­ tenden Grundplatte (1) bezüglich des dielektri­ schen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (iv) mit einer an der ersten stets vorhandenen Doppel­ schicht (50, 60, 90) eines dielektrischen Träger­ materials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Dielektrikumsschicht (2);
• (v) mit einer an der zweiten Dielektrikumsschicht (2) anliegenden, Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden ersten Schicht in der Form
  • (v1) einer selbsttragenden leitenden Schicht (51, 61) mit einer oder mehreren von leitendem Material in der Dicke der leiten­ den Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung (54, 64) beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Me­ dium zum Beispiel ruft und darstellend den oder die Primärteilstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler; oder
  • (v2) einer Doppelschicht eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, worin die leitende Schicht sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann, und wobei die leitende Schicht eine oder mehrere von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparte Flächen geschlossener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Bei­ spiel Luft und darstellend den oder die Primärteilstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler besitzt, oder wobei die leitende Schicht und das dielektrische Trägermaterial eine oder mehrere von leitendem Material und Dielektrikum gemeinsam in der Dicke der leitenden Schicht und des Dielektrikums vollständig ausgesparte Flächen geschlos­ sener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Primärteil­ strahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler bezüglich der von leitendem Material ausgesparten Fläche oder Flächen der leitenden Schicht be­ sitzen; oder
  • (v3) einer Doppelschicht (91) eines dielek­ trischen Trägermaterials mit einer aufge­ brachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der oder die kombinier­ ten Microstrip-/Schlitz-Primärteilstrahler (97/95) in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht (97), Microstrip-Primärteilstrahlerelemente ge­ nannt, mit einer anschließend jedes Micro­ strip-Primärteilstrahlerelement (97) in Form einer leitenden Fläche geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht umschließenden, von leitendem Ma­ terial in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen (95), Schlitz- Primärteilstrahlerelement genannt, aber einer gemeinsamen geschlossenen Berandung mit dem Microstrip-Primärteilstrahlerele­ ment (97) in Form einer leitenden Fläche geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht und einer gemeinsamen Berandung mit einer anschließend um das Schlitz-Primärteilstrahlerelement (95) in Form einer von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen herum liegenden leitenden Fläche (99) in der Dicke der leitenden Schicht herausgearbeitet sind, die zuletzt genannte leitende Fläche (99) mit leiten­ den Flächen gleicher Art von weiteren kombinierten Microstrip-/Schlitz-Primär­ teilstrahlern, herausgearbeitet aus der gleichen leitenden Schicht, eine Einheit mit galvanischem Kontakt bilden kann und die leitende Schicht sowohl zur vorge­ nannten leitenden Grundplatte (1) bezüg­ lich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grund­ platte (1) weg weisen kann; oder
  • (v4) einer Dreifachschicht mit einem dielek­ trischen Trägermaterial im Zentrum des Dreifachschichtaufbaus und mit zwei bezüg­ lich der Trägermaterialschicht jeweils entgegengesetzt auf den zwei Trägermate­ rialschichtseiten aufgebrachten leitenden Schichten, wobei aus den beiden leitenden Schichten der oder die kombinierten Micro­ strip-/Schlitz-Primärteilstrahler in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung auf der ersten Trägermaterialschichtseite in der Dicke der darauf befindlichen leitenden Schicht, Microstrip-Primärteilstrahlerelemente ge­ nannt, und einer oder mehreren von leiten­ dem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung auf der zweiten Trägermaterialschichtseite, wobei jeweils eine Berandung eines Microstrip-Primärteil­ strahlerelementes in Form einer leitenden Fläche mit geschlossener Berandung auf der ersten Trägermaterialschichtseite in der Dicke der darauf befindlichen leiten­ den Schicht und jeweils eine Berandung einer von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausge­ sparten Fläche auf der zweiten Trägerma­ terialschichtseite zusammen im Dreifach­ schichtaufbau so übereinander liegen, daß die beiden Berandungen eine in der Gesamt­ dicke der Dreifachschicht vollständig von leitendem Material ausgesparte Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen, Schlitz- Primärteilstrahlerelement genannt, bilden, herausgearbeitet sind, eine leitende Fläche eines kombinierten Microstrip-/ Schlitz-Primärteilstrahlers auf der zweiten Trägermaterialschichtseite mit leitenden Flächen gleicher Art von weiteren kombi­ nierten Microstrip-/Schlitz-Primärteil­ strahlern, herausgearbeitet aus der gleichen leitenden Schicht, eine Einheit mit galvanischem Kontakt bilden kann und die leitenden Schichten auf der ersten und auf der zweiten Trägermaterialschichtseite bei Beachtung der jeweils entgegenge­ setzten Aufbringung der zwei leitenden Schichten auf die zwei Trägermaterial­ schichtseiten sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen können;
• (vi) mit einer an der Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden ersten Schicht (51, 61, 91) anliegenden dritten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Di­ elektrikumsschicht (2);
• (vii) mit einer folgenden an der dritten Dielektrikums­ schicht (2) anliegenden zweiten stets vorhandenen Doppelschicht (52, 62, 92) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der zweiten stets vorhandenen Doppelschicht (52, 62, 92) das Speisenetzwerk (57, 67, 98) in Form von einer oder mehreren Leiterbahnen für den oder die Primärteilstrahler in Form eines oder mehrerer Schlitz-Primärteilstrahler (54/55, 64/65, 94) und/oder eines oder mehrerer kombinierter Micro­ strip-/Schlitz-Primärteilstrahler (97/95) für die zweite Polarisationsart herausgearbeitet ist und die leitende Schicht der zweiten stets vorhan­ denen Doppelschicht (52, 62,. 92) sowohl zur vor­ genannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vor­ genannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (viii) mit einer an der zweiten stets vorhandenen Doppel­ schicht (52, 62, 92) eines dielektrischen Träger­ materials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden vierten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Dielektrikumsschicht (2);
• (ix) mit einer an der vierten Dielektrikumsschicht (2) anliegenden, Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden zweiten Schicht (53, 63, 93) mit dem Aufbau, den Bestandteilen und den Formen der Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden ersten Schicht (51, 61, 91), wobei eine der vier der beschriebenen Formen der möglichen Ausführung der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden zweiten Schicht, wie auch bei der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden ersten Schicht, frei wählbar ist und

jeweils ein Primärteilstrahler in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden ersten Schicht und jeweils ein Primärteilstrahler in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden zweiten Schicht zusammen jeweils einen vollständigen Primär­ strahler darstellt, so daß zum Beispiel in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden ersten Schicht einer oder mehrere kombinierte Microstrip-/ Schlitz-Primärteilstrahler (97/95) und in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden zweiten Schicht einer oder mehrere Schlitz-Primärteilstrahler (94) verwendet werden können.

4. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß als Grundlage für den Sekundärstrahlerschichtaufbau eine Primärstrahlerkonfiguration für zwei lineare oder zwei zirkulare oder eine lineare und eine zirkulare Polari­ sationsart bestehend aus einem Schichtaufbau nach­ stehend aufgeführter aufeinanderfolgend aneinander­ liegender Schichten verwendet werden kann:

• (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) beginnend, die als Massefläche einer Triplate-Anordnung dient;
• (ii) mit einer an der Grundplatte (1) anliegenden ersten Dielektrikumsschicht (2) bestehend aus einem homogenen Dielektrikumsmaterial oder aus einer Mischung verschiedener Dielektrika oder aus verschiedenen Teilschichten eines oder mehrerer verschiedener Dielektrika oder Mischungen ver­ schiedener Dielektrika, wobei neben anderen Ma­ terialien zum Beispiel feste Dielektrika wie Polytetraflouräthylen, glasfaserverstärktes Poly­ tetraflouräthylen, Polystyrol, Epoxidharze, glas­ faserverstärkte Epoxidharze und andere Plastma­ terialien, ferrimagnetische Werkstoffe, Kera­ miken, Quarzglas und andere Gläser, Schaumstoffe wie Polyäthylenschaumstoff, Polypropylenschaum­ stoff, Polystyrolschaumstoff und Polyurethan­ schaumstoff, Gase wie Luft und Stickstoff und/ oder eine Mischung der genannten Beispiel-Dielek­ trikumsstoffe zur Anwendung kommen können;
• (iii) mit einer folgenden an der ersten Dielektrikums­ schicht (2) anliegenden ersten stets vorhandenen Doppelschicht (70, 120) eines dielektrischen Trä­ germaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der er­ sten stets vorhandenen Doppelschicht (70, 120) das Speisenetzwerk (78, 128) in Form von einer oder mehreren Leiterbahnen für den oder die Pri­ märteilstrahler in Form eines oder mehrerer Schlitz-Primärteilstrahler (75) oder eines oder mehrerer kombinierter Microstrip-/Schlitz-Primär­ teilstrahler (129/125) für die erste Polarisa­ tionsart herausgearbeitet ist und die leitende Schicht der ersten stets vorhandenen Doppel­ schicht (70, 120) sowohl zur vorgenannten leiten­ den Grundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leiten­ der Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (iv) mit einer an der ersten stets vorhandenen Doppel­ schicht (70, 120) eines dielektrischen Trägerma­ terials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Di­ elektrikumsschicht (2);
• (v) mit einer an der zweiten Dielektrikumsschicht (2) anliegenden, Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden ersten Schicht in der Form
  • (v1) einer selbsttragenden leitenden Schicht (71) mit einer oder mehreren von leiten­ dem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung (75) beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Primärteilstrahler in der Form soge­ nannter Schlitze oder Schlitzstrahler; oder
  • (v2) einer Doppelschicht eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, worin die leitende Schicht sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann, und wobei die leitende Schicht eine oder mehrere von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparte Flächen geschlossener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Bei­ spiel Luft und darstellend den oder die Primärteilstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler besitzt, oder wobei die leitende Schicht und das dielektrische Trägermaterial eine oder mehrere von leitendem Material und Dielektrikum gemeinsam in der Dicke der leitenden Schicht und des Dielektrikums vollständig ausgesparte Flächen geschlos­ sener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Primärteil­ strahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler bezüglich der von leitendem Material ausgesparten Fläche oder Flächen der leitenden Schicht be­ sitzen; oder
  • (v3) einer Doppelschicht (121) eines dielek­ trischen Trägermaterials mit einer aufge­ brachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der oder die kombinier­ ten Microstrip-/Schlitz-Primärteilstrahler (129/125) in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht (129), Microstrip-Primärteilstrahlerelemente ge­ nannt, mit einer anschließend jedes Micro­ strip-Primärteilstrahlerelement (129) in Form einer leitenden Fläche geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht umschließenden, von leitendem Ma­ terial in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen (125), Schlitz- Primärteilstrahlerelement genannt, aber einer gemeinsamen geschlossenen Berandung mit dem Microstrip-Primärteilstrahlerele­ ment (129) in Form einer leitenden Fläche geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht und einer gemeinsamen Berandung mit einer anschließend um das Schlitz-Primärteilstrahlerelement (125) in Form einer von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen herum liegenden leitenden Fläche (131) in der Dicke der leitenden Schicht herausgearbeitet sind, die zuletzt genannte leitende Fläche (131) mit leiten­ den Flächen gleicher Art von weiteren kombinierten Microstrip-/Schlitz-Primär­ teilstrahlern, herausgearbeitet aus der gleichen leitenden Schicht, eine Einheit mit galvanischem Kontakt bilden kann die leitende Schicht sowohl zur vorge­ nannten leitenden Grundplatte (1) bezüg­ lich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grund­ platte (1) weg weisen kann; oder
  • (v4) einer Dreifachschicht mit einem dielek­ trischen Trägermaterial im Zentrum des Dreifachschichtaufbaus und mit zwei bezüg­ lich der Trägermaterialschicht jeweils entgegengesetzt auf den zwei Trägermate­ rialschichtseiten aufgebrachten leitenden Schichten, wobei aus den beiden leitenden Schichten der oder die kombinierten Micro­ strip-/Schlitz-Primärteilstrahler in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung auf der ersten Trägermaterialschichtseite in der Dicke der darauf befindlichen leitenden Schicht, Microstrip-Primärteilstrahlerelemente ge­ nannt, und einer oder mehreren von leiten­ dem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung auf der zweiten Trägermaterialschichtseite, wobei jeweils eine Berandung eines Microstrip-Primärteil­ strahlerelementes in Form einer leitenden Fläche mit geschlossener Berandung auf der ersten Trägermaterialschichtseite in der Dicke der darauf befindlichen leiten­ den Schicht und jeweils eine Berandung einer von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche auf der zweiten Trägerma­ terialschichtseite zusammen im Dreifach­ schichtaufbau so übereinander liegen, daß die beiden Berandungen eine in der Gesamt­ dicke der Dreifachschicht vollständig von leitendem Material ausgesparte Fläche mit zwei geschlossenen Berandungen, Schlitz- Primärteilstrahlerelement genannt, bilden, herausgearbeitet sind, eine leitende Fläche eines kombinierten Microstrip-/ Schlitz-Primärteilstrahlers auf der zweiten Trägermaterialschichtseite mit leitenden Flächen gleicher Art von weiteren kombi­ nierten Microstrip-/Schlitz-Primärteil­ strahlern, herausgearbeitet aus der gleichen leitenden Schicht, eine Einheit mit galvanischem Kontakt bilden kann und die leitenden Schichten auf der ersten und auf der zweiten Trägermaterialschichtseite bei Beachtung der jeweils entgegenge­ setzten Aufbringung der zwei leitenden Schichten auf die zwei Trägermaterial­ schichtseiten sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen können;
• (vi) mit einer an der Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden ersten Schicht (71, 121) anliegenden dritten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Di­ elektrikumsschicht (2);
• (vii) mit einer an der dritten Dielektrikumsschicht (2) anliegenden, Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden zweiten Schicht (72, 122) mit dem Aufbau, den Bestandteilen und den Formen der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler ent­ haltenden ersten Schicht (71, 121);
• (viii) mit einer an der Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden zweiten Schicht (72, 122) anliegenden vierten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Di­ elektrikumsschicht (2);
• (ix) mit einer folgenden an der vierten Dielektrikums­ schicht (2) anliegenden zweiten stets vorhandenen Doppelschicht (73, 123) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der zweiten stets vorhandenen Doppelschicht (73, 123) das Speisenetzwerk (79, 130) in Form von einer oder mehreren Leiterbahnen für den oder die Pri­ märteilstrahler in Form eines oder mehrerer Schlitz-Primärteilstrahler (76/77, 126/127) und/ oder eines oder mehrerer kombinierter Micro­ strip-/Schlitz-Primärteilstrahler für die zweite Polarisationsart herausgearbeitet ist und die leitende Schicht der zweiten stets vorhandenen Doppelschicht (73, 123) sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vorge­ nannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (x) mit einer an der zweiten stets vorhandenen Doppel­ schicht (73, 123) eines dielektrischen Trägerma­ terials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht anliegenden fünften Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Di­ elektrikumsschicht (2);
• (xi) mit einer an der fünften Dielektrikumsschicht (2) anliegenden, Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden dritten Schicht (74, 124) mit dem Aufbau, den Bestandteilen und den Formen der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler ent­ haltenden ersten Schicht (71, 121), wobei eine der vier beschriebenen Formen der möglichen Aus­ führung der Teile eines oder mehrerer Primär­ strahler enthaltenden dritten Schicht, wie auch bei der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden ersten Schicht und bei der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden zweiten Schicht, frei wählbar ist und

jeweils ein Primärteilstrahler in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden ersten Schicht und jeweils ein Primärteilstrahler in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden zweiten Schicht und jeweils ein Primärteilstrahler in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden dritten Schicht zusammen jeweils einen vollständigen Primärstrahler darstellt, so daß zum Beispiel in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden ersten Schicht einer oder mehrere kombinierte Micro­ strip-/Schlitz-Primärteilstrahler (129/125), in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden zweiten Schicht einer oder mehrere Schlitz-Primärteil­ strahler (126) und in der Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden dritten Schicht ebenfalls einer oder mehrere Schlitz-Primärteilstrahler (127) verwendet werden können.

5. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Grundlage für den Sekundärstrahlerschichtaufbau eine Primärstrahlerkonfiguration für eine lineare oder eine zirkulare Polarisationsart bestehend aus einem Schichtaufbau nachstehend aufgeführter aufeinander­ folgend aneinanderliegender Schichten verwendet werden kann:

• (i) mit einer leitenden Grundplatte (1) beginnend, die als Massefläche einer Triplate-Anordnung dient;
• (ii) mit einer an der Grundplatte (1) anliegenden ersten Dielektrikumsschicht (2) bestehend aus einem homogenen Dielektrikumsmaterial oder aus einer Mischung verschiedener Dielektrika oder aus verschiedenen Teilschichten eines oder mehrerer verschiedener Dielektrika oder Mischungen ver­ schiedener Dielektrika, wobei neben anderen Ma­ terialien zum Beispiel feste Dielektrika wie Polytetraflouräthylen, glasfaserverstärktes Poly­ tetraflouräthylen, Polystyrol, Epoxidharze, glas­ faserverstärkte Epoxidharze und andere Plast­ materialien, ferrimagnetische Werkstoffe, Kera­ miken, Quarzglas und andere Gläser, Schaumstoffe wie Polyäthylenschaumstoff, Polypropylenschaum­ stoff, Polystyrolschaumstoff und Polyurethan­ schaumstoff, Gase wie Luft und Stickstoff und/ oder eine Mischung der genannten Beispiel-Dielek­ trikumsstoffe zur Anwendung kommen können;
• (iii) mit einer folgenden an der ersten Dielektrikums­ schicht (2) anliegenden ersten Doppelschicht (40) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der leitenden Schicht der ersten Doppelschicht (40) das Speisenetzwerk (43) in Form von einer oder mehreren Leiterbahnen für den oder die Primär­ strahler (42) herausgearbeitet ist und die leiten­ de Schicht der ersten Doppelschicht (40) sowohl zur vorgenannten leitenden Grundplatte (1) bezüg­ lich des dielektrischen Trägermaterials als auch von vorgenannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann;
• (iv) mit einer an der ersten Doppelschicht (40) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufge­ brachten leitenden Schicht anliegenden zweiten Dielektrikumsschicht (2) mit dem Aufbau und den Bestandteilen der ersten Dielektrikumsschicht (2);
• (v) mit einer an der zweiten Dielektrikumsschicht (2) anliegenden, einen oder mehrere Primärstrahler enthaltenden Schicht in der Form
  • (v1) einer selbsttragenden leitenden Schicht (41) mit einer oder mehreren von leiten­ dem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Berandung (42) beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Primärstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler, wobei sich bei jedem Schlitz-Primärstrahler das Ende eines den Schlitz-Primärstrahler speisen­ den Leiterzuges des Speisenetzwerkes (43) der ersten Doppelschicht (40) auf einer von der vorgenannten leitenden Grundplat­ te (1) ausgehenden und durch die von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche hindurchgehenden Flächennormalen befindet und das genannte Ende des Leiter­ zuges keinen leitenden Kontakt zur vorge­ nannten leitenden Grundplatte (1) hat; oder
  • (v2) einer zweiten Doppelschicht eines dielek­ trischen Trägermaterials mit einer aufge­ brachten leitenden Schicht und mit bezüg­ lich der leitenden Schicht einer oder mehrerer von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Flächen geschlossener Beran­ dung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Primärstrahler in der Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler oder mit bezüglich der leitenden Schicht und des dielektrischen Trägermaterials einer oder mehreren von leitendem Material und Dielektrikum gemeinsam in der Dicke der leitenden Schicht und des Dielektri­ kums vollständig ausgesparten Flächen ge­ schlossener Berandung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Bei­ spiel Luft und darstellend den oder die Primärstrahler in Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler bezüglich der von leitendem Material ausgesparten Fläche oder Flächen der leitenden Schicht, wobei sich bei jedem Schlitz-Primär­ strahler das Ende eines den Schlitz-Pri­ märstrahler speisenden Leiterzuges des Speisenetzwerkes der ersten Doppelschicht auf einer von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und durch die von leitendem Material in der Dicke der leitenden Schicht vollständig ausgesparten Fläche hindurchgehenden Flächennormalen befindet und das genannte Ende des Leiter­ zuges keinen leitenden Kontakt zur vorge­ nannten leitenden Grundplatte (1) hat und wobei die leitende Schicht der zweiten Dop­ pelschicht sowohl zur vorgenannten leiten­ den Grundplatte (1) bezüglich des dielek­ trischen Trägermaterials als auch von vor­ genannter leitender Grundplatte (1) weg weisen kann.

6. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 3, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beschriebenen drei Primärstrahlerkonfigurationen auch jeweils ohne die Verwendung eines Sekundärstrahler­ schichtaufbaus für die Herstellung von Mikrowellenan­ tennen verwendet werden können.

7. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Grundlage für den Sekundärstrahlerschichtaufbau eine Primärstrahlerkonfiguration in Form eines Hohlleiters verwendet werden kann, wobei der Hohlleiter recht­ eckigen, quadratischen, runden oder ovalen Querschnitt haben kann und wobei die Hohlleiterwandungen eine oder mehrere von leitendem Material in der Dicke der Hohl­ leiterwandung ausgesparte Flächen geschlossener Beran­ dung beinhaltend im Inneren ein nicht oder nur sehr schlecht leitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft und darstellend den oder die Primärstrahler in Form sogenannter Schlitze oder Schlitzstrahler be­ sitzen können.

8. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Primärstrahlerkonfigurationen betref­ fend die in den voraussetzenden Merkmalen des An­ spruches 1 genannten kombinierte Microstripstrahler/ Schlitzstrahlerkonfiguration mit galvanischer Kopplung zwischen einem oder mehreren Microstrip-Primärteil­ strahlerelementen und kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Schlitz-Primärteilstrahlerelemen­ ten und dem Speisenetzwerk sowie zwei verschiedenen Rundschlitzstrahlerkonfigurationen mit Reflektor (20... 29, 30...35) und die drei Primärstrahlerkonfigura­ tionen (40...43, 50... 57, 60...67, 70...79, 90...99, 120...131) in den Ansprüchen 3, 4 und 5 in dem Sekun­ därstrahlerschichtaufbau eine oder mehrere oder alle genannten selbsttragenden leitenden Schichten und/oder genannten Doppelschichten und/oder genannten Dreifach­ schichten der Schichtart enthaltend einen oder mehrere Sekundärstrahler in der Form von einem oder mehreren Schlitz-Sekundärstrahlern und/oder einem oder mehreren kombinierten Microstrip-/Schlitz-Sekundärstrahlern durch eine oder mehrere Doppelschichten eines dielek­ trischen Trägermaterials mit pro Doppelschicht einer aufgebrachten leitenden Schicht, wobei aus der oder den leitenden Schichten einer oder mehrerer Doppel­ schichten ein oder mehrere Microstrip-Sekundärstrahler pro Doppelschicht in Form von einer oder mehreren leitenden Flächen geschlossener Berandung in der Dicke der leitenden Schicht herausgearbeitet sind, ersetzt werden kann oder können, wobei jeweils eine genannte selbsttragende leitende Schicht oder genannte Doppel­ schicht oder genannte Dreifachschicht enthaltend einen oder mehrere Sekundärstrahler in der Form von einem oder mehreren Schlitz-Sekundärstrahlern oder einem oder mehreren kombinierten Microstrip-/Schlitz-Sekun­ därstrahlern nur durch jeweils eine Doppelschicht ent­ haltend einen oder mehrere Microstrip-Sekundärstrahler ersetzt werden kann.

9. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die in den kennzeichnenden Merkmalen genannten ge­ schlossenen Berandungen die Form eines Kreises (161, 171, 179, 182) oder einer Ellipse (160, 170) oder eines Zweieckes mit gekrümmten, spezieller kreisför­ migen Verbindungslinien zwischen den Ecken (162, 172) oder eines Dreieckes mit geraden oder gekrümmten, spe­ zieller kreisförmigen Verbindungslinien zwischen den Ecken (163, 173, 180) oder eines Viereckes mit geraden oder gekrümmten, spezieller kreisförmigen Verbindungs­ linien zwischen den Ecken (164, 174) mit dem Spezial­ fall eines Quadrates (166, 176, 178, 183... 185) oder Rechteckes (165, 175, 182) auch mit gekrümmten, spezieller kreisförmigen Abschlüssen an den schmalen Seiten oder eines Fünfeckes mit geraden oder ge­ krümmten, spezieller kreisförmigen Verbindungslinien zwischen den Ecken oder eines Sechseckes mit geraden oder gekrümmten, spezieller kreisförmigen Verbindungs­ linien zwischen den Ecken (167, 177) oder allgemein eines Vieleckes mit beliebiger Eckenzahl mit geraden oder gekrümmten, spezieller kreisförmigen Verbindungs­ linien zwischen den Ecken haben können, wobei in einer Primärstrahlerkonfiguration und/oder in einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau und/oder in einem Gesamtsystem bestehend aus einer Primärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau und/oder in einem oder mehreren kombinierten Microstrip-/Schlitz-Sekun­ därstrahlern und/oder in einem oder mehreren kombinier­ ten Microstrip-/Schlitz-Primärteilstrahlern verschiede­ ne Formen der Berandung nebeneinander existieren kön­ nen (13c/610... 61X, 42b/710...71X, 64/65, 64a/65a, 64b/ 65b/810...81X, 75/76/77, 75a/76a/77a, 75b/76b/77b/910... 91X).

10. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer genannten Primärstrahlerkon­ figuration oder eines genannten Sekundärstrahler­ schichtaufbaus oder eines Gesamtsystems aus einer ge­ nannten Primärstrahlerkonfiguration und einem ge­ nannten Sekundärstrahlerschichtaufbau mit mehr als einer einen oder mehrere Sekundärstrahler oder einen oder mehrere Primärstrahler oder einen oder mehrere Primärteilstrahler oder einen oder mehrere Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden Schicht die Verbindungslinie zwischen den Flächenmittelpunkten eines einzelnen Sekundärstrahlers oder eines einzelnen Primärstrahlers oder eines einzelnen Primärteil­ strahlers oder eines einzelnen Teiles eines Primär­ strahlers in jeder einen oder mehrere Sekundärstrahler oder einen oder mehrere Primärstrahler oder einen oder mehrere Primärteilstrahler oder einen oder mehrere Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden Schicht eine zusammenhängende gekrümmte (A-B, A⁺-B⁺) oder eine zusammenhängende gekrümmte, stückweise gerade (A-A′-B, A-A′-A′′-B) Kurve oder eine Gerade (A-B) bilden kann, wobei in zwei benachbarten, einen oder mehrere Sekundärstrahler oder einen oder mehrere Primärstrahler oder einen oder mehrere Primär­ teilstrahler oder einen oder mehrere Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden Schichten die ge­ nannten beiden Flächenmittelpunkte stets mittels der genannten Verbindungslinie ohne Berührung eines an­ deren Flächenmittelpunktes eines Sekundärstrahlers oder eines Primärstrahlers oder eines Primärteil­ strahlers oder eines Teiles eines Primärstrahlers in einer anderen Schicht als der genannten beiden benach­ barten Schichten miteinander verbunden werden und wo­ bei die genannte zusammenhängende gekrümmte (A-B, A⁺-B⁺) oder genannte zusammenhängende gekrümmte, stückweise gerade (A-A′-B, A-A′-A′′-B) Kurve oder genannte Gerade (A-B) mit der Flächennormalen (A-C, A⁺-C) der vorgenannten Grundplatte (1) einen Winkel (α, β, γ, δ, τ, R₁, R₂) einschließt und der genannte Winkel (α, β, γ, δ, τ, R₂, R₁) von Schicht zu Schicht einen anderen Wert besitzen kann aber nicht muß und die Winkelwerte im Bereich von ein­ schließlich 0° bis einschließlich 180° bei Verwendung von in den kennzeichnenden Teilen der Ansprüche ge­ nannten Primärstrahlerkonfigurationen und/oder Sekun­ därstrahlerschichtaufbauten und bei Verwendung von in den voraussetzenden Teilen des Anspruches 1 genannten Primärstrahlerkonfigurationen in Verbindung mit je­ weils einem genannten Sekundärstrahlerschichtaufbau oder im Bereich von 0° bis einschließlich 180° mit ausgeschlossenem Wert von 0° bei alleiniger Verwendung von im voraussetzenden Teil des Anspruches 1 genannten Primärstrahlerkonfigurationen ohne Sekundärstrahler­ schichtaufbau in Form der genannten beiden Rund­ schlitzstrahlerkonfigurationen mit Reflektor liegen und wobei der oder die übrigen möglicherweise vorhan­ denen Sekundärstrahler und/oder Primärstrahler und/ oder Primärteilstrahler und/oder Teile eines oder mehrerer Primärstrahler bezüglich der Flächenmittel­ punkte in den einen oder mehrere Sekundärstrahler oder einen oder mehrere Primärstrahler oder einen oder mehrere Primärteilstrahler oder einen oder mehrere Teile eines oder mehrerer Primärstrahler enthaltenden Schichten auf einer oder mehreren zur genannten zusam­ menhängenden gekrümmten (A-B, A⁺-B⁺) oder ge­ nannten zusammenhängenden gekrümmten, stückweise ge­ raden (A-A′-B, A-A′-A′′-B) Kurve oder ge­ nannten Geraden (A-B) parallelverschobenen Kurve oder Kurven (B, A⁺-B⁺, A⁺⁺) oder Geraden liegen.

11. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten zusammenhängenden gekrümmten Kurven einer Exponentialfunktion und/oder einer Hyperbelfunktion und/oder einer Parabelfunktion und/oder einer loga­ rithmischen Funktion und/oder einer inversen trigono­ metrischen Funktion und/oder einer Kreisfunktion be­ züglich der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) und/oder bezüglich der genannten Flächennormalen (A - C, A⁺-C) der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) folgen können.

12. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die in den kennzeichnenden Merkmalen genannten Schichten planparallel und eben sein können.

13. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 8, 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine in einem Sekundärstrahlerschichtaufbau ent­ haltene Schicht mit einem oder mehreren Sekundär­ strahlern ein treppenförmiges und/oder wellenförmiges Aussehen (1600, 1600a, 1700... 170X) bezüglich einer oder aller beider parallel zur leitenden Grundplatte (1) senkrecht aufeinander stehender möglicher Rich­ tungen haben kann, wobei die Fläche oder die Flächen des oder der Sekundärstrahler (1610, 1610a, 171X, 1720... 172X, 1730, 1731) bezüglich der leitenden Grundplatte (1) nicht parallel angeordnet ist oder sind, die Flächenmittelpunkte der Sekundärstrahler in einer mehrere Sekundärstrahler enthaltenden Schicht den gleichen Abstand zur vorgenannten leitenden Grund­ platte (1) und/oder zu den Flächenmittelpunkten der Primärstrahler oder wenn die Primärstrahler aus mehreren Teilen in verschiedenen Schichten bestehen zu den Flächenmittelpunkten der von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) am weitesten entfernten Teile der Primärstrahler haben, das treppenförmige und/oder wellenförmige Aussehen eine oder mehrere oder alle weiteren möglicherweise vorhandenen und einen oder mehrere Sekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus mit unterschied­ lichen oder gleichen Abmessungen der Stufen und/oder Wellen bezüglich einer einen oder mehrere Sekundär­ strahler enthaltenden, treppenförmigen und/oder wel­ lenförmigen Schicht zur nächstliegenden einen oder mehrere Sekundärstrahler enthaltenden, treppenförmigen und/oder wellenförmigen Schicht besitzen kann oder können, die genannten zusammenhängenden gekrümmten (B, A⁺-B⁺, A⁺⁺) oder genannten zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder genannten Ge­ raden durch die Flächenmittelpunkte der Sekundär­ strahler mit einem Winkel von vorzugsweise 90° zwischen der Fläche eines Sekundärstrahlers und einer genannten zusammenhängenden gekrümmten (B, A⁺-B⁺ A⁺⁺) oder genannten zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurve oder genannten Gerade gehen, und eine oder mehrere im Sekundärstrahlerschichtaufbau enthaltene Dielektrikumsschichten der oder den einen oder mehrere Sekundärstrahler enthaltenden Schichten angepaßt sind, so daß eine Dielektrikumsschicht an einer oder zwei einen oder mehrere Sekundärstrahler enthaltenden Schicht oder Schichten anliegt.

14. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 11, 12 und 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß entlang jeder genannten zusammen­ hängenden gekrümmten (A-B, A⁺-B⁺) oder zusammen­ hängenden gekrümmten, stückweise geraden (A-A′-B, A-A′-A′′-B) Kurve oder genannten Gerade zwischen dem oder den Sekundärstrahlern und/oder dem Primär­ strahler und/oder dem oder den Primärteilstrahlern und/oder dem oder den Teilen eines Primärstrahlers und/oder der leitenden Grundplatte (1) in Fortsetzung der genannten zusammenhängenden gekrümmten (A-B, A⁺- B⁺) oder zusammenhängenden gekrümmten, stückweise ge­ raden (A-A′-B, A-A′-A′′-B) Kurve oder ge­ nannten Gerade (A-B) bei Verwendung von einem oder mehreren festen oder schaumstoffartigen Dielektrika in der Primärstrahlerkonfiguration und/oder im Sekun­ därstrahlerschichtaufbau die Dielektrikumsschicht (2) oder die Dielektrikumsschichten (2) eine oder mehrere von festem oder schaumstoffartigem Dielektrikum in der Dicke der Dielektrikumsschicht vollständig ausgespar­ te Fläche oder Flächen geschlossener Berandung vorge­ nannter Form beinhaltend im Inneren das Medium Luft befindlich ist oder sind, wobei eine von festem oder schaumstoffartigem Dielektrikum in der Dicke der be­ troffenen Dielektrikumsschicht ausgesparte Fläche min­ destens die Größe der Fläche eines Sekundärstrahlers oder eines Primärstrahlers oder eines Primärteil­ strahlers oder eines Teiles eines Primärstrahlers haben sollte.

15. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 11, 12 und 14, dadurch gekennzeichnet, daß durch Verschiebung der planparallelen, ebenen Schichten einer genannten Primärstrahlerkonfiguration oder eines genannten Sekundärstrahlerschichtaufbaus oder eines Gesamtsystems aus einer genannten Primär­ strahlerkonfiguration und einem genannten Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit mehr als einer einen oder mehrere Sekundärstrahler oder einen oder mehrere Pri­ märstrahler oder einen oder mehrere Primärteilstrahler oder einen oder mehrere Teile eines oder mehrerer Pri­ märstrahler enthaltenden Schicht gegeneinander eine Korrektur der genannten zusammenhängenden gekrümmten (A-B, A⁺-B⁺) oder zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden (A-A′-B, A-A′-A′′-B) Kurve oder Kurven oder genannten Gerade oder Geraden (A-B) vorgenommen werden kann.

16. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 8, 10, 11, 13, 14 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß in einem genannten Sekundärstrahlerschichtaufbau mit mehr als einer einen oder mehrere Sekundärstrahler enthaltenden Schicht mit einem treppenförmigen und/ oder wellenförmigen Aussehen (1600, 1600a, 1700... 170X) die Dielektrikumsschicht zwischen zwei einen oder mehrere Sekundärstrahler enthaltenden Schichten mit treppenförmigem und/oder wellenförmigem Aussehen in zwei Teile geteilt sein kann, wobei jedes Teil der Dielektrikumsschicht an einer einen oder mehrere Se­ kundärstrahler enthaltenden Schicht mit treppenför­ migem und/oder wellenförmigem Aussehen anliegt, die Schnittfläche (F1, F2) zwischen den zwei Teilen der Dielektrikumsschicht eine Ebene darstellt und durch Verschiebung der zwei Teile der Dielektrikumsschicht gegeneinander bezüglich der ebenen Schnittfläche (F1, F2) eine Korrektur der genannten zusammenhängenden ge­ krümmten (A-B, A⁺-B⁺) oder zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden (A-A′-B, A-A′-A′′- B) Kurve oder Kurven oder genannten Gerade oder Ge­ raden (A-B) vorgenommen werden kann.

17. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4, 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Speisenetzwerk zur Speisung von mehr als einem in einer Schicht enthaltenen Primärstrahler oder Pri­ märteilstrahler oder Teil eines Primärstrahlers in Verbindung mit einer in den voraussetzenden Merkmalen oder in den kennzeichnenden Merkmalen genannten Pri­ märstrahlerkonfiguration einen oder mehrere Hyperbol­ wellenwiderstandstransformatoren (137) und/oder einen oder mehrere Exponentialwellenwiderstandstransforma­ toren (136) und/oder einen oder mehrere Dolph-Tscheby­ tschew-Wellenwiderstandstransformatoren (134, 135) enthält.

18. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 3, 4, 5, 6 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer genannten Fläche geschlos­ sener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (42, 54, 55, 94, 97, 126, 127, 129) darstellend einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers die Mittellinie eines einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisenden, auf einer Doppelschicht (40, 50, 52, 90, 92, 120, 123) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufge­ brachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetz­ werkes liegenden, geraden Leiterzuges (43, 56, 57, 96, 98, 128, 130) sich in einer durch den Mittelpunkt des Kreises gehenden und senkrecht zu der die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (42, 54, 55, 94, 97, 126, 127, 129) ent­ haltenden Schicht (41, 51, 53, 91, 93, 121, 122, 124) liegenden Ebene befindet, wobei der Leiterzug (43, 56, 57, 96, 98, 128, 130) Bestandteil des Speisenetzwerkes ist, die genannte Mittellinie parallel zur größten lateralen Ausdehnung des Leiterzuges (43, 56, 57, 96, 98, 128, 130) verläuft, der Leiterzug (43, 56, 57, 96, 98, 128, 130) auf einer von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und durch die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (42, 54, 55, 94, 97, 126, 127, 129) hin­ durchgehenden Flächennormalen endet und der Leiterzug (43, 56, 57, 96, 98, 128, 130) von seinem Ende bis min­ destens zu einer von der vorgenannten leitenden Grund­ platte (1) ausgehenden und die kreisförmige, geschlos­ sene Berandung (42, 54, 55, 94, 97, 126, 127, 129) be­ rührenden Flächennormalen in der genannten Mittellinie gerade verläuft.

19. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4, 5, 6 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer genannten Fläche geschlos­ sener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65, 76, 77, 142) darstellend einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers und betreffend die zwei in den voraus­ setzenden Merkmalen des Anspruches 1 genannten Rund­ schlitzstrahlerkonfigurationen mit Reflektor und die in den voraussetzenden Merkmalen des Anspruches 1 ge­ nannte Microstripstrahlerkonfiguration mit kontakt­ loser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primär­ strahlern und Speisenetzwerk und die in den voraus­ setzenden Merkmalen des Anspruches 1 genannte kombi­ nierte Microstripstrahler/Schlitzstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primärstrahlern und Speisenetzwerk und die in den An­ sprüchen 3, 4 und 5 genannten Primärstrahlerkonfigu­ rationen die Mittellinie eines einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisenden, auf einer Doppelschicht (62, 73, 140) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetzwerkes liegenden, geraden Leiterzuges (67, 79, 150) sich parallel zu einer durch den Mittelpunkt des Kreises gehenden und senkrecht zu der die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65, 76, 77, 142) enthaltenden Schicht (63, 72, 74, 141) liegenden Ebene befindet, wobei der Leiterzug (67, 79, 150) Bestandteil des Speisenetzwer­ kes ist, die genannte Mittellinie parallel zur größten lateralen Ausdehnung des Leiterzuges (67, 79, 150) verläuft, der Leiterzug (67, 79, 150) auf einer von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und durch die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65, 76, 77, 142) hindurchgehenden Flächennormalen endet und der Leiter­ zug (67, 79, 150) von seinem Ende bis mindestens zu einer von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und die kreisförmige, geschlossene Beran­ dung (65, 76, 77, 142) berührenden Flächennormalen in der genannten Mittellinie gerade verläuft.

20. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4, 5, 6 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer genannten Fläche geschlos­ sener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (142) darstellend einen Primärstrahler oder einen Pri­ märteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers und betreffend die zwei in den voraussetzenden Merk­ malen des Anspruches 1 genannten Rundschlitzstrahler­ konfigurationen mit Reflektor und die in den voraus­ setzenden Merkmalen des Anspruches 1 genannte Micro­ stripstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primärstrahlern und Speisenetzwerk und die in den voraussetzenden Merk­ malen des Anspruches 1 genannte kombinierte Micro­ stripstrahler/Schlitzstrahlerkonfiguration mit kon­ taktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Pri­ märstrahlern und Speisenetzwerk und die in den An­ sprüchen 3, 4 und 5 genannten Primärstrahlerkonfigu­ rationen die Mittellinie eines einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisenden, auf einer Doppelschicht (140) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speise­ netzwerkes liegenden, ersten geraden Leiterzugstückes (149) sich parallel zu einer durch den Mittelpunkt des Kreises gehenden und senkrecht zu der die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (142) enthaltenden Schicht (141) liegen­ den Ebene befindet, sich an das erste gerade Leiter­ zugstück (149) ein auf der Doppelschicht (140) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetzwerkes liegendes, gekrümmtes Leiterzugstück anschließt und sich an das gekrümmte Leiterzugstück ein auf der Dop­ pelschicht (140) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetzwerkes liegendes, zweites gerades Leiterzugstück (143) mit einer Mittellinie auf oder parallel zu einer durch den Mittelpunkt des Kreises gehenden und senkrecht zu der die genannte Fläche ge­ schlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (142) enthaltenden Schicht (141) liegenden Ebene anschließt, wobei das erste (149) und das zwei­ te (143) gerade Leiterzugstück und das gekrümmte Leiterzugstück Bestandteile des Speisenetzwerkes sind, die genannten Mittellinien des ersten (149) und des zweiten (143) Leiterzugstückes entlang der größten lateralen Ausdehnung des gesamten Leiter­ zuges bestehend aus dem ersten (149) und dem zweiten (143) geraden Leiterzugstück und dem gekrümmten Lei­ terzugstück verlaufen, das erste gerade Leiterzugstück (149) auf einer von der vorgenannten leitenden Grund­ platte (1) ausgehenden und durch die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (142) hindurchgehenden Flächennormalen endet und das gekrümmte Leiterzugstück sowohl eine als auch keine von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und durch die genannte Fläche geschlos­ sener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (142) hindurchgehenden Flächennormalen berühren kann.

21. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4, 5, 6 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer genannten Fläche geschlos­ sener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65a, 65b, 76a, 77a) darstellend einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers und betreffend die zwei in den voraus­ setzenden Merkmalen des Anspruches 1 genannten Rund- Schlitzstrahlerkonfigurationen mit Reflektor und die in den voraussetzenden Merkmalen des Anspruches 1 ge­ nannte Microstripstrahlerkonfiguration mit kontakt­ loser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primär­ strahlern und Speisenetzwerk und die in den voraus­ setzenden Merkmalen des Anspruches 1 genannte kombi­ nierte Microstripstrahler/Schlitzstrahlerkonfigura­ tion mit kontaktloser Kopplung zwischen einem oder mehreren Primärstrahlern und Speisenetzwerk und die in den Ansprüchen 3, 4 und 5 genannten Primärstrahler­ konfigurationen die zwei Mittellinien zweier ge­ trennter einen Primärstrahler oder einen Primärteil­ strahler oder einen Teil eines Primärstrahlers spei­ senden, auf einer Doppelschicht (62a, 62b, 73a) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetzwerkes liegenden, ersten geraden Leiterzugstücke (67a, 67b, 79a) sich parallel zu einer durch den Mittelpunkt des Kreises gehenden und senkrecht zu der die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65a, 65b, 76a, 77a) enthaltenden Schicht (63a, 63b, 72a, 74a) liegenden Ebene befinden, sich an jedes der zwei ersten geraden Leiterzugstücke (67a, 67b, 79a) ein auf der Doppelschicht (62a, 62b, 73a) eines dielektrischen Trägermaterials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speise­ netzwerkes liegendes, gekrümmtes oder gekrümmtes, stückweise gerades Leiterzugstück anschließt, die zwei genannten gekrümmten oder gekrümmten, stückweise ge­ raden Leiterzugstücke mit je einem Ende aneinander­ stoßen und an der Stoßstelle sich ein auf der Doppel­ schicht (62a, 62b, 73a) eines dielektrischen Träger­ materials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetzwerkes liegendes zweites ge­ rades Leiterzugstück mit einer Mittellinie auf oder parallel zu einer durch den Mittelpunkt des Kreises gehenden und senkrecht zu der die genannte Fläche ge­ schlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises enthaltenden Schicht (63a, 63b, 72a, 74a) liegenden Ebene anschließt, wobei die zwei ersten ge­ raden Leiterzugstücken (67a, 67b, 79a) und das zweite gerade Leiterzugstück und die zwei gekrümmten Leiter­ zugstücken Bestandteile des Speisenetzwerkes sind, die genannte Mittellinie jedes ersten geraden Leiterzug­ stückes (67a, 67b, 79a) parallel zur größten lateralen Ausdehnung des ersten geraden Leiterzugstückes ver­ läuft, die genannte Mittellinie des zweiten geraden Leiterzugstückes parallel zur größten lateralen Aus­ dehnung des zweiten geraden Leiterzugstückes verläuft, jedes erste gerade Leiterzugstück (67a, 67b, 79a) auf einer von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und durch die genannte Fläche geschlos­ sener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65a, 65b, 76a, 77a) hindurchgehenden Flächennormalen endet und jedes gekrümmte oder gekrümmte, stückweise gerade Leiterzugstück sowohl eine als auch keine von der vorgenannten leitenden Grundplatte (1) ausgehenden und durch die genannte Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises (65a, 65b, 76a, 77a) hindurchgehenden Flächennormalen berühren kann.

22. Mikrowellenschlitzantennen für zirkulare Polarisation nach Anspruch 3, 4, 5, 6, 9, 18, 19, 20 und 21, da­ durch gekennzeichnet, daß bei Ver­ wendung einer genannten Fläche geschlossener Berandung mit der Berandungsform eines Kreises oder eines Qua­ drates darstellend einen Primärstrahler oder einen Pri­ märteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers zwei einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisende, auf einer Doppelschicht eines dielektrischen Trägermate­ rials mit einer aufgebrachten leitenden Schicht in Form eines Speisenetzwerkes liegende genannte Leiter­ züge bezüglich ihrer genannten Mittellinien orthogonal aufeinander stehen, wobei die zwei Leiterzüge Bestand­ teil ein und desselben Speisenetzwerkes sind.

23. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 3, 4, 5, 6, 18, 19, 20, 21 und 22, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primär­ strahlers speisender Leiterzug des Speisenetzwerkes in Richtung des Endes des Leiterzuges breiter werden kann.

24. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4, 5, 6, 18, 19, 20, 21, 22 und 23, dadurch ge­ zeichnet, daß ein einen Primärstrahler oder einen P 99999 00085 552 0010002800000002000120002857307087000405919278607139 0002004139245 00004 07079rimärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisender Leiterzug eines genannten Speisenetzwerkes entsprechend einem Hyperbolwellen­ widerstandstransformator (146) oder einem Exponential­ wellenwiderstandstransformator (147) oder einem Dolph- Tschebytschew-Wellenwiderstandstransformator (148) ge­ tapert werden kann.

25. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 3, 4, 5, 6, 18, 19, 20, 21, 22, 23 und 24, dadurch ge­ zeichnet, daß ein einen Primärstrahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisender Leiterzug eines genannten Speisenetzwerkes am Ende des Leiterzuges mit einem Kreisbogen abgeschlossen werden kann.

26. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 18, 19, 20, 21 und 22, dadurch ge­ zeichnet, daß eine in den kennzeichnen­ den Merkmalen genannte Doppelschicht oder Dreifach­ schicht eine Schicht eines Trägermaterials in Form zum Beispiel einer Polytetraflouräthylenfolie oder einer Polyäthylenfolie oder einer Polypropylenfolie oder einer Polyesterfolie mit einer Dicke im Bereich von 5 Mikrometer bis 50 Millimeter beinhaltet und die Polytetraflouräthylenfolie oder Polyäthylenfolie oder Polypropylenfolie oder Polyesterfolie mit einer ein­ seitigen oder beidseitigen dielektrischen Kleberbe­ schichtung der Dicke im Bereich von 1 Mikrometer bis 5 Millimeter versehen ist.

27. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24 und 25, dadurch gekennzeichnet, daß die in den kennzeich­ nenden Merkmalen genannten leitenden Schichten und da­ mit die in den kennzeichnenden Merkmalen genannten Leiterzüge eines Speisenetzwerkes zum Beispiel aus Kupfer, Silber, Gold, Nickel, Chrom, Eisen oder einer Mischung zweier oder mehrerer genannter Materialien bestehen können, wobei auch eine Mehrfachschicht aus zwei oder mehreren genannten Materialien in einer in den kennzeichnenden Merkmalen genannten leitenden Schicht zum Einsatz kommen kann.

28. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 13, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24 und 25, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer in den kennzeichnenden Merk­ malen genannten Primärstrahlerkonfiguration mit mehre­ ren in einer Schicht nebeneinander liegenden Primär­ strahlern oder Primärteilstrahlern oder Teilen mehre­ rer Primärstrahler oder bei Verwendung eines Sekundär­ strahlerschichtaufbaus mit mehreren in einer Schicht nebeneinander liegenden Sekundärstrahlern oder bei Verwendung eines Gesamtsystems aus einer genannten Primärstrahlerkonfiguration mit mehreren in einer Schicht nebeneinander liegenden Primärstrahlern oder Primärteilstrahlern oder Teilen mehrerer Primär­ strahler und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit mehreren in einer Schicht nebeneinander liegenden Se­ kundärstrahlern die genannten Primärstrahler oder Pri­ märteilstrahler oder Teile mehrerer Primärstrahler mit einem regelmäßigen Abstand zueinander auf der Schicht der Primärstrahlerkonfiguration in einem Array und/ oder die Sekundärstrahler mit einem regelmäßigen Ab­ stand zueinander auf der Schicht des Sekundärstrahler­ schichtaufbaus in einem Array angeordnet sein können.

29. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 13, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24 und 25, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer in den kennzeichnenden Merk­ malen genannten Primärstrahlerkonfiguration oder eines Sekundärstrahlerschichtaufbaus oder eines Gesamtsys­ tems aus einer genannten Primärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau in der Primär­ strahlerkonfiguration nur ein Primärstrahler und/oder in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau nur ein Sekundär­ strahler pro Sekundärstrahler enthaltenden Schicht enthalten sein kann oder können.

30. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 3, 4, 5, 6, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25 und 27, dadurch gekennzeichnet, daß ein einen Primär­ strahler oder einen Primärteilstrahler oder einen Teil eines Primärstrahlers speisender Leiterzug eines ge­ nannten Speisenetzwerkes nicht Bestandteil einer Dop­ pelschicht mit einem dielektrischen Trägermaterial sein muß, sondern daß anstelle der Doppelschicht der Leiterzug mit dem Speisenetzwerk auch selbsttragend ausgeführt sein kann.

31. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 15, 16 und 28, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung eines Gesamtsystems aus einer genannten Primärstrahlerkon­ figuration mit mehreren in einer Schicht nebeneinander liegenden Primärstrahlern oder Primärteilstrahlern oder Teilen mehrerer Primärstrahler und einem ge­ nannten Sekundärstrahlerschichtaufbau mit mindestens einer einen oder mehrere nebeneinander liegende Sekun­ därstrahler enthaltenden Schicht die Anzahl der in einer Sekundärstrahler enthaltenden Schicht des Sekun­ därstrahlerschichtaufbaus enthaltenen Sekundärstrah­ ler gleich oder kleiner der Anzahl der Primärstrahler der Primärstrahlerkonfiguration ist, oder, bis auf die genannten Ausnahmen die Anzahl der in einer Sekundär­ strahler enthaltenden Schicht des Sekundärstrahler­ schichtaufbaus enthaltenen Sekundärstrahler größer als die Anzahl der Primärstrahler der Primärstrahlerkonfi­ guration ist.

32. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 15, 16, 28 und 31, da­ durch gekennzeichnet, daß bei Ver­ wendung eines Gesamtsystems aus einer genannten Pri­ märstrahlerkonfiguration mit einem oder mehreren in einer Schicht liegenden Primärstrahlern oder Primär­ teilstrahlern oder Teil oder Teilen eines oder mehre­ rer Primärstrahler und einem genannten Sekundärstrah­ lerschichtaufbau mit mindestens zwei Sekundärstrahler enthaltende Schichten die Anzahl der in einer Sekun­ därstrahler enthaltenden Schicht des Sekundärstrahler­ schichtaufbaus enthaltenen Sekundärstrahler größer der Anzahl der Primärstrahler der Primärstrahlerkonfigura­ tion ist und die Anzahl der Sekundärstrahler einer Se­ kundärstrahler enthaltenden Schicht des Sekundärstrah­ lerschichtaufbaus mit dem Abstand der Sekundärstrahler enthaltenden Schicht von der leitenden Grundplatte (1) zunimmt.

33. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 3, 4, 21, 22, 25 und 30, dadurch gekennzeichnet, daß eine genannte Leiterbahn des Speisenetzwerkes zur Speisung eines Primärstrahlers oder eines Primärteil­ strahlers oder eines Teiles eines Primärstrahlers in einem Streifenleitungsresonator oder in einem Wellen­ leitungsresonator endet.

34. Mikrowellenschlitzantennen nach Anspruch 3, 4, 5, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25 und 30, dadurch gekennzeichnet, daß eine genannte Leiter­ bahn des Speisenetzwerkes zur Speisung eines Primär­ strahlers oder eines Primärteilstrahlers oder eines Teiles eines Primärstrahlers vom Ende der Leiterbahn gesehen wellenwiderstandssprunglos in das übrige Spei­ senetzwerk übergeht.

