DE4041131A1 - Festkoerperlaser - Google Patents

Festkoerperlaser

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen von Laserdioden gepumpten Festkör­ perlaser mit longitudinalem Einmodenbetrieb im sichtbaren Wellenlängen­ bereich gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruchs 1.
Durch den Aufsatz von A. Owyoung und P. Escherick in der Druckschrift "Opt. Letters, 12, 999 (1987)" sind Mikrokristall-Laser und deren Eigen­ schaften bekanntgeworden. Ein Aufbau der Technologie des Standes der Technik ist in Fig. 1 der Zeichnung in Form eines halbmonolithischen, frequenzverdoppelnden Festkörperlasers dargestellt, wobei sich der nichtlineare Kristall im Laserresonator befindet. Die Resonatorlänge be­ trägt in einem derartigen Aufbau typischerweise 100 mm, was aufgrund der umgekehrten Proportionalität von optischer Resonatorlänge und longitudi­ nalem Modenabstand die Ausbildung und Verstärkung vieler longitudinaler Moden fester Frequenz ermöglicht.
Die Existenz vieler longitudinaler Moden führt jedoch zu einem sogenann­ ten "mode competition" der longitudinalen Moden untereinander, wodurch Intensitätsfluktuationen der frequenzverdoppelten Laserstrahlung entste­ hen. Die determinierte Frequenz verhindert eine Abstimmung der Grundwel­ lenlänge des Lasers und somit auch der zweiten Harmonischen.
Eine variable Positionierung des Auskoppelspiegels schafft die Möglich­ keit der Variation der Resonatorlänge und damit aufgrund des linearen Zusammenhangs von Frequenzänderung und Längenänderung des Resonators auch der Frequenz einer longitudinalen Mode. Eine Änderung der optischen Resonatorlänge bewirkt eine Verschiebung der longitudinalen Moden rela­ tiv zur Verstärkungskurve, so daß einerseits die Frequenz jeder longitu­ dinalen Mode variiert werden kann und andererseits aber wegen der Viel­ zahl longitudinaler Moden keine effektive Frequenzverschiebung der La­ serstrahlung oder der zweiten Harmonischen feststellbar ist.
Wie aus der Fig. 4 und vorstehenden Ausführungen hervorgeht, kann durch Wahl eines entsprechend kurzen Resonators die Ausbildung mehrerer longi­ tudinaler Moden unterbunden werden. Der daraus resultierende "Single Frequency Betrieb" ermöglicht einerseits die Erzeugung frequenzverdop­ pelter Laserstrahlung gleichbleibender Intensität und andererseits durch Variation der Resonatorlänge ein Durchstimmen der Grundwellenlänge des Lasers oder der zweiten Harmonischen über den gesamten Bereich der Ver­ stärkungsbandbreite.
Diodengepumpten Festkörperlasern herkömmlicher Technologie - wie sie die Fig. 1 skizziert - fehlen die Möglichkeit der Frequenzmischung von Pump- und Laserstrahlung der Grundwellenlänge aufgrund ungenügender Strahldichte der Pumpquelle am Ort des nichtlinearen Kristalls und voll­ ständiger Absorption der Pumpstrahlung im laseraktiven Medium. Eine Ver­ kleinerung des laseraktiven Mediums führt im Falle des longitudinalen Pumpens zu unvollständiger Absorption der Pumpstrahlung im Laserkristall und einem gut fokussierten Pumpstrahl im nichtlinearen Kristall, so daß eine für die Mischung von Pump- und Laserwellenlänge ausreichende Strahldichte vorhanden ist. Der Aufbau des in Fig. 1 dargestellten Aus­ führungsbeispiels ist jedoch nur sehr aufwendig zu realisieren, was sich nachteilig auf die Handhabung, die Baugröße und auch auf die Wirtschaft­ lichkeit auswirkt, dies insbesondere im Hinblick auf die Fertigung der benötigten großen Stückzahlen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Festkörper­ laser der eingangs genannten Art zu schaffen, der die vorbeschriebenen Nachteile nicht mehr aufweist und einen Mikrokristall-Laser ergibt, wel­ cher bei einer mechanisch einfachen Ausführung sowohl eine Frequenzver­ dopplung und Frequenzmischung, als auch eine Abstimmung und Modulation der Grundwellenlänge und zweiten Harmonischen bei effizientem "Single Frequency Betrieb" gewährleistet.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen ge­ löst. In den Unteransprüchen sind Ausgestaltungen und Weiterbildungen angegeben und in der nachfolgenden Beschreibung wird ein Ausführungsbei­ spiel erläutert. Diese Erläuterungen werden durch die Figuren der Zeich­ nung ergänzt. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schemabild über den Aufbau eines gemäß dem Stand der Technik konzipierten halbmonolithischen, frequenzverdoppelnden Festkör­ perlasers,
