DE4026229C2 - Meßvorrichtung zur Plasmaanalyse von beschichteten Plasmen nach Art einer Langmuir-Sonde - Google Patents
Meßvorrichtung zur Plasmaanalyse von beschichteten Plasmen nach Art einer Langmuir-SondeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Meßvorrichtung zur Plasmaanalyse
von beschichteten Plasmen nach Art einer Langmuir-Sonde nach
einer Gattung des Hauptanspruchs.
Langmuir-Sonden zur Plasmaanalyse sind seit langem bekannt.
Sie bestehen üblicherweise aus einer kleinen metallischen
Sonde, z. B. einem dünnen Draht, der in ein zu untersuchen
des Plasma hineinragt und mit einer sogenannten Sondenspan
nung beaufschlagt wird. Diese besitzt dann gegenüber dem
Plasma ein bestimmtes Potential, das gleich der Differenz
von Sondenspannung und Plasmapotential am Ort der Sonde ist.
Die Messung des über die Sonde abfließenden Sondenstroms als
Funktion der Sondenspannung ergibt die sogenannte Sonden
charakteristik. Mit einer derartigen Sonde kann lokal die
Ladungsträgerdichte, die Elektronentemperatur sowie das
Plasmapotential bestimmt werden.
In der Dünnschicht-Technik gewinnen plasmaunterstützte
Verfahren zunehmend an Bedeutung, so daß auch der Bedarf an
Plasmadiagnoseverfahren wächst. Bei der Verwendung von
Langmuir-Sonden besteht das Problem, daß beschichtende
Plasmen die Sonde sehr schnell mit einer isolierenden
Schicht überziehen, so daß weitere Messungen nicht mehr mög
lich sind. In der Zeitschrift J.Vac.Technologie A6 (3), Mai
1988, haben Brent C. Berl und David A. Glockner darauf hinge
wiesen, daß eine Messung in beschichtenden Plasmen mittels
einer Langmuir-Sonde dann möglich ist, wenn die Sonde auf
hoher Temperatur gehalten wird. In aus dieser Zeitschrift be
kannter Weise wird diese hohe Temperatur dadurch erreicht, daß
dem zu messenden Sondenstrom ein nicht massengebundener Gleich
strom überlagert wird, welcher infolge des Ohmschen Wider
standes des Sondendrahts zur gewünschten Erhitzung führt.
Als Nachteile der bekannten Sondenheizungen sind zum einen die
Verfälschungen der Messungen zu nennen, welche sowohl durch
den vom Heizstrom hervorgerufenen Spannungsabfall entlang der
Sonde, als auch durch die Temperaturänderungen während der
Messungen hervorgerufen werden. Ferner führt eine Sonden
heizung über den Ohmschen Widerstand des Drahtes zu einer
starken Wärmebelastung der Drahtkontakte, was die Konstruk
tion einer solchen Sonde erschwert.
Die erfindungsgemäße Meßvorrichtung mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß
die Sonde genau so einfach zu bauen ist, wie eine konventio
nelle Langmuir-Sonde und nur einen Anschluß aufweisen muß.
Während der Heizperiode trifft infolge des Potentials der
Heizspannungsquelle ein Strom von Elektronen aus dem Plasma
auf die Sondenoberfläche auf, wobei die kinetische Energie der
Elektronen an der Oberfläche in Wärme umgewandelt wird. Da nur
die Spitze des Sondendrahts unisoliert ist, wird diese auch
nur dort erhitzt, also an der Stelle, an der die hohe Tempe
ratur erforderlich ist. Dies erspart Kontaktierungsprobleme.
Weiterhin wird durch die zeitliche, wie auch galvanische Ent
kopplung von Heizung und Messung verhindert, daß während der
Messung über der Sonde eine die Kennlinie verfälschende
Spannung abfällt. Der Meßvorgang wird dadurch genauer.
Ebenfalls zu einer höheren Meßgenauigkeit führt die erreichte
konstantere Sondentemperatur, da auch eine sich ändernde
Sondentemperatur die Kennlinie verfälscht.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind
vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im
Hauptanspruch angegebenen Meßvorrichtung möglich.
Die Verbindung des positiven Anschlusses der Heizspannungs
quelle über die Umschalteinrichtung mit dem Sondendraht ge
währleistet insbesondere bei konstantem Potential der Heiz
spannungsquelle die Aufrechterhaltung bzw. Einstellung einer
gleichbleibenden Sondentemperatur bzw. Temperatur der uniso
lierten Spitze der Sonde durch auftreffende Elektronen.
Die zyklische Meßzeit beträgt vorzugsweise weniger als eine
Zehntelsekunde, wobei die Heizzeit länger als die Meßzeit
ist, zweckmäßigerweise wesentlich länger als die Meßzeit.
Auch diese Maßnahme trägt zur Aufrechterhaltung einer sehr
konstanten Sondentemperatur bei.
