DE4012531A1 - Verfahren zur herstellung einer alkalimetalldiffusions-sperrschicht - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer alkalimetalldiffusions-sperrschichtInfo
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Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetalldiffusions-Sperrschicht,
das heißt einer die Diffusion der Alkalimetalle verhindernden
Sperrschicht, durch Erzeugen einer die Alkalimetalldiffusion verhindernden
Schicht, welche eine Siliktglasschicht umfaßt, auf der Innenseite eines
Substrates, wie eines Si-Substrats oder eines Silikatglassubstrats, mit Hilfe eines
Ionenimplantationsverfahrens und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung
einer Phosphorsilikatglasschicht, welche die Alkalimetalldiffusion zu verhindern
vermag.
Es ist bereits bekannt, daß man anorganische Gläser mit verbesserten Oberflächeneigenschaften
dadurch herstellen kann, daß man ionisierten Phosphor in
die Oberfläche implantiert (siehe beispielsweise die JP-OS 56-84 344 und
56-1 16 034). Weiterhin ist es bekannt, daß man zur Herstellung von Glasplatten
für Halbleiterbauteile eine Ionenimplantation von Phosphor in die Oberfläche
einer Glasplatte aus einem Alkalimetall enthaltenden Silikatglas bewirken,
dann eine Wärmebehandlung durchführen, anschließend Stickstoffionen implantieren
und schließlich erneut eine Wärmebehandlung durchführen kann
(siehe beispielsweise die JP-OS 63-2 22 046).
Das oben beschriebene Verfahren zur Ionenimplantation von Phosphor in die
Oberfläche der Glasplatte und die Anwendung einer Wärmebehandlung bewirkt
offenbar die Erzeugung einer Phosphorsilikatglasschicht auf der Innenseite der
Glasplatte, wodurch die Oberflächeneigenschaften der Glasplatte verbessert werden.
Dieses Verfahren ermöglicht jedoch den Effekt der Unterdrückung der Diffusion
von Alkalimetallen an die Oberfläche des Glassubstrates (sogenannter Alkalimetall-Getter-Effekt)
nicht in dem gewünschten Ausmaß und ergibt das Problem,
daß die Bereiche mit Getter-Wirkung als Folge der unzureichenden Oxidation
des implantierten Phosphors nicht in wirksamer Weise gebildet werden können.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit darin, die oben angesprochenen
Probleme zu überwinden und ein Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetalldiffusions-Sperrschicht
anzugeben, mit dem es gelingt, eine die Alkalimetalldiffusion
verhindernde Schicht mit stärkerer Wirkung bezüglich der Verhinderung
der Alkalimetalldiffusion zu erzeugen, als es mit dem herkömmlichen
Verfahren möglich ist.
Diese Aufgabe wird nun gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrens
gemäß Hauptanspruch. Die Unteransprüche betreffen besonders bevorzugte
Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstandes.
Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetalldiffusions-Sperrschicht
durch Erzeugen einer die Alkalimetalldiffusion verhindernden,
Phosphor enthaltenden Sperrschicht auf der Innenseite eines Siliciumdioxid
enthaltenden Substrats durch Ionenimplantation von Phosphor, welches
gekennzeichnet ist durch die Anwendung einer der folgenden Maßnahmen (a) bis
(c):
- (a) gleichzeitige oder alternierende Ionenimplantation von Phosphor und Sauerstoff und anschließende Wärmebehandlung des Substrats,
- (b) Ionenimplantation von Phosphor und anschließende Ionenimplantation von Sauerstoff unter Erhitzen des Substrats, oder
- (c) Ionenimplantation von Phosphor und anschließende Wärmebehandlung des Substrats in einer gasförmigen Sauerstoff enthaltenden Atomosphäre.
Die oben unter (a) angesprochene Wärmebehandlung dient dazu, den in das Innere
des Substrats implantierten Phosphor und Sauerstoff miteinander und dem Silicium
des Substrats zu kombinieren, wodurch die Glasstruktur stabilisiert wird.
