DE4029609A1 - Verfahren zur aufbringung eines aetzfesten musters auf ein substrat - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Aufbringung eines ätzfesten Musters auf ein Substrat und speziell auf ein Verfahren zur physikalischen Übertragung eines vorgeformten Musters auf ein Substrat. Das Verfahren ist für die Formation von Mikromustern und bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen nützlich.

Bei der Produktion von integrierten Schaltkreisen und Feinmeßlehren werden Muster im allgemeinen durch Photolithographie bestimmt. Zur Bestimmung eines Musters auf einem Halbleiterplättchen wird vor Änderungen am Bildaufbau des Substratmaterials, wie Bedampfung, Ionenimplantation oder Ätzung, ein Photoresist zur Erzielung eines Resistmusters verwendet.

Photoresistmaterial wird üblicherweise durch Drehbeschichtung auf ein Plättchensubstrat aufgetragen und dann zur Erlangung einer ca. 1 µm dicken Dünnschicht getrocknet. Dieser getrocknete Film wird bilderzeugend photographiert, zum Beispiel Musterreproduktion von einer Maske in einen photomechanischen Drucker. In der Industrie werden mehrere Typen photomechanischer Drucker verwendet. Ein solcher Typ ist ein Kontaktkopiergerät, bei dem die Photoresistschicht die Musterträgermaske direkt kontaktiert. Mit dieser die Lichtbrechung minimierenden Methode wird die beste Bildwiedergabe erzielt. Allerdings schränken mögliche Beschädigung der Maske und die Schwierigkeit bei ihrer Ausrichtung die Anwendung dieser Methode ein.

Photographische Kopiergeräte sind eine weitere Ausführungsart photomechanischer Drucker. Bei diesem Druckertyp werden für die Projektion des Musters von der Maske auf die Photoresistschicht des Substrats empfindliche optische Instrumente verwendet. Bei Anwendung der Methode werden während der Fertigung von feinzeiligen Mustern Probleme mit der Lichtbrechung durch Verwendung von verkleinernden Projektionsoptiken und eines vergrößerten Maskenmusters minimiert. Der Verkleinerungsfaktor liegt normalerweise bei fünf oder zehn. Allerdings schrumpft bei einer solchen Methode auch das bilderzeugende Feld. Deshalb ist eine Repetier- Bilderzeugung mit geringerem Durchsatz erforderlich. Dieser photographische Kopiergerätetyp ermöglicht auch eine genaue Schablonenausrichtung und kann Submikrometerbilder darstellen, wenn Verbesserungen am höheren numerischen Aperturwert des optischen Systems erfolgen und eine kürzere Strahlungs- Wellenlänge verwendet wird.

Nach der Bemusterung wird das in der Photoresistschicht gespeicherte Bild in einer geeigneten Lösung entwickelt. In einer positiv wirkenden Photoresistschicht wird der belichtete Bereich von der Entwicklerflüssigkeit abgewaschen, wohingegen in einer negativ wirkenden Photoresistschicht der unbelichtete Bereich im Entwicklungsstadium abgewaschen wird. Im allgemeinen werden positive Photoresistschichten zwecks Erzielung eines höheren Auflösungsvermögens häufiger verwendet.

Ein Diazochinon-/Novolak-System ist als positiv wirkendes Photoresistmaterial am meisten verwendet worden. Diazochinon, eine lichtempfindliche Verbindung, wird durch Photobestrahlung in Indencarbolsäure umgewandelt. Diese Umwandlung ermöglicht die Entwicklung des Photoresistfilms in einer wässerigen Alkalilösung.

In negativ wirkenden Photoresists erfolgt die Polymerisation in der bestrahlten Zone, wodurch das Material unlöslich wird. Das Muster wird durch Entfernung des nicht polymerisierten Teils der Photoresistschicht entwickelt. Zu typischen Negativphotoresiststoffen gehören säuresensibilisierter Gummi, wie Cyclopolyisopren, und Polyvinylcinnamat mit Benzothiazol als Lichtsensibilisator.

Während der Fertigung von integrierten Schaltkreisen werden die Bemusterung des Photoresists und die darauf folgenden Fertigungsprozesse mehrere Male auf einem Halbleiterplättchensubstrat wiederholt. Die nicht ebene Schaltkreismuster-Topographie resultiert in einer nicht ebenen Photoresistbeschichtung, wodurch sich bei der Bildwiedergabe der Beschichtung ein Fokussierungsproblem stellt. Dieses Problem wird durch Auflage einer Planarisationsbeschichtung vor Auftrag einer Photoresistschicht oder mehrerer Photoresistbeschichtungen minimiert, allerdings mit dem Nachteil einer langsameren Fertigung wegen der zeitaufwendigen Extraschritte für Beschichtung und Trocknung. Die Dickenvariation der Photoresistschicht auf dem Substrat erschwert jedoch die Steuerung des Musterprofils. Außerdem verursachen das unterschiedliche Lichtreflexionsvermögen der verschiedenen Werkstoffe und der Streueffekt der von der Substrat-Topographie reflektierten Strahlung Probleme mit dem Seitenwandprofil, wodurch die Meßsteuerung der Photoresistzeile schwierig wird. Demzufolge sind Seitenwandeinkerbungen, Abweichungen der Zeilenbreite über der Schritt-Topographie und Stehwelleneffekte bei der konventionellen Bilderzeugung übliche Erscheinungen. Die Inklusion eines Strahlungsabsorptions-Farbstoffs oder die Verwendung einer Antireflex-Unterschicht haben sich zwar als günstig für die Minimierung des Substrateinflusses erwiesen, aber mit den Problemen, die sich bei reduzierter Lichtempfindlichkeit und verengtem Verarbeitungsfenster stellen.

Die vorstehend genannten Probleme führten zur Anwendung der Trockenentwicklung in Verbindung mit dem Konzept der "Bilderzeugung auf der Oberseite". Bei der Trockenentwicklung wird das traditionelle Naßentwicklungsverfahren durch ein Ätzreaktions-Selektivplasma ersetzt. Im Verfahren bei der Bilderzeugung auf der Oberseite wird ein Muster in der oberen Photoresistschicht eines mehrschichtigen Systems oder im Oberflächenbereich eines einschichtigen Photoresists definiert.

Beim im allgemeinen aus zwei oder drei Schichten bestehenden Mehrschichtprozeß wird üblicherweise eine dünne Photoresistschicht auf die Oberseite von Planarisierungs- Unterschichten aufgetragen. Das Muster wird zunächst in der oberen Photoresistschicht unter Anwendung eines konventionellen Verfahrens definiert, das heißt, durch Naßentwicklung. In einem Zweischichtensystem ist die obere Photoresistschicht ätzfestes Sauerstoffplasma. Somit wird bei nachfolgender Plasmaätzung, speziell bei Sauerstoffplasmaätzung oder bei Ätzung mit sauerstoffreaktivem Ion die belichtete Unterschicht abgeätzt und das oben liegende Muster nach unten auf das anorganische Substrat übertragen.

