DE4041130A1 - Festkoerper-lasersystem - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Festkörper-Lasersystem gemäß dem Gat
tungsbegriff des Anspruches 1.
Festkörper-Lasersysteme deren Festkörperlaser durch Laserdioden gepumpt
werden, sind an sich bekannt. Ein solches System besteht aus einem elek
tronischen Stromversorgungs- und Regelkreis, einer Kühlmöglichkelt für
Laserdiode und gegebenenfalls für den Laserkristall und anderen opti
schen Komponenten sowie mechanischen Halterungs-, Justier- und Regelvor
richtungen. Die laserdiodengepumpten Festkörperlaser nach dem Stand der
Technik bestehen aus mindestens zwei räumlich voneinander getrennten
Einheiten, nämlich einer elektronischen Versorgungs- und Regeleinheit
sowie einem optischen Kopf mit zugehörigen mechanischen Vorrichtungen.
Der elektronische Versorgungs- und Regelteil besteht aus diskret aufge
bauten elektronischen Elementen, der optische Kopf hat typische Abmes
sungen von 100 mm·50 mm·50 mm.
Bestimmend für die Größe des optischen Kopfes sind hierbei nicht im we
sentlichen die optischen Elemente, welche bei weitem kleiner gefertigt
werden könnten, sondern vielmehr die gegenüber den Abmessungen der opti
schen Elemente recht makroskopischen, mechanischen Justier- und Stell
elemente. Die Größe der Elektronik ist im wesentlichen bestimmt durch
einen Mangel an systemspezifisch integrierten elektronischen Bauteilen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein diodengepump
tes Festkörperlaser-System der eingangs genannten Art zu schaffen, das
wesentlich miniaturisiert und in seinen Anwendungsmöglichkeiten durch
leichte Variierung seiner Komponenten bzw. seiner hohen Flexibilität be
züglich der Anwendungsspezifikationen optimiert ist.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen in
überraschend einfacher Weise gelöst. In den Unteransprüchen sind Ausge
staltungen und Weiterbildungen angegeben und in der nachfolgenden Be
schreibung werden einige Ausführungsbeispiele erläutert und in den Figu
ren der Zeichnung skizziert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Grundausführungsbeispieles in
schematischer Darstellung,
Fig. 2a ein Schemabild eines Ausführungsbeispiel es von einem Einfrequenz-
Kristall-Laser,
Fig. 2b ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles von einem abstimmba
ren Einfrequenz-Kristall-Laser,
Fig. 3 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles eines Einfrequenz-Kri
stall-Lasers mit ringartiger Formung des Resonators,
Fig. 4 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles von einem Einfrequenz-
Mikrosystem-Laser durch Einbringung weiterer Intra-Cavity-Elemen
te,
Fig. 5 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles eines gütegeschalte
ten und frequenzverdoppelten Mikrosystem-Lasers,
Fig. 6 ein Schemabild eines Ausführungsbeispieles von einem "gain-ge
schalteten" Mikrosystem-Laser,
Fig. 7 ein Schemabild eines Ausführungsbeispiels mit einer Pumplichtin
tegration mehrerer Laserdioden zum Pumpen des einzigen Laserkri
stalls.
