DE4130160A1 - Elektronische schaltung - Google Patents

Elektronische schaltung

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Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltung, insbeson­ ders Leistungshalbleiterschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Es sind elektronische Schaltungen bekannt, die auf einem oder mehreren isolierenden Substraten mittels auf dem Substrat festhaftender, strukturierter Kontaktflächen und darauf ange­ brachten Halbleitertabletten Anschlußleiter aufweisen, welche die Schaltung in einer geometrisch definierten Weise mit externen Strom- und Steueranschlüssen verbinden. Die Geometrie der Kontaktflächen auf dem Substrat stellt dabei die entspre­ chende Schaltung dar, wobei die Halbleiteroberflächen und die Kontaktflächen noch mittels interner Leiter (beispielsweise Bonddrähte) entsprechend verbunden sind. Dabei werden alle notwendigen elektrischen Verbindungen so auf Substratebene ausgebildet, daß auf einem Substrat für einen Anschluß nach außen immer nur ein bestimmter Anschlußleiterkontakt existiert. Besonders bei Leistungshalbleiterschaltungen mit erheblichen Stromdichten erfordert das auf Substratebene eine dem ohm′schen Widerstand der Leiterbahnen angepaßte Bahnbreite und eine erzwungene Geometrie der Kontaktflächen als Leiter­ struktur, die der optimalen thermischen Verteilung der wär­ meerzeugenden Halbleitertabletten auf dem auch zu Kühlzwecken dienenden Substrat nicht Rechnung trägt. Da auf Substratebene beispielsweise sich kreuz ende Leiterstrukturen nicht möglich sind, ergeben sich Umwege und Umgehungen, die einer optimalen Struktur entgegen stehen.
Des weiteren ergibt sich daraus eine erhebliche Flächenausdeh­ nung, welche die Kosten für Substrat und anschließendem Gehäuse erhöht. Des weiteren weisen Leiterteile die auf Substratebene angeordnet sind eine höhere Leitungsinduktivität auf, als beispielsweise übereinander in kleinerem Abstand verlaufende Leiterteile, was bei Schaltvorgängen zu höheren Überspannungen führt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektronische Schaltungsanordnung, insbesonders eine Leistungshalbleiter­ schaltung zu schaffen, die bei gegebener Substratfläche opti­ mierte ohm′sche Widerstände und niedrige elektrische Indukti­ onswerte der Leitungen ergibt, sowie zuläßt, die wärmeerzeu­ genden Halbleitertabletten so anzuordnen, daß sich eine optimierte Ausnützung der Substratfläche zu Wärmeableitung ergibt, was beispielsweise durch eine möglichst gleichmäßige Verteilung der Wärmequellen über die Substratfläche gegeben ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teiles des Anspruchs 1 gelöst. Weiterbildungen der erfindungsgemäßen elektronischen Schaltungsanordnung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Mit der erfindungsgemäßen Ausbildung der Schaltungsanordnung ergibt sich der Vorteil eines kompakten, kostengünstigen Aufbaues, der auf einer gegebenen Grundfläche eine hohe Strom­ dichte ermöglicht und der durch eine flexible Anordnung der Anschlußleiter an die konstruktiven und elektrischen Notwen­ digkeiten beispielsweise einer Stromrichterschaltung anpaßbar ist.
