DE4102920A1 - Einrichtung zur messung der wirbelfrequenz - Google Patents
Einrichtung zur messung der wirbelfrequenzInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Mes
sung der Wirbelfrequenz insbesondere bei Wirbelablösungs-
Strömungsmessern, mit einem Staukörper, der in einem Kanal
angeordnet ist, in dem das Medium strömt.
Die Messung der Wirbelfrequenz nach einem Staukörper ist
bei einer Reihe von strömungsmechanischen Untersuchungen
sowie bei der Bestimmung der Strömungsgeschwindigkeit
und/oder der Durchflußmenge von Bedeutung.
An eine Einrichtung zur Messung der Frequenz der Wirbel,
die durch einen Staukörper in einem Kanal erzeugt werden,
sind insbesondere folgende Anforderungen zu stellen:
1. kleine Zeitkonstante
2. große Empfindlichkeit
3. kleine umströmte Länge.
1. kleine Zeitkonstante
2. große Empfindlichkeit
3. kleine umströmte Länge.
Die bislang bekannten Einrichtungen zur Messung der Wir
belfrequenz mit einem Staukörper, der in einem Kanal ange
ordnet ist, in dem das Medium strömt, erfüllen diese An
forderungen nur unzureichend.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung
zur Messung der Wirbelfrequenz insbesondere bei Wirbelab
lösungs-Strömungsmessern, mit einem Staukörper, der in
einem Kanal angeordnet ist, in dem das Medium strömt, an
zugeben, die eine kleine Zeitkonstante und eine kleine um
strömte Länge sowie eine große Empfindlichkeit aufweist.
Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im An
spruch 1 angegeben. Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der Unteransprüche.
Erfindungsgemäß ist in der Wirbelzone ein Wirbelfrequenz-
Sensor angeordnet ist, der eine elektrisch beheizbare
Widerstandsschicht aufweist, die eine Anordnung von durch
gängigen Öffnungen aufweist; weiterhin ist die Wider
standsschicht nur über einen schmalen Randbereich mit
einem Tragekörper verbunden.
Erfindungsgemäß weist der Wirbelfrequenz-Sensor also eine
elektrisch beheizbare Widerstandsschicht auf, die mit dem
strömenden Medium in thermischem Kontakt steht. Durch die
Widerstandschicht fließt ein elektrischer Strom, der eine
Erwärmung der Schicht bewirkt. In Abhängigkeit von der
Strömungsgeschwindigkeit des umgebenden Mediums, die im
wesentlichen durch die an der Widerstandsschicht "anlie
genden Wirbel" bestimmt wird, wird der Schicht Wärme ent
zogen. Die zur Aufrechterhaltung einer konstanten Tempera
tur erforderliche (zeitlich variable) Heizleistung stellt
damit ein Maß für die Wirbel dar und erlaubt somit insbe
sondere die Messung der Wirbelfrequenz.
Da die Widerstandsschicht des Wirbelfrequenz-Sensors nur
über einen schmalen Randbereich mit dem Tragekörper ver
bunden und allseitig von dem strömenden Medium umgeben
ist, erhält man eine kleine Zeitkonstante des Sensors.
Durch die Anordnung von durchgängigen Öffnungen in der
Widerstandsschicht des Sensors, aufgrund derer der Sensor
"quer durchströmt" wird, so daß sich ein besonders guter
Wärmeübergang ergibt, erhält man eine große Empfindlich
keit, die es ermöglicht, auch kleine durch die Wirbelfre
quenzen hervorgerufene Meßsignale zu detektieren.
Vor allem aber ergibt sich aufgrund der Struktur von
durchgängigen Öffnungen, mit denen die Widerstandsschicht
versehen ist, eine Art Karman′sche Wirbelstraße. Insbeson
dere ergeben sich dabei Staukörper, an denen sich wechsel
weise Wirbel bilden, die durch die Strömung abgelöst wer
den und zu einer Oszillation der Heizleistung führen. Der
Staukörper kann vor dem Chip, mikromechanisch strukturiert
und im Meßchip integiert sein, aber auch mit dem Meßchip
identisch sein. In einem weiten Bereich der Strömungsge
schwindigkeit (abhängig von Stouhalzahl, Reynoldszahl) ist
die Wirbelablösefrequenz proportional zur Strömungsge
schwindigkeit. Mit Hilfe einer Konstanttemperatur-Elektro
nik sind mit der erfindungsgemäßen Einrichtung Frequenzen
im Bereich von einigen Kiloherz detektierbar. Um die für
eine Absolutmessung der Strömungsgeschwindigkeit erforder
liche Bestimmung der Temperatur des strömenden Mediums
durchführen zu können, sind nach Anspruch 4 auf dem Trage
körper Temperaturfühler, beispielsweise geeichte, tempera
turabhängige Widerstände, integriert.