Anwendungsgebiet der ErfindungDie Erfindung findet sowohl Verwendung bei der Herstel­ lung von flachen Satelliten-, Richtfunk- und Luftfahrt­ antennen im GHz-Bereich, bei denen es auf einen großen Gewinn bei kleinen und kompakten Abmessungen, eine flache Anordnung, Verwendung von mehreren Polarisationsarten gleichzeitig und eine zur Antennengrundflächennormalen mechanisch ohne Gewinnverlust neigbare Strahlungskeule ankommt, als auch Verwendung bei kompakten, in den mecha­ nischen Abmessungen kleinen und leistungsmäßig hochbe­ lastbaren C- und D-Netzantennen sowie Antennen des D- Nachfolgenetzes im Bereich von 1800 MHz. Charakteristik des bekannten Standes der TechnikEs sind Antennenanordnungen bekannt, mit denen in ver­ schiedenen Anwendungsfällen versucht wird, die her­ kömmlichen Spiegel im Mikrowellenbereich abzulösen. Dieses Ziel ist bisher nur im Ansatz gelungen, obwohl von der Antennentheorie her eine Flachantenne einen wesentlich höheren Flächenwirkungsgrad haben kann als ein Parabolspiegel. Generell muß dabei ein Antennenein­ zelelement gefunden werden, das bei flacher und einfacher Bauweise einen möglichst großen Gewinn liefert, zwei or­ thogonale lineare oder zwei orthogonale zirkulare Polari­ sationen erlaubt sowie sich mit weiteren Elementen dieser Art durch eine planare Schaltung zu einem Array HF-ver­ lustarm und breitbandig verbinden läßt.Elemente mit den dazugehörigen Arrays bei Gewähr­ leistung einer Polarisationsart (linear vertikal, linear horizontal, zirkular rechts oder zirkular links) sind im Europäischen Patent Nr. 03 84 780 Int.-Cl. H01Q 21/06 dargestellt. In diesem Fall handelt es sich um eine Rund­ schlitzantenne mit Reflektor und relativ breitbandigen Einzelelementen, die zur Erreichung von 36-37 dBi Ge­ winn eine Array-Größe von 75... 80 cm mal 75... 80 cm bei nur einer Polarisationsart erfordern würde, so daß diese Antennenart für entsprechende Parabolspiegel technisch keine Konkurrenz darstellt.Ein weiteres Element mit einem höheren Gewinn, das sich zu einem Array zusammenschalten läßt, ist das Microstrip­ element, z. B. dargestellt im Europäischen Patent Nr. 03 77 999 Int.-Cl. H01Q 21/06. Im Array ergeben sich hier Wellenleitungsverlustprobleme, die dazu führen, daß ab einer bestimmten Array-Größe bei weiterer Vergrößerung der Antennenfläche kein Gewinnzuwachs mehr zu verzeichnen ist. Auch hier ist nur eine Polarisationsart auf einer Fläche herstellbar.Durch Kombination einer Triplateleitung mit einem Microstripstrahlerelement, das dadurch zu einem kombi­ nierten Microstrip-/Schlitzstrahlerelement wird, kann man die Wellenleiterverlustprobleme weitgehend beseitigen. Dies wird in den Europäischen Patenten Nr. 03 12 989 Int.- Cl. H01Q 21/06 und Nr. 03 01 580 Int.-Cl. H01Q 21/06 durchgeführt. Mit diesen Strahlerelementen, die einen höheren Gewinn als die im Europäischen Patent Nr. 03 84 780 Int.-Cl. H01Q 21/06 besitzen und denen im Euro­ päischen Patent Nr. 03 77 999 Int.-Cl. H01Q 21/06 gleich­ wertig sind, kommt der Flächenwirkungsgrad eines solchen Arrays in die Nähe eines gleich großen Spiegels. Eine solche Antenne besitzt aber immer noch nur eine Polarisa­ tionsart.Eine Möglichkeit der Steigerung des Gewinns eines Microstripstrahler- oder eines kombinierten Microstrip-/ Schlitzstrahlerelementes bei Ermöglichung ebenfalls nur einer Polarisationsart wird im Europäischen Patent Nr. 02 71 458 Int.-Cl. H01Q 21/06 gezeigt. Hier wird dem primär angeregten Microstripstrahler- oder kombinierten Microstrip-/Schlitzstrahlerelement eine weitere metalli­ sierte Strahler- oder Direktorenfläche in der Art der Microstripstrahler vorgesetzt. Diese Anordnung liefert zwar einen gesteigerten Gewinn gegenüber den Elementen in den Europäischen Patenten Nr. 03 12 989 Int.-Cl. H01Q 21/06 sowie Nr. 03 01 580 Int.-Cl. H01Q 21/06 und ermög­ licht damit im Array eine kleinere Größe als ein gewinn­ gleichwertiger Parabolspiegel, ist aber durch die Erzeu­ gung nur einer Polarisationsart und durch die Verwendung weiterer teurer Leiterplattenbasismaterialfolien mit leitfähiger Beschichtung und deren notwendige Bearbeitung gegenüber einem gleichwertigen Parabolspiegel uneffektiv.Die Möglichkeit der Steigerung des Gewinns einer Recht­ eckschlitzantenne unter Verwendung vorgesetzter metalli­ sierter Strahlerflächen in der Art der Microstripstrahler wurde im US-Patent 48 47 625 Int.-Cl. H01Q 01/38 darge­ stellt. Dieser Aufbau ist der im Europäischen Patent Nr. 02 71 458 Int.-Cl. H01Q 21/06 gezeigten Anordnung etwa gleichwertig und liefert gegenüber dem einfachen Recht­ eckschlitzstrahler einen gesteigerten Gewinn aber auch nur in einer Polarisationsart und unter Verwendung weiterer teurer Leiterplattenbasismaterialfolien mit entsprechender leitfähiger Beschichtung.Elemente mit den dazugehörigen Arrays zur Erzeugung zweier Polarisationsarten (entweder linear vertikal und linear horizontal oder zirkular rechts und zirkular links) werden im Europäischen Patent Nr. 02 52 779 Int.- Cl. H01Q 21/06 benutzt. In diesem Patent handelt es sich um eine Rundschlitzantenne mit Reflektor und zwei HF- Verteilerebenen. Auch diese Antenne würde, allerdings im Gegensatz zum Europäischen Patent Nr. 03 84 780 Int.-Cl. H01Q 21/06 unter Gewährleistung von zwei Polarisations­ arten im Vergleich zu einem gewinngleichwertigen Parabol­ spiegel zu groß werden. Außerdem wird es Anpassungspro­ bleme der einzelnen Rundschlitzstrahler der beiden Ebenen untereinander geben, die mit dieser Anordnung nicht ge­ löst werden können, so daß ein doppelt polarisiertes Zweiebenenelement einen wesentlich geringeren Gewinn haben wird als ein einfachpolarisiertes Einebenenelement.Aus den bisherigen Patentanmeldungen ist zu ersehen, daß die Konzipierung entsprechender Antennenelemente zur Ablösung der Parabolspiegel im Mikrowellenbereich noch nicht gelungen ist. Dies betrifft auch die mechanische Schwenkung der Strahlungskeule gegenüber der Antennen­ grundflächennormalen ohne Gewinnverlust bei einem ein­ fachen Aufbau.Die. Verteilernetzwerke der bisher aufgebauten Arrays sind sehr schmalbandig, da mit λ/4-Transformatoren ge­ arbeitet wird. Bei mehrfacher Hintereinanderschaltung solcher λ/4-Transformatoren ergibt sich eine potenzier­ te Bandbreiteneinengung des gesamten Arrays, denn die einzelnen λ/4-Transformatoren besitzen ebenfalls sowohl in Richtung niedrigerer als auch in Richtung höherer Fre­ quenzen bezüglich ihrer Mittenfrequenz eine endliche Bandbreite, die vom Transformationsverhältnis des Wellen­ widerstandes abhängt. Weiterhin sind die Einkopplungen in die Primärstrahler vom Verteilernetzwerk aus generell sehr schmalbandig ausgeführt, so daß sich auch hieraus eine Bandbreiteneinengung ergibt.Die stationären Mobilfunkantennen des C- und D-Netzes sowie die stationären Mobilfunkantennen des D-Nachfolge­ netzes im Bereich um 1800 MHz wurden bisher mit konven­ tionellen Methoden konstruiert, so daß sie bei bestimmten geforderten Gewinnwerten und Strahlöffnungswinkeln in ihren Abmaßen sehr groß ausfallen. Die Anbringung dieser Antennen an schwierigen Standpunkten ist deshalb oftmals problematisch, wobei sie sich auch nur schwer zum Bei­ spiel in ein Stadtbild einfügen. Eine Lösung des Problems erfolgte bisher noch nicht. Ziel der ErfindungEs ist das Ziel der Erfindung, eine flache Antennenanord­ nung herzustellen, die eine kleinere flächenmäßige Aus­ dehnung als ein herkömmlicher Spiegel besitzt, einfacher montierbar und billiger als ein herkömmlicher Spiegel ist, durch senkrechte Montage in der Umgebung nicht auf­ fällt und bei Benutzung von High-Power-Satelliten auf der Senderseite eine einfache, tragbare und in Empfänger in­ tegrierbare Anordnung gestattet sowie die Mängel bisher bekannter stationärer Antennen der C-, D-Netze und des D-Nachfolgenetzes behebt.Aufgabe der ErfindungDer Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Antennen­ einzelelement zu finden, das bei flacher und einfacher Bauweise breitbandig einen möglichst großen Gewinn liefert, bei Empfang oder Abstrahlung eine lineare oder eine zirkulare oder zwei orthogonale lineare oder zwei orthogonale zirkulare Polarisationen erlaubt, sich mit weiteren Elementen dieser Art durch eine planare Schal­ tung breitbandig zu einem Array HF-verlustarm verbinden läßt, auch als Einzelelement mit kompakten und kleinen mechanischen Abmessungen in einer Einelementantenne ver­ wendbar ist sowie einen mechanisch einfach einstellbaren Winkel zwischen der Antennengrundflächennormalen und der Hauptstrahlungskeule besitzt, wobei der Gewinn der Anten­ ne nur sehr wenig vom Schwenkungswinkel der Hauptstrah­ lungskeule bezüglich der Antennengrundflächennormalen ab­ hängig sein und der Schwenkungswinkel nach Fertigstellung der Antenne nachträglich in Grenzen korrigierbar sein soll.Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die in den Kenn­ zeichnungsteilen der Ansprüche genannten Merkmale gelöst. Dabei ist von Vorteil, daß entsprechend vorgegebener Kosten und Leistungsmerkmale, wie zum Beispiel Polarisa­ tionsarten, Gewinngrößen, Antennenöffnungswinkel und An­ tennenspeisung im Array oder als Einelementantenne, eine ausgewählte Primärstrahlerkonfiguration und ein ausge­ wählter Sekundärstrahlerschichtaufbau miteinander kombi­ niert werden können, die in den kennzeichnenden Merkmalen genannten zusammenhängenden gekrümmten oder zusammen­ hängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Ge­ raden weitgehend mit der Hauptstrahlrichtung der Antenne übereinstimmen und im Gegensatz zu der im Stand der Tech­ nik beschriebenen reinen Primärstrahlerkonfiguration die Auswirkungen der unterschiedlichen Phasenzentren zweier orthogonaler Polarisationen in einer Primärstrahlerkon­ figuration durch den Sekundärstrahlerschichtaufbau aus­ geglichen werden. Es können Gewinnwerte von über 12 dBi und Bandbreiten von über 2 GHz bei einer Mittenfrequenz von 12 GHz bei einem Antenneneinzelelement problemlos er­ zielt werden, wobei zur Erreichung dieser Werte je nach Ausführungsform maximal drei Sekundärstrahler enthaltende Schichten im Sekundärstrahlerschichtaufbau benutzt werden müssen. AusführungsbeispieleDie Erfindung wird anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert.Fig. 1 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Rechteckschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation.Fig. 2, 3 zeigen eine Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Rechteckschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation und Abweichung der Haupt­ strahlrichtung von der Antennengrund­ flächennormalen.Fig. 4 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern für zwei Polarisationen.Fig. 5 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern für eine Polarisation.Fig. 6 zeigt eine Kreisschlitzprimärstrahlerkonfi­ guration für eine Polarisation nach An­ spruch 5.Fig. 7 zeigt eine Kreisschlitzprimärstrahlerkonfi­ guration für zwei Polarisationen nach An­ spruch 3.Fig. 8 zeigt eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration nach An­ spruch 5 und einem Sekundärstrahlerschicht­ aufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation.Fig. 9 zeigt eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration nach An­ spruch 3 und einem Sekundärstrahlerschicht­ aufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern für zwei Polarisationen.Fig. 10 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern für eine Po­ larisation.Fig. 11 zeigt eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration nach An­ spruch 5 und einem Sekundärstrahlerschicht­ aufbau mit Rechteckschlitzsekundärstrahlern für eine Polarisation.Fig. 12 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz als auch einem kreisförmigen Schlitz und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern für zwei Polari­ sationen.Fig. 13, 14 zeigen eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz als auch einem kreisför­ migen Schlitz für zwei Polarisationen.Fig. 15 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz als auch kreisförmigen Schlitzen und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern für zwei Polarisationen.Fig. 16, 17 zeigen eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz als auch kreisförmigen Schlitzen für zwei Polarisationen.Fig. 18 zeigt eine bekannte Kreisschlitzprimär­ strahlerkonfiguration mit Reflektor für zwei Polarisationen aber mit einer Ab­ weichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen.Fig. 19 zeigt eine bekannte Kreisschlitzprimär­ strahlerkonfiguration mit Reflektor für eine Polarisation aber mit einer Ab­ weichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen.Fig. 20 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit galvanischer Kopplung zwischen Primär­ strahler und Speisenetzwerk und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern für eine Polarisa­ tion.Fig. 21 zeigt eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen Primär­ strahler und Speisenetzwerk und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern für eine Polarisa­ tion.Fig. 22, 23 zeigen eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen Primär­ strahler und Speisenetzwerk und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau sowohl mit Kreisschlitzsekundärstrahlern als auch mit kreisförmigen Microstripsekundärstrahlern für eine Polarisation.Fig. 24 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombi­ nierten Microstripfläche als auch kreisför­ migen Schlitzen und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern für zwei Polarisationen.Fig. 25 zeigt eine Kombination aus einer Primär­ strahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombi­ nierten Microstripfläche als auch einem kreisförmigen Schlitz und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern für zwei Polarisationen.Fig. 26 zeigt eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombinierten Microstripfläche als auch kreisförmigen Schlitzen für zwei Polarisationen.Fig. 27 zeigt eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz kombinierten Microstripfläche als auch einem kreisförmigen Schlitz für zwei Polarisationen.Fig. 28 zeigt ein Speisenetzwerk für mehrere Pri­ märstrahler mit Hyperbol-, Exponential- und Dolph-Tschebytschew-Wellenwiderstandstrans­ formatoren.Fig. 29 zeigt die gabelförmigen Speiseleiterzüge mit einer Hyperbolwellenwiderstandstaperung für einen Primärstrahler einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkonfiguration.Fig. 30 zeigt den Speiseleiterzug mit einer Expo­ nentialwellenwiderstandstaperung für einen Primärstrahler einer Rechteckschlitzprimär­ strahlerkonfiguration.Fig. 31 zeigt den Speiseleiterzug mit einer Dolph- Tschebytschew-Wellenwiderstandstaperung für einen Primärstrahler einer Kreisschlitzpri­ märstrahlerkonfiguration.Fig. 32 zeigt den teilweise gekrümmten Speiselei­ terzug für einen Primärstrahler einer Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration.Fig. 33 zeigt den außermittig in einem Kreisschlitz angebrachten, geraden Speiseleiterzug für einen Primärstrahler einer Kreisschlitzpri­ märstrahlerkonfiguration.Fig. 34 zeigt die Berandungsformen eines aus einer leitenden Schicht ausgesparten Schlitz­ strahlers. Fig. 35, 36, 37 zeigen die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit treppenförmigen, Rechteckschlitzsekundär­ strahler enthaltenden Schichten des Sekun­ därstrahlerschichtaufbaus und mit Ab­ weichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen.Fig. 38 zeigt die Berandungsformen einer mit einem Schlitzstrahler kombinierten Microstrip­ strahlerfläche.Die nachfolgend angegebenen Maße der Ausführungsbeispiele beziehen sich jeweils auf eine Antenne mit einer Mitten­ frequenz von 11,325 GHz. Zunächst werden nur Antennenein­ zelelemente und keine Arrays aus mehreren Antenneneinzel­ elementen betrachtet.In den Fig. 1 bis 3 werden jeweils die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfigura­ tion und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Recht­ eckschlitzsekundärstrahlern 110... 11X, . . . 110a... 11Xa oder 110b... 11Xb (X = 1... max.9) für eine Polarisation und mit in den Fig. 2 und 3 gezeigten Abweichungen der Haupt­ strahlrichtungen (A-B) von der Antennengrundflächennor­ malen (A-C) dargestellt. Die Rechteckschlitzprimär­ strahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grund­ platte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer. Die Doppelschicht 10, 10a oder 10b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Koppelleiterzug 12, 12a oder 12b für die Anregung des Rechteckprimärstrahlerschlitzes 13, 13a oder 13b, der sich auf einer selbsttragenden leitenden Schicht 11, 11a oder 11b zum Beispiel aus Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm befindet. Der aus der selbst­ tragenden leitenden Schicht ausgesparte Rechteckschlitz darstellend den Rechteckprimärstrahlerschlitz 13, 13a oder 13b hat dabei eine Länge von 12,0 mm und eine Breite von 2,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthy­ lenschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschichten 2 zwischen der Grundplatte 1 und der Doppelschicht 10, 10a oder 10b bzw. zwischen der Doppelschicht 10, 10a oder 10b und der den Rechteckprimärschlitzstrahler 13, 13a oder 13b enthaltenden selbsttragenden Schicht 11, 11a oder 11b beträgt jeweils 2,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 100... 10X, . . . 100a... 10Xa oder 100b... 10Xb (X = 1... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Rechteckschlitzen 110... 11X, 110a. . . 11Xa oder 110b... 11Xb (X = 1... max.9). Die Rechteckschlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Rechteck­ sekundärstrahlerschlitz 110, 110a oder 110b die Maße 12,1 mm mal 2,1 mm, der zweite Rechtecksekundärstrahlerschlitz 111, 111a oder 111b die Maße 12,2 mm mal 2,2 mm und der dritte Rechtecksekundärstrahlerschlitz die Maße 12,3 mm mal 2,2 mm besitzen. Der Abstand der Rechtecksekundär­ strahlerschlitze voneinander und der Abstand zwischen Rechteckprimärstrahlerschlitz 13, 13a oder 13b und dem Rechtecksekundärstrahlerschlitz 110, 110a oder 110b, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. bei der hier angegebenen Frequenz entspricht dies etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektri­ kum 2 aus hochverschäumtem Polyäthylen ausgefüllt. In Fig. 1 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen, während in den Fig. 2 und 3 die Verbindungslinie (A-B) der Mit­ telpunkte des den Primärstrahler darstellenden Rechteck­ schlitzes 13a oder 13b und der die Sekundärstrahler dar­ stellenden Rechteckschlitze 110a... 11Xa oder 110b... 11Xb (X = 1...max.9) mit der Antennengrundflächennormalen (A- C) einen Winkel α in der parallel zur Grundplatte 1 liegenden ersten Raumrichtung und/oder einen Winkel β in der parallel zur Grundplatte 1 liegenden und auf der ersten Raumrichtung senkrecht stehenden zweiten Raum­ richtung bildet oder bilden, die Hauptstrahlrichtung (A- B) demzufolge nicht mit der Antennengrundflächennormalen (A-C) zusammenfällt. Die Winkel α und β sollten eine Größe von 20° bei Verwendung von planparallelen Schichten in der Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und im Sekundärstrahlerschichtaufbau nicht überschreiten. Werden die Winkel α und/oder β zu groß, so stimmt die Haupt­ strahlrichtung im Fall der planparallelen Schichten nicht mehr mit der Verbindungslinie der Flächenmittelpunkte des Rechteckprimärstrahlerschlitzes und der Rechtecksekundär­ strahlerschlitze überein. Dieser Mangel wird erst mit den Anordnungen in den Fig. 35 bis 37 durch Verwendung von treppenförmigen, Rechteckschlitzsekundärstrahler enthal­ tenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus be­ hoben. Zur Erhöhung der Bandbreite können der Rechteck­ primärstrahlerschlitz 13, 13a oder 13b und die Rechteck­ sekundärstrahlerschlitze 110... 11X, . . . 