DE4100462C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Mikrowellenentladungs-
Lichtquellenvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und auch
auf die Verwendung dieser Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung, insbesondere zum Er
zeugen von ultraviolettem Licht im Vakuum,
bei einem Photoanregungsverfahren, wie beispielsweise einem Photo-CVD-Verfahren.
Fig. 8 zeigt in schematischer Schnittansicht eine Vorrich
tung für ein Photoanregungsverfahren mit einer derartigen
Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung, welche in
der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 61-36 923 offenbart
ist. Die in Fig. 1 und 8 gezeigte Vorrichtung weist eine Reak
tionskammer 1 auf, in der ein drehbarer Substrathalter 2 an
geordnet ist und in der ein zu bearbeitendes Substrat 3 auf
dem Substrathalter 2 angebracht ist. An den Wänden der Reak
tionskammer 1 ist ein Reaktionsgaseinlaß 4 und ein mit einer
(nicht näher dargestellten) Vakuumpumpe verbundener Auslaß 5
vorgesehen. Eine Entladungsröhre 6 erstreckt sich von außer
halb der Reaktionskammer 1 über eine Wand der Reaktionskam
mer 1 zu dem Substrat 3 hin. Eine Versorgungseinheit für
Entladungsgas 8 mit einem Übertragungsfenster 7 ist an
einem Ende 6a der Entladungsröhre 6 vorgesehen. Die Versor
gungseinheit für Entladungsgas 8 ist mit einem äußeren peri
pheren Abschnitt der Entladungsröhre 6 auf vakuumdichte
Weise verbunden und weist einen Entladungsgaseinlaß 9 auf.
Das andere Ende 6b der Entladungsröhre 6 ist mit einer
(nicht näher dargestellten) Vakuumpumpe verbunden und weist
einen Mikrowellenraum 10 auf.
Es folgt die Beschreibung der Wirkungsweise dieser Vorrich
tung. Entladungsgas tritt in die Versorgungseinheit 8 für Ent
ladungsgas über den Entladungsgaseinlaß 9 und strömt an
schließend entlang des Endes 6a der Entladungsröhre 6 durch die
Lücke auf dem Übertragungsfenster 7 in die Entladungsröhre 6
und wird dann über das
andere Ende 6b entladen. Die Mikrowellenentladung wird durch
Zuführen von Mikrowellen mit elektrischer Leistung in den
Mikrowellenraum 10 derart durchgeführt, daß in der Entla
dungsröhre 6 ultraviolettes Licht erzeugt wird. Das hierbei
erzeugte ultraviolette Licht tritt durch das Übertragungs
fenster 7 durch und beleuchtet die gesamte Oberfläche des
Substrates 3 auf dem in der Reaktionskammer 1 angeordneten
Substrathalter 2. Durch das ultraviolette Licht wird eine
photochemische Reaktion eines Reaktionsgases bewirkt, wel
ches über den Reaktionsgaseinlaß 4 in die Reaktionskammer 1
eingebracht wurde. Somit wird ein Photoanregungsprozeß wie
beispielsweise Photo-CVD oder Photoätzen auf dem Substrat 3
bewirkt.
Hierbei wird das Substrat allerdings lediglich mit einem Teil des
in Richtung des Übertragungsfensters 7 ausgestrahlten ultra
violetten Lichtes bestrahlt, da das in der Entladungs
röhre 6 erzeugte ultraviolette Licht in sämtliche Richtungen
abgestrahlt wird. Der Rest des in die anderen Richtungen ab
gestrahlten ultravioletten Lichtes geht verloren,
da es vollständig durch die Entla
dungsröhrenwand absorbiert wird. Damit wird lediglich ein
begrenzter Teil des in der Entladungsröhre 6 erzeugten
ultravioletten Lichtes durch Extraktion aus der Entladungs
röhre verwendet, so daß der Wirkungsgrad der Lichtquellen
vorrichtung sehr gering ist. Wegen der speziellen Eigen
schaft von Mikrowellen dahingehend, daß die Entladung lokal
in der Nachbarschaft der Röhrenwand beeinflußt wird, wird
darüber hinaus die Gleichförmigkeit der Emission des Lichts
verschlechtert, wenn der Röhrendurchmesser vergrößert wird.