Die Einzelheiten, Merkmale und Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von den schematisch dargestellten Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen elektronischen Schaltungsanordnung und deren Erklärungen.
Fig. 1 zeigt schematisch das Grundprinzip der Erfindung auf: Eine elektronische Schaltungsanordnung (10) mit einer Kühl­ platte (12), die auch als Kühlkörper mit Kühlrippen ausge­ bildet sein kann, an der in an sich bekannter Weise ein elek­ trisch isolierendes Substrat (14) befestigt ist, wird durch die Halbleiterelemente (16) und die Kontaktflächen (18) gebil­ det, wobei innere Anschlußleiter (20), beispielsweise als Bonddrähte, notwendige Verbindungen zwischen den Halbleitere­ lementen und den auf der Oberseite des Substrates festhaften­ den Kontaktflächen (18) herstellen.
Erfindungsgemäß besteht die elektronische Schaltung aus weite­ ren, außerhalb des Substrates verlaufenden Anschlußleitern (22, 26) die zwei Funktionen besitzen:
  • a) die Verbindung von getrennt liegenden Kontaktflächen (18) untereinander oder zwischen Kontaktflächen (18) und Halb­ leiterelement (16) herzustellen
  • b) mittels äußerer Anschlüsse (24) die Verbindung nach außen zum Zweck des Anschlusses der Schaltung an den Strom- oder Steuerkreis zu ermöglichen.
Durch die Anordnung der Anschlußleiter (22, 26) über dem Substrat wird eine Leitungsführung auf dem Substrat vermieden, was im Fall des Stromverlaufs des gezeichneten Beispiels zu einem hohen Flächenverbrauch auf dem Substrat führen würde, da die Anschlußleiter (22, 26) durch ihre mehrlagige Anordnung Kreuzungen ermöglichen und weiter durch ihren geringen Abstand zu den stromführenden Kontaktflächen (18) einen niedrigen Induktivitätswert aufweisen. Außerdem können die Anschlußlei­ ter (22, 26) durch eine entsprechend gewählte Stärke des Lei­ ters kompakter ausgeführt werden, als die Leiterschicht der Kontaktflächen (18), die auf dem Substrat vornehmlich nur in einer begrenzten Schichtstärke ausgeführt werden kann.
Die Anschlußleiter (22, 26) gemäß der Erfindung können einstückig oder auch mehrstückig zusammengesetzt verbunden ausgeführt werden.
Die Verbindung der Anschlußleiter (22, 26) mit den Kontaktflä­ chen (18) oder den Halbleitertabletten (16) kann stoffschlüs­ sig mittels Löt-, Schweiß-Bondverbindung oder loslösbar mit­ tels Druckkontakt hergestellt werden.
Durch eine entsprechende geometrische Formgebung der Anschluß­ leiter (22, 26) kann die Lage der äußeren Anschlüsse (24) an jeder Umfangsstelle des Substrates (14) oder der Kühlplatte (123) wählbar, den konstruktiven Anforderungen der Stromrich­ terschaltung gemäß, festgelegt werden.
Die in Fig. 2 angedeutete elektronische Schaltungsanordnung (10) unterscheidet sich von der in Fig. 1 gezeigten Ausbildung dadurch, daß die Ebene der Anschlußleiter (22, 26) einen bestimmten Winkel (beispielsweise 90°) zur Ebene der Kontakt­ flächen (18) des Substrates (14) einnimmt und daß die Anschlußleiter (22, 26) nahe beieinander geführt werden können, was in bestimmten Stromrichterschaltungen zu einer sehr kompakten Bauweise und zu niedrigen Induktivitätswerten der Leiterführung führt. Des weiteren sei hier angedeutet, daß durch die Anschlußleiter (22, 26) auch mehrere Substrate nach den Ansprüchen der Erfindung verbunden werden können.