Die Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines Mikrosystem-Festkörper
lasers 10, wie ihn die Erfindung in seiner Grundkonzeption vorsieht. Auf
einem Basis-Chip 11 aus Silizium, Galliumarsenid, Keramik oder ähnlichem
ist eine Pumplicht-Halbleiterlaserdiode 12 dergestalt montiert, daß die
Strahlung dieser Pumplichtdiode 12 über eine geeignete Optik 13 so auf
einen Laserkristall 14 fokussiert wird, daß dieser optisch angeregt in
nerhalb eines Resonators, welcher auf dem dargestellten Ausführungsbei
spiel monolithisch auf dem Laserkristall aufgedampft ist, seinerseits
Laserstrahlung emittiert. Ein Teil der Laserstrahlung wird über einen
Strahlteiler 15 auf einem auf dem Basis-Chip 11 angebrachten Strahlungs
detektor 16 registriert, das elektrische Signal desselben wird zu einem
Regelelektronik-Kreis 17 geführt, welcher dieses Signal auswertet und
seinerseits eine Stromregelung der Laserdiode durchführt. Innerhalb des
Basis-Chips 11 können sich Kühlkanäle 20 befinden, welche sowohl die La
serdiode 12 als auch den Laserkristall 14 kühlen. Insbesondere die Halb
leiterlaserdiode 12 muß auf einer konstanten Temperatur gehalten werden,
da über diese ihre Emissionswellenlänge bestimmt wird, welche ihrerseits
für einen optimalen Pumpprozeß innerhalb streng definierter Grenzen zu
halten ist. Die Regelung des Kühlmitteldurchflusses erfolgt vorzugsweise
mikromechanisch, wobei die zur Ansteuerung der Mechanik notwendigen
elektrischen Impulse von der Regelelektronik bzw. von deren Mikroprozes
sor 17 geliefert werden. Auch Spiegel, Optik oder weitere - hier nicht
näher skizzierte - Elemente, können mikromechanisch manipuliert werden.
Die Kühlung kann auch durch geeignete andere Elemente, wie z. B. Peltier-
Elemente geschehen.
Durch Anordnung weiterer oder durch spezielle Formung anderer "Intra-Ca
vity-Elemente" ist es nun möglich, solche wie vorbeschrieben hybrid auf
gebaute Festkörperlaser den jeweils gewünschten Anwendungsspezifikatio
nen anzupassen, wie nachfolgend in einigen Ausführungsbeispielen erläu
tert wird.
Das in Fig. 2a gezeigte Ausführungsbeispiel veranschaulicht eine auf dem
Basis-Chip 11 integrierte, mit einem Kühlkörper 18 versehene, Laserdiode
12, die über eine Kollimations- und Fokussleroptik 13 einen Laserkri
stall 14 pumpt. Sind auf diesem Laserkristall 14 die beiden Spiegel
schichten monolithisch beidseitig aufgedampft - wie dies von der Anmel
derin bereits vorgeschlagen worden ist - und weist der Laserkristall ei
ne Dicke von typischerweise < 1 mm auf, so daß sich in diesem so gebilde
ten Resonator nur eine einzelne Resonatormode ausbilden kann, so führt
der so angeregte Laserkristall zu Einfrequenzstrahlung. Ein Teil der
emittierten Strahlung wird über den Strahlteiler 15 (Beam Splitter) aus
der Ausgangsstrahlung ausgekoppelt und seine Intensität über eine Foto
diode 16 gemessen. Ein aus diesem Meßstrahl mittels des Spiegels 15a
ausgekoppelter Teilstrahl durchläuft ein Fabry-Perot-Interferometer 21,
an dessen Ende ebenfalls eine Fotodiode 22 angebracht ist. Auf diese
Weis bekommt die Regelelektronik (µP) 17 sowohl Informationen über
die Intensität der Laserstrahlung als auch über die spektrale Lage der
Ausgangsstrahlung bezüglich eines resonanten Referenz-Resonators 21. In
dieser und den weiteren angegebenen Figuren der Zeichnungen ist die
exakte Ansteuerung der Laserdiode und des Kühlmittelflusses 18, 19, 20
aus Übersichtsgründen nicht skizziert.
Die Fig. 2b veranschaulicht eine etwas erweiterte Konfiguration. Der Mi
krokristall-Laser 14 ist hier mit einem einseitig bedampften Laserkri
stall versehen, dem - durch einen Spalt 14s getrennt - ein beweglich ge
lagerter Glasspiegel 23 zugeordnet ist. Durch entsprechende Positions
einstellung des Spiegels 23 ist die Resonatormode veränderbar und der
Laser in seiner Frequenz einstellbar. Wird hier der Spiegel 23 durch ei
nen nichtlinearen, frequenzverdoppelnden Kristall gebildet, dessen eine
Seite die Laserspiegelschicht 23′ trägt, so ist die Möglichkeit geschaf
fen, die Grundwellenlänge der Laserstrahlung frequenzverdoppelnd oder
aber durch Mischung der Grundwellenlänge mit der Pumplicht-Wellenlänge
mittels Summenfrequenz-Erzeugung Laserstrahlung im sichtbaren Bereich zu
erhalten.