Fig. 2 ein Diagramm der spektralen Überlappung von Pumplaserdioden-Emis­ sion und Lasermaterial-Absorption,
Fig. 3 ein Schemabild bezüglich der Modenüberlappung der Pumplicht­ strahlung und der Laserresonatormode bei longitudinalem opti­ schen Pumpen,
Fig. 4 ein Schemabild bezüglich des Prinzips eines Mikrokristall-Sing­ le-Frequency-Lasers,
Fig. 5 ein Schemabild eines monolithischen Mikrokristall-Lasers im sichtbaren Wellenlängenbereich in einem Ausführungsbeispiel,
Fig. 6 ein Schemabild eines halbmonolithischen, abstimmbaren Mikrokri­ stall-Lasers im sichtbaren Wellenlängenbereich in einem Ausfüh­ rungsbeispiel.
Das in Fig. 5 skizzierte Ausführungsbeispiel veranschaulicht einen Reso­ nator eines Festkörperlasers 10, der aus einem Laserkristall 11, der einseitig als Einkoppelspiegel ausgebildet ist und einem nichtlinearen Kristall 12, welcher einseitig als Auskoppelspiegel ausgeführt ist, ge­ bildet wird, wobei die Kristalle 11 und 12 nach Schliff, Beschichtung und Montage die Ausbildung einer Resonatormode gewährleisten. Die als Einkoppelspiegel ausgebildete Fläche des Kristalls 11 gewährleistet eine 100%-Reflexion für die im nichtlinearen Kristall 12 erzeugte Wellenlänge und die als Auskoppelspiegel ausgebildete Fläche des Kristalls 12 ge­ währleistet eine 100%-Reflexion der Grundwellenlänge der Laserstrah­ lung. Durch diese Maßnahmen bleiben die wünschenswerten Eigenschaften eines Mikrokristall-Lasers erhalten, was einen sehr frequenzstabilen mo­ nomodigen Betrieb der im nichtlinearen Kristall 12 erzeugten Laserstrah­ lung ermöglicht. Der "Single-Frequency-Betrieb" des Mikrokristall-Lasers 10 verhindert Intensitätsfluktuationen der frequenzverdoppelten Laser­ strahlung.
Ein optischer Kontakt des Laserkristalls 11 und des nichtlinearen Kri­ stalls 12, welcher sämtliche Reflexionen der im Laserresonator umlaufen­ den Strahlung an den Grenzflächen eliminiert, ermöglicht einen monolithi­ schen Aufbau (Fig. 5). Dies führt zu einer kleinen Baugröße, einer ein­ fachen Handhabung, einem "Single-Frequency-Betrieb" mit hoher Stabilität und zu einer wirtschaftlichen Fertigung. Für den Fall einer "Typ-II-Pha­ senanpassung" muß allerdings die Orientierung des nichtlinearen Kri­ stalls 12 vor der optischen Kontaktierung festgelegt werden.
Die Montage des nichtlinearen Kristalls 12 mit integriertem Auskoppel­ spiegel 13 auf eine Piezokeramik 16 mit HF-Generator 17 und eine Bedamp­ fung der zusätzlich entstehenden Flächen mit einer bei der Pump-, Grund- und Laserwellenlänge entspiegelnden Schicht (S3) ermöglicht - aufgrund des Betriebes auf einer longitudinalen Mode und der direkten Proportio­ nalität von Resonatoränderung und Frequenzverschiebung - eine Durchstim­ mung sowohl der Grundwellenlänge des Lasers über den Bereich mehrerer Verstärkungsbandbreiten des laseraktiven Materials als auch der zweiten Harmonischen.
Durch die Wahl der Beschichtungen lassen sich unterschiedliche Laser­ übergänge der entsprechenden Wellenlänge anregen, was die Erzeugung meh­ rerer "Farben" ermöglicht. Das erzeugbare Spektrum wird durch die Wahl des "Wirtskristalls", aufgrund der den Kristallen eigenen Grundwellen­ längen erheblich erweitert und nur durch die Forderung eines starken, für das Diodenpumpen geeigneten Absorptionsbandes des Wirtskristalls eingeschränkt.
Der sehr kompakte Aufbau und die wegen der geringen Absorptionslänge un­ vollständige Absorption der Pumpstrahlung im Laserkristall bewirken eine hohe Strahldichte der Pumpstrahlung im nichtlinearen Kristall. Eine Fre­ quenzmischung der Pumpstrahlung mit der Grundwellenlänge des Lasers wird nunmehr möglich und erlaubt die Erzeugung weiterer Laserwellenlängen, beispielsweise im gelben Bereich.
Funktion und Aufbau des vorgeschlagenen diodengepumpten Mikrokristall- Lasers im sichtbaren Wellenlängenbereich sind in den Figuren der Zeich­ nung so wiedergegeben, daß weitere Ausführungen hierfür sich erübrigen dürften.