Darüber hinaus hat der erfindungsgemäß verwendete Sensor
eine kleine umströmte Länge. Der Schallausschlag, d. h. die
gesamte Strecke, die das Medium - beispielsweise Luft - bei
einer einzelnen Schallschwingung zurücklegt, liegt bei
Luft und Frequenzen von 100 Hz in der Größenordnung 10 µm.
Der Sensor hat eine umströmte Länge, die in der Größenord
nung der Widerstandsschicht liegt, die beispielsweise nach
Anspruch 5 eine Membran sein kann.
Der Wirbelfrequenz-Sensor kann dabei in der Wirbelzone
neben dem Staukörper oder hinter dem Staukörper angeordnet
sein. In jedem Falle ist es jedoch bevorzugt, wenn sich
sich die Widerstandsschicht in etwa parallel zur Kanal
richtung bzw. zur Richtung der ungestörten Strömung
erstreckt. Hierdurch ist gewährleistet, daß im wesentli
chen nur "Wirbel" eine Änderung der Wärmeübertragungsbe
dingungen an der Widerstandsschicht hervorrufen.
Eine besonders bevorzugte Anordnung des Wirbelfrequenz-
Sensors ist im Anspruch 3 gekennzeichnet:
Bei dieser Ausbildung umschließt der Staukörper einen Raum, der über seitliche Öffnungen in dem Staukörper mit dem Kanal verbunden ist; in diesem Raum ist der Wirbelfre quenz-Sensor derart angeordnet, daß sich seine Wider standsschicht in etwa senkrecht zur Verbindungslinie der seitlichen Öffnungen erstreckt. Hierdurch ist eine optima le Entkoppelung des Sensors von der eigentlichen Strömung gegeben, da in den Raum nur "Wirbel" eintreten.
Bei dieser Ausbildung umschließt der Staukörper einen Raum, der über seitliche Öffnungen in dem Staukörper mit dem Kanal verbunden ist; in diesem Raum ist der Wirbelfre quenz-Sensor derart angeordnet, daß sich seine Wider standsschicht in etwa senkrecht zur Verbindungslinie der seitlichen Öffnungen erstreckt. Hierdurch ist eine optima le Entkoppelung des Sensors von der eigentlichen Strömung gegeben, da in den Raum nur "Wirbel" eintreten.
Bevorzugte Ausbildungen des erfindungsgemäßen Wirbelfre
quenz-Sensors sind in den Ansprüchen 5 f. gekennzeichnet:
Nach Anspruch 5 besteht die Widerstandsschicht aus einer Silicium-Epitaxieschicht und der Tragekörper aus einem Silicium-Einkristall. Die Einrichtung kann somit aus den in der Mikroelektronik und Mikromechanik üblichen Materia lien und mit den dort bekannten Verfahren hergestellt werden.
Nach Anspruch 5 besteht die Widerstandsschicht aus einer Silicium-Epitaxieschicht und der Tragekörper aus einem Silicium-Einkristall. Die Einrichtung kann somit aus den in der Mikroelektronik und Mikromechanik üblichen Materia lien und mit den dort bekannten Verfahren hergestellt werden.
Ferner ist es auch möglich, daß Widerstandsschicht aus
dotiertem Silicium, das mittels eines CVD-Verfahrens abge
schieden ist, oder aus einer Metallschicht, die mittels
eines PVD- oder CVD-Verfahrens abgeschieden ist, und der
Tragekörper aus einem geeigneten Substratmaterial beste
hen (Ansprüche 6 bzw. 7).
Besonders einfach ist die Ausgestaltung nach Anspruch 8
aus einem Silicium-Wafer herstellbar. Die Einrichtung
besteht aus einer an sich bekannten Membrane mit Stütz
rand, die mit den entsprechenden elektrischen Kontakten
versehen wird. Das gesamte Volumen der Membrane dient
hierbei als heizbare Widerstandsschicht.
Eine Einrichtung zur Messung der Strömungsgeschwindigkeit
von Medien, die aus halbleitendem Material hergestellt
wird, sind zwar bereits aus den deutschen Offenlegungs
schriften DE 36 06 851 und DE 35 10 794 bekannt. Diese
bekannten Einrichtungen zur Messung der Strömungsgeschwin
digkeit werden jedoch als quer angeströmte Sensoren ver
wendet, so daß sie bislang weder für die Messung von Wir
belfrequenzen in Betracht gezogen worden noch hierzu über
haupt geeignet sind.