Es ist daher schwierig, ein Substrat 3 mit großer Fläche
gleichförmig zu beleuchten. Es ist ebenfalls schwierig, die
Entladungsleistung zum Anheben der Helligkeit zu vergrößern,
da die Entladungsröhre und das Übertragungsfenster nicht ge
nügend gekühlt werden können.
Aus der DE 33 23 637 C2 ist eine Anordnung zum Betrieb einer
langgestreckten elektrodenlosen Lampe bekannt, die in einer
Mikrowellenkammer angeordnet ist. Die Mikrowellenkammer ist
durch ein metallisches Gitter abgeschlossen, das für Mikro
wellenenergie undurchlässig ist, während es Strahlung im ul
travioletten oder sichtbaren Teil des Spektrums durchläßt.
In der DE 37 27 542 A1 ist eine Bedampfungsvorrichtung be
schrieben, bei der Mikrowellen in axialer Richtung über
einen Wellenleiter und ein quer zur Mikrowellen-Fortpflan
zungsrichtung angeordnetes kreisförmiges Mikrowellen-Ein
führfenster aus dielektrischem Material in die Bedampfungs
kammer eingekoppelt werden.
Darüber hinaus ist es aus der JP-A 62-55-859 bekannt, Mikro
wellen über einen Wellenleiter und eine Antenne in eine
Leuchtröhre einzukoppeln, die außenseitig mit einem metalli
schen Maschengitter zur Reflexion der Mikrowellen und zum
Durchlassen des erzeugten Lichts umgeben ist.
Bei den vorstehend erwähnten Gestaltungen ist es allerdings
problematisch, eine großflächige Oberfläche gleichförmig bei
hoher Entladungsleistungsdichte zu beleuchten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine hoch
effiziente Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung zur
Verfügung zu stellen, welche es ermöglicht, auch großflächige Oberflächen
gleichförmig zu beleuchten, die Ent
ladungsleistungsdichte zu erhöhen und das in der
Entladungsröhre erzeugte Licht vollständig zu extrahieren.
Diese Aufgabe wird durch eine Mikrowellenentladungs-Licht
quellenvorrichtung gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Entsprechend dieser Erfindung ist eine Mikrowellenentla
dungs-Lichtquellenvorrichtung vorgesehen, bei der eine
Seite eines Entladungsraumes in einem Plasmaemissionsmedium
durch eine transparente dielektrische Platte definiert ist und
eine transparente Mikrowellenreflexionsvorrichtung auf einer
dem Entladungsraum abge
wandten Seite der dielektrischen Platte angeordnet ist. Mikrowellen mit
einer elektrischen Feldkomponente in Richtung der Dicke der
dielektrischen Platte werden in diese über
eine Endoberfläche
derart eingekoppelt, daß ein elektrisches Mikrowellen
feld in dem Entladungsraum ausgebildet wird und das
Plasmaemissionsmedium Licht durch elektrische Entladung
emittiert, wobei das emittierte Licht über die transparente
Mikrowellenreflexionsvorrichtung extrahiert wird.
Die Mikrowellen mit einer elektrischen Feldkomponente in
Richtung der Dicke der dielektrischen Platte werden in diese
von einer Seite über die Kopplung
mit einem verbesserten Wirkungsgrad übertragen, so daß ein
starkes elektrisches Mikrowellenfeld in der dielektrischen
Platte ausgebildet und eine Kopplung der Mikrowellen mit
dem Entladungsraum allmählich bewirkt wird.
Mit der Erfindung wird weiterhin eine vorteilhafte Verwendung
der Lichtquellenvorrichtung angegeben.
Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in
der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.
Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer Vorrich
tung für einen Photoanregungsprozeß, bei der
eine Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrich
tung entsprechend einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung eingesetzt wird;
Fig. 2 eine schematische perspektivische Ansicht der in
Fig. 1 gezeigten Vorrichtung für den Photoanre
gungsprozeß;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht einer Vorrich
tung für einen Photoanregungsprozeß, bei dem
eine Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrich
tung entsprechend einem zweiten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht einer Vorrich
tung für einen Photoanregungsprozeß, bei dem
eine Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrich
tung entsprechend einem dritten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird;
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht einer Vorrich
tung für einen Photoanregungsprozeß, die mit
einer Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrich
tung entsprechend einem vierten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung arbeitet;
Fig. 6 eine schematische Schnittansicht einer Vorrich
tung für einen Photoanregungsprozeß, die mit
einer Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrich
tung entsprechend einem fünften Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung arbeitet;
Fig. 7 eine Schnittansicht eines weiteren Beispieles
einer planaren Emissionslampe der in den Fig. 4
und 5 gezeigten Vorrichtung; und
Fig. 8 eine schematische Schnittansicht einer Vorrich
tung für einen Photoanregungsprozeß, bei dem
eine herkömmliche Mikrowellenentladungs-Licht
quellenvorrichtung eingesetzt wird.
Fig. 1 zeigt schematisch im Schnitt eine Vorrichtung für
einen Photoanregungsprozeß, bei der eine Lichtquellenvor
richtung entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung verwendet wird, und Fig. 2 zeigt in
schematischer perspektivischer Ansicht die in Fig. 1 ge
zeigte Vorrichtung.
Die in Fig. 1 gezeigte Lichtquellenvorrichtung weist einen
rechteckigen Wellenleiter 101, einen sich verjüngenden Wel
lenleiter 102, bei dem sich eine seiner E-Ebene verjüngt,
einen dünnen Wellenleiter 103, ein bei einem Ende des dünnen
Wellenleiters 103 bewegbares Teil 104, ein Lichtübertra
gungsfenster 61 und eine kreisförmige Entladungskammer 62
auf. Das Lichtübertragungsfenster 61 stellt eine Platte dar,
welche aus einem Dielektrikum wie beispielsweise Saphir aus
gebildet und in dem dünnen Wellenleiter 103 vor
gesehen ist. Die Dicke des Übertragungsfensters 61 ist annä
hernd gleich der Innendicke des dünnen Wellenleiters 103.
Die Entladungskammer 62 ist auf einer Seite des dünnen Wel
lenleiters 103 vorgesehen. Die Entladungskammer 62 weist
einen inneren Entladungsraum 621 und ein Kühlbad 70 auf. Der
Entladungsraum 621 ist auf seiner einen Seite auf vakuum
dichte Weise durch das Lichtübertragungsfenster 61 und einen
O-Ring 611 geschlossen. Die Entladungskammer 62 weist ferner
einen Entladungsgaseinlaß 64, einen Entladungsgasauslaß 65,
einen Versorgungseinlaß für Kühlflüssigkeit 71 und einen
Entsorgungsauslaß für Kühlflüssigkeit 72 auf. Ein flaches
metallisches Netzwerk 105, das als Lichtübertragungs-Mikro
wellenreflexionsvorrichtung dient, ist auf einer Seite des
dünnen Wellenleiters 103 entfernt von der Entladungskammer
62 vorgesehen, und ist in der Lage, Mikrowellen zu reflek
tieren und Licht hindurchzulassen, wobei zur vakuumdichten
Trennung der Reaktionskammer 1 und dem Inneren der Wellen
leiter ein O-Ring 612 vorgesehen ist. Eine unterhalb der
Entladungskammer 62 ausgebildete Strahlungsöffnung 100 dient
zur Einführung von Strahlungslicht in die Reaktionskammer 1.
Pfeile E deuten das elektrische Feld in dickenseitiger Rich
tung des dielektrischen Teiles an, ein Pfeil M deutet die
Richtung an, in der die Mikrowellen verlaufen, Pfeile L deu
ten die Richtung des Lichtes an, und Pfeile G deuten die
Richtungen an, in die das Reaktionsgas eingeführt und entla
den wird.