Claims (8)

1. Halbleiterschaltung (10), insbesondere Leistungshalbleiter­ schaltung, bestehend aus mindestens einem isolierenden Sub­ strat (14) mit darauf angebrachten Kontaktflächen (18) und daran angebrachten Halbleitertabletten (16) und aus mindestens einem metallischen Leiterteil (22, 26) dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens eine Leiterteil (22, 26) außerhalb der Fläche des mindestens einen Substrates (14) verläuft und mindestens eine Kontaktfläche (18) und mindestens eine Halbleitertablette (16) des mindestens einen Substrates (14) oder mehrere Kon­ taktflächen (18) des mindestens einen Substrates (14) elek­ trisch verbindet und einen äußeren Anschluß (24) aufweist.
2. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Verbindung zwischen Kontaktfläche (18) oder Halbleitertablette (16) und dem Leiterteil (22, 26) durch stoffschlüssigen Kontakt hergestellt wird.
3. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Verbindung zwischen Kontaktfläche (18) oder Halbleitertablette (16) und dem Leiterteil (22, 26) durch los­ lösbaren Kontakt hergestellt wird.
4. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß das mindestens eine Leiterteil (22, 26) in wesentlichen Abschnitten parallel zur Substratfläche verläuft.
5. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Leiterteile (22, 26) zueinander oder zu den Kontaktflächen (18) des mindestens einen Substrates (14) im geringen Abstand verlaufen.
6. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 und 5 dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteile (22, 26) voneinander oder von Kontaktflächen (18) mit einem dünnen Isolator elektrisch getrennt werden.
7. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Leiterteile (22, 26) aus mehreren Leiter­ stücken bestehen, die untereinander verbunden sind.
8. Halbleiterschaltung (10) nach Anspruch 1 dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Leiterteil (22, 26) die gleichnamigen Elek­ troden mehrerer Halbleitertabletten (16) miteinander verbin­ det.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19612514A1 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen
DE19543920A1 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
DE19612839A1 (de) * 1996-02-06 1997-08-07 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
DE19523822C2 (de) * 1994-06-30 2000-08-10 Mitsubishi Electric Corp Elektrische Servolenkungsschaltung
DE10157362A1 (de) * 2001-11-23 2003-06-12 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007049481B4 (de) * 2006-10-16 2021-04-01 Fuji Electric Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes
DE102015212832B4 (de) 2014-10-02 2021-09-02 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10037533C1 (de) * 2000-08-01 2002-01-31 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
JP3910383B2 (ja) * 2001-07-17 2007-04-25 株式会社日立製作所 パワーモジュールおよびインバータ
DE10144324A1 (de) * 2001-09-10 2003-03-27 Delphi Tech Inc Elektrisches Modul
GB2433354A (en) * 2005-12-14 2007-06-20 Goodrich Control Sys Ltd Electrical contact arrangement
DE102006004322A1 (de) * 2006-01-31 2007-08-16 Häusermann GmbH Leiterplatte mit zusätzlichen funktionalen Elementen sowie Herstellverfahren und Anwendung
DE102011008261A1 (de) * 2011-01-11 2012-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schiene für die elektrische Kontaktierung eines elektrisch leitfähigen Substrates
DE102012201889A1 (de) * 2012-02-09 2012-10-04 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektrisches Leistungsmodul und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrischen Leistungsmoduls
DE102015216083A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Modulanordnung zum induktivitätsarmen Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls an einem Gleichspannungskreis
DE202018102765U1 (de) 2018-03-28 2018-06-12 DEHN + SÖHNE GmbH + Co. KG. Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement mit mindestens zwei elektrischen Anschlusselementen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406420A1 (de) * 1983-02-28 1984-08-30 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A., Agrate Brianza, Mailand/Milano Halbleiter-leistungsvorrichtung mit mehreren parallel geschalteten, gleichen elementen
DE3734067C2 (de) * 1986-10-08 1990-05-10 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa, Jp
DE3839383A1 (de) * 1988-11-22 1990-05-23 Semikron Elektronik Gmbh Verfahren zum herstellen einer halbleiterbaueinheit und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2819327C2 (de) * 1978-05-03 1984-10-31 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit
DE3486256T2 (de) * 1983-09-29 1994-05-11 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiteranordnung in Druckpackung.
US4819042A (en) * 1983-10-31 1989-04-04 Kaufman Lance R Isolated package for multiple semiconductor power components
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH02222565A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
DE9017041U1 (de) * 1990-12-18 1991-03-07 Akyuerek, Altan, Dipl.-Ing., 8560 Lauf, De

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406420A1 (de) * 1983-02-28 1984-08-30 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A., Agrate Brianza, Mailand/Milano Halbleiter-leistungsvorrichtung mit mehreren parallel geschalteten, gleichen elementen
DE3734067C2 (de) * 1986-10-08 1990-05-10 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa, Jp
DE3839383A1 (de) * 1988-11-22 1990-05-23 Semikron Elektronik Gmbh Verfahren zum herstellen einer halbleiterbaueinheit und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19523822C2 (de) * 1994-06-30 2000-08-10 Mitsubishi Electric Corp Elektrische Servolenkungsschaltung
DE19612514A1 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen
DE19543920A1 (de) * 1995-11-24 1997-05-28 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
EP0776042A3 (de) * 1995-11-24 1998-11-11 Asea Brown Boveri Ag Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen
DE19543920C2 (de) * 1995-11-24 2000-11-16 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
DE19612839A1 (de) * 1996-02-06 1997-08-07 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
US5777849A (en) * 1996-02-06 1998-07-07 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having elongate plug contacts
DE10157362A1 (de) * 2001-11-23 2003-06-12 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10157362B4 (de) * 2001-11-23 2006-11-16 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007049481B4 (de) * 2006-10-16 2021-04-01 Fuji Electric Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes
DE102015212832B4 (de) 2014-10-02 2021-09-02 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

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