Damit sind jedoch Probleme mit der Durchmischung der ätzfesten Photoresistschicht und der Unterschicht verbunden. Diese Probleme führen zu Schwierigkeiten bei der Musterdefinitionssteuerung.

Im Dreischichtensystem wird eine zwischen oberer Photoresistschicht und unterster Planarisierungsschicht angeordnete Trennschicht verwendet. Die Trennschicht kann aus einer anorganischen Verbindungsmasse, vorzugsweise Siliziumoxid, Siloxan, Silan oder andere Metalle, bestehen. Sobald das Obermuster definiert ist, wird der belichtete Teil der zweiten Schicht im allgemeinen durch Fluorkohlenstoffplasmaätzung oder durch Anwendung eines Naßätzverfahrens, das die obere Photoresistschicht nicht angreift, entfernt. Für die Übertragung des Musters nach unten auf das Substrat wird Trockenentwicklung angewandt. Obwohl Mehrschichtensysteme hochauflösend sind, wird ihre Verwendung durch zeitaufwendige Mehrfachbeschichtung beeinträchtigt.

Deshalb kamen einfachere Einschichtphotoresists, die trocken entwickeln können, zur Anwendung. Ein mit Sauerstoffplasma ätzbares Photoresist wird durch bildweise Inklusion eines ätzfesten Materials selektiv ätzfest gemacht.

Dieses Material ist im allgemeinen ein Organometall, das nach der Photobemusterung der Photoresistschicht eingeführt wird. Die Selektivinklusion des Organometalls wird durch die im Abbildungsbereich eingetretene Photoreaktion unterstützt. Ein typisches Beispiel ist ein Diazochinon-/Novolak- Photoresistsystem, in dem der belichtete Bereich einer Siliziumverbindung ermöglicht, in die Photoresistoberfläche einzudringen. Diese geht eine Reaktion mit dem Novolakharz ein und bildet so eine dünne ätzfeste Schicht, die einer Behandlung mit Sauerstoffplasmaätzung oder sauerstoffreaktiver Ionätzung standhalten kann. Bei Anwendung dieser Methode kann die Photoresistschicht nur im Oberflächenbereich photobemustert werden. Damit ergibt sich kein Problem mit der Strahlungsreflexion vom Substrat. Dennoch muß bei einer planaren Photoresistoberfläche immer noch das vorher erwähnte Fokussierproblem ausgeschlossen werden. Aus diesem Grund können mehrschichtige Photoresists zur Abdeckung der Substrat- Topographie erforderlich werden.

Im allgemeinen werden diese jetzt zur Verfügung stehenden mikrolithographischen Verfahren nach dem neuesten Stand der Technik immer noch durch Probleme beeinträchtigt, die sich beim Auftrag von 3 komplizierten Mehrfachphotoresist- Musterschichten auf ein normalerweise unebenes Substrat stellen. Außerdem müssen auch die Probleme berücksichtigt werden, die sich aus der zeitaufwendigen Ausrichtung und Fokussierung beim Repetierbetrieb eines photographischen Kopiergeräts ergeben.

Mit der vorliegenden Erfindung wird das Photoresistbemusterungsverfahren durch Anwendung einer neuen Methode, mit der eine genauere Musterreproduktion mit einfacher Schablonen-Paßgenauigkeit bei gleichzeitiger Minimierung der Einflüsse der Substrat-Topographie erzielt wird, vereinfacht.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren für die Auflage eines ätzfesten Musters auf ein Substrat. Genauer, die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Formung eines ätzfesten Musters auf einem Aufnahmesubstrat, wobei das ätzfeste Muster durch ein entsprechend vorgeformtes Photoresistmuster definiert wird. Das vorgeformte Photoresist wird auf einem Trägersubstrat gebildet und dann durch Laminierung der beiden Substrate unter Verwendung eines härtbaren Flüssigklebers auf das Aufnahmesubstrat übertragen.

Mehrere Ausführungen werden genauer beschrieben. Im allgemeinen bestehen die Verfahren der vorliegenden Erfindung aus folgenden kennzeichnenden Schritten:

• a) Formung einer Photoresistschicht auf einem flachen durchsichtigen Trägersubstrat;
• b) Formung eines Photoresistmusters in der Photoresistschicht;
• c) Laminierung des Photoresistmuster-Trägersubstrats auf ein Aufnahmesubstrat unter Verwendung eines härtbaren Flüssigklebers zwischen den beiden Substraten, wobei die Photoresistseite des Trägersubstrats dem Aufnahmesubstrat gegenüber liegt;
• d) Aushärtung des Flüssigklebers durch Wärme oder vorzugsweise durch aktinische Photostrahlung und Entfernung des Trägersubstrats zur Übertragung besagten Photoresistmusters auf das Aufnahmesubstrat;
• e) Trockenentwicklung des Musters auf dem Aufnahmesubstrat, das dem von besagtem Trägersubstrat durch Sauerstoffplasmaätzung oder sauerstoffreaktive Ionätzung übertragenen entspricht.

In Fig. 1 wird das Verfahren der vorliegenden Erfindung unter Verwendung eines gegen Sauerstoffätzung widerstandsfähigen Photoresistwerkstoffs dargestellt.

In Fig. 2 wird das Verfahren der vorliegenden Erfindung dargestellt, wenn das Photoresist nach Belichtung getrocknet ist und dann photobestrahlt wird.

In Fig. 3 wird die Anwendung der Bildumkehrung und der Bilderzeugung auf der Oberseite offengelegt, wobei sich der ätzfeste Werkstoff in der oberen Photoresistschicht befindet, aber nicht bis auf die Grundschicht reicht.

In Fig. 4 wird das Verfahren unter Verwendung eines nicht ätzfesten Photoresists dargestellt, wobei der ätzfeste Werkstoff vor der Trockenentwicklung selektiv eingeschlossen wird.

In Fig. 5 wird die Methode dargestellt, bei der die ätzfeste Schicht im Außenoberflächenbereich des Photoresists nicht selektiv geformt wird.

In Fig. 6 wird die Verwendung des ätzfesten Werkstoffs vor einem Trocknungs- und Bildumkehrungs-Entwicklungsprozeß offengelegt und

Fig. 7 zeigt die Methode der vorliegenden Erfindung, bei der die Kleberschicht mit dem ätzfesten Werkstoff eingebettet wird.