Die Fig. 3 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem,
Einfrequenz-Laserbetrieb dadurch erreicht wird, daß der Laserkristall
114 so ausgebildet ist, daß sich eine ringförmige Resonatormode ausbil
det, welche durch weitere "Intracavity-Elemente" 114a unidirektional se
lektiert wird. Auch dieser Resonator emittiert Eigenfrequenzstrahlung,
kann jedoch über die Anordnung von mehreren Laserdioden 112, 112′, 112′′
und entsprechend mehreren Pumplichtoptiken 113, 113′, 113′′ optisch ange
regt werden, so daß insgesamt eine höhere Laserstrahl-Ausgangsleistung
zur Verfügung steht. Analog zu dem Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 2a
und 2b wird ein Teil der Laserstrahlung über einen Strahlteller 115 aus
gekoppelt, dieser Teilstrahl seinerseits wieder aufgeteilt auf eine Fo
todiode 116 und ein Fabry-Perot-Interferometer 121. Am Ausgang des letz
teren ist ebenfalls eine Fotodiode 122 angeordnet. Auch hier geben die
Fotodioden 116, 122 die Regelelektronik 117 Informationen über Ausgangs
leistung und Frequenz des Lasers.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in der Fig. 4 skizziert. Durch Ein
bringen weiterer Elemente in einen Resonator, der sich aus einem Laser
kristall 214, der von einer Laserdiode 212 über eine Pumplichtoptik 213
kollinear mit der Laserstrahlung angeregt wird, und zwei Viertelwellen
plättchen 225 zusammensetzt, selektieren diese Plättchen 225 die sich im
Kristall ausbreitende Mode derart, daß zusammen mit einem Brewster-Pola
risator 226 sich innerhalb des durch das Plättchen 225 und den Auskop
pelspiegel 227 gebildeten Resonators nur eine einzelne longitudinale Mo
de ausbildet. Der Spiegel ist hierbei monolithisch auf das erste Vier
telwellenplättchen 225 aufgedampft, der zweite Spiegel 227 kann hierzu
piezoelektrisch oder analog mechanisch zur Frequenzabstimmung bewegt
werden. Das Verfahren der Ausgangsleistungs- und Frequenzabstimmung ist
analog der vorherigen Ausführungen.
In Fig. 5 wird durch einen in den von den Spiegeln 325 und 327 gebilde
ten Resonator eingebrachten Güteschalter 328 die Resonatorgüte perio
disch geschaltet, so daß durch Speicherung der Pumplichtenergie bei
Durchlässigkeit des Güteschalters 328 sehr hohe Laserpulsleistungen ent
stehen. Dieser Güteschalter 328 kann sowohl aus elektrooptischem Mate
rial als auch aus akustooptischem oder auch aus mikromechanischen Ein
richtungen bestehen. Ein gegebenenfalls in den Resonator eingebrachter
nichtlinearer Kristall 329 führt hier zu einer sehr effizienten Fre
quenzverdopplung oder -mischung.