Im folgenden wird die Wirkungsweise dieser Vorrichtung be
schrieben. Das (durch den Pfeil E angedeutete) elektrische
Feld einer Mikrowelle M, welche durch den rechteckigen
Wellenleiter 101 übertragen wird, wird aufgrund des sich
verjüngenden Wellenleiters 102 allmählich intensiviert, und
dann wird die Mikrowelle in das Übertragungsfenster 61, d. h.
die aus Saphir oder dergleichen ausgebildete dielektrische
Platte, über die Kopplung bei dem Ende derselben übertragen.
Damit ist die Richtung des elektrischen Feldes in dem
Wellenleiter parallel zur Richtung der Dicke der dielektri
schen Platte, wodurch die Mikrowellenkopplung an die dielek
trische Platte leicht bewirkt werden kann und der Kopp
lungswirkungsgrad hoch ist. Während der Übertragung in das
Lichtübertragungsfenster 61 wird die Mikrowellenkopplung an
den Entladungsraum 621 allmählich bewirkt, wobei das Entla
dungsgas in dem Entladungsraum 621 ultraviolettes Licht an
die Reaktionskammer 1 durch elektrische Entladung emittiert,
und das Substrat in der Reaktionskammer 1 mit diesem ultra
violetten Licht bestrahlt wird. Die Mikrowellenkopplung mit
dem Entladungsraum 621 wird bewirkt, während die Mikrowellen
über das dielektrische Teil bestehend aus dem Lichtübertra
gungsfenster 61, welches auf einer Seite des Entladungsrau
mes 621 angeordnet ist, übertragen wird. Es ist daher
leicht, eine gleichförmige Mikrowellenkopplung mit dem Ent
ladungsraum 621 zu bewirken. Darüber hinaus ist die elektri
sche Feldstärke groß, wobei die Größe des Entladungsraumes
621 durch die Wände der Entladungskammer begrenzt ist.
Die aufgrund der Entladung erzeugte Wärme wird durch das Kühlbad
70 entfernt, wodurch es leicht ermöglicht wird, die
Entladungsleistungsdichte und somit die hierdurch erzeugte
Lichthelligkeit zu erhöhen. Des weiteren ist die durch das
Lichtübertragungsfenster 61 belegte Fläche groß im Vergleich
zu den Oberflächen, welche den Entladungsraum 621 umgeben,
und damit kann der Anteil der Lichtmenge, welche in das
Innere der Reaktionskammer 1 emittiert wird, im Vergleich
zur in der Entladungskammer 621 erzeugten Lichtmenge erhöht
werden. Falls eine Oberfläche 622 einer Teilungsplatte 622a,
welche dem Lichtübertragungsfenster 61 über dem Entladungs
raum 621 gegenüber steht, als eine Lichtreflexionsoberflä
che ausgebildet ist, kann die von der Reaktionskammer 1
emittierte Lichtmenge weiter angehoben werden.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird zur Re
duzierung der Wellenleiterbreite zwischen der E-Platte ein
sich verjüngender Wellenleiter 102 verwendet. Alternativ
kann ein stufig ausgebildeter Wellenleiter 106, wie bei
spielsweise der in Fig. 3 gezeigte, gemäß einem zweiten Aus
führungsbeispiel dieser Erfindung verwendet werden.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird zur Aus
bildung des Lichtübertragungsfensters 61 ein Material
verwendet, welches Saphir enthält. Alternativ kann ein
transparentes Material wie beispielsweise synthetischer
Quarz oder Magnesiumfluorid (MgF) verwendet werden.