Das Potential der Heizspannungsquelle wird dabei so gewählt,
daß der Sondendraht auf eine Temperatur von mehreren 100
Grad Celsius bis 1000 Grad Celsius gebracht werden kann.
Dies hängt nicht zuletzt von der Art des Plasmas ab.
Die Umschalteinrichtung ist zweckmäßigerweise als Umschalt
relais oder als elektronischer Umschalter ausgebildet und
wird vorzugsweise durch einen Rechner gesteuert, der bei
spielsweise auch die Meßzyklen steuern und die Meßwerter
fassung vornehmen kann.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Die einzige Figur zeigt eine in eine Plasmakam
mer eintauchende Meßsonde sowie die elektronische Schal
tung der Auswerte- und Heizeinrichtung.
In eine geerdete Plasmakammer 10 taucht elektrisch isoliert
eine Plasmasonde 11 ein, die nach Art einer Langmuir-Sonde
aufgebaut ist. Sie besteht im wesentlichen aus einem dünnen
Draht 12, der bis auf seine Spitze bzw. seinen Spitzenbe
reich isoliert ist. Weiterhin ragt zur Erzeugung des Plas
mas, also zur Umwandlung des in der Plasmakammer 10 enthal
tenen Gases in Elektronen und Ionen eine isoliert durchge
führte Elektrode 13 in die Plasmakammer 10. Sie ist über
einen Widerstand 14 mit einem Frequenzgenerator 15 verbun
den, der das erforderliche elektrische Feld an der Elektrode
13 zur Bildung der Ladungsträger erzeugt. Die Frequenz
dieses Frequenzgenerators 15 hängt von der Art des zu er
zeugenden Plasmas und von der Dimensionierung ab und kann
sich zwischen dem kHz-Bereich und dem Mikrowellenbereich
erstrecken. Selbstverständlich sind auch andere bekannte
Vorrichtungen zur Erzeugung von Plasmen verwendbar.
Der Draht 12 ist über eine Umschalteinrichtung 16 alternativ
mit einem Meßkreis 17 oder einer Heizspannungsquelle 18 ver
bindbar. Diese Umschalteinrichtung 16 kann entweder als
Umschaltrelais oder als elektronischer, aus Halbleiterschal
tern bestehender Umschalter ausgebildet sein. Eine elektro
nische Steuervorrichtung 19 bewirkt ein zyklisches Hin- und
Herschalten der Umschalteinrichtung 16. Diese elektronische
Steuervorrichtung 19 kann beispielsweise ein Frequenzgene
rator mit einstellbarem Tastverhältnis oder ein Rechner
sein, der beispielsweise auch die Steuerung des Meßvorgangs
mit übernehmen kann, was durch eine gestrichelte Linie 20
angedeutet ist.
Der positive Pol der Heizspannungsquelle 18 ist über einen
Widerstand 21 an die Umschalteinrichtung 16 angeschlossen
und kann über diese mit dem dünnen Draht 12 der Plasmasonde
11 verbunden werden. Die erforderliche Spannung hängt von
der Art des Plasmas und sonstigen Dimensionierungen ab und
beträgt im allgemeinen zwischen 10 und 150 Volt.
Der Meßkreis 17 stellt einen bekannten Meßkreis für eine
Langmuir-Sonde dar und soll daher nur kurz beschrieben
werden. Eine variable Spannungsquelle 21 liefert eine Span
nung von zum Beispiel zwischen minus 20 und plus 20 Volt und
ist über einen Meßwiderstand 22 an die Umschalteinrichtung
16 angeschlossen, über die sie mit der Plasmasonde 11 verbun
den werden kann. Parallel zur variablen Spannungsquelle 21
ist eine aus zwei Widerständen 23, 24 bestehende Reihenschal
tung angeordnet, die wie die Spannungsquelle 21 einseitig an
Masse liegt. Eine Spannungsmeßvorrichtung 25 ist parallel
zum Widerstand 24 geschaltet. Weiterhin kann noch - durch
gestrichelte Linien angedeutet - ein Kondensator 26 parallel
zur Spannungsmeßvorrichtung 25 geschaltet werden, um Wechsel
spannungseinflüsse zu verhindern. Eine der Anordnung 23 bis
26 entsprechende Anordnung 27 bis 30 ist zwischen den Ver
knüpfungspunkt zwischen dem Meßwiderstand 22 und der Um
schalteinrichtung 16 einerseits und Masse andererseits ge
schaltet.
Die Wirkungsweise des bekannten Meßkreises 17 in Verbindung
mit der Plasmasonde 11 besteht im wesentlichen darin, daß
durch die Meßanordnung 27 bis 30 die Sondenspannung 11 erfaßt
wird, während die Meßanordnung 23 bis 26 noch zusätzlich den
Spannungsabfall am Meßwiderstand 22 erfaßt, dessen Wert von
dem durch die Sonde fließenden Strom bestimmt wird. Eine
Variation der Spannung an 21 ermöglicht die Aufnahme der
Strom-Spannungs-Kennlinie der Sonde 11. Aus dieser können in
bekannter Weise die ein Plasma charakterisierenden Zustands
größen wie die lokale Ladungsträgerdichte, die Elektronen
temperatur und das Plasmapotential erfaßt werden.