Ein Ausführungsbeispiel, mit dem Laserlichtpulse erzeugt werden und die
Pulsform des Lasers sehr genau modifizierbar ist, veranschaulicht die
Fig. 6. Ein Festkörperlaser, bestehend aus monolithisch auf dem Laser
kristall 414 aufgebrachten Einkoppelspiegel 425 sowie einem extern befe
stigten Auskoppelspiegel 427, optisch gepumpt über eine Laserdiode 412
mittels einer Kollimations- und Fokussieroptik 413 wird zusätzlich
transversal von einem Laserdioden-Array 430 gepumpt. Hierbei werden die
Laserdiode 413 sowie die Dioden des Laser-Arrays 430 so angesteuert, daß
die Laserdiode 413 eine kontinuierliche Pumpleistung solcher Intensität
emittiert, daß der Festkörperlaser gerade an der sogenannten Laser
schwelle betrieben wird. Die Ausgangsleistung ist hierbei minimal, je
doch bildet sich ein sehr stabiler Pulsbetrieb dann aus, wenn periodisch
das Array 430 pulsförmig angesteuert wird.
In der Fig. 7 ist ein Ausführungsbeispiel für die optische Anregung ei
nes Festkörperlasers 514 gezeigt, bei dem über ein aus mehreren Laser
dioden bestehendes Array 530 gepumpt wird. Die Pumplichtleistung wird
hierbei über ein Pumplichtintegrationselement 531 in die Kollimations
und Fokussieroptik 513 gekoppelt. Dieses Pumplichtintegrationselement
531 kann sowohl aus mehreren justierten Glasfaserstücken 515 als auch
aus einem integrierten Wellenleiter gebildet werden.
Mit den hier vorgeschlagenen Maßnahmen ist die Möglichkeit geschaffen
worden, festkörperlaser-Systeme mit anwendungsspezifizierten Lasereigen
schaften sehr weitgehend zu miniaturisieren, denn alle Elemente des
Festkörper-Lasersystems, der Optik, Mechanik und der Elektronik sind hy
brid auf einem einzigen Basis-Chip aufgebaut. Ein derart ausgebildeter
Mikrosystem-Festkörperlaser bildet einen zu Intelligenten Sensoren kom
plementären intelligenten Sender, welcher nicht nur bisherige Meßsysteme
stark miniaturisiert, sondern aufgrund dessen Kompaktheit und Integra
tionsgrad völlig neuartige Sensor- und Meßanordnungen ausführbar gewor
den sind, beispielsweise für die militärische und zivile Meßtechnik, als
auch die Verwendung solcher neuer Lasersysteme in Display-Systemen und
in der Unterhaltungselektronik.
Claims (16)
1. Festkörper-Lasersystem, bestehend aus einem laserdiodengepumpten
Festkörperlaser mit einer elektronischen Versorgungs- und Regeleinheit so
wie einem optischen Kopf mit zugehörigen Justier- und Stellelementen, da
durch gekennzeichnet, daß zur Bildung eines Mikrosystem-Festkörper-Laser
systems (10) in einem hybride aufgebauten Bauelement auf einem Basis-Chip
(11) alle zum Betrieb eines Festkörper-Lasers notwendigen Elemente, wie
Anregungslichtquelle, Festkörper-Lasermaterial, Spiegel, anwendungsspezi
fische Resonatorkonfigurationen und Elemente, Strahlungssensoren und Meß
systeme, Steuer- und Regelelektronik sowie Kühlungssysteme integriert sind.
2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem
Basis-Chip (11) die Pumplichtdiode (12), die Fokussieroptik (13), der mo
nolithische Laserkristall (14) - von dessen Strahlung ein Teil mittels ei
nes Strahltellers (15) einem Strahlungsdetektor (16) eingegeben und einem
Regelelektronik-Kreis (17) zugeleitet wird - wobei diese Elektronikelemen
te (15, 16, 17) zusammen mit Kühleinrichtungen (18, 19, 20) und weiterer
spezifischer "intra-cavity-Elemente" in mikromechanischer Ausführung und
Manipulation integriert sind.
3. System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Pumplichtdiode (12) eine Halbleiter-Laserdiode ist und das Festkörper-La
sermaterial aus dotiertem Kristall- oder Glasmaterial gebildet wird.
4. System nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
durch Wahl der Kristallgeometrie oder durch Einbringen weiterer Elemente
in den Resonator Einfrequenzbetrieb erzielbar ist.