Fig. 4 zeigt in geschnittener Ansicht eine Mikrowellenentla
dungs-Lichtquellenvorrichtung entsprechend einem dritten
Ausführungsbeispiel dieser Erfindung. Die in Fig. 4 gezeigte
Vorrichtung weist eine aus einem synthetischen Quarzglas gebil
dete dielektrische Platte 201 mit einer im
wesentlichen gleichen Dicke wie die des dünnen Wellenleiters
103, die in der Lage ist, ultraviolettes Licht
zu übertragen, ein gegenüber der dielektrischen
Platte 201 angeordnetes Gegen-Dielektrikteil 202, eine Sei
ten-Dielektrikplatte 203, und somit eine Planaremissions
lampe 205 auf, welche aus der dielektrischen Platte 201, dem
Gegen-Dielektrikteil 202 und der Seiten-Dielektrikplatte 203
zusammengesetzt ist. Jede der dielektrischen Seitenplatte
203 und des Gegen-Dielektrikteiles 202 ist aus einem synthe
tischen Quarzglas oder Quarzglas gebildet. Die Planaremis
sionslampe 205 ist durch Verbinden dieser Teile durch Fu
sionsbonden oder Flintglasabdichtung ausgebildet. Ein Entla
dungsraum 206 ist durch Evakuieren des Inneren der Planar
emissionslampe 205 und Einschließen eines Plasma
lichtemissionsmediums, welches Quecksilber und Edelgas, z.
B. Argon, enthält, gebildet. Quecksilberemissionslicht wird durch
elektrische Entladung in der Entladungskammer 206 erzeugt.
Ein Quecksilberreservoir 204 ist durch Deformation eines Ab
schnittes des Gegen-Dielektrikteiles 202 ausgebildet. Eine
kreisförmige Entladungskammer 301 ist auf einer Seite des
dünnen Wellenleiters 103 vorgesehen. Die Entladungskammer
301 umfaßt die Planaremissionslampe 205 und ein Kühlbad 302.
Ein Versorgungsanschluß für Kühlflüssigkeit 303 ist derart
ausgebildet, daß er dem Quecksilberreservoir 204 gegenüber
steht. Eine metallische Teilungsplatte 305 mit einer inneren
Oberfläche 305a ist in der Entladungskammer 301 gebildet.
Ein O-Ring 502 ist auf der Teilungsplatte 305 zur Abdichtung
gegen die Kühlflüssigkeit vorgesehen. Die Entladungskammer
301 weist ferner einen Kühlflüssigkeitsauslaß 304 auf. Eine
Lichtübertragungs-Mikrowellenreflexionsvorrichtung 105 zum Reflek
tieren von Mikrowellen und Übertragen von Licht ist bei
spielsweise in der Form eines flachen metallischen Netz
werkes bei einer Seite des dünnen Wellenleiters 103 entfernt
von der Entladungskammer 301 vorgesehen. Ein O-Ring 501 ist
zur vakuumdichten Trennung der Reaktionskammer 1 und des
Inneren der Wellenleiter vorgesehen. Eine Strahlungsöffnung
100 ist unterhalb der Entladungskammer 301 vorgesehen.
Im folgenden wird die Betriebsweise dieser Vorrichtung
beschrieben. Wie im Falle des ersten und des zweiten Ausfüh
rungsbeispieles wird das (durch den Pfeil E angedeutete)
elektrische Feld einer über den rechteckigen Wellenleiter
101 übertragenen Mikrowelle allmählich durch den sich ver
jüngenden Wellenleiter 102 intensiviert, und die Mikrowelle
wird anschließend in die dielektrische Platte 201
über die Kopplung bei einem ihrer Enden übertragen. Somit ist die Richtung
des elektrischen Feldes in dem Wellenleiter parallel zur
Richtung der Dicke der dielektrischen Platte, wodurch die
Mikrowellenkopplung mit der dielektrischen Platte leicht be
wirkt werden kann und die Kopplungseffizienz hoch ist. Wäh
rend der Übertragung in die dielektrische Platte wird die
Mikrowellenkopplung mit dem Entladungsraum 206 allmählich
bewirkt, und das Plasmaemissionsmedium in dem Entladungsraum
206 emittiert aufgrund elektrischer Entladung ultraviolettes
Licht mit den Hauptquecksilberwellenlängen von 185 nm und
254 nm über die Strahlungsöffnung 100 in die Reaktionskammer
1, wobei das Substrat in der Reaktionskammer 1 mit die
sem ultravioletten Licht bestrahlt wird. Die Mikrowellen
kopplung mit dem Entladungsraum 206 wird bewirkt, während
die Mikrowelle über die dielektrische Platte 201 übertragen
wird. Es ist daher leicht, die Mikrowellenkopplung mit dem
Entladungsraum 206 gleichförmig zu gestalten. Als Ergebnis
wird die elektrische Entladungsemission in dem Entladungs
raum 206 gleichförmig durchgeführt, so daß das Target
gleichförmig mit dem ultravioletten Licht bestrahlt wird.