Mehrere aus den oben beschriebenen fünf Grundschritten [a) bis einschließlich e)] bestehende Methoden können bei der Formung eines ätzfesten Musters auf einem Aufnahmesubstrat angewandt werden. Diese Methoden können sich in einigen Details etwas voneinander unterscheiden, speziell bei der Bildung ätzfester Eigenschaften, die zusammen mit schematischen Darstellungen in den folgenden bevorzugten Ausführungen beschrieben werden:

• I)Eine erste Ausführung besteht aus der Bildung eines ätzfesten Maskenmusters durch Auftrag einer Dünnschicht (1) aus ätzfestem Photoresist auf ein durchsichtiges flaches Trägersubstrat (2) gemäß Darstellung in Fig. (1-A); wobei die Photoresistschicht mit Photostrahlung durch eine Photomaske, die ein entsprechend gespeichertes Bild in der Photoresistschicht gemäß Darstellung in Fig. (1-B) - in der der schraffierte Teil (3) die belichtete Fläche ist - erzielt, belichtet wird.
• Die belichtete Photoresistschicht wird bei einem positiv wirkenden Photoresist zu einem ausgeprägten Muster auf dem Trägersubstrat entwickelt (siehe Fig. (1-C)). Bei der Entwicklung eines positiv wirkenden Photoresists werden die belichteten Teile entfernt, und der unbelichtete Bereich (4) verbleibt auf der Substanz. Fig. (1-D) zeigt das gleiche Ergebnis bei einem negativ wirkenden Photoresist, dabei verbleiben die belichteten Teile (3) des Photoresists auf dem Substrat. Das so entstandene Muster kann wahlfrei zusätzlichen Aushärtungs- oder Stabilisierungsprozessen, wie ionisierender Strahlung und/oder Wärme, unterzogen werden.
• Bei der Formung eines ätzfesten Maskenmusters auf einem Trägersubstrat sind verschiedene konventionelle Werkstoffe und Methoden für die An- beziehungsweise Verwendung im Rahmen der vorliegenden Erfindung geeignet. Speziell bevorzugte Verbindungen sind solche, die bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet werden.
• Photoresists, die anorganische Verbindungen wie Moleküle mit Silizium-, Titan- oder Zinngehalt enthalten, die in einer Sauerstoffplasma- oder in einer sauerstoffreaktiven Ionätzreaktion entsprechende Metalloxide bilden, können für die Produktion eines ätzfesten Musters auf einem flachen Trägersubstrat unter Anwendung der konventionellen Methode - Drehbeschichtung, Bilderzeugung, Belichtung und Entwicklung - verwendet werden. Geeignete Photoresists sind u. a. im Handel erhältliche gegen sauerstoffreaktive Ionätzung einwandfrei widerstandsfähige Photoresists. Dazu gehören das Photoresist RG8500P von Hitachi und in der Fachliteratur ("Semiconductor Lithography", Kapitel 12, von W.M. Moreau, 1988, Plenum Press, New York) und in den U.S.-Patenten 43 57 369; 44 33 044 und 43 96 704 (durch Verweis eingefügt) beschriebene Photoresists. Ebenfalls geeignete ätzfeste Photoresists können durch Beimengung von konventionellen nicht ätzfesten entweder positiv oder negativ wirkenden Photoresists mit besagten anorganisches Silizium, Titan oder Zinn enthaltenden Verbindungen angesetzt werden. Besagte konventionelle, nicht ätzfeste Photoresists werden aus denjenigen ausgewählt, die bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet werden. Besagte ätzfeste anorganische Verbindungen sind vorzugsweise Silizium-, Titan- oder Zinnatome enthaltende Organometalle und vorzugsweise wirksam bei Bilderzeugungsbestrahlung, speziell wenn sie einem Positivphotoresist beigemengt sind. Der auf dem Trockenphotoresistfilm basierende Massenanteil des Metallatoms ist vorzugsweise größer als 4% und darf bis zu diesem Grenzwert die Leistung des Photoresists nicht beeinträchtigen. Ein Dünnfilm- Photoresist mit einer Dicke von weniger als 1 µm wird bevorzugt, weil mit dünneren Photoresistschichten eine höhere Auflösung erzielt werden kann. Gefärbte Photoresists mit Vergütung können ebenfalls verwendet werden, wenn das Photoreflexionsvermögen des Trägersubstrats problematisch ist.
• Eine Planarisierungsschicht, wie die in mehrschichtigen Photoresistsystemen verwendete, kann vor Beschichtung der Photoresistschicht unter der Voraussetzung ebenfalls aufgetragen werden, daß die Ätzfestigkeit der Planarisierungsschicht geringer ist. Ein relatives Ätzfestigkeitsverhältnis von zwei oder mehr, vorzugsweise fünf oder mehr, wird zwischen dem ätzfesten Muster und den nicht ätzfesten Schichten oder Verbindungen bevorzugt.
• II) Die physikalische Übertragung des ätzfesten Maskenmusters erfolgt durch Laminierung des Musterträgersubstrats, Fig. (1-C) und (1-D) auf ein Aufnahmesubstrat (6) mit Hilfe eines Flüssigklebers (5) gemäß Darstellung in Fig. (1-E). Der Flüssigkleber (5) kann vor der Laminierung mit dem Musterträgersubstrat auf das Aufnahmesubstrat (6) aufgetragen werden. Alternativ kann der Flüssigkleber auf das Dünnfilmmuster auf dem Trägersubstrat vor der Laminierung aufgetragen werden.
• Während der Laminierung erfolgt eine Pressung zwecks gleichmäßiger Verteilung des Flüssigklebers auf die beiden Substrate und Reduzierung des Spalts zwischen dem Substrat auf einen wünschenswerten Wert. Siehe Darstellungen dieses Vorgangs bei Positiv- beziehungsweise Negativphotoresists in Fig. (1-F) und (1-G). Der Spalt zwischen den beiden Substraten kann in Verbindung mit einer Druckregelung optisch überwacht werden. Der Spalt darf vorzugsweise nicht größer sein als wenige Mikrometer. Der Flüssigkleber kann, wenn erforderlich, auch als Schmiermittel bei der Relativbewegung der beiden Substrate für die Ausrichtung verwendet werden.
• III) Die in den Fig. (1-F) und (1-G) dargestellten Vorrichtungen werden dann einem Verfahren zur Aushärtung des Flüssigklebers unterzogen. Dies geschieht entweder durch Wärme oder aktinische Bestrahlung, d. h., durch Ultraviolettlicht. Sobald der Kleber ausgehärtet ist, wird das Trägersubstrat entfernt. Dabei verbleibt das ätzfeste Muster auf dem Aufnahmesubstrat gemäß Darstellungen in den Fig. (1-H) und 1-I), entsprechend den in den Fig. (1-F) beziehungsweise (1-G) dargestellten Mustern. Das Trägersubstrat kann entweder unter Aufbringung von Kraft abgeschält oder in einem flüssigen Medium mit Hilfe von Ultraschallvibrationen entfernt werden.
• Geeignete Trägersubstrate sind u. a. elastische dünne Folien, Plättchen oder Scheiben mit mindestens einer flachen Seite. Die Oberflächenrauheit solcher Substrate darf vorzugsweise nicht höher sein als der Mikrometerbereich. Geeignete Materialien für Trägersubstrate können organische oder anorganische Stoffe sein.