Die Widerstandschicht kann gemäß Anspruch 9 durch Mate
rialabtrag strukturiert und damit dem jeweiligen Anwen
dungsfall angepaßt werden. Beispielsweise wird die Mem
bran nach Anspruch 10 bis auf einen oder mehrere schmale
Streifen abgetragen. Wird als Struktur der Widerstands
schicht nur ein Streifen mit einer Breite von etwa 10 µm
gewählt, entsteht eine mikromechanische Hitzdrahtsonde.
Während die bisher bekannten Hitzdrahtsonden in einem
aufwendigen Prozeß einzeln kalibriert werden müssen, kann
die erfindungsgemäße Sonde durch Lasertrimmen abgeglichen
werden.
Wird die Membran so strukturiert, daß zwei parallele
Streifen entstehen, die elektrisch nicht miteinander ver
bunden sind, kann die Strömungsgeschwindigkeit des Mediums
über die Berechnung eines Korrelationsspektrums erfolgen.
Diese Methode erlaubt besonders präzise Messungen.
Gemäß Anspruch 11 ist die elektronische Schaltung zur Steu
erung der Heizleistung und zur Auswertung des Meßsignals
ebenfalls auf dem Tragekörper integriert. Dadurch wird
eine besonders kompakte Einrichtung zur Messung der Strö
mungsgeschwindigkeit bereitgestellt, die auf nur einem
Chip untergebracht ist.
Ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen
Einrichtung, das ausschließlich bekannte Verfahrensschrit
te der Mikroelektronik und der Mikrostrukturtechnik ver
wendet, ist in Anspruch 12 gekennzeichnet.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbe
sondere darin, daß die heizbare Widerstandschicht allsei
tig von dem strömenden Medium umgeben ist, wodurch ein
besonders wirksamer thermischer Kontakt erreicht wird.
Dadurch können bereits geringfügige Änderungen der Strö
mungsgeschwindigkeit nachgewiesen werden. Da die Wider
standsschicht nur über einen schmalen Rand mit dem Trage
körper verbunden ist, ist die Wärmeabgabe an den Tragekör
per vernachlässigbar. Diese thermische Abkopplung führt zu
einer niedrigen Ansprechzeit der erfindungsgemäßen Ein
richtung.
Die mikromechanische Fertigung der Einrichtung erlaubt die
Herausbildung komplexer Strukturen der Widerstandsschicht.
Damit sind gut problemangepaßte Lösungen erzielbar.
Die Einrichtung kann gemeinsam mit einer elektronischen
Schaltung zur Auswertung der Meßsignale auf einem Chip
integriert werden. Auf einem Wafer können gleichzeitig
mehrere identische Einrichtung hergestellt werden. Dadurch
wird die Herstellung besonders einfach und preiswert.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungs
beispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher be
schrieben, in der zeigen:
Fig. 1 schematisch eine erfindungsgemäße Einrichtung,
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Wirbel
frequenz-Sensors,
Fig. 3 einen Ausschnitt aus der strukturierten Wider
standsschicht in Fig. 2 in Draufsicht.
Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemäße Einrichtung zur Mes
sung der Wirbelfrequenz insbesondere bei Wirbelablösungs-
Strömungsmessern. Die Einrichtung weist Staukörper (11)
auf, der in einem Kanal (12) angeordnet ist, in dem ein
Medium (13) strömt. Der Staukörper (11) umschließt einen
Raum (14), der über seitliche Öffnungen (15) und (16) in
dem Staukörper (11) mit dem Kanal (12) verbunden ist. In
dem Raum ist ein Wirbelfrequenz-Sensor (17) angeordnet,
der im einzelnen in den Fig. 2 und 3 dargestellt ist.
Fig. 2 zeigt, daß der Sensor einen Tragekörper (1) auf
weist. Der Tragekörper (1) ist aus einem Silicium-Wafer
gefertigt und hat die ursprüngliche Stärke eines Wavers
von ca. 500 µm. Er ist ringförmig oder rechteckig ausge
bildet. Der Tragekörper (1) unterstützt die Widerstand
schicht (2) in einem schmalen Randbereich von etwa 15 µm.
Nur in den Bereichen der elektrischen Kontakte (4) erst
reckt sich die Widerstandsschicht (2) über den gesamten
Durchmesser des Tragekörpers (1).
Die Widerstandsschicht (2) besteht aus einer epitaktisch
abgeschiedenen Schicht aus hochdotiertem Silicium und ist
je nach Einsatzgebiet einige um bis einige 10 µm dick. Das
gesamte Volumen der Epitaxieschicht dient als Heizwider
stand. Der Innenwiderstand dieses Heizwiderstandes ist
durch die Geometrie und durch die Stärke der Dotierung der
Schicht einstellbar.