Claims (7)

1. Festkörperlaser mit longitudinalem Einmodenbetrieb im sichtbaren Wellenlängenbereich, dessen Festkörpermaterial optisch mittels Laserdioden gepumpt wird und das Pumplicht longitudinal in die Resonatormode fokus­ siert wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Resonator des Festkörperla­ sers (10) aus einem Laserkristall (11), der einseitig als Einkoppelspiegel ausgebildet ist und einem nichtlinearen Kristall (12), welcher einseitig als Auskoppelspiegel ausgeführt ist, gebildet wird und eine Resonatorlänge von < 1 mm aufweist, wobei die Kristalle (11 und 12) nach Schliff, Be­ schichtung und Montage die Ausbildung einer Resonatormode gewährleisten.
2. Festkörperlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserkristall (11) in bekannter Weise ein Nd : YAG-Kristall ist und der nichtlineare Kristall von KTP (Kalium-Titanyl-Phosphat) gebildet wird.
3. Festkörperlaser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Fläche des Laserkristalls (11) mit einer, bei der Grundwellenlän­ ge und frequenzverdoppelten oder frequenzgemischten Wellenlänge des Lasers (10) hochreflektierenden (HR) und bei der Pumpwellenlänge hochtransmittie­ renden (HT) Schicht (S1) versehen ist.
4. Festkörperlaser nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtlineare Kristall (12) auf einer Seite sowohl eine hochreflek­ tierende (HR) für die Grundwellenlänge des Lasers (10) als auch eine hoch­ transmittierende (HT) für die frequenzverdoppelte oder frequenzgemischte Wellenlänge ausgebildete Schicht (S2) aufweist.
5. Festkörperlaser nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeich­ net, daß zur Bildung eines monolithischen Laserresonators der laseraktive Kristall (11) und der nichtlineare Kristall (12) optisch kontaktiert sind.
6. Festkörperlaser nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserkristall (11) und der nichtlineare Kristall (12) räumlich voneinander getrennt angeordnet und die einander gegenüberliegenden Flächen der beiden Kristalle (11, 12) mit einer bei der Grund-, Laser- und Pumpwellenlänge antireflektierenden (AR) Schicht (S3) versehen sind und dem nichtlinearen Kristall (12) eine mit einem HF-Gene­ rator (17) versehene Piezokeramik (16) zugeordnet ist, womit eine Abstim­ mung und Modulation der grund- und der frequenzverdoppelten oder frequenz­ gemischten Wellenlänge unter Beibehaltung der spezifischen Eigenschaften eines Mikrokristalls gewährleistet wird.
7. Festkörperlaser nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß eine Variation der Grund- und Laserwellenlängen durch entsprechende Wahl des Laserkristalls (11) und der Beschichtungen (S1, S2) gegeben ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4218532A1 (de) * 1992-06-05 1993-12-09 Deutsche Aerospace Verfahren und Einrichtung zur Selektion von Laserübergängen bei Mikrokristall-Lasern
DE4229500A1 (de) * 1992-09-04 1994-03-10 Deutsche Aerospace Festkörperlasersystem
DE4242862A1 (de) * 1992-12-18 1994-06-23 Deutsche Aerospace Von Laserdioden gepumpter Festkörperlaser
EP1909365A1 (de) * 2005-07-26 2008-04-09 Shimadzu Corporation Durch halbleiterlaser erregte festkörperlasereinrichtung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5651020A (en) * 1994-02-04 1997-07-22 Spectra-Physics Lasers, Inc. Confocal-to-concentric diode pumped laser

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: "Laser und Optoelektronik", 20, (3), 1988, S. 39-45 *
GB-B.: "The Physics and Technology of Laser Resonators", D.R. Hall, P.E. Jackson (Eds.) Adam Hilger, Bristol, Großbritannien, 1989, S. 198-201 *
US-Z: "Opt. Letters", 12, 999(1987) *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4218532A1 (de) * 1992-06-05 1993-12-09 Deutsche Aerospace Verfahren und Einrichtung zur Selektion von Laserübergängen bei Mikrokristall-Lasern
DE4229500A1 (de) * 1992-09-04 1994-03-10 Deutsche Aerospace Festkörperlasersystem
DE4242862A1 (de) * 1992-12-18 1994-06-23 Deutsche Aerospace Von Laserdioden gepumpter Festkörperlaser
EP1909365A1 (de) * 2005-07-26 2008-04-09 Shimadzu Corporation Durch halbleiterlaser erregte festkörperlasereinrichtung
EP1909365A4 (de) * 2005-07-26 2010-06-23 Shimadzu Corp Durch halbleiterlaser erregte festkörperlasereinrichtung

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