• Wenn der Kleber thermal gehärtet wird, werden bis zu mindestens 100°C und vorzugsweise bis zu 150°C als gute Wärmewiderstandswerte des Trägersubstrats als wünschenswert erachtet. Während des Wärmeaushärtungsprozesses ist weiterhin Formbeständigkeit speziell als Ausdruck des Wärmeausdehnungskoeffizienten erforderlich. Je nach Maßtoleranz des Musters im Übertragungsprozeß wird ein Wärmeausdehungskoeffizient im Bereich von weniger als 100 × 10^-6 In/In speziell bevorzugt, während für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen ein Wert von weniger als 50 × 10^-6 In/In wünschenswerter ist. Deshalb sind für die Verwendung als Trägersubstrat in Verbindung mit wärmeaushärtbaren Klebern geeignete Werkstoffe u. a. Glas, Keramik oder wärmebeständige Kunststoffe. Das Trägersubstrat muß eine flache Fläche und Wärmeeigenschaften aufweisen, die die vorstehenden Bedingungen erfüllen.
• Wenn der Kleber strahlungsfest ist, muß das Trägersubstrat für die gewünschte Wellenlänge strahlungsdurchlässig sein. Dieses Verfahren ist im Vergleich mit der Wärmeaushärtungsmethode, speziell im Hinblick auf Probleme mit der Wärmebeständigkeit der Abmessungen des Substrats, qualitativ besser und leichter zu handhaben. Zwecks Erzielung wirksamer Aushärtung wird eine Übertragung von min. 30% bevorzugt. Bei der Produktion von gedruckten und integrierten Schaltkreisen oder bei der Fertigung von Druckplatten werden für UV-Aushärtung von Beschichtungen oder für die Photolithographie im allgemeinen Strahlungsquellen verwendet. Typische Strahlungsquellen sind u. a. Quecksilber-Xenonlampen oder Quecksilberdampflampen mit bester Leistung bei einer Wellenlänge von 365 nm.
• Geeignete Trägersubstratwerkstoffe für die Verwendung bei Aushärtung des Klebers durch Photostrahlung sind u. a. Glas und elastische Polymere mit hoher optischer Transparenz, z. B. strukturlose(s) Polymethylmethacrylat, Polycarbonat oder Polyolefine oder Polyester usw.
• Für die vorliegende Erfindung nützliche Kleber sind nichtflüchtige Flüssigkleber mit einem Kochpunkt über 100°C, vorzugsweise über 150°C. Ein hoher Kochpunkt wird speziell für Kleberaushärtung durch Wärme bevorzugt. Die Viskosität der Kleber bei Raumtemperatur muß weniger als 10 000 cps, vorzugsweise weniger als 5000 cps betragen. Eine zu hohe Viskosität kann Schwierigkeiten verursachen, speziell, wenn Aufnahme- und Trägersubstrate ausgerichtet werden müssen.
• Geeignete durch Wärme aushärtbare Kleber sind u. a. die vernetzbaren Verbindungen, die im Verlauf eines Wärmeaushärtungsprozesses keine flüchtigen Nebenprodukte abgeben. Zu diesen Klebern gehören, ohne darauf beschränkt zu sein, Epoxidharz, ungesättigter Ester, Vinyl- oder Acrylverbindungen.
• Geeignete durch Strahlung speziell mit Ultraviolettlicht aushärtbare Kleber sind u. a. photopolymerisierbares Vinyl, Allyl- oder Acrylatverbindungen. Diese Verbindungen müssen vorzugsweise aus mehreren lichtempfindlichen ungesättigten Gruppen bestehen. Andere geeignete Kleber sind u. a. Expoxidharze, die photosensible Katalysatoren, wie z. B. Onium- und Iodoniumsalze, enthalten. Geeignete photoaushärtbare Kleber können aus einer Vielzahl von in der Fachliteratur beschriebenen Verbindungen ausgewählt werden, z. B. "Photopolymerization of Surface Coatings" von C.G. Roffey, John Wiley & Sons, 1982. Allerdings können Kleberverbindungen, die während der Aushärtung große Mengen flüchtiger Nebenstoffe produzieren, oder ätzfeste Sauerstoffplasmamaterialien, z. B. anorganische Verbindungen, in großem Umfang enthalten, bei Anwendung der vorliegenden Erfindung nur beschränkt eingesetzt werden.
• Vor Laminierung des Trägersubstrats auf das Aufnahmesubstrat muß der Kleber zuerst auf beide Substrate aufgetragen werden, zum Beispiel durch Auftröpfeln des Klebers aus einem Spender auf die Substrate. Die Substrate können mit dem Kleber wahlweise auch vorbeschichtet werden. Zur Eliminierung von Blaseneinschlüssen vor und während des Laminierungsprozesses kann ein Vakuum angesetzt werden.
• Ein mechanischer und optischer Ausrichtungsmechanismus, allgemein "Maskenausrichter" genannt, der üblicherweise für Kontaktabzüge bei der Herstellung von gedruckten Schaltkreisen verwendet wird, kann für die Ausführung von Laminierung und Ausrichtung sowie für die Aushärtung des Klebers im Rahmen der vorliegenden Erfindung angepaßt werden.
• Transparente Trägersubstrate sind zu bevorzugen, wenn optische Ausrichtung erforderlich ist. Strahlungsaushärtungen mit einem transparenten Trägersubstrat werden speziell empfohlen, weil dabei die relative Position beider Substrate schnell fixiert werden kann. Das Trägersubstrat kann nach Aushärtung des Klebers durch Anwendung mehrerer Verfahren entfernt werden.
• Die für die Entfernung einfachste und wirksamste Methode ist die Aufbringung einer mechanischen Kraft zur Abschälung des Trägersubstrats vom Laminat. Wenn mechanische Abschälung angewandt wird, ist die Verwendung einer das Haftvermögen fördernden Grundierungsschicht vor Auftrag der Photoresistschicht auf das Trägersubstrat im allgemeinen nicht zu empfehlen.
• Andere Verfahren sind u. a. Plasmaabätzung oder chemische Abätzung des anorganischen Trägersubstrats, oder die Verwendung eines depolymerisierbaren polymerischen Trägersubstrats. Die Höchsttemperatur depolymerisierbarer Polymere darf die Raumtemperatur nur um ein geringes überschreiten. Beispiele für solche depolymerisierbaren Polymere sind u. a. Polyaldehyde oder Polysulfone, die bei Erwärmung durch Kettenspaltung abbauen und dabei flüchtige Partikeln bilden. Zur Beschleunigung des thermalen Depolymerisationsprozesses muß mit Vakuum gearbeitet werden. Plasma oder chemische Verfahren dürfen den organischen Werkstoff unter dem Trägersubstrat nicht beeinträchtigen.
• IV) Die Vorrichtungen gemäß Fig. (1-H) oder (1-I) werden sodann zwecks Entfernung von Stoffen auf dem Aufnahmesubstrat, die vom ätzfesten Muster nicht geschützt sind, einer Plasmaätzreaktions-, speziell einer sauerstoffreaktiven Ionätzung unterzogen. Die so entstehenden Musterträger-Aufnahmesubstrate gemäß Darstellung in Fig. (1-J) und (1-K) entsprechen den in den Fig. (1-H) beziehungsweise (1-I) schematisch dargestellten Vorrichtungen. Das Aufnahmesubstrat muß gegen Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktive Ionätzung widerstandsfähig sein. Dieses Substrat besteht vorzugsweise aus einem anorganischen Werkstoff oder aus Organometall.