110a... 11Xa oder 110b 11Xb (X = 1...max.9) an ihren schmalen Seiten mit Run­ dungen versehen werden. Ein solches beschriebenes Anten­ neneinzelelement mit drei je einen Rechtecksekundär­ schlitzstrahler enthaltenden Schichten des Sekundär­ strahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 1 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahlerschichtauf­ bau mit nur einer einen Rechtecksekundärschlitzstrahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau eine einen Rechteckschlitzsekundärstrahler enthal­ tende Schicht und eine oder zwei je einen quadratischen oder runden Microstripsekundärstrahler anstelle eines Rechteckschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Band­ breite auf etwa 12 dBi gesteigert werden.In der Fig. 4 wird die Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 210...21X (X = 1...max.9) für zwei Pola­ risationen dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahler­ konfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Reflektor. Die Doppelschicht 21 aus 25 µm star­ ker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiterzug 28 für die direkte Anregung der Kreisschlitzteilprimärstrahler 25 und 26. Die Doppelschicht 23 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Koppelleiterzug 29 für die direkte Anregung der Kreisschlitzteilprimärstrahler 26 und 27. Die aus den selbsttragenden leitenden Schichten 20, 22 und 24 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreisschlitze darstellend die Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 25, 26 und 27 haben dabei je­ weils einen Durchmesser von 16,86 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Di­ elektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kreisschlitzteilprimärstrahler 25 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 20 beträgt 5 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff be­ stehenden Dielektrikumsschichten 2 zwischen der ersten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 25 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 20 und der den Koppel­ leiterzug 28 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 21, zwischen der zweiten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 26 enthaltenden selbsttra­ genden leitenden Schicht 22 und der den Koppelleiterzug 28 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthal­ tenden Doppelschicht 21, zwischen der zweiten den Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 26 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 22 und der den Koppelleiterzug 29 des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 23 bzw. zwischen der dritten den Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 27 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 24 und der den Koppelleiterzug 29 des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 23 beträgt jeweils 1,0 mm. Der Sekundär­ strahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 200... 20X (X = 1... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Se­ kundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden lei­ tenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 210... 21X (X = 1... max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 210 einen Durch­ messer von 16,9 mm, der zweite Kreisschlitzsekundär­ strahler 211 einen Durchmesser von 17,0 mm und der dritte Kreisschlitzsekundärstrahler 212 einen Durchmesser von 17,2 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundär­ strahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitesten von der Grundplatte 1 entfernten Kreisschlitz­ teilprimärstrahler 27 und dem Kreisschlitzsekundär­ strahler 210, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. bei der hier angegebenen Frequenz entspricht dies etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polyäthylen ausgefüllt. In Fig. 4 fällt die Hauptstrahlrichtung (A- B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zu­ sammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden ge­ krümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise gera­ den Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Haupt­ strahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antennenein­ zelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreissekundärschlitzstrahler enthaltenden Schicht verwen­ det, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau zwei je einen qua­ dratischen oder kreisförmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreisschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbreite auf etwa 12 dBi gesteigert werden.In der Fig. 5 wird die Kombination aus einer bekannten Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration mit Reflektor und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 310...31X (X = 1...max.9) für eine Pola­ risation dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 be­ steht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Reflektor. Die Doppelschicht 31 aus 25 µm star­ ker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Kop­ pelleiterzug 35 für die direkte Anregung der Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 33 und 34. Die aus den selbst­ tragenden leitenden Schichten 30 und 32 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreisschlitze darstellend die Kreisschlitz­ teilprimärstrahler 33 und 34 haben dabei jeweils einen Durchmesser von 16,95 mm. Die Dicke der aus hochver­ schäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektri­ kumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kreisschlitzteilprimärstrahler 33 enthaltenden selbst­ tragenden leitenden Schicht 30 beträgt 4,5 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehen­ den Dielektrikumsschichten 2 zwischen der ersten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 33 enthaltenden selbsttra­ genden leitenden Schicht 30 und der den Koppelleiterzug 35 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppelschicht 31 bzw. zwischen der zweiten den Kreisschlitzteilprimär­ strahler 34 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 32 und der den Koppelleiterzug 35 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppelschicht 31 beträgt jeweils 1,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 300... 30X (X = 1... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbst­ tragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 310...31X (X = 1...max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrah­ ler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 310 einen Durchmesser von 17,0 mm, der zweite Kreisschlitzse­ kundärstrahler 311 einen Durchmesser von 17,1 mm und der dritte Kreisschlitzsekundärstrahler 312 einen Durchmesser von 17,2 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekun­ därstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitesten von der Grundplatte 1 entfernten Kreisschlitz­ teilprimärstrahler 34 und dem Kreisschlitzsekundärstrah­ ler 310, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. bei der gewählten Mittenfrequenz etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 4 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten oder zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches be­ schriebenes Antenneneinzelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Ge­ winnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit nur einer einen Kreissekundärschlitz­ strahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrah­ lerschichtaufbau zwei je einen quadratischen oder kreis­ förmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreis­ schlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbreite auf etwa 12 dBi gesteigert werden.In der Fig. 6 wird eine Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration für eine Polarisation nach Anspruch 5 darge­ stellt. Diese Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 40 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Koppelleiterzug 43 für die direkte Anregung des Kreis­ schlitzprimärstrahlers 42. Der aus der selbsttragenden leitenden Schicht 41 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Kreis­ schlitz darstellend den Kreisschlitzprimärstrahler 42 hat dabei einen Durchmesser von 17,3 mm. Der Koppelleiterzug 43 des Speisenetzwerkes endet auf einer kürzesten Verbin­ dungslinie zwischen der von leitendem Material ausgespar­ ten Fläche der selbsttragenden leitenden Schicht 41 dar­ stellend den Kreisschlitzprimärstrahler 42 und der Grund­ platte 1. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschichten 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Koppelleiterzug 43 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppelschicht 40 bzw. zwischen der den Kreisschlitzprimärstrahler 42 enthalten­ den selbsttragenden leitenden Schicht 41 und der den Kop­ pelleiterzug 43 des Speisenetzwerkes enthaltenden Doppel­ schicht 40 beträgt jeweils 2,0 mm. Ein solches be­ schriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 7 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In der Fig. 7 wird eine Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration für zwei Polarisationen nach Anspruch 3 dar­ gestellt. Diese Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 50 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiterzug 56 für die di­ rekte Anregung des Kreisschlitzteilprimärstrahlers 54. Die Doppelschicht 52 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Koppelleiterzug 57 für die direkte Anregung der Kreisschlitzteilprimärstrahler 54 und 55. Die aus den selbsttragenden leitenden Schichten 51 und 53 aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreisschlitze darstellend die Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 54 und 55 haben dabei jeweils einen Durchmesser von 17,0 mm. Die Dicke der aus hochver­ schäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektri­ kumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kop­ pelleiterzug 56 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 50 bzw. zwischen der ersten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 54 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 51 und der den Koppel­ leiterzug 56 des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 50 beträgt jeweils 2,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff be­ stehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der ersten den den Kreisschlitzteilprimärstrahler 54 enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 51 und der den Koppel­ leiterzug 57 des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisa­ tion enthaltenden Doppelschicht 52 bzw. zwischen der zweiten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 55 enthalten­ den selbsttragenden leitenden Schicht 53 und der den Kop­ pelleiterzug 57 des Speisenetzwerkes der zweiten Polari­ sation enthaltenden Doppelschicht 52 beträgt jeweils 0,8 mm. In Fig. 7 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den Ansatzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 6,5 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In der Fig. 8 wird eine Kombination aus einer Kreis­ schlitzprimärstrahlerkombination nach Anspruch 5 und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 410...41X (X = 1...max.9) für eine Pola­ risation dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkon­ figuration ist entsprechend der Kreisschlitzprimärstrah­ lerkonfiguration in Fig. 6 aufgebaut, d. h. die Ziffer 40 entspricht der Ziffer 40a, die Ziffer 41 entspricht der Ziffer 41a, die Ziffer 42 entspricht der Ziffer 42a und die Ziffer 43 entspricht der Ziffer 43a. Auch die angege­ benen Maße stimmen bis auf den Durchmesser des Kreis­ schlitzprimärstrahlers 42a überein, der hier die Größe von 17,0 mm besitzt. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 400...40X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 410...41X (X = 1...max.9). Die Kreis­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreis­ schlitzsekundärstrahler 410 einen Durchmesser von 17,1 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 411 einen Durchmesser von 17,2 mm und der dritte Kreisschlitz­ sekundärstrahler 412 einen Durchmesser von 17,4 mm be­ sitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler von­ einander und der Abstand zwischen dem Kreisschlitzprimär­ strahler 42a und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 410, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 8 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Anten­ ne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet einen Ansatzpunkt dem in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung von drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreis­ schlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau zwei je einen quadratischen oder kreisförmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreisschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten verwendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbrei­ te auf etwa 12 dBi gesteigert werden. Bei gleichen Leistungsmerkmalen besitzt die in Fig. 8 beschriebene An­ ordnung einen wesentlich einfacheren Aufbau als die in Fig. 5 beschriebene Anordnung.In Fig. 9 wird die Kombination aus einer Kreisschlitz­ primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern 510...51X (X = 1...max.9) für zwei Polarisa­ tionen dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkonfi­ guration ist entsprechend der Kreisschlitzprimärstrahler­ konfiguration in Fig. 7 aufgebaut, d. h. die Ziffer 50 ent­ spricht der Ziffer 50a, die Ziffer 51 entspricht der Zif­ fer 51a, die Ziffer 52 entspricht der Ziffer 52a, die Ziffer 53 entspricht der Ziffer 53a, die Ziffer 54 ent­ spricht der Ziffer 54a, die Ziffer 55 entspricht der Zif­ fer 55a, die Ziffer 56 entspricht der Ziffer 56a und die Ziffer 57 entspricht der Ziffer 57a. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 500... 50X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 510...51X (X = 1...max.9). Die Kreis­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreis­ schlitzsekundärstrahler 510 einen Durchmesser von 17,1 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 511 einen Durchmesser von 17,1 mm und der dritte Kreisschlitzsekun­ därstrahler 512 einen Durchmesser von 17,3 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitesten von der Grund­ platte 1 entfernten Kreisschlitzteilprimärstrahler 55a und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 510, der der Grund­ platte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 9 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der An­ tennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches be­ schriebenes Antenneneinzelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne Ge­ winnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekundärstrahler­ schichtaufbau mit nur einer einen Kreisschlitzsekundär­ strahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Werden in dem Sekundär­ strahlerschichtaufbau zwei je einen quadratischen oder kreisförmigen Microstripsekundärstrahler anstelle eines Kreisschlitzsekundärstrahlers enthaltende Schichten ver­ wendet, so kann der Gewinn bei etwa gleicher Bandbreite auf etwa 12 dBi gesteigert werden. Bei gleichen Leistungs­ merkmalen besitzt die in Fig. 9 beschriebene Anordnung einen wesentlich einfacheren Aufbau als die in Fig. 4 be­ schriebene Anordnung.In Fig. 10 wird die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundär­ strahlern 610...61X (X = 1...max.9) für eine Polarisation dargestellt. Die Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfigura­ tion ist entsprechend der Rechteckschlitzprimärstrahler­ konfiguration in Fig. 1 bis 3 aufgebaut, d. h. die Ziffer 10c entspricht der Ziffer 10, die Ziffer 11c entspricht der Ziffer 11, die Ziffer 12c entspricht der Ziffer 12 und die Ziffer 13c entspricht der Ziffer 13. Auch die an­ gegebenen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahler­ schichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttra­ genden leitenden Schichten 600...60X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrah­ lern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 610...61X (X = 1... max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrahler werden, je wei­ ter sie von der Grundplatte 1 angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 610 einen Durchmesser von 16,8 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 611 einen Durchmesser von 16,9 mm und der dritte Kreisschlitz­ sekundärstrahler 612 einen Durchmesser von 17,1 mm be­ sitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler von­ einander und der Abstand zwischen dem Rechteckschlitzpri­ märstrahler 13c und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 610, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausge­ füllt. In Fig. 10 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusam­ men. Der Punkt A deutet einen Ansatzpunkt der in den An­ sprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite von etwa 1 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung von drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthalten­ den Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht verwen­ det, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi.In Fig. 11 wird die Kombination aus einer Kreisschlitz­ primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 5 und einem Se­ kundärstrahlerschichtaufbau mit Rechteckschlitzsekundär­ strahlern 710...71X (X = 1...max.9) für eine Polarisation dargestellt. Die Kreisschlitzprimärstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Kreisschlitzprimärstrahlerkonfigura­ tion in Fig. 6 aufgebaut, d. h. die Ziffer 40b entspricht der Ziffer 40, die Ziffer 41b entspricht der Ziffer 41, die Ziffer 42b entspricht der Ziffer 42 und die Ziffer 43b entspricht der Ziffer 43. Auch die angegebenen Maße stimmen bis auf den Durchmesser des Kreisschlitzprimär­ strahlers 42b überein, der hier die Größe von 16,9 mm be­ sitzt. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 700...70X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit da­ rin enthaltenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Recht­ eckschlitzen 710...71X (X = 1...max.9). Die Rechteck­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Rechteck­ sekundärstrahlerschlitz 710 die Maße 12,0 mm mal 2,2 mm, der zweite Rechtecksekundärstrahlerschlitz 711 die Maße 12,1 mm mal 2,3 mm und der dritte Rechtecksekundärstrah­ lerschlitz die Maße 12,3 mm mal 2,3 mm besitzen. Der Ab­ stand der Rechtecksekundärstrahlerschlitze voneinander beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm, während der Ab­ stand zwischen Kreisschlitzprimärstrahler 42b und dem Rechtecksekundärstrahlerschlitz 710, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, etwa 10,5 mm beträgt, so daß ge­ schlußfolgert werden kann, daß bei Verwendung bestimmter unterschiedlicher Schlitzberandungsformen nebeneinander die λ/2-Abstandsregel nicht gilt. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 11 fällt die Hauptstrahlrichtung (A- B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zu­ sammen. Der Punkt A deutet einen Ansatzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 1 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung von drei je einen Rechteckschlitzsekundärstrahler enthal­ tenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Rechteckschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht ver­ wendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 10 dBi. Die Leistungsmerkmale der in Fig. 11 beschriebenen Anordnung sind etwas geringer als die übrigen bisher beschriebenen Anordnungen mit einem Sekundärstrahlerschichtaufbau. Dies kann an einer noch nicht optimalen Gestaltung der Abmes­ sungen liegen.In Fig. 12 wird die Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz 64b als auch einem kreisförmigen Schlitz 65b und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern 810...81X (X = 1...max.9) für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfi­ guration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 be­ steht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppel­ schicht 60b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem geraden Koppelleiterzug 66b für die direkte Anregung des Recht­ eckschlitzteilprimärstrahlers 64b. Die Doppelschicht 62b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem gegabelten Koppel­ leiterzug 67b für die direkte Anregung des Kreisschlitz­ teilprimärstrahlers 65b. Der aus der selbsttragenden lei­ tenden Schicht 61b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Recht­ eckschlitz darstellend den Rechteckschlitzteilprimär­ strahler 64b hat dabei eine Länge von 12,0 mm und eine Breite von 2,2 mm. Der aus der selbsttragenden leitenden Schicht 63b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in der Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Kreisschlitz dar­ stellend den Kreisschlitzteilprimärstrahler 65b hat dabei einen Durchmesser von 16,9 mm. Die Dicke der aus hochver­ schäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Kop­ pelleiterzug 66b des Speisenetzwerkes der ersten Polari­ sation enthaltenden Doppelschicht 60b, zwischen der ersten den Rechteckschlitzteilprimärstrahler 64b enthal­ tenden selbsttragenden leitenden Schicht 61b und der den Koppelleiterzug 66b des Speisenetzwerkes der ersten Pola­ risation enthaltenden Doppelschicht 60b, zwischen der ersten den Rechteckschlitzteilprimärstrahler 64b enthal­ tenden selbsttragenden leitenden Schicht 61b und der den gegabelten Koppelleiterzug 67b des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 62b und zwischen der den gegabelten Koppelleiterzug 67b des Spei­ senetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Dop­ pelschicht 62b und der zweiten den Kreisschlitzteilpri­ märstrahler 64b enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 63b beträgt jeweils 2,0 mm. Um die Feldverläufe der ersten Polarisation durch den Koppelleiterzug der zweiten Polarisation nicht zu sehr zu beeinflussen, wurde die gegabelte Form 67b des Koppelleiterzuges der zweiten Polarisation gewählt. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbsttragenden leitenden Schichten 800...80X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenen Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 810...81X (X = 1...max.9). Die Kreis­ schlitzsekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wo­ bei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreis­ schlitzsekundärstrahler 810 einen Durchmesser von 17,1 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 811 einen Durchmesser von 17,2 mm und der dritte Kreisschlitzsekun­ därstrahler 812 einen Durchmesser von 17,4 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem am weitestem von der Grund­ platte 1 entfernten Kreisschlitzteilprimärstrahler 65b und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 810, der der Grund­ platte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 12 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen ge­ nannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement mit drei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisation von etwa 1 GHz und der zweiten Polarisation von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen. Wird ein Sekun­ därstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreis­ schlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 9 dBi.In den Fig. 13 und 14 wird eine Primärstrahlerkonfigu­ ration nach Anspruch 3 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz 64 bzw. 64a als auch einem kreisförmigen Schlitz 65 bzw. 65a für zwei Polarisationen dargestellt. Die Pri­ märstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Primär­ strahlerkonfiguration in Fig. 12 aufgebaut, d. h. die Zif­ fer 60b entspricht den Ziffern 60 und 60a, die Ziffer 61b entspricht den Ziffern 61 und 61a, die Ziffer 62b ent­ spricht den Ziffern 62 und 62a, die Ziffer 63b entspricht den Ziffern 63 und 63a, die Ziffer 64b entspricht den Ziffern 64 und 64a, die Ziffer 65b entspricht den Ziffern 65 und 65a und die Ziffer 66b entspricht den Ziffern 66 und 66a. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Fig. 13 und 14 unterscheiden sich nur in der Art der Aus­ führung des Koppelleiterzuges des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation. In Fig. 14 ist der Koppelleiterzug 67a gegabelt ausgeführt, während in Fig. 13 der Koppellei­ terzug 67 asymmetrisch bezüglich des Kreisschlitzes 65 angeordnet ist. Dabei darf die Asymmetrie nicht zu groß werden, da sonst die Polarisation gedreht wird. In den Fig. 13 und 14 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den Ansatzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängen­ den gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung bezüglich der ersten Polarisation an. Ein solches beschriebenes Anten­ neneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 6,5 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisation von etwa 1 GHz und der zweiten Polarisation von etwa 2,2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In Fig. 15 wird eine Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einem recht­ eckigen Schlitz 75b als auch kreisförmigen Schlitzen 76b und 77b und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundärstrahlern 910...91X (X = 1...max.9) für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahler­ konfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppel­ schicht 70b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppel­ leiterzug 78b für die direkte Anregung des Rechteck­ schlitzteilprimärstrahlers 75b. Die Doppelschicht 73b aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem asymmetrisch angebrachten Koppelleiterzug 79b für die direkte Anregung der Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 76b und 77b. Der aus der selbsttragenden leitenden Schicht 71b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparte Rechteckschlitz darstellend den Rechteck­ schlitzteilprimärstrahler 75b hat dabei die Abmessungen 12,0 mm mal 2,2 mm. Die aus den selbsttragenden leitenden Schichten 72b und 74b aus zum Beispiel Kupfer, Eisen oder Aluminium in einer Stärke bis zu 1 mm ausgesparten Kreis­ schlitze darstellend die Kreisschlitzteilprimärstrahler 76b und 77b haben dabei jeweils einen Durchmesser von 16,9 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der den Koppelleiterzug 78b des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 70b bzw. zwischen der ersten den Rechteck­ schlitzteilprimärstrahler 75b enthaltenden selbsttragen­ den leitenden Schicht 71b und der den Koppelleiterzug 78b des Speisenetzwerkes der ersten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 70b beträgt jeweils 2,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht zwischen der zweiten den Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 76b enthaltenden selbsttragen­ den leitenden Schicht 72b und der den Koppelleiterzug 79b des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthal­ tenden Doppelschicht 73b bzw. zwischen der dritten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 77b enthaltenden selbst­ tragenden leitenden Schicht 74b und der den Koppelleiter­ zug 79b des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation enthaltenden Doppelschicht 73b beträgt jeweils 0,8 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polystyrolschaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der ersten den Rechteckschlitzteilprimärstrahler 75b enthaltenden selbsttragenden leitenden Schicht 71b und der zweiten den Kreisschlitzteilprimärstrahler 76b enthaltenden selbst­ tragenden leitenden Schicht 72b beträgt λ/4 bis λ/2. In Fig. 15 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der An­ tenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden innerhalb der Primärstrahlerkonfiguration für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Der Sekundärstrah­ lerschichtaufbau besteht aus einer oder mehreren selbst­ tragenden leitenden Schichten 900...90X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundär­ strahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 910...91X (X = 1... max.9). Die Kreisschlitzsekundärstrahler werden, je wei­ ter sie von der Grundplatte 1 angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekundärstrahler 910 einen Durchmesser von 17,0 mm, der zweite Kreisschlitzsekundärstrahler 911 einen Durchmesser von 17,0 mm und der dritte Kreisschlitzsekun­ därstrahler einen Durchmesser von 17,2 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Abstand zwischen dem Kreisschlitzteilprimärstrahler 77b und dem Kreisschlitzsekundärstrahler 910, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektri­ kum 2 aus hochverschäumtem Polystyrol ausgefüllt. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 11 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisation von etwa 1 GHz und der zweiten Po­ larisation von etwa 2 GHz ohne Gewinnabfall an den Band­ grenzen bei Verwendung von drei je einen Kreisschlitzse­ kundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrah­ lerschichtaufbaus. Wird ein Sekundärstrahlerschichtaufbau mit nur einer einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthal­ tenden Schicht verwendet, so ergibt sich ein Gewinn von etwa 9,5 dBi.In den Fig. 16 und 17 wird eine Primärstrahlerkonfigu­ ration nach Anspruch 4 mit sowohl einem rechteckigen Schlitz 75 und 75a als auch kreisförmigen Schlitzen 76, 76a, 77 und 77a für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Primär­ strahlerkonfiguration in Fig. 15 aufgebaut, d. h. die Zif­ fer 70b entspricht den Ziffern 70 und 70a, die Ziffer 71b entspricht den Ziffern 71 und 71a, die Ziffer 72b ent­ spricht den Ziffern 72 und 72a, die Ziffer 73b entspricht den Ziffern 73 und 73a, die Ziffer 74b entspricht den Ziffern 74 und 74a, die Ziffer 75b entspricht den Ziffern 75 und 75a, die Ziffer 76b entspricht den Ziffern 76 und 76a, die Ziffer 77b entspricht den Ziffern 77 und 77a, die Ziffer 78b entspricht den Ziffern 78 und 78a und die Ziffer 79b entspricht der Ziffer 79. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Fig. 16 und 17 unterscheiden sich nur in der Art der Ausführung des Koppelleiterzuges des Speisenetzwerkes der zweiten Polarisation. In Fig. 17 ist der Koppelleiterzug 79a gegabelt ausgeführt, während in Fig. 16 der Koppelleiterzug 79 asymmetrisch bezüglich des Kreisschlitzes 76 und des Kreisschlitzes 77 angeordnet ist. Auch hier darf die Asymmetrie nicht zu groß werden, da sonst die Polarisation gedreht wird. In den Fig. 16 und 17 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht einen Gewinn von etwa 6,5 dBi und eine Bandbreite der ersten Polarisa­ tion von etwa 1 GHz und der zweiten Polarisation von etwa 2 GHz ohne Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In den Fig. 18 und 19 werden bekannte Kreisschlitzpri­ märstrahlerkonfigurationen mit Reflektor für eine bzw. für zwei Polarisationen aber mit einer Abweichung der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 18 ist entsprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 4 und die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 19 ist ent­ sprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 5 auf­ gebaut, d. h. die Teile der Konfigurationen mit den gleichen Zahlen entsprechen sich, wobei die Buchstaben­ indizes der Zahlen unberücksichtigt bleiben. Auch die an­ gegebenen Maße dieser Teile stimmen überein. Die Verbin­ dungslinien (A-B) der Flächenmittelpunkte der die Kreisschlitzteilprimärstrahler darstellenden und aus den selbsttragenden leitenden Schichten 20a, 22a, 24a bzw. 30a und 32a ausgesparten Kreisschlitze 25a, 26a, 27a bzw. 33a und 34a bilden mit der Antennengrundflächennormalen (A-C) einen Winkel δ bezüglich der Fig. 18 bzw. einen Winkel γ bezüglich der Fig. 19. Dies bedeutet, daß die Hauptstrahlrichtung bezüglich der Antennengrundflächen­ normalen (A-C) auch bei diesen Primärstrahlerkonfigura­ tionen schwenkbar gestaltet werden kann. Die Winkel δ und γ sollten eine Größe von 15° bei Verwendung von planparallelen Schichten in diesen Primärstrahlerkonfi­ gurationen nicht überschreiten, da sonst die Verbindungs­ linien der Flächenmittelpunkte der Kreisschlitzprimär­ teilstrahler nicht mehr mit den Hauptstrahlrichtungen übereinstimmen und der Gewinn der Konfigurationen etwas geringer wird. In Fig. 18 und 19 sind die Punkte A die An­ satzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammen­ hängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung, während der Punkt A′ einen solchen Ansatzpunkt andeuten soll.In Fig. 20 wird eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit galvanischer Kopplung zwischen Primärstrahler 81 und Speisenetzwerk 82 und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreis­ schlitzsekundärstrahlern 1010...101X (X = 1...max.9) für eine Polarisation dargestellt. Die Microstripprimärstrah­ lerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer. Die Doppelschicht 80 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Speiseleiterzug 82 für die direkte galvanische Anregung des Microstripprimär­ strahlers 81, der eine kreisförmige Struktur besitzt und sich mit den gängigen Berechnungsmethoden konstruieren läßt. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der Doppelschicht 80 beträgt 2,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus zwei oder mehr selbsttragenden leitenden Schichten 1000... 100X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Kreis­ schlitzen 1010...101X (X = 1...max.9). Die Kreisschlitz­ sekundärstrahler werden, je weiter sie von der Grundplat­ te 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer, wobei der erste in dieser Richtung angeordnete Kreisschlitzsekun­ därstrahler 1010 einen Durchmesser von 16,8 mm, der zwei­ te Kreisschlitzsekundärstrahler 1011 einen Durchmesser von 16,9 mm und der dritte Kreisschlitzsekundärstrahler 1012 einen Durchmesser von 17,1 mm besitzen. Der Abstand der Kreisschlitzsekundärstrahler voneinander und der Ab­ stand zwischen Microstripprimärstrahler 81 und dem Kreis­ schlitzsekundärstrahler 1010, der der Grundplatte 1 am nächsten liegt, beträgt etwa λ/2, d. h. etwa 13,25 mm. Diese Abstände werden mit einem Dielektrikum 2 aus hoch­ verschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In Fig. 20 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennen­ grundflächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den An­ satzpunkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängen­ den gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurve oder Geraden für die Schwenkung der Haupt­ strahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antennenein­ zelelement mit zwei je einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schichten des Sekundärstrahlerschichtaufbaus erreicht einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 300 MHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In Fig. 21 wird eine Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kontaktloser Kopplung zwischen Primärstrahler 88 und Speisenetzwerk 87 und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitz­ sekundärstrahlern 1110... 111X (X= 1... max.9) für eine Po­ larisation dargestellt. Die Microstripprimärstrahlerkon­ figuration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 be­ steht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche der Microstripleitung. Die Doppel­ schicht 85 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk mit dem Speiseleiterzug 87 für die Anre­ gung des Microstripprimärstrahlers 88. Die Doppelschicht 86 aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt den Microstrip­ primärstrahler, der eine kreisförmige Struktur besitzt und sich mit gängigen Berechnungsmethoden konstruieren läßt. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylen­ schaumstoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Grundplatte 1 und der Doppelschicht 85 beträgt 1,0 mm. Die Dicke der aus hochverschäumtem Polyäthylenschaum­ stoff bestehenden Dielektrikumsschicht 2 zwischen der Doppelschicht 85 und der Doppelschicht 86 beträgt 4,0 mm. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus zwei oder mehr selbsttragenden leitenden Schichten 1100... 110X (X = 1...max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthal­ tenden Sekundärstrahlern in Form von aus den selbsttra­ genden leitenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 1110...111X (X = 1...max.9). Die Kreisschlitzsekundär­ strahler besitzen dieselben Maße wie die in Fig. 20. Die Leistungsmerkmale eines solchen beschriebenen Antennen­ einzelelementes sind denen des in Fig. 20 beschriebenen Antenneneinzelelementes gleichwertig. Nur die Bandbreite ist mit 900 MHz wesentlich größer.In den Fig. 22 und 23 wird die Kombination aus einer bekannten Microstripprimärstrahlerkonfiguration mit kon­ taktloser Kopplung zwischen Primärstrahler 88a, 88b und Speisenetzwerk 87a, 87b und einem Sekundärstrahler­ schichtaufbau sowohl mit Kreisschlitzsekundärstrahlern 1211...121X, 1310, 1312...131X (X = 2...max.9) als auch mit kreisförmigen Microstripsekundärstrahlern 1210, 1311 für eine Polarisation dargestellt. Die Microstripprimär­ strahlerkonfiguration ist entsprechend der Microstrippri­ märstrahlerkonfiguration in Fig. 21 aufgebaut, d. h. die Ziffer 85 entspricht den Ziffern 85a und 85b, die Ziffer 86 entspricht den Ziffern 86a und 86b, die Ziffer 87 ent­ spricht den Ziffern 87a und 87b und die Ziffer 88 ent­ spricht den Ziffern 88a und 88b. Auch die angegebenen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahlerschichtaufbau besteht aus einer Mischung von selbsttragenden leitenden Schichten 1201... 120X oder 1300, 1302... 130X (X = 2... max.9) der Stärke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Se­ kundärstrahlern in Form von aus den selbsttragenden lei­ tenden Schichten ausgesparten Kreisschlitzen 1211...121X oder 1310, 1312... 131X (X = 2...max.9) und Doppelschich­ ten aus 25 µm starker Polyesterfolie, die die Microstrip­ sekundärstrahler 1210 oder 1311 mit kreisförmiger Struk­ tur tragen. Die Durchmesser der Microstripsekundärstrah­ ler und der Kreisschlitzsekundärstrahler sind ebenso wie ihre Abstände voneinander und zum Microstripprimärstrah­ ler sehr vom gewählten Sekundärstrahlerschichtaufbau ab­ hängig. Werden in dem Sekundärstrahlerschichtaufbau eine einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltende Schicht und zwei je einen kreisförmigen Microstripsekundärstrah­ ler enthaltende Schichten verwendet, so kann dieses An­ tenneneinzelelement einen Gewinn von 12 dBi bei einer Bandbreite von etwa 900 MHz erreichen. Dabei werden die Abstände zwischen den Sekundärstrahler 1210... 121X bzw. 1310... 131X (X = 1...max.9) enthaltenden Schichten 1200... 120X bzw. 1300...130X (X = 1...max.9) und zwischen der den Primärstrahler 88a bzw. 88b enthaltenden Schicht 86a bzw. 86a und der einen Sekundärstrahler 1210 bzw. 1310 enthaltenden Schicht 1200 bzw. 1300, die der Grundplatte 1 am nächsten liegt, mit einem Dielektrikum 2 aus hoch­ verschäumtem Polystyrol ausgefüllt. In den Fig. 22 und 23 fallen die Hauptstrahlrichtungen (A-B) der Antennen mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden ge­ krümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an.In Fig. 24 wird die Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 125a kombinierten Microstripfläche 129a als auch kreisförmigen Schlitzen 126a, 127a und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzse­ kundärstrahlern 1410... 141X (X = 1...max.9) für zwei Po­ larisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Massefläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 120a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speise­ netzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiter­ zug 128a für die direkte Anregung des kombinierten Micro­ strip-/Schlitzteilprimärstrahlers 129a/125a. Der Micro­ strip-/Schlitzteilprimärstrahler 129a/125a ist in die leitende Schicht 131a der Doppelschicht 121a eingebettet. Das dielektrische Trägermaterial der Doppelschicht 121a besteht aus einer 100 µm starken Polyesterfolie. Die Dop­ pelschicht 123a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Koppelleiterzug 130a für die direkte Anregung der Kreis­ schlitzteilprimärstrahler 126a und 127a in den leitenden Schichten 122a bzw. 124a. Die Dicken und das Material der Dielektrikumsschichten 2 in dieser Primärstrahlerkonfigu­ ration entsprechen den Dicken und dem Material der mit Fig. 15 beschriebenen Dielektrikumsschichten 2 der dortigen Primärstrahlerkonfiguration. Der Sekundärstrah­ lerschichtaufbau mit den Kreisschlitzsekundärstrahlern 1410...141X (X = 1...max.9) auf den leitenden Schichten 1400... 140X (X = 1...max.9) entspricht in Abmessungen und Aufbau dem Sekundärstrahlerschichtaufbau in Fig. 15 mit den Kreisschlitzsekundärstrahlern 910...91X (X = 1...max. 9) auf den leitenden Schichten 900...90X (X = 1...max.9). In Fig. 24 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der An­ tenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A, A′ und A′′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusam­ menhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht in der ersten Polarisation einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisation einen Gewinn von etwa 9,5 dBi und eine Band­ breite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen bei Verwendung nur einer einen Kreis­ schlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht im Sekundär­ strahlerschichtaufbau.In Fig. 25 wird die Kombination aus einer Primärstrah­ lerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 95a kombinierten Microstripfläche 97a als auch einem kreisförmigen Schlitz 94a und einem Sekun­ därstrahlerschichtaufbau mit Kreisschlitzsekundärstrah­ lern 1510... 