Durch die Umschalteinrichtung 16 wird jeweils nur während
einer sehr kurzen Zeit von weniger als einer Zehntelsekunde
die Verbindung zwischen dem Meßkreis 17 und der Plasmasonde
11 hergestellt, um einen Meßvorgang durchzuführen. Anschließend
wird dann jeweils auf die Heizspannungsquelle 18 umge
schaltet, die für eine wesentlich längere Zeit mit der
Plasmasonde 11 verbunden bleibt. Danach erfolgt der zykli
sche Vorgang von vorne. Das Tastverhältnis der Steuerspan
nung für die Umschalteinrichtung 16 muß daher so gewählt
werden, daß diese zeitliche Aufteilung gewährleistet ist.
Liegt das positive Potential der Heizspannungsquelle 18 an
dem dünnen Draht 12 der Plasmasonde 11 an, so werden Elek
tronen des Plasmas auf die Oberfläche des nichtisolierten
Bereichs des Drahts 12 beschleunigt, wobei beim Auftreffen
ihre kinetische Energie in Wärme umgewandelt wird. Die
Heizspannung wird dabei so gewählt, daß der Draht eine Tem
peratur annimmt, die verhindert, daß das Plasma eine Schicht
auf der Plasmasonde 11 bildet. Dies ist für beschichtende
Plasmen erforderlich, beispielsweise für Cyclohexan oder
Azetylen. Die lange Heizzeit in Relation zur relativ kurzen
Meßzeit bewirkt, daß die Temperatur der Plasmasonde 11 sehr
konstant eingestellt werden kann, um ein möglichst exaktes
Meßergebnis zu erreichen. Andererseits reicht die relativ
kurze Meßzeit aus, um die erforderlichen Meßwerte zu er
halten.
Claims (8)
1. Meßvorrichtung zur Plasmaanalyse von beschichtenden Plasmen nach Art
einer Langmuir-Sonde, mit einem im wesentlichen bis auf die Spitze
isolierten, in das Plasma eintauchenden und von einem Meßkreis mit
einer Meßspannung beaufschlagbarem Sondendraht, der auf einer eine
Schichtbildung verhindernden hohen Temperatur gehalten wird, dadurch
gekennzeichnet, daß der Sondendraht (12) über eine im Betrieb zyklisch
betätigte Umschalteinrichtung (16) abwechselnd mit dem Meßkreis (17)
und einer Heizspannungsquelle (18) verbunden ist und daß die
Spannungsquelle (21) des Meßkreises (17) variabel ist.
2. Meßvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der positive Anschluß der Heizspannungsquelle (18) über
die Umschalteinrichtung (16) mit dem Sondendraht (12) ver
bindbar ist.
3. Meßvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Heizspannungsquelle (18) ein konstantes
Potential aufweist.
4. Meßvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die zyklische Meßzeit weniger
als eine Zehntelsekunde beträgt, wobei die Heizzeit länger
als die Meßzeit ist.
5. Meßvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Heizzeit wesentlich länger
als die Meßzeit ist.
6. Meßvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Heizspannungsquelle (18) ein
den Sondendraht (12) auf eine Temperatur von mehreren 100
Grad Celsius bis 1000 Grad Celsius erhitzendes Potential
aufweist.
7. Meßvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung (16) als
Umschaltrelais oder als elektronischer Umschalter ausgebil
det ist.
8. Meßvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Umschalteinrichtung (16) rechnergesteuert ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904026229 DE4026229C2 (de) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | Meßvorrichtung zur Plasmaanalyse von beschichteten Plasmen nach Art einer Langmuir-Sonde |
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Publication Number | Publication Date |
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DE4026229A1 DE4026229A1 (de) | 1992-02-20 |
DE4026229C2 true DE4026229C2 (de) | 1993-11-18 |
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DE19904026229 Expired - Fee Related DE4026229C2 (de) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | Meßvorrichtung zur Plasmaanalyse von beschichteten Plasmen nach Art einer Langmuir-Sonde |
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Country | Link |
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DE (1) | DE4026229C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006014106B3 (de) * | 2006-03-24 | 2007-08-30 | RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM | Vorrichtung und Verfahren zur Messung der Dichte eines Plasmas |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2925947A1 (de) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit einem leistungstransistor zur beheizung eines temperaturempfindlichen elementes |
-
1990
- 1990-08-18 DE DE19904026229 patent/DE4026229C2/de not_active Expired - Fee Related
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DE102006014106B3 (de) * | 2006-03-24 | 2007-08-30 | RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM | Vorrichtung und Verfahren zur Messung der Dichte eines Plasmas |
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DE4026229A1 (de) | 1992-02-20 |
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