Der Dampfdruck von Quecksilber kann durch geeignetes Ein
stellen der Temperatur des Kühlbades 302 und Steuern der
Temperatur des Quecksilberreservoirs 204 gesteuert werden.
Daher ist es möglich, ultraviolettes Licht bei einer verbes
serten Effizienz zu emittieren, während die Entladungslei
stungsdichte erhöht wird. Ferner ist die von der dielektri
schen Platte 201, welche das Lichtübertragungsfenster aus
bildet, belegte Fläche groß im Vergleich zu den Oberflächen,
welche den Entladungsraum 206 umgeben, so daß der Anteil der
in das Innere der Reaktionskammer 1 emittierten Lichtmenge
im Verhältnis zur in der Entladungskammer 206 erzeugten
Lichtmenge erhöht werden kann. Falls die Oberfläche 305a der
Trennungsplatte 305 benachbart zu dem Gegen-Dielektrikteil
202 als lichtreflektierende Oberfläche ausgebildet ist, kann
die an die Reaktionskammer 1 emittierte Lichtmenge weiter
angehoben werden.
Bei dem dritten Ausführungsbeispiel ist eine Erhöhung bzw.
ein Vorsprung am Gegen-Dielektrikteil 202 zur Bildung des
Quecksilberreservoirs 204 vorgesehen, um den Dampfdruck von
Quecksilber zu steuern. Jedoch befinden sich entsprechend
einem in Fig. 5 gezeigten vierten Ausführungsbeispiel dieser
Erfindung die Entladungskammerwand 305 und das Gegen-Di
elektrikteil 202 der Planaremissionslampe in Kontakt zuein
ander, so daß hierdurch Wärme geeignet geleitet
und der Dampfdruck von Quecksilber ohne das Vorsehen des
Quecksilberreservoirs 204 gesteuert werden kann.
Bei dem dritten Ausführungsbeispiel wird der sich verjün
gende Wellenleiter 102 zur Verringerung der Wellenleiter
weite der E-Ebene verwendet, kann jedoch durch einen stufen
förmig ausgebildeten Wellenleiter 106 wie im Falle des in
Fig. 3 gezeigten zweiten Ausführungsbeispieles ersetzt sein.
Für den Aufbau einer Lichtquelle mit einer größeren Beleuch
tungsfläche kann die Weite der H-Ebene des dünnen Wellenlei
ters auf eine sich verjüngende Weise vergrößert sein zur
Bildung einer Entladungskammer 311 mit großem Durchmesser
entsprechend einem in Fig. 6 gezeigten fünften Ausführungs
beispiel dieser Erfindung.
Des weiteren kann die aus der dielektrischen Platte 201, der
Seiten-Dielektrikplatte 203 und dem Gegen-Dielektrikteil 202
zusammengesetzte Planaremissionslampe durch eine planare
Emissionslampe 209 gemäß Fig. 7 ersetzt sein, welche aus
einem flachen Dielektrikteil 201 und einem Kurven-Dielek
trikteil 208 zur Verringerung der Anzahl der Verbindungsab
schnitte zusammengesetzt ist, so daß die Herstellbarkeit
verbessert ist.
Jede der oben beschriebenen Konstruktionen ermöglicht eine
Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung, welche in der
Lage ist, in einfacher Weise Licht gleichförmig von einem
Emissionsbereich großer Fläche mit einer hohen Helligkeit zu
emittieren und Licht mit einem hohen Wirkungsgrad zu extra
hieren.