151X (X = 1...max.9) für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration ist wie folgt aufgebaut. Die Grundplatte 1 besteht zum Beispiel aus Aluminium, Eisen oder Kupfer und dient als Masse­ fläche einer Triplate-Leitung. Die Doppelschicht 90a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die erste Polarisation mit dem Koppelleiterzug 96a für die direkte Anregung des kombinierten Microstrip-/ Schlitzteilprimärstrahlers 97a/95a. Der Microstrip-/ Schlitzteilprimärstrahler 97a/95a ist in die leitende Schicht 99a der Doppelschicht 91a eingebettet. Das di­ elektrische Trägermaterial der Doppelschicht 91a besteht aus einer 100 µm starken Polyesterfolie. Die Doppel­ schicht 92a aus 25 µm starker Polyesterfolie trägt das Speisenetzwerk für die zweite Polarisation mit dem Kop­ pelleiterzug 98a für die direkte Anregung des kombinier­ ten Microstrip-/Schlitzteilprimärstrahlers 97a/95a und für die direkte Anregung des Kreisschlitzteilprimärstrah­ lers 94a in der leitenden Schicht 93a. Die Dicken und das Material der Dielektrikumsschichten 2 in dieser Primär­ strahlerkonfiguration entsprechen den Dicken und dem Ma­ terial der mit Fig. 9 beschriebenen Dielektrikumsschichten 2 der dortigen Primärstrahlerkonfiguration. Der Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit den Kreisschlitzsekundärstrah­ lern 1510... 151X (X = 1...max.9) auf den leitenden Schichten 1500...150X (X = 1...max.9) entspricht in Ab­ messungen und Aufbau dem Sekundärstrahlerschichtaufbau in Fig. 9 mit den Kreisschlitzsekundärstrahlern 510... 51X (X = 1...max.9) auf den leitenden Schichten 500...50X (X = 1...max.9). In Fig. 25 fällt die Hauptstrahlrichtung (A - B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zu­ sammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement er­ reicht in der ersten Polarisation einen Gewinn von etwa 10,5 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisation einen Gewinn von etwa 10 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinn­ abfall an den Bandgrenzen bei Verwendung nur einer einen Kreisschlitzsekundärstrahler enthaltenden Schicht im Se­ kundärstrahlerschichtaufbau.In Fig. 26 wird eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 4 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 125 kombinierten Microstripfläche 129 als auch kreisförmigen Schlitzen 126, 127 für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 26 ist ent­ sprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 24 auf­ gebaut, d. h. die Teile der Konfigurationen mit den gleichen Zahlen entsprechen sich, wobei die Buchstaben­ indizes der Zahlen unberücksichtigt bleiben. Auch die an­ gegebenen Maße dieser Teile stimmen überein. In Fig. 26 fällt die Hauptstrahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrundflächennormalen zusammen. Die Punkte A und A′ deuten die Ansatzpunkte der in den Ansprüchen ge­ nannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Hauptstrahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antenneneinzelelement erreicht in der ersten Polarisation einen Gewinn von etwa 7 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisa­ tion einen Gewinn von etwa 6,5 dBi. und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In Fig. 27 wird eine Primärstrahlerkonfiguration nach Anspruch 3 mit sowohl einer mit einem Kreisschlitz 95 kombinierten Microstripfläche 97 als auch einem kreisför­ migen Schlitz 94 für zwei Polarisationen dargestellt. Die Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 27 ist entsprechend der Primärstrahlerkonfiguration in Fig. 25 aufgebaut, d. h. die Teile der Konfigurationen mit den gleichen Zahlen entsprechen sich, wobei die Buchstabenindizes der Zahlen unberücksichtigt bleiben. Auch die angegebenen Maße dieser Teile stimmen überein. In Fig. 27 fällt die Haupt­ strahlrichtung (A-B) der Antenne mit der Antennengrund­ flächennormalen zusammen. Der Punkt A deutet den Ansatz­ punkt der in den Ansprüchen genannten zusammenhängenden gekrümmten, zusammenhängenden gekrümmten, stückweise ge­ raden Kurven oder Geraden für die Schwenkung der Haupt­ strahlrichtung an. Ein solches beschriebenes Antennenein­ zelelement erreicht in der ersten Polarisation einen Ge­ winn von etwa 8 dBi und eine Bandbreite von etwa 1,2 GHz und in der zweiten Polarisation einen Gewinn von etwa 7 dBi und eine Bandbreite von etwa 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen.In Fig. 28 wird ein Speisenetzwerk für mehrere Primär­ strahler für eine Polarisation mit einem Hyperbolwellen­ widerstandstransformator 137, Exponentialwellenwider­ standstransformatoren 136 und Dolph-Tschebytschew-Wellen­ widerstandstransformatoren 134, 135 dargestellt. Dabei sind die Koppelleiterzüge 132 für die direkte Anregung der Primärstrahler oder Primärteilstrahler noch schmal­ bandig als gerade Leiterbahnen ausgeführt. Aus Platz­ mangel müssen auch noch λ/4-Transformatoren 133 verwen­ det werden. Um die Bandbreite dieser λ/4-Transformatoren nicht zu sehr einzuengen, ist allerdings darauf zu achten, daß das Transformationsverhältnis des Wellen­ widerstandes nicht zu groß wird. Mit einem solchen Spei­ senetzwerk sind Bandbreiten in einem 512-Elemente-Kreis­ schlitzprimärstrahlerarray von mindestens 1,2 GHz ohne wesentlichen Gewinnabfall an den Bandgrenzen erreichbar. Dieses Ergebnis kann durch getaperte Koppelleiterzüge, wie in den Fig. 29 bis 31 dargestellt, noch wesentlich verbessert werden.In den Fig. 29 und 31 werden die Speiseleiterzüge 143 auf den Doppelschichten 140 mit einer Hyperbolwellen­ widerstandstaperung 146 oder mit einer Dolph-Tscheby­ tschew-Wellenwiderstandstaperung 148 mit jeweils kreis­ förmig abgerundeten Leiterzugenden für die direkte Anre­ gung von aus den leitenden Schichten 141 ausgesparten Kreisschlitzen 142 dargestellt. Im Inneren 144 der Kreis­ schlitze 142, die als Primärstrahler oder als Primärteil­ strahler dienen, befindet sich ein nichtleitendes dielek­ trisches Medium zum Beispiel Luft. Während der Speise­ leiterzug 143 in Fig. 31 gerade ausgeführt ist, wurde in Fig. 29 eine gegabelte Ausführung gewählt. Die Gründe für die Wahl korrelieren mit denen in den Ausführungen zu den Fig. 12, 14 und 17. Bei Vermeidung sämtlicher Wellenwider­ standssprünge im Speisenetzwerk eines 512-Elemente-Kreis­ schlitzprimärstrahlerarrays durch Anwendung der mit den Fig. 28 bis 31 beschriebenen Prinzipien sind Bandbreiten in diesem Array bis zu 2 GHz ohne wesentlichen Gewinnab­ fall an den Bandgrenzen realisierbar.In Fig. 30 wird der Speiseleiterzug 143 auf der Doppel­ schicht 140 mit einer Exponentialwellenwiderstandsta­ perung 147 mit kreisförmig abgerundetem Leiterzugende für die direkte Anregung eines aus der leitenden Schicht 141 ausgesparten Rechteckschlitzes 145 dargestellt. Im Inne­ ren 144 des Rechteckschlitzes 145, der als Primärstrahler oder als Primärteilstrahler dient, befindet sich ein nichtleitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft. Zur weiteren Bandbreitenerhöhung sind die schmalen Seiten des Rechteckschlitzes 145 kreisförmig abgerundet. Mit diesem Aufbau läßt sich die Bandbreite gegenüber einem Aufbau ohne Rundungen und Taperungen um etwa 15% er­ höhen.In den Fig. 32 und 33 werden die Speiseleiterzüge 143 auf den Doppelschichten 140 für die direkte Anregung von aus den leitenden Schichten 141 ausgesparten Kreis­ schlitzen 142 dargestellt. Im Inneren 144 der Kreis­ schlitze 142, die als Primärstrahler oder als Primärteil­ strahler dienen, befindet sich ein nichtleitendes dielek­ trisches Medium zum Beispiel Luft. In Fig. 32 ist der Speiseleiterzug 143 teilweise gekrümmt, wobei das Speise­ leiterzugstück 143 außerhalb der Kreisschlitzfläche 142/ 144 entlang einer gedachten Gerade durch den auf die Dop­ pelschicht 140 projizierten Mittelpunkt der Kreisschlitz­ fläche 142/144 verläuft, während das gerade Speiseleiter­ zugstück 149 innerhalb der Kreisschlitzfläche 142/144 auf einer zu einer gedachten Gerade durch den Mittelpunkt der Kreisschlitzfläche 142/144 parallelen Gerade ver­ läuft. In Fig. 33 verläuft der Leiterzug 143/150 außerhalb und innerhalb der Kreisschlitzfläche 142/144 auf einer zu einer gedachten Gerade durch den Mittelpunkt der Kreisschlitzfläche 142/144 parallelen Gerade. Die Gründe für die Wahl dieser zwei Anordnungen korrelieren mit denen in den Ausführungen zu den Fig. 13, 15 und 16. Da­ bei darf die Asymmetrie der Leiterzugführung gegenüber der Kreisschlitzfläche 142/144 nicht zu groß sein, da sonst die Polarisation gedreht wird. Dies trifft beson­ ders auf die Anordnung in Fig. 33 zu. Die Leiterzüge 143/ 149 bzw. 143/150 in den Fig. 32 und 33 können zur Erhöhung der Bandbreite ebenfalls mit einer Hyperbol-, Exponential- oder Dolph-Tschebytschew-Wellenwiderstandstaperung und mit Rundungen an den Leiterzugsenden versehen sein.Bisher wurden bei den Speiseleiterzügen für Kreis­ schlitzprimärstrahler oder Kreisschlitzteilprimärstrahler nur Anordnungen für lineare Polarisation betrachtet. Die Anordnungen können aber auch in abgewandelter Form für zirkulare Polarisation verwendet werden, wenn auf den das Speisenetzwerk tragenden Doppelschichten 140 zwei ortho­ gonal aufeinander stehende Koppelleiterzüge einer be­ schriebenen Art oder zweier beschriebener Arten für einen Kreisschlitzprimärstrahler oder einen Kreisschlitzteil­ primärstrahler plaziert sind.In Fig. 34 sind einige mögliche Berandungsformen von aus leitenden Schichten 3 ausgesparten Schlitzstrahlern dargestellt. Im Inneren 4 der Schlitzstrahler befindet sich stets ein nichtleitendes dielektrisches Medium zum Beispiel Luft. Die Schlitze können die Form einer Ellipse 160, eines Kreises 161, eines Zweieckes mit kreisförmigen Verbindungslinien zwischen den Ecken 162, eines Dreieckes 163, eines Sechseckes 167 oder eines Viereckes 164, spe­ zieller eines Rechteckes 165 oder eines Quadrates 166 be­ sitzen. Die Auswahl der Form der Schlitzstrahler muß ent­ sprechend des geforderten Frequenzbereiches und der ge­ forderten Polarisation erfolgen. In der Regel beträgt der Umfang der Schlitze rund 2*λ.In den Fig. 35 bis 37 wird die Kombination aus einer bekannten Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration und einem Sekundärstrahlerschichtaufbau mit treppen­ förmigen, Rechteckschlitzsekundärstrahler 1610, 1610a, 171X, 1720... 172X, 1730, 1731 (X = 1...max.9) enthal­ tenden Schichten 1600, 1600a, 1700... 170X (X = 1...max.9) und mit Abweichungen der Hauptstrahlrichtung von der Antennengrundflächennormalen dargestellt. Die Recht­ eckschlitzprimärstrahlerkonfiguration ist entsprechend der Rechteckschlitzprimärstrahlerkonfiguration in Fig. 1 aufgebaut, d. h. die Ziffer 10 entspricht den Ziffern 10d, 10e und 10f, die Ziffer 11 entspricht den Ziffern 11d, 11e und 11f, die Ziffer 12 entspricht den Ziffern 12d, 12e, 12f und 12f′ und die Ziffer 13 entspricht den Ziffern 13d, 13e, 13f und 13f′. Auch die angeg 10295 00070 552 001000280000000200012000285911018400040 0002004139245 00004 10176e­ benen Maße stimmen überein. Der Sekundärstrahlerschicht­ aufbau besteht aus einer oder mehreren treppenförmigen oder wellenförmigen selbsttragenden leitenden Schichten 1600, 1600a oder 1700... 170X (X = 1...max.9) der Stär­ ke bis zu 1 mm mit darin enthaltenden Sekundärstrah­ lern in Form von aus den treppen- oder wellenförmigen selbsttragenden leitenden Schichten ausgesparten Rechteckschlitzen 1610, 1610a oder 171X, 1720... 172X, 1730, 1731 (X = 1...max.9). Sind mehrere Rechtecksekun­ därschlitzstrahler 1720, 1730 oder 1721, 1731 oder 171X, 172X in einer treppen- oder wellenförmigen selbsttragen­ den leitenden Schicht 1700 bzw. 1701 bzw. 170X angeord­ net, so schließen die Flächen dieser Rechtecksekundär­ strahlerschlitze den gleichen Winkel mit der Grundplatte 1 ein. Dabei können auf einer Treppenstufe einer selbst­ tragenden leitenden Schicht ein oder mehrere Rechteck­ schlitzsekundärstrahler enthalten sein. In Fig. 35 fällt die Verbindungslinie (A-A′) der Flächenmittelpunkte des den Primärstrahler darstellenden Rechteckschlitzes 13d und des den Sekundärstrahler darstellenden Rechteck­ schlitzes 1610 mit der Antennengrundflächennormalen (A - C) zusammen. Durch die Neigung der Flächennormalen (A′ - B) der Rechteckschlitzsekundärstrahlerfläche 1610 gegen die Antennengrundflächennormale (A-C) mit dem Winkel R₁ wird eine um näherungsweise R₁ gegen die Antennen­ rundflächennormale (A-C) geneigte Hauptstrahlrichtung der Antenne erzeugt. In Fig. 36 bildet die auf der Recht­ eckschlitzsekundärstrahlerfläche 1610a senkrecht stehende Verbindungslinie (A-B) der Flächenmittelpunkte des den Primärstrahler darstellenden Rechteckschlitzes 13e und des den Sekundärstrahler darstellenden Rechteckschlitzes 1610a mit der Antennengrundflächennormalen (A-C) einen Winkel R₂. Durch die Neigung der Flächennormalen der Rechteckschlitzsekundärstrahlerfläche 1610a und der Ver­ bindungslinie (A-B) gegen die Antennengrundflächennor­ male (A-C) mit dem Winkel R₂ wird eine um näherungs­ weise R₂ gegen die Antennengrundflächennormale (A-C) geneigte Hauptstrahlrichtung der Antenne erzeugt. Durch Korrektur der Verbindungslinien (A-B) zwischen den Punkten A und A′ in den Fig. 35 und 36 läßt sich die Neigung der Hauptstrahlrichtungen gegenüber der Antennen­ grundflächennormalen (A-C) in Grenzen verändern. In Fig. 37 werden die in den Fig. 35 und 36 erläuterten Grund­ prinzipien auf ein sekundärstrahlermäßig mehrfach ge­ stocktes Rechteckschlitzstrahler-Array angewendet. Dabei sind die zusammenhängenden gekrümmten oder zusammen­ hängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Ge­ raden durch die Punkte A⁺⁺ und B gegenüber der zusammen­ hängenden gekrümmten oder zusammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurve oder Geraden (A⁺-B⁺) parallel verschoben. Diese zusammenhängenden gekrümmten oder zu­ sammenhängenden gekrümmten, stückweise geraden Kurven oder Geraden A⁺⁺, (A⁺-B⁺), B gehen durch die Flächen­ mittelpunkte der entsprechenden Rechteckprimärstrahler­ schlitze 13f bzw. 13f′ und Rechtecksekundärstrahler­ schlitze 171X bzw. 1720... 172X (X = 1...max.9) bzw. 1730, 1731, bilden mit der jeweiligen Rechteckschlitzstrahler­ fläche, durch die eine Kurve oder Gerade hindurchgeht, einen rechten Winkel und schließen mit der Antennengrund­ flächennormalen (A⁺-C) einen Winkel τ ein, der sich mit dem Kurvenverlauf ändern kann. Die Rechteckschlitz­ sekundärstrahler 1720... 172X (X = 1...max.9) bzw. 1730, 1731 werden, je weiter sie von der Grundplatte 1 entfernt angeordnet sind, etwas größer. Der Abstand auf einer Kurve oder Gerade A⁺⁺, (A⁺-B⁺), B der Rechtecksekundär­ strahlerschlitze voneinander und zwischen Rechteckprimär­ strahlerschlitz 13d bzw. 13e bzw. 13f bzw. 13f′ und dem Rechtecksekundärstrahlerschlitz 1610 bzw. 1610a bzw. 1720 1730, der der Grundplatte 1 am nächsten angeordnet ist, liegt in der Größenordnung von λ/2. Die genauen Werte der Abstände und der Größen der Rechtecksekundärstrahler­ flächen hängen stark vom Winkel τ ab. Die Abstände wer­ den mit einem Dielektrikum 2 aus hochverschäumtem Poly­ styrol ausgefüllt. Wird eine Dielektrikumsschicht 2 zwischen zwei Sekundärstrahler enthaltenden Schichten 1700 und 1701 bzw. 1701 und 170X durch eine Ebene F1 bzw. F2 geteilt, so kann durch Verschiebung der dadurch ent­ stehenden zwei Teile der Dielektrikumsschicht 2 gegenein­ ander die Neigung der Hauptstrahlrichtung gegenüber der Antennengrundflächennormalen (A-C) in Grenzen korri­ giert werden. Erfolgt die Schwenkung der Hauptstrahl­ richtung der Antenne mit der in diesem Absatz beschriebe­ nen Methode, so ist gegenüber einer Antenne mit analogem Aufbau aber in die Richtung der Antennengrundflächennor­ malen (A-C) zeigenden Hauptstrahlrichtung kein Gewinn­ verlust zu verzeichnen. Neben den in diesem Absatz ver­ wendeten Rechteckschlitzstrahlern können in einem solchen Sekundärstrahlerschichtaufbau auch alle in den Ansprüchen und in der Beschreibung aufgeführten Schlitzstrahlerfor­ men, Microstripstrahlerformen oder kombinierten Micro­ strip-/Schlitzstrahlerformen benutzt werden.In Fig. 38 werden die Berandungsformen einer mit einem Schlitzstrahler 5 kombinierten Microstripstrahlerfläche 6 dargestellt. Die kombinierten Microstrip-/Schlitzstrah­ ler 6/5 sind aus der leitenden Schicht einer Doppel­ schicht 3 aus einem dielektrischen Trägermaterial mit einer leitenden Schicht herausgearbeitet. Als dielek­ trisches Trägermaterial ist Polyesterfolie der Dicke von 25 µm bis 200 µm gut geeignet. Die zwei Berandungen eines einen Microstripstrahler 6 umschließenden Schlitzstrah­ lers 5 können eine gleichartige geometrische Form be­ sitzen, wie zum Beispiel die Form einer Ellipse 170, eines Kreises 171, eines Zweieckes mit kreisförmigen Ver­ bindungslinien zwischen den Ecken 172, eines Dreieckes 173, eines Sechseckes 177 oder eines Viereckes 174, spe­ zieller eines Rechteckes 175 oder eines Quadrates 176. Die zwei Berandungen eines einen Microstripstrahler 6 um­ schließenden Schlitzstrahlers 5 können auch zwei unter­ schiedliche geometrische Formen besitzen, wie zum Bei­ spiel die Form eines Kreises und eines Quadrates 182/178, 179/183 oder die Form eines Quadrates und eines Dreieckes 184/180 oder die Form eines Quadrates und eines Recht­ eckes 185/181. Die Auswahl der Berandungsformen der kom­ binierten Microstrip-/Schlitzstrahler 6/5 muß ent­ sprechend des geforderten Frequenzbereiches und der ge­ forderten Polarisation erfolgen. In der Regel beträgt der Umfang der Mittellinie des den Microstripstrahler 6 um­ gebenden Schlitzes 5 rund 2*λ.Zusammenfassend wurden mehrere miteinander kombinier­ bare Primärstrahlerkonfigurationen und Sekundärstrahler­ schichtaufbauten gefunden, die die Herstellung eines An­ tenneneinzelelementes erlauben, das bei flacher und ein­ facher Bauweise breitbandig einen großen Gewinn liefert, bei Empfang oder Abstrahlung eine lineare oder eine zir­ kulare oder zwei orthogonale lineare oder zwei orthogona­ le zirkulare Polarisationen erlaubt und sich mit weiteren Elementen dieser Art durch eine planare Schaltung breit­ bandig zu einem Array HF-verlustarm verbinden läßt. Für zwei orthogonale Polarisationen erweist sich der Aufbau nach Fig. 9 als sehr kostengünstig und leistungsmäßig aus­ reichend. Mit den beschriebenen Primärstrahlerkonfigura­ tionen und Sekundärstrahlerschichtaufbauten lassen sich Antennenarrays aufbauen, die mit 512 Einzelantennenele­ menten in der Fläche 50 mal 50 cm² einem Gewinn von 36 bis 39 dBi erreichen und eine Bandbreite bis zu 2 GHz be­ sitzen. Durch Verwendung von Phasen- und Amplituden- Steuerungen über der Apertur sind auf der genannten Flächengröße möglicherweise noch höhere Gewinnwerte zu erzielen. Außerdem läßt sich der Winkel zwischen der An­ tennengrundflächennormalen und der Hauptstrahlungskeule sehr einfach mechanisch einstellen, wobei der Gewinn der Antenne nur sehr wenig vom Schwenkungswinkel der Haupt­ strahlungskeule bezüglich der Antennengrundflächennorma­ len abhängt. Auch ein Antenneneinzelelement, kombiniert aus einer Primärstrahlerkonfiguration und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau, hat kompakte und mechanisch kleine Abmessungen und ist in einer Einelementantenne verwend­ bar. Hier tritt außerdem der günstige Fall ein, daß der Strahlbündelungseffekt bei klein gehaltenen metallischen Flächen um die Schlitzstrahler herum teilweise sehr große Werte gegenüber einem einfachen Primärstrahlerelement an­ nimmt (bis zu 14 dBi). Durch Variation der Abstände der jeweils einen Primärstrahler oder Sekundärstrahler ent­ haltenden Schichten zueinander kann die Strahlungskeule eines Antenneneinzelelementes geformt werden. Dies hat weiterhin zur Folge, daß in einem Array bestehend aus einer Primärstrahlerkonfiguration und einem Sekundär­ strahlerschichtaufbau mit vielen Antenneneinzelelementen die am Rand des Arrays liegenden Strahler wesentlich bes­ ser ausgenutzt werden können.