5. System nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ba
sis-Chip (11) aus Silizium, Galliumarsenid, Keramik, Metallen oder einer
Kombination dieser besteht und mit Kühlkanälen (20) für die Laserdiode
(12) und den Laserkristall (14) versehen ist.
6. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Laserkristall (14) zur Bildung eines monolithischen
Resonators für eine Eigenfrequenzstrahlung an seiner Strahl eingangs- und
seiner -ausgangfläche je mit einer Spiegelschicht versehen ist und ihm
(14) ein Strahlteiler (15) nachgeordnet ist, der einen Teil (St) der Aus
gangsstrahlung (S) zur Intensitätsmessung über eine Fotodiode (16) einem
Mikroprozessor des Regelelektronik-Kreises (17) eingibt und diesem Teil
strahl (S′) einen weiteren Tellstrahl (S′′) über einen Spiegel (15a) zur
Eingabe in ein Fabry-Perot-Interferometer (21) als resonanter Referenz-Re
sonator und einer nachgeordneten Fotodiode (22) auskoppelt.
7. System nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Mikrokristall-Laser (14) aus einem einseitig mit einer Einkoppel-Spie
gelschicht bedampften Laserkristall (14′) besteht, dem auf der Auskoppel
seite nach Bildung eines kleinen Spaltes (14s) ein bewegbar gelagerter
Glasspiegel (23) zugeordnet ist.
8. System nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Glasspie
gel (23) durch einen nichtlinearen, frequenzverdoppelnden Kristall (23′)
gebildet wird, dessen eine Seite die Laserauskoppel-Spiegelschicht trägt.
9. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Laserkristall (114) zur Bildung einer ringförmigen
Resonatormode geformt ist, die durch weitere "Intracavity-Elemente" (114a)
unidirektional selektiert wird, wobei den einzelnen Flächen des Kristalls
zur Anregung weitere Pumplichtdioden (112, 112′...) mit ihren Optiken
(113, 113′...) zugeordnet sind.
10. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß dem Laserkristall (214) strahleingangs- und strahl
ausgangsseitig je ein Viertelwellenplättchen (225) zugeordnet sind und vor
dem Resonatorauskoppelspiegel (227) ein Brewster-Polarisator (226) ange
ordnet ist.
11. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen den Resonatorspiegeln (325 und 327) eine Gü
teschalter (328) aus elektrooptischem, akustooptischen Material oder eine
entsprechende mikromechanische Vorrichtung angeordnet ist.
12. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß dem aus einem monolithischen Laserkristall (414) mit
aufgebrachter Einkoppelspiegelschicht (425) und einem extern angeordneten
Auskoppelspiegel (427) gebildeten und optisch über eine Kollimations- und
Fokussieroptik (413) von einer Laserdiode (412) gepumpten Festkörperlaser
ein Laserdiodenarray (430) zum zusätzlichen transversalen Pumpen zugeord
net ist.
13. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß zur optischen Anregung des Laserkristalls (514) die
sem ein aus mehreren Laserdioden bestehendes Array (530) mit einem Pump
licht-Integrationselement (531) für die Kollimations- und Fokussieroptik
(513) zugeordnet ist.
14. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Pump
licht-Integrationselement (531) aus mehreren justierten Glasfasern (515)
oder aus einem Integrierten Wellenleiter gebildet wird.
15. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Pump
licht-Integrationselement (531) aus holografischoptischen Elementen ge
bildet wird, wobei diese sowohl aus Flächen- als auch aus Volumenholo
grammen, insbesondere phasenkonjugierenden Systemen bestehen.