Natürlich können auch im Rahmen dieser Erfindung andere in der einschlägigen Industrie bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen angewandte Verfahren zur Anwendung kommen, zum Beispiel: Bildumkehrung, Bilderzeugung von oben und selektiver Einschluß von ätzfesten Verbindungen in die Photoresist- oder Klebschicht. Die ätzfeste Verbindung ist normalerweise ein Organometall, das im Verlauf der Trockenentwicklung in einer Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktiven Ionätzkammer ein ätzfestes Metalloxid bildet.

Bei einem bildumkehrbaren, normalerweise positiv wirkenden Photoresistsystem auf Diazochinon-/Novolak- oder Polyvinylphenolbasis kann der photobelichtete Bereich in einem Entwickler durch die Decarboxylasereaktion der mit Wärme photoumgewandelten Diazochinon-Verbindung unlöslich gemacht werden. Der unbelichtete Bereich wird dann in wäßrigem Alkali durch Flutstrahlung löslich gemacht. Ein derartiges Schema erleichtert die einwandfreie Steuerung des Resistmusterprofils und kann bei dieser Erfindung angewandt werden.

Sofern hierin nichts anderes bestimmt ist, sind die hiernach beschriebenen Bestandteile und Methoden die gleichen, wie die in der ersten Ausführung beschriebenen.

Eine weitere Ausführung der Erfindung besteht aus Folgendem:

Bei Verwendung von ätzfesten bildumkehrbaren Photoresists, zu denen auch das im Handel erhältliche AZ 5214 von Hoechst, USA, und die in den U.S.-Patenten 41 96 003 und 41 04 070 offengelegten Photoresists gehören (Offenlegung durch Verweis eingefügt), wird, wenn es sich um ein einschichtiges Photoresist handelt, im allgemeinen das gleiche wie vorher beschriebene Verfahren angewandt. Allerdings wird gemäß Darstellung in Fig. (2-A) nach der Belichtung noch getrocknet, wobei das ätzfeste Dünnfilm-Photoresist (7) auf ein transparentes Trägersubstrat (2) gemustert wird. Der belichtete Teil (8) wird für Alkalientwickler unlöslich gemacht, während der unbelichtete Teil während der Nachbelichtungstrocknung in der Zusammensetzung unverändert bleibt. Nach der Laminierung des Musterträgersubstrats (2) auf das Aufnahmesubstrat (6) mit einem Kleber (5) gemäß Darstellung in Fig. (2-B) wird der Kleber mit Flutphotostrahlung ausgehärtet. Diese Behandlung macht gleichzeitig den unbelichteten Teil (9) der Photoresistschicht alkalilöslich. Alternativ kann die Flutstrahlung vor der Laminierung des nach der Belichtung getrockneten Photoresists auf das Aufnahmesubstrat erfolgen. Nach Entfernung des Trägersubstrats wird ein Muster mit Negativtonung (8) auf der Klebschicht (5) gemäß Darstellung in Fig. (2-C) aufgelöst. Die anschließende Trockenentwicklung mit Sauerstoffplasmaätzung produziert ein Muster direkt auf dem Aufnahmesubstrat, wie vorher beschrieben und in Fig. (1-K) dargestellt.

In einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung werden sowohl Bildumkehrung als auch Bilderzeugung auf der Oberseite angewandt und nachstehend beschrieben: Gemäß Darstellung in Fig. (3-A) wird eine ätzfeste Photoresistschicht (10) auf das Trägersubstrat (2) gemustert. Die Belichtung der Resistschicht wird so gesteuert, daß der belichtete Teil (11) nicht bis auf den Grund der das Substrat kontaktierenden Resistschicht reicht. Im allgemeinen kann eine derartige Bilderzeugung auf der Oberseite durch Beimengung eines absorbierenden Farbstoffes in die Photoresistschicht, die auf der Wellenlänge der Musterungsstrahlung stark absorbiert, erfolgen. Alternativ können Bilder auf der Oberseite durch Unterbelichtung des Resistfilms erzeugt werden. Nach Formierung des latenten Bildes wird das für das Bildumkehrschema beschriebene Verfahren angewandt. Jedoch ist der in Kontakt mit dem Trägersubstrat (2) befindliche Teil der Photoresistschicht nach Strahlungshärtung des Klebers (5) gemäß Darstellung in Fig. (3-B) infolge der Bildumkehrung in Alkalientwicklerflüssigkeit löslich. Diese Anordnung erleichtert die Entfernung des Trägersubstrats in einer wäßrigen Alkalilösung. Nachdem das Trägersubstrat entfernt worden ist, wird das Muster zwecks Absäuberung des löslichen Teils weiter entwickelt, der dann gemäß Darstellung in Fig. (3-C) einer wie vorher beschriebenen Plasmaätzung unterzogen wird.

Noch eine weitere Ausführung der vorliegenden Erfindung ist ein Photoresist ohne ätzfeste Eigenschaften. Dieses Material kann unter der Voraussetzung verwendet werden, daß eine selektive Beimengung des ätzfesten Stoffes in die Photoresistschicht auf dem Aufnahmesubstrat vor der Trockenentwicklung möglich ist. Der selektive Einschluß des ätzfesten Materials in die Photoresistschicht wird im allgemeinen von der photochemischen Reaktion im Muster- Bilderzeugungsschritt bestimmt. So wird zum Beispiel die Bildung von Indencarbonsäure im bestrahlten Teil eines gemeinsamen Diazochinon-/Novolak-Positivphotoresists mehr für den Einschluß eines Aminosilans, wie Hexamethyldisilan, aufnahmefähig sein, als der nicht bestrahlte Teil. Bei einem Negativphotoresist wird die Photopolymerisation im bestrahlten Bereich für das ätzfeste Material wegen des erhöhten Molekulargewichts weniger aufnahmefähig sein, als der nicht bestrahlte Bereich.