Claims (14)
1. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung mit
einer Emissionseinrichtung mit einem Entladungsraum (206, 621), der mit einem Plasmaemissionsmedium gefüllt ist und bei dem zumindest eine Seite durch ein Licht übertragungsfenster definiert ist, über das Licht aus dem Entladungsraum austreten kann und das zwei großflä chige Hauptoberflächen sowie im wesentlichen senkrecht hierzu stehende Randoberflächen aufweist, und
einer Wellenleitervorrichtung (101, 102) zum Einleiten von Mikrowellen in den Entladungsraum, die das Plas maemissionsmedium zur Emission von Licht durch elektri sche Entladung anregen,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Lichtübertragungsfenster als dielektrische Platte (61; 201) ausgebildet ist,
daß auf der dem Entladungsraum abgewandten Seite der di elektrischen Platte eine Lichtübertragungs-Mikrowellen reflexionsvorrichtung (105) angeordnet ist, über die Licht hindurchtreten kann und Mikrowellen reflektiert werden, und
daß die Wellenleitervorrichtung (101, 102) die Mikrowel len mit einer elektrischen Feldkomponente in Richtung der Dicke der dielektrischen Platte (61, 201) zu einer der Randoberflächen der dielektrischen Platte zuführt und die Mikrowellen über diese Randoberfläche in die di elektrische Platte eingekoppelt werden.
einer Emissionseinrichtung mit einem Entladungsraum (206, 621), der mit einem Plasmaemissionsmedium gefüllt ist und bei dem zumindest eine Seite durch ein Licht übertragungsfenster definiert ist, über das Licht aus dem Entladungsraum austreten kann und das zwei großflä chige Hauptoberflächen sowie im wesentlichen senkrecht hierzu stehende Randoberflächen aufweist, und
einer Wellenleitervorrichtung (101, 102) zum Einleiten von Mikrowellen in den Entladungsraum, die das Plas maemissionsmedium zur Emission von Licht durch elektri sche Entladung anregen,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Lichtübertragungsfenster als dielektrische Platte (61; 201) ausgebildet ist,
daß auf der dem Entladungsraum abgewandten Seite der di elektrischen Platte eine Lichtübertragungs-Mikrowellen reflexionsvorrichtung (105) angeordnet ist, über die Licht hindurchtreten kann und Mikrowellen reflektiert werden, und
daß die Wellenleitervorrichtung (101, 102) die Mikrowel len mit einer elektrischen Feldkomponente in Richtung der Dicke der dielektrischen Platte (61, 201) zu einer der Randoberflächen der dielektrischen Platte zuführt und die Mikrowellen über diese Randoberfläche in die di elektrische Platte eingekoppelt werden.
2. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wellen leitervorrichtung einen an der Mikrowelleneinfallseite angeordneten Wellenleiter (102), der sich zur Randober fläche der dielektrischen Platte (61, 201) hin bezüglich der E-Ebene verjüngt, und einen dünnen Wellenleiter (103) aufweist, der sich von der anderen Randoberfläche der dielektrischen Platte erstreckt und ein bewegbares Anschlußende (104) aufweist,
daß die dielektrische Platte an ihren entgegengesetzten Enden mit den Wellenleitern luftdicht derart verbunden ist, daß der Entladungsraum, das Innere der Wellenleiter und das Äußere der Lichtquellenvorrichtung luftdicht voneinander getrennt sind, und
daß die Lichtübertragungs-Mikrowellenreflexionsvorrich tung (105) ein nahe der dielektrischen Platte angeordne tes flaches metallisches Netzwerk aufweist, das sich entlang der einen Hauptoberfläche der dielektrischen Platte erstreckt.
daß die Wellen leitervorrichtung einen an der Mikrowelleneinfallseite angeordneten Wellenleiter (102), der sich zur Randober fläche der dielektrischen Platte (61, 201) hin bezüglich der E-Ebene verjüngt, und einen dünnen Wellenleiter (103) aufweist, der sich von der anderen Randoberfläche der dielektrischen Platte erstreckt und ein bewegbares Anschlußende (104) aufweist,
daß die dielektrische Platte an ihren entgegengesetzten Enden mit den Wellenleitern luftdicht derart verbunden ist, daß der Entladungsraum, das Innere der Wellenleiter und das Äußere der Lichtquellenvorrichtung luftdicht voneinander getrennt sind, und
daß die Lichtübertragungs-Mikrowellenreflexionsvorrich tung (105) ein nahe der dielektrischen Platte angeordne tes flaches metallisches Netzwerk aufweist, das sich entlang der einen Hauptoberfläche der dielektrischen Platte erstreckt.
3. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach An
spruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der sich verjün
gende Wellenleiter (102) eine bezüglich der Mikrowel
leneinfallsrichtung schräg verlaufende, glatte innere
Wandoberfläche aufweist.
4. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach An
spruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der sich verjün
gende Wellenleiter eine stufenförmig ausgebildete innere
Wand aufweist.
5. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach einem
der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Weite in Richtung der H-Ebene des sich bezüglich der E-
Ebene verjüngenden Wellenleiter und des dünnen Wellen
leiters allmählich bezüglich der Richtung der dielektri
schen Platte derart ansteigt, daß die Fläche der Emissi
onsvorrichtung und der Lichtübertragungs-Mikro
wellenreflexionsvorrichtung in Richtung der H-Ebene
vergrößert ist.
6. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach einem
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Emissionsvorrichtung einen Einlaß (64) und einen
Auslaß (65) zur Einführung und zum Auslassen des Plas
maemissionsmediums aufweist.
7. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach einem
der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das
Plasmaemissionsmedium im Entladungsraum dicht umschlos
sen ist.
8. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach einem
der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine
Kühlwasservorrichtung (70-72, 302-304) zum externen Küh
len des Entladungsraums (621, 206).
9. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach An
spruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlvorrich
tung ein in einer den Entladungsraum enthaltenden Entla
dungskammer ausgebildetes Kühlbad aufweist, das durch
eine Trennplatte (622a, 305) aus einem Material mit ho
her Wärmeleitfähigkeit vom Entladungsraum getrennt ist,
und daß das Kühlbad mit einem Kühlflüssig
keitsversorgungsanschluß (71, 303) und einem
Kühlflüssigkeitsauslaßanschluß (72, 304) versehen ist.
10. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach An
spruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die das Kühlbad
und den Entladungsraum trennende Trennplatte (305) eine
Öffnung aufweist, daß der Entladungsraum ein in das
Kühlbad über die Öffnung in der Trennplatte ragendes und
an der Öffnung luftdicht fest angeordnetes Quecksilber
reservoir aufweist, und daß der Kühlflüssigkeitsversor
gungsanschluß (303) in einer derartigen Position ange
ordnet ist, daß die Kühlflüssigkeit effektiv gegen das
Quecksilberreservoir strömt.
11. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach ei
nem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die der dielektrischen Platte gegenüberliegende
Innenoberfläche (621) des Entladungsraums als
Lichtreflexionsoberfläche ausgebildet ist.
12. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach ei
nem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Wände des Entladungsraums durch dielektri
sche Teile (207) gebildet sind.
13. Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvorrichtung nach ei
nem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß der Entladungsraum sich aus der dielektrischen
Platte (201) und einem gekrümmten Dielektrikteil (208)
zusammensetzt, das mit der dielektrischen Platte fest
verbunden ist und zusammen mit dieser den Entladungsraum
(206) umschließt.
14. Verwendung der Mikrowellenentladungs-Lichtquellenvor
richtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche als
Entladungs-Lichtquelle für eine Vorrichtung für ein Pho
toanregungsverfahren, bei dem ein zu behandelndes Ob
jekt, das in einer mit einem Reaktionsgas gefüllten Re
aktionskammer angeordnet ist, mit dem durch die Licht
übertragungs-Mikrowellenreflexionsvorrichtung hindurch
getretenen Licht derart beleuchtet wird, daß das zu be
handelnde Objekt einer Photoanregungsbearbeitung auf der
Grundlage einer photochemischen Reaktion des Reakti
onsgases und des Lichts unterzogen wird.
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DE4100462A1 DE4100462A1 (de) | 1991-07-18 |
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ID=26338595
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