Im freitragenden Bereich ist die Widerstandsschicht struk
turiert. Die Struktur der Widerstandsschicht (2), die aus
einer Anordnung von Langlöchern (3) besteht, ist in Fig.
2 dargestellt. Im Bereich der Löcher (3) wird das Material
mit Hilfe der Photolithographie und isotropen Ätzverfah
ren, thermischer Laserbearbeitung oder laserunterstützten
Ätzen entfernt. Die Löcher (3) haben eine Breite von 10 µm
und eine Länge von 50 µm, ihr Abstand beträgt 10 µm.
Die verbleibende Struktur der Widerstandsschicht kann als
Staukörper in der Strömung dienen. Diese Anordnung eignet
sich zur Bestimmung der Strömungsgeschwindigkeit durch
Messung der Wirbelablösefrequenz.
Die angegebenen Zahlenwerte stellen keine Einschränkung
dar, sondern beziehen sich auf einen speziellen Anwen
dungsfall. Die Struktur der Widerstandsschicht und die
Abmessungen werden dem jeweiligen Einsatzgebiet angepaßt.
Claims (12)
1. Einrichtung zur Messung der Wirbelfrequenz insbesonde
re bei Wirbelablösungs-Strömungsmessern, mit einem Stau
körper, der in einem Kanal angeordnet ist, in dem das
Medium strömt,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der Wirbelzone ein Wirbel frequenz-Sensor angeordnet ist, der eine elektrisch be heizbare Widerstandsschicht aufweist, die eine Anordnung von durchgängigen Öffnungen aufweist, und
daß die Widerstandsschicht nur über einen schmalen Randbe reich mit einem Tragekörper verbunden ist.
daß in der Wirbelzone ein Wirbel frequenz-Sensor angeordnet ist, der eine elektrisch be heizbare Widerstandsschicht aufweist, die eine Anordnung von durchgängigen Öffnungen aufweist, und
daß die Widerstandsschicht nur über einen schmalen Randbe reich mit einem Tragekörper verbunden ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sich die Widerstandsschicht in
etwa parallel zur Kanalrichtung bzw. zur Richtung der
ungestörten Strömung erstreckt.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der Staukörper einen Raum
umschließt, der über seitliche Öffnungen in dem Staukörper
mit dem Kanal verbunden ist, und daß in dem Raum der Wir
belfrequenz-Sensor derart angeordnet ist, daß sich seine
Widerstandsschicht in etwa senkrecht zur Verbindungslinie
der seitlichen Öffnungen erstreckt.
4. Einrichtung nach einem der Ansprüch 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Tragekörper wenigstens
ein Temperaturfühler integriert ist.
5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht aus
einer Silicium-Epitaxieschicht und der Tragekörper
aus einem Silicium Einkristall (Wafer) bestehen.
6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht aus
dotiertem Silicium, das mittels eines CVD-Verfahrens abge
schieden ist, und der Tragekörper aus einem geeigneten
Substratmaterial bestehen.
7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht aus
einer Metallschicht, die mittels eines PVD- oder CVD-
Verfahrens abgeschieden ist, und der Tragekörper aus einem
geeigneten Substratmaterial bestehen.
8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht als
eine Membran und der Tragekörper als Stützrand ausgebil
det ist.
9. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht durch
Materialabtrag strukturiert ist.
10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht als ein
oder mehrere schmale Streifen ausgebildet ist.
11. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Tragekörper eine elek
tronische Schaltung zur Auswertung von Meßsignalen inte
griert ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines Wirbelfrequenz-Sensors
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11,
gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
- - auf einen niedrigdotierten Siliciumwafer mit der Orien tierung 100 wird eine hochdotierte Silicium-Schicht epi taktisch abgeschieden,
- - auf der Schicht werden mit Hilfe der Photolithographie, von Ätzverfahren und Aufdampfen von Aluminium elektroni sche Zuführungen und elektrische Kontakte erzeugt,
- - auf der Waferunterseite wird eine Schicht aus Silicium- Nitrid aufgebracht und als Ätzmaske strukturiert,
- - das Wafermaterial wird bis auf einen Stützrand, der den Tragekörper bildet, durch anisotropes Ätzen, strukturiert entfernt, wobei der Ätzprozeß an der hochdotierten Epita xieschicht selbständig stoppt und die Epitaxieschicht als Membrane freigelegt wird,
- - die Epitaxieschicht wird durch Photolithographie und isotropes Ätzen, thermische Laserbearbeitung oder laserun terstütztes Ätzen strukturiert und im Bereich des Trage körpers bis auf einen schmalen Rand entfernt.