Ein solches Schema kann wie folgt beschrieben werden:

Gemäß Darstellung in Fig. (4-A) ist die ätzfeste Verbindung selektiv in den belichteten Bereich (13) einer gemusterten Photoresistschicht (12) auf einem Trägersubstrat (2) eingeschlossen. Nach Laminierung, Aushärtung des Klebers und Entfernung des Trägersubstrats ist die Vorrichtung für Plasmaätzung ohne Naßentwicklung der Photoresistschicht gemäß Darstellung in Fig. (4-B) bereit. Der das ätzfeste Material enthaltende Bereich (13) ist die Schutzmaske für die nachfolgende Trockenentwicklung des Aufnahmesubstrats. Das Ergebnis ist in Fig. (4-C) zu sehen. Ein alternatives Ergebnis ist in Fig. (4-D) dargestellt, nämlich das trocken entwickelte Muster auf dem Aufnahmesubstrat (6), wenn der selektive Einschluß des ätzfesten Materials sich im unbelichteten Bereich der Photoresistschicht befindet. Zu den für diese Art selektiven Einschlusses von ätzfestem Material geeigneten Photoresists gehören die in den U.S.-Patenten 46 13 398 und 45 52 833 offengelegten Photoresists (Offenlegung hierin durch Verweis), und im Handel erhältliche Photoresists, wie Plasmask, Hersteller: UCB Electronics. Typisch und vorzugsweise erfolgt der Einschluß einer ätzfesten Verbindung, wie Silizium-, Zinn- oder Titanatome enthaltende Verbindungen, durch Kopplung einer funktionellen Amino-Gruppe auf dem Organometall mit der Phenoxy-Gruppe im Novolakharz des belichteten Teils einer positiv wirkenden Photoresistschicht. Andere für selektiven Einschluß mit einem negativ wirkenden Photoresist geeignete anorganische Verbindungen im Rahmen dieser Erfindung können die sein, die Funktionsgruppen, wie Aminosäure, Carbonsäure, Hydroxysäure und Oxiran enthalten. Somit muß das Photoresist eine entsprechende Funktionsgruppe enthalten, z. B. eine Oxiran-Gruppe für Amino- oder Carbonsäure-Gruppen, die ätzfestes Organometall enthalten, oder eine Amino-Gruppe für Oxiran mit ätzfestem Organometallgehalt.

Der selektive Einschluß muß nicht unbedingt von der Differenz bestimmt werden, die durch die Photoreaktion entsteht. Gemäß Darstellung in Fig. (4-E) ist die Photoresistschicht (14) auf dem Trägersubstrat (2) nicht selektiv mit ätzfesten Stoffen im Oberflächenbereich (punktschattiert) gedopt. Dann wird durch Photobestrahlung des Musters gemäß Darstellung in Fig. (4-F) ein latentes Bild erzeugt, (die strichschattierten Flächen in Fig. (4-F) stellen den der Strahlung ausgesetzten Teil dar). Bei einem positiv wirkenden Photoresist wird der bestrahlte Bereich gemäß Darstellung in Fig. (4-G) entwickelt. Alternativ kann auch ein negativ wirkendes Photoresist verwendet werden; Ergebnis ist dann ein Muster mit Negativtonung.

Im allgemeinen sollte der Einschluß der ätzfesten Verbindung in die Bemusterung des Photoresists nicht störend eingreifen. Das heißt, die ätzfeste Verbindung darf mit der Funktionalität des Diazochinons keine Reaktion eingehen, andernfalls würde bei einem Positivphotoresist die Photoumwandlung in hälftig enthaltendem Carboxyl zunichte gemacht werden. Deshalb kann die ätzfeste Verbindung zum Beispiel eine Verbindung sein, die Silizium, Zinn oder Titan enthält, die gegen Gruppen auf dem Photoresist reaktiv ist. Ein Beispiel dafür ist die Kopplungsreaktion einer Phenoxy- Gruppe auf dem Novolakharz mit einem Aminosilan. Alternativ kann die ätzfeste Verbindung nicht reaktiv sein. In diesem Fall wird sie zum Beispiel während der Wässerung in einer Metallsalzlösung durch Flüssigphasen-Diffusion in die Photoresistschicht eingebettet. Diese Art ätzfester Werkstoff bleibt während der auf die Bilderzeugung folgenden Entwicklungsschritte unwirksam.

Dies gilt aus den gleichen Gründen auch für negativ wirkende Photoresists. Außerdem kann die ätzfeste Verbindung so photoreaktiv sein, daß sie während der photoinitiierten Vernetzungsreaktion reagiert. Alternativ kann eine nicht reaktive ätzfeste Verbindung, die während der Bilderzeugungs- und Entwicklungsschritte unwirksam bleibt, verwendet werden.

Sodann folgt ein wie vorher beschriebenes Verfahren, einschließlich Laminierung und Aushärtung des Klebers. Die sich nach der Entfernung des Trägersubstrats ergebende Struktur eines positiv wirkenden Photoresists ist in Fig. (4-H) dargestellt. Hier muß angemerkt werden, daß die mit ätzfestem Werkstoff angereicherte Oberflächenschicht (14) des Musters jetzt nach unten gerichtet ist und die Kleberschicht (5) auf dem Aufnahmesubstrat (6) kontaktiert.

Nach der Plasmaätzreaktion wird das Muster gemäß Darstellung in Fig. (4-I) auf das Aufnahmesubstrat übertragen. Die ätzfeste Verbindungsschicht (15) im Photoresistmuster schützt die vom Muster definierte Kleberschicht (5).

Eine weitere Ausführung der vorliegenden Erfindung ermöglicht die Beimengung eines ätzfesten Werkstoffes, die nach Laminierung und Entfernung des Trägersubstrats zu erfolgen hat, auf ein bildumkehrbares positiv wirkendes Photoresist. Gemäß Darstellung in Fig. (5-A) wird die ätzfeste Schicht (17) nicht selektiv in der Außenfläche der bemusterten Photoresistschicht (16) gebildet. Die strichschattierte Fläche ist der Photobildbereich, der gegen Alkalientwickler unter Anwendung des vorher für den Bildumkehrungsprozeß beschriebenen Verfahrens unlöslich gemacht wird. Die Photoresistschicht wird dann zur Entfernung des Teils der Photoresistschicht, der durch Flutstrahlung vor oder während des Kleber-Aushärtungsprozesses für Alkalientwickler löslich gemacht wurde, entwickelt. Die sich daraus ergebende Struktur ist in Fig. (5-B) dargestellt, wobei das entwickelte Photoresistmuster auf der Oberseite der Kleberschicht (5) von einer mit ätzfestem Werkstoff angereicherten Oberschicht (17) zum Schutz der darunter liegenden Werkstoffe überdeckt wird. Das durch die nachfolgende Trockenentwicklung entstehende Muster ist in Fig. (5-C) dargestellt.