16. System nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß auf dem Basis-Chip neben den Kühleinrichtungen (18,
19, 20) eine Temperatur-Sensorik (18a) und eine vom Mikroprozessor (17)
gesteuerte Temperatur-Regeleinrichtung integriert sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE4041130A DE4041130A1 (de) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | Festkoerper-lasersystem |
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Publication Number | Publication Date |
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DE4041130A1 true DE4041130A1 (de) | 1992-07-02 |
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ID=6420994
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---|---|
DE (1) | DE4041130A1 (de) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4139859A1 (de) * | 1991-12-03 | 1993-06-09 | Deutsche Aerospace Ag, 8000 Muenchen, De | Abstimmbarer zwei-wellenlaengen-laser fuer superheterodyn-interferometer |
DE4211899A1 (de) * | 1992-04-09 | 1993-10-21 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Mikrosystems und daraus Bildung eines Mikrosystemlasers |
DE4229500A1 (de) * | 1992-09-04 | 1994-03-10 | Deutsche Aerospace | Festkörperlasersystem |
DE4323197A1 (de) * | 1992-09-04 | 1994-03-17 | Deutsche Aerospace | Verfahren und Anordnung zur Regelung von diodengepumpten Festkörperlasern |
DE19510705A1 (de) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Las Laser Analytical Systems G | Festkörperlaservorrichtung |
EP0759538A2 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-26 | Kabushiki Kaisha Topcon | Laservermessungssystem |
DE19647878A1 (de) * | 1996-11-19 | 1998-05-20 | Daimler Benz Ag | Laser- und Verstärkersystem zur Erzeugung von Laserstrahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich |
WO1998057400A1 (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Raytheon Company | Optically pumped compact laser resonator |
EP0939464A2 (de) * | 1998-02-27 | 1999-09-01 | Litton Systems, Inc. | Subträgerbaugruppe und damit verknüpfte Modulpackung |
EP0997991A2 (de) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Litton Systems, Inc., Delaware | Temperaturgeregelte Mikrochip-Laservorrichtung und dazugehörige Trägerbaugruppe |
US6172997B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-01-09 | Aculight Corporation | Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser |
WO2005050797A3 (en) * | 2003-11-14 | 2005-09-01 | Honeywell Int Inc | Optical bench for diode-pumped solid state lasers in field applications |
EP1643603A1 (de) * | 2004-09-29 | 2006-04-05 | Wavelight Laser Technologie AG | Lasersystem mit Festkörperlaserköpfen |
DE19818271B4 (de) * | 1997-04-24 | 2008-04-30 | Shibuya Kogyo Co., Ltd., Kanazawa | Herstellungsverfahren für Festkörperlaser |
CN113867448A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-31 | 北京工业大学 | 一种非线性光学晶体的控温装置 |
CN115360568A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-11-18 | 湖北华中长江光电科技有限公司 | 一种传热装置、激光器模块、激光器阵列系统及设计方法 |
DE102022125325A1 (de) | 2022-09-30 | 2024-04-04 | Ams-Osram International Gmbh | Photonische integrierte schaltung mit verstärkungsmedium und optoelektronische vorrichtung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1944076B2 (de) * | 1969-08-29 | 1973-10-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Optischer Sender (Laser) |
US4969155A (en) * | 1989-10-10 | 1990-11-06 | Hughes Aircraft Company | Integrating laser diode pumped laser apparatus |
DE3925201A1 (de) * | 1989-07-29 | 1991-02-07 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Optische bank zur halterung optischer, elektrischer u.a. komponenten |
-
1990
- 1990-12-21 DE DE4041130A patent/DE4041130A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1944076B2 (de) * | 1969-08-29 | 1973-10-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Optischer Sender (Laser) |
DE3925201A1 (de) * | 1989-07-29 | 1991-02-07 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Optische bank zur halterung optischer, elektrischer u.a. komponenten |