Diese Wärmebehandlung wird vorzugsweise bei einer Temperatur von mehr als
400°C durchgeführt. Wenn die Temperatur unterhalb 400°C liegt, ergibt sich eine
geringere Stabilisierung, so daß der erfindungsgemäß angestrebte Effekt in geringerem
Ausmaß erreicht wird. Wenn andererseits eine Temperatur oberhalb der
Verformungstemperatur des Glases angewandt wird, können sich eine Verformung
des Substrates, eine Diffusion des Phosphors der Silikatglasschicht etc. ergeben.
Die Wärmebehandlung nach der Ionenimplantation des Sauerstoffs kann
in einer gasförmigen Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre oder in einer Inertgasatmosphäre
durchgeführt werden. Insbesondere dann, wenn das Substrat aus
einem Material, wie Si gebildet ist, welches durch die Wärmebehandlung in Gegenwart
der gasförmigen Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre beeinträchtigt
werden kann, ist die Anwendung einer Inertgasatmosphäre erwünscht, da in dieser
Weise die Oberflächenoxidation verhindert werden kann. Man kann Phosphor
und Sauerstoff wiederholt implantieren.
Das Erhitzen des Substrats nach der Implantation von Sauerstoff in der Stufe (b)
ist eine Maßnahme, die dazu dient, die Stabilisation der Glasstruktur ebenso wie
bei der oben angesprochenen Wärmebehandlung zu erzielen, so daß diese Wärmebehandlung
vorzugsweise bei einer Temperatur von oberhalb 400°C durchgeführt
wird. Wenn eine Temperatur von weniger als 400°C angewandt wird, wird, wie
oben bereits angeführt, der erfindungsgemäß angestrebte Effekt in geringerem
Ausmaß erreicht. Wenn andererseits die angewandte Temperatur oberhalb der
Verformungstemperatur des Glases liegt, so kann eine merkliche Verformung des
Substrates oder eine Diffusion des Phosphors in inplantiertem Zustand verursacht
werden.
Bei den Maßnahmen (a) und (b) können die Beschleunigungsenergie und die Menge
des Phosphors und des Sauerstoffs in geeigneter Weise in Abhängigkeit von dem
Substratmaterial, der Menge der verunreinigenden Alkalimetalle in dem Substrat,
der angestrebten Alkalimetalldiffusions-Sperrwirkung etc. gesteuert werden,
wobei es im allgemeinen bevorzugt ist, die Beschleunigungsenergie auf 1 keV
bis 5 MeV und die Dosis auf 1×10¹² bis 1×10¹⁸/cm² einzustellen. Weiterhin ist es
bei der Implantation von Phosphorionen und Sauerstoffionen bevorzugt, daß
diese im wesentlichen in der gleichen Tiefe auf der Innenseite des Substrats dispergiert
sind.
Die Wärmebehandlung in der gasförmigen Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre
in der Stufe (c) wird mit dem Ziel durchgeführt, die Diffusion des Sauerstoffs der
Atmosphäre von der Oberfläche in das Innere des Substrates und seine Kombination
mit dem auf der Innenseite des Substrates durch Ionenimplantation eingeführten
Phosphors zu bewirken, so daß die für die Wärmebehandlung angewandten
Bedingungen wie Temperatur, Zeit etc. in Abhängigkeit von der Beschleunigungsenergie
oder der Dosis des Phosphors, dem Substratmaterial und der Sauerstoffionenkonzentration
der gasförmigen Atmosphäre etc. gesteuert werden. Eine
höhere Sauerstoffkonzentration in der Atmosphäre ist bevorzugt, da hierdurch
die Behandlungszeit verkürzt werden kann. Weiterhin ist es erwünscht, eine
möglichst hohe Wärmebehandlungstemperatur innerhalb des durch das Substratmaterial
vorgegebenen Bereiches (Schmelzpunkt, Erweichungspunkt etc.)
anzuwenden, da mit höherer Behandlungstemperatur die Behandlungszeit verkürzt
werden kann.
Die Behandlungsdauer t für die Wärmebehandlung kann grob mit Hilfe der folgenden
Beziehung abgeschätzt werden:
t L ²/D ox
worin L (m) für die maximale Injektionstiefe des Phosphors und D ox (m²/s) für
den Diffusionskoeffizienten des Sauerstoffs bei der Wärmebehandlungstemperatur
stehen.