In einer weiteren Ausführung der vorliegenden Erfindung kann ein bildweises Einschlußschema aus ätzfestem Werkstoff in Verbindung mit Oberseiten-Bilderzeugungs- und Umkehrbildtechniken gemäß Darstellung in Fig. (6-A) angewandt werden. Der von oben erzeugte Bildteil ist mit einem ätzfesten Werkstoff (19) in die Photoresistschicht (18) auf dem Trägersubstrat (2) eingebettet. Nach Trockung durch Decarboxylierung und Laminierung gemäß Darstellung in Fig. (6-B) werden sowohl der unbelichtete Bereich in der Photoresistschicht (18) als auch die Flüssigkleberschicht (5) photobestrahlt. Somit wird die Photoresistschicht (18) mit Ausnahme des von oben erzeugten und ätzfesten Werkstoff enthaltenden Bildteils während der Aushärtung des Klebers in Alkalientwicklerflüssigkeit löslich. Das Trägersubstrat (2) wird dann entfernt und das Muster gemäß Darstellung in Fig. (6-C) entwickelt. Ein ätzfestes Photoresistmuster (19) kann dann das Muster auf dem Aufnahmesubstrat (6) definieren. Nach Sauerstoffplasmaätzung entsteht auf dem Aufnahmesubstrat ein Muster gemäß Darstellung in Fig. (6-D).

Bei einer letzten Ausführung ist der Kleber gegenüber dem ätzfesten Material aufnahmefähig. In diesem Fall ist das von dem Photoresist definierte Muster nicht ätzfest. Fig. (7-A) zum Beispiel zeigt bei einem nicht ätzfesten Positivphotoresist (20) eine der in Fig. (1-H) dargestellten ähnliche Struktur. Die belichtete Kleberschichtfläche (5) ist mit einem (punktiert dargestellten) ätzfesten Werkstoff eingebettet. Dieser bildet eine ätzfeste Oberschicht (21) nach Entfernung des Trägersubstrats. Sodann wird in einem Plasmaätzreaktor zur Erzielung eines Umkehrmusters vom Photoresistmuster (20) auf dem Aufnahmesubstrat (6) gemäß Darstellung in Fig. (7-B) trocken entwickelt. Alternativ kann ein negativ wirkendes Photoresist verwendet werden. In diesem Fall ergibt sich im Gegensatz zur Darstellung in Fig. (7-B) ein Negativmuster.

Außerdem kann sowohl dem Positivphotoresist-Muster (20) als auch dem Kleberbereich (5) ein ätzfestes Material nicht selektiv unter der Voraussetzung beigemengt werden, daß der Einschluß des ätzfesten Materials das Photoresistmuster in einer wäßrigen Alkalientwicklerlösung nicht unlöslich macht. Das Photoresistmuster (20), dessen Oberseitenfläche jetzt mit ätzfester Verbindung angereichert ist, wird in einem Alkalientwickler entwickelt. Bei der nachfolgenden Trockenentwicklung wird das gleiche Ergebnis erzielt, wie das in Fig. (7-B) dargestellte.

Noch ein anderes Schema, bei dem der Kleber als Träger des ätzfesten Musters verwendet wird, ist von einer Kombination der vorher beschriebenen Oberseitenbilderzeugungs- und Bildumkehrschemata abgeleitet, siehe z. B. Fig. (3-A) bis einschließlich (3-C). Bei dieser Version ist das bildumkehrbare Photoresist nicht ätzfest. Es kann ein im Handel erhältliches Produkt wie AZ 5214 sein. Fig. (7-C) zeigt das laminierte Produkt, wobei das Trägersubstrat entfernt und der lösliche Teil der Photoresistschicht in Entwicklerflüssigkeit abgewaschen worden ist. Das Resistmuster (22) ist der von oben erzeugte Bildteil, der durch Wärme, wie vorher beschrieben, in Alkalientwicklerflüssigkeit unlöslich gemacht worden ist. Die punktierte Fläche (23) stellt einen mit ätzfestem Material angereicherten Bereich dar, der durch Gasphasen- oder Flüssigphasen-Diffusion in der belichteten Kleberschicht, nachdem der lösliche Photoresistteil durch Waschen entfernt worden ist, produziert wurde. Mit der nachfolgenden Plasmaätzung wird auf dem Aufnahmesubstrat (6) gemäß Darstellung in Fig. (7-D) ein entsprechendes Muster entwickelt.

Ein für die Verwendung bei den beiden vorgenannten Schemata geeigneter Kleber kann aus den vorher beschriebenen ausgewählt werden. Das Auflösungsvermögen des Klebers in bezug auf Adsorption oder Diffusion des ätzfesten Materials muß höher sein als das des Photoresists.

Vorzugsweise erfolgt zwischen Kleber und ätzfestem Organometall während des Adsorptions- oder Diffusionsprozesses unter der Voraussetzung eine Kopplungsreaktion, daß das Photoresist keine Funktionsgruppe enthält, die mit dem Organometall reaktionsfähig ist.

Deshalb können geeignete Funktionsgruppen-Kombinationen auf Kleber und ätzfestem Organometall zum Beispiel folgende sein: Epoxid- und Aminogruppen, Epoxid- und Anhydridgruppen, Epoxid- und Carbonsäuregruppen, Hydroxyl- und Isocyanat-Vinyl- und Thiolgruppen, Allyl- und Thiol- oder Acrylat- und Thiolgruppen. Auch könnnen mehrere andere Kombinationen wirksam verwendet werden, speziell in Verbindung mit Wärme oder einem Katalysator.

Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, daß die hierin beschriebenen Ausführungen der vorliegenden Erfindung nur erläuternd sind. Erfahrene Fachleute können die Erfindung in ihrem Rahmen und auf ihren Grundsätzen basierend auch modifizieren.

Beispiel

Zur Erläuterung des Konzepts der Ausführungen der vorliegenden Erfindung wird im nachstehenden Beispiel ein bildumkehrbares, eine ätzfeste Verbindung enthaltendes Photoresist mit folgender chemischer Zusammensetzung verwendet:

Gewichtsteil
AZ 5214 (Hoechst, USA) (getrocknet)
100
Poly(phenylsilsequioxan)	25
Cis(1,3,5,7-Tetrahydroxy)-1,3,5,7,-Cyclotetrasiloxan	50

Die ätzfeste Verbindung wurde mit einem Festgehalt von 27% mit Propylenglykol-Monomethyl-Etheracetat als Lösemittel angesetzt. Das Photoresist wurde mit einem Drehbeschichter (Headway Research Inc.) bei 4000 UpM für die Dauer von 25 s auf eine dünne Glasplatte aufgetragen. Ergebnis war ein ca. 1 µm dicker Dünnfilm, der dann in einem Konvektionsofen 16 Minuten bei 80°C getrocknet wurde. Zum Drucken mit einer Emulsionsmaske mit 5-µm-Zeilenabstand wurde ein Oriel- Maskaligner 85249 mit einer 220-320-nm-Lichtquelle verwendet. Belichtungszeit: 60 s, was 35 mJ/cm² entspricht.