US4969155A (en) * | 1989-10-10 | 1990-11-06 | Hughes Aircraft Company | Integrating laser diode pumped laser apparatus |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4139859A1 (de) * | 1991-12-03 | 1993-06-09 | Deutsche Aerospace Ag, 8000 Muenchen, De | Abstimmbarer zwei-wellenlaengen-laser fuer superheterodyn-interferometer |
DE4211899C2 (de) * | 1992-04-09 | 1998-07-16 | Daimler Benz Aerospace Ag | Mikrosystem-Laseranordnung und Mikrosystem-Laser |
DE4211899A1 (de) * | 1992-04-09 | 1993-10-21 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Mikrosystems und daraus Bildung eines Mikrosystemlasers |
DE4323197A1 (de) * | 1992-09-04 | 1994-03-17 | Deutsche Aerospace | Verfahren und Anordnung zur Regelung von diodengepumpten Festkörperlasern |
DE4229500A1 (de) * | 1992-09-04 | 1994-03-10 | Deutsche Aerospace | Festkörperlasersystem |
DE19510705A1 (de) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Las Laser Analytical Systems G | Festkörperlaservorrichtung |
EP1717548A1 (de) * | 1995-08-17 | 2006-11-02 | Kabushiki Kaisha Topcon | Lasersystem für Landvermessung |
EP0759538A3 (de) * | 1995-08-17 | 1998-07-08 | Kabushiki Kaisha Topcon | Laservermessungssystem |
EP0759538A2 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-26 | Kabushiki Kaisha Topcon | Laservermessungssystem |
DE19647878A1 (de) * | 1996-11-19 | 1998-05-20 | Daimler Benz Ag | Laser- und Verstärkersystem zur Erzeugung von Laserstrahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich |
DE19818271B4 (de) * | 1997-04-24 | 2008-04-30 | Shibuya Kogyo Co., Ltd., Kanazawa | Herstellungsverfahren für Festkörperlaser |
WO1998057400A1 (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Raytheon Company | Optically pumped compact laser resonator |
US5923695A (en) * | 1997-06-11 | 1999-07-13 | Raytheon Company | Compact pumped laser resonator and method |
EP0939464A2 (de) * | 1998-02-27 | 1999-09-01 | Litton Systems, Inc. | Subträgerbaugruppe und damit verknüpfte Modulpackung |
EP0939464A3 (de) * | 1998-02-27 | 2002-01-02 | Litton Systems, Inc. | Subträgerbaugruppe und damit verknüpfte Modulpackung |
US6172997B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-01-09 | Aculight Corporation | Integrated semiconductor diode laser pumped solid state laser |
US6292499B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-09-18 | Aculight Corporation | Solderable optical mount |
EP0997991A2 (de) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Litton Systems, Inc., Delaware | Temperaturgeregelte Mikrochip-Laservorrichtung und dazugehörige Trägerbaugruppe |
EP0997991A3 (de) * | 1998-10-30 | 2000-11-22 | Litton Systems, Inc., Delaware | Temperaturgeregelte Mikrochip-Laservorrichtung und dazugehörige Trägerbaugruppe |
US7068700B2 (en) | 2003-11-14 | 2006-06-27 | Honeywell International Inc. | Optical bench for diode-pumped solid state lasers in field applications |
WO2005050797A3 (en) * | 2003-11-14 | 2005-09-01 | Honeywell Int Inc | Optical bench for diode-pumped solid state lasers in field applications |
EP1643603A1 (de) * | 2004-09-29 | 2006-04-05 | Wavelight Laser Technologie AG | Lasersystem mit Festkörperlaserköpfen |
WO2006034783A1 (de) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Wavelight Laser Technologie Ag | Lasersystem mit festkörperlaserköpfen |
CN113867448A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-31 | 北京工业大学 | 一种非线性光学晶体的控温装置 |
CN115360568A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-11-18 | 湖北华中长江光电科技有限公司 | 一种传热装置、激光器模块、激光器阵列系统及设计方法 |
CN115360568B (zh) * | 2022-08-25 | 2023-06-20 | 湖北华中长江光电科技有限公司 | 一种传热装置、激光器模块、激光器阵列系统及设计方法 |
DE102022125325A1 (de) | 2022-09-30 | 2024-04-04 | Ams-Osram International Gmbh | Photonische integrierte schaltung mit verstärkungsmedium und optoelektronische vorrichtung |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
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