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---|---|---|---|
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DE (1) | DE4102920A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10035665B4 (de) * | 1999-07-27 | 2010-09-16 | Hitachi, Ltd. | Heizelement-Luftmassenmesser und Brennkraftmaschinensteuervorrichtung zur Verwendung desselben |
DE102009029169A1 (de) | 2009-09-03 | 2011-03-24 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Thermischer Strömungssensor |
DE102013019872A1 (de) * | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Universität des Saarlandes Campus Saarbrücken | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Viskosität einer in einem Strömungskanal strömenden Flüssigkeit |
CN108987935A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-11 | 东南大学 | 一种极化可控的涡旋波超材料反射阵及其设计方法 |
CN109193168A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 东南大学 | 一种极化可控的涡旋多波束超材料反射阵及其设计方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10249543A1 (de) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | Endress + Hauser Flowtec Ag, Reinach | Wirbelströmungsaufnehmer |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2164180A1 (de) * | 1970-12-26 | 1972-07-20 | Yokogawa Electric Works Ltd | Strömungsmesser |
DE3038815A1 (de) * | 1979-10-17 | 1981-04-30 | Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama, Kanagawa | Sonde fuer ein stroemungsgeschwindigkeits-messgeraet |
DE3144230A1 (de) * | 1980-11-19 | 1982-06-09 | Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama, Kanagawa | Wirbelabloesevorrichtung |
DE3603010A1 (de) * | 1985-02-02 | 1986-08-07 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Direkt beheizte stroemungsmessvorrichtung |
DE3604202A1 (de) * | 1985-02-14 | 1986-08-14 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Direkt beheizte stroemungsmessvorrichtung |
DE3603757A1 (de) * | 1985-02-16 | 1986-08-21 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Schichtwiderstand fuer eine stroemungsmessvorrichtung |
DE3606851A1 (de) * | 1986-03-03 | 1987-09-10 | Vdo Schindling | Anordnung zur messung der stroemungsgeschwindigkeit |
-
1991
- 1991-01-31 DE DE4102920A patent/DE4102920A1/de active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2164180A1 (de) * | 1970-12-26 | 1972-07-20 | Yokogawa Electric Works Ltd | Strömungsmesser |
DE3038815A1 (de) * | 1979-10-17 | 1981-04-30 | Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama, Kanagawa | Sonde fuer ein stroemungsgeschwindigkeits-messgeraet |
DE3144230A1 (de) * | 1980-11-19 | 1982-06-09 | Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama, Kanagawa | Wirbelabloesevorrichtung |
DE3603010A1 (de) * | 1985-02-02 | 1986-08-07 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Direkt beheizte stroemungsmessvorrichtung |
DE3604202A1 (de) * | 1985-02-14 | 1986-08-14 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Direkt beheizte stroemungsmessvorrichtung |
DE3603757A1 (de) * | 1985-02-16 | 1986-08-21 | Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi | Schichtwiderstand fuer eine stroemungsmessvorrichtung |
DE3606851A1 (de) * | 1986-03-03 | 1987-09-10 | Vdo Schindling | Anordnung zur messung der stroemungsgeschwindigkeit |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 59-15 816 A. In: Patents Abstr. of Japan, Sect. P. Vol. 8 (1984), Nr. 105(P-274) * |
JP 61-164 114 A. In: Patents Abstr. of Japan, Sect. P. Vol. 10(1986), Nr. 371(P-526) * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10035665B4 (de) * | 1999-07-27 | 2010-09-16 | Hitachi, Ltd. | Heizelement-Luftmassenmesser und Brennkraftmaschinensteuervorrichtung zur Verwendung desselben |
DE102009029169A1 (de) | 2009-09-03 | 2011-03-24 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Thermischer Strömungssensor |
DE102009029169B4 (de) | 2009-09-03 | 2021-11-04 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Thermischer Strömungssensor |
DE102013019872A1 (de) * | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Universität des Saarlandes Campus Saarbrücken | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Viskosität einer in einem Strömungskanal strömenden Flüssigkeit |
DE102013019872B4 (de) | 2013-11-28 | 2023-03-30 | Universität des Saarlandes Campus Saarbrücken | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Viskosität einer in einem Strömungskanal strömenden Flüssigkeit |
CN108987935A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-11 | 东南大学 | 一种极化可控的涡旋波超材料反射阵及其设计方法 |
CN109193168A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 东南大学 | 一种极化可控的涡旋多波束超材料反射阵及其设计方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4102920C2 (de) | 1993-07-29 |
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