Vor Laminierung auf ein Siliziumplättchen mit einem unter UV härtbaren Kleber wurde nach der Belichtung 20 Minuten in einem Konvektionsofen bei 90°C getrocknet. Der Kleber bestand aus 100 Gewichtsteilen von Aldrich geliefertem Trimethylol- Propan-Triacrylat und 10 Gewichtsteilen Benzyl-Dimethylketal von Ciba-Geigy, Ltd. Das Laminat wurde vorsichtig mit einem Finger aufgedrückt, um die Dicke der Kleberschicht vor der Bestrahlung durch UV-Licht zur Aushärtung des Klebers zu minimieren. Härtelichtquelle war ein photomechanischer 3-kW- Drucker ORC HMW 532 mit max. Leistung bei 365 nm. Dosierung: 500 mJ/cm². Das Trägerglas wurde dann weggezogen und das Laminat für die Dauer von ca. 30 s in eine 4% wäßrige Lösung aus Tetramethylammoniumhydroxid zwecks Entwicklung des Photoresistmusters getaucht. Das Musterträger- Siliziumplättchen wurde dann in einem Plasmareaktor (Plasmalab-Serie, 80-V-Hochfrequenz-Netzspannung) für die Dauer von 15 Minuten bei einer O-Gas-Durchflußmenge von 20 SCCM ("Standard Condition" cm³/min) mit einer Gleichstromstabilisierung von 330 V einer Sauerstoffplasmaätzung unterzogen. Danach wurde das Probestück unter einem optischen Mikroskop und mit Talystep (Taylor Hobson) geprüft. Feststellung: das Muster war einwandfrei definiert.

Claims (22)

1. Ein aus folgenden Schritten bestehendes Verfahren zur Aufbringung eines ätzfesten Musters auf ein Substrat:

• a) Formung einer Photoresistschicht auf einem flachen, transparenten Trägersubstrat.
• b) Formung eines Photoresistmusters in der Photoresistschicht.
• c) Laminierung des Photoresistmuster­ trägersubstrats auf ein Aufnahmesubstrat unter Anwendung eines härtbaren Flüssigklebers zwischen den beiden Substraten, wobei die Photoresistseite dem Aufnahmesubstrat gegenüber liegt.
• d) Aushärtung des Flüssigklebers durch Wärme oder vorzugsweise durch aktinische Photostrahlung und Entfernung des Trägersubstrats zur Übertragung des Photoresistmusters auf besagtes Aufnahmesubstrat und
• e) Trockenentwicklung des Musters, das dem von besagtem Trägersubstrat übertragenen entspricht, durch Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktive Ionätzung auf dem Aufnahmesubstrat.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagtes Trägersubstrat aus Werkstoffen gefertigt ist, die aus der aus anorganischem Glas und strukturlosen organischen Verbindungen bestehenden Gruppe ausgewählt werden, und bei dem besagtes Trägersubstrat für besagte aktinische Photostrahlung durchlässig ist.

3. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagter Flüssigkleber eine photopolymerisierbare organische Verbindung mit einem Kochpunkt <100°C ist.

4. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagtes Aufnahmesubstrat gegen Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktive Ionätzung stark widerstandsfähig ist.

5. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagtes Photoresist ein positiv wirkendes Photoresist ist.

6. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagtes Photoresist ein negativ wirkendes Photoresist ist.

7. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagtes Photoresistmuster gegen Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktive Ionätzung ätzfest ist und auf besagtem Trägersubstrat vor besagtem Laminierungsschritt explizit entwickelt wird.

8. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagtes Photoresist ein bildumkehrbares, sauerstoffplasmaätzfestes Material enthaltendes Diazochinon-/Novolaksystem ist, das besagte Photoresistmuster als latentes Bild in der Photoresistschicht erscheint, und besagtes latentes Bild vor besagter Trockenentwicklung auf dem Aufnahmesubstrat naß entwickelt wird.

9. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem besagtes latentes Bild relativ zum Trägersubstrat der Photoresistschicht in die Oberflächenschicht eingelassen ist.

10. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem besagtes Photoresist keinen besagten sauerstoffplasmabeständigen Werkstoff enthält, und besagtes latentes Bild durch bildweisen Einschluß von ätzfestem Material gegen Sauerstoffplasmaätzung widerstandsfähig wird, und besagte Naßentwicklung des ätzfesten Materials nicht erforderlich ist.

11. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem besagte Photoresistschicht erst nach nicht exklusivem Einschluß des ätzfesten Materials in der obersten Schicht vor Bildung besagten Photoresistmusters gegen Sauerstoffplasma widerstandsfähig wird.

12. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem besagter sauerstoffplasmaätzfester Werkstoff nicht exklusiv in besagte Photoresistschicht nach Entfernung besagten Trägersubstrats eingeschlossen wird.

13. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem sich besagtes latentes Bild relativ zum Trägersubstrat der Photoresistschicht in der obersten Schicht befindet.

14. Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem besagtes Photoresistmuster gegen Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktive Ionätzung nicht widerstandsfähig ist, und die exponierte ausgehärtete Oberflächenschicht des Flüssigklebers sich nach Entfernung des Trägersubstrats mit ätzfestem Material vor der nachfolgenden Trockenentwicklung abscheidet.

15. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem besagtes Photoresist die besagten ätzfesten Werkstoffe nicht enthält, und die nach besagter Naßentwicklung exponierte ausgehärtete Kleberoberfläche sich vor der nachfolgenden Trockenentwicklung mit ätzfestem Material abscheidet.

16. Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem besagtes ätzfestes Photoresist ein Organometall enthält, das während der Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktiven Ionätzungsreaktionen ein stabiles Oxid bildet.

17. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem besagter ätzfester Werkstoff ein Organmetall ist, das während der Sauerstoffplasma- oder Ionätzungsreaktionen ein stabiles Oxid bildet.

18. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem besagter bildweiser Einschluß des ätzfesten Werkstoffs zu einer selektiven Kopplungsreaktion besagten Novolakharzes mit einem eine Amino-Gruppe enthaltenden Organometall führt, wobei das Produkt besagter Kopplungsreaktion in Sauerstoffplasma- oder sauerstoffreaktiven Ionätzungsreaktionen ein stabiles Oxid bildet.

19. Verfahren gemäß Anspruch 11, bei dem besagter nicht exklusiver Einschluß des ätzfesten Werkstoffs eine Flüssig- oder Gasphasen-Durchdringung des stabilen Oxids ist, das in der Oberflächenschicht besagter Photoresistschicht Verbindungen enthaltendes Metall formt, wobei besagte Verbindungen auf diejenigen beschränkt sind, die mit lichtempfindlichen Werkstoffen innerhalb besagter Photoresistschicht nicht reaktionsfähig sind.

20. Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem besagter ätzfester Werkstoff ein stabiles Oxid ist, das ein eine Verbindung enthaltendes Metall formt, wobei besagter ätzfester Werkstoff durch Flüssig- oder Gasphasen-Durchdringung in die Oberflächenschicht besagter Photoresistschicht abgeschieden wird.

21. Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem besagter ätzfester Werkstoff ein stabiles Oxid ist, das ein Organometall mit einer Funktionsgruppe, die nur mit besagtem Kleber reaktionsfähig ist, bildet.

22. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem besagter ätzfester Werkstoff ein stabiles Oxid ist, das ein Organometall mit einer Funktionsgruppe, die nur mit besagtem Kleber reaktionsfähig ist, bildet.