Erfindungsgemäß zu behandelnde Substrate sind jene, welche an der Oberfläche
Si enthalten, wie Silicium, Siliciumnitrid, Quarz, Quarzglas, alkalifreie Gläser
und Alkali enthaltende Gläser geeignet. Insbesondere sind Alkali enthaltende
Gläser, wie Natronkalkglas und Gläser mit niedrigem Alkaligehalt, wie Borsilikatglas
bevorzugt, weil sie eine hohe Produktivität und eine hohe Lebensdauer ermöglichen.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß die Getterwirkung bezüglich der Alkalimetalle
von in herkömmlicher Weise auf der Innenseite des Substrats durch
Ionenimplantation von Phosphor erzeugtem Phosphorsilikatglasschichten
nicht in dem erwarteten Ausmaß erreicht werden kann, da der in der Phosphorsilikatglasschicht
vorhandene Sauerstoff unzureichend ist, um einen stabilen Zustand
und "negativ polarisierten nicht-verbrückenden Sauerstoff" zum Abfangen
der Alkallimetalle zu erzeugen. Demzufolge wird erfindungsgemäß dem Phosphorsilikatglas
Sauerstoff durch Ionenimplantation von Sauerstoff oder durch
Diffusion von Sauerstoff zugeführt, so daß ausreichend negativ-polarisierter,
nicht-verbrückender Sauerstoff als Folge der Anwesenheit von Phosphor gebildet
wird, um in dieser Weise eine ausreichende Getterwirkung bezüglich des Alkalimetalls
zu erreichen.
Insbesondere durch die Zufuhr des Sauerstoffs durch Ionenimplantation kann
der Sauerstoff in der erforderlichen Menge und der ausreichenden Tiefe eingebracht
werden.
Da das in der äußersten Oberfläche des Substrats der Phosphorsilikatglasschicht
vorhandene Alkalimetall durch die Ionenimplantation des Sauerstoffs in die
Tiefenrichtung bewegt wird, kann der Alkalimetallgehalt in diesem Bereich vermindert
wird und damit die Sperrwirkung gegen die Alkalimetalldiffusion weiter
verbessert werden können.
Die folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele dienen der weiteren Erläuterung
der Erfindung.
Man verwendet als Substratmaterial ein Alkali-Aluminiumoxid-Silikat-Glas,
welches 0,1 bis 3 Atom-% Alkalimetall enthält.
Zunächst implantiert man Phosphorionen in einer Menge von 1 × 10¹⁷/cm² bei
einer Beschleunigungsenergie von 140 keV. Die in dieser Weise erhaltene Probe
wird als A bezeichnet. Die Probe A wird einer Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre
bei 600°C während einer Stunde zur Bildung der Probe B unterworfen.
Anschließend wird Sauerstoff durch Ionenimplantation bei einer
Beschleunigungsenergie von 70 keV in einer Menge von 2,5 × 10¹⁷/cm² in die Probe
A implantiert. Die Wärmebehandlung wird während einer Stunde bei einer
Temperatur von 600°C durchgeführt, wobei keine besonderen Einschränkungen
bezüglich der angewandten Atmosphäre angewandt werden. Die erhaltene Probe
ist als Probe C bezeichnet.
Weiterhin unterwirft man die Probe A einer Wärmebehandlung in einer Sauerstoffatmosphäre
während einer Stunde bei 600°C zur Bildung der Probe D (wenngleich
bezüglich des Diffusionskoeffizienten von Sauerstoff bei 600°C in dieser
Glaszusammensetzung keine Daten vorliegen, wird auf die Beziehung ∼
6 µm/h1/2 für Quarzglas Bezug genommen). Die Diffusionslänge des Sauerstoffs
beträgt bis zu 6 µm, was ausreichend größer ist als die durchschnittliche Projektionsflugdistanz
von 143 nm von Phosphor, der mit einer Beschleunigungsenergie
von 140 keV implantiert wird. Wenn man bei den Proben B, C und D die Na-Konzentration
in der Nähe der Oberfläche mit Hilfe der SIMS-Technik mißt, so ergibt
sich eine Zunahme in der folgenden Reihenfolge: C < D < B, wobei das Verhältnis
der Na-Konzentration an der Oberfläche zu der Na-Konzentration in der Masse etwa
1/10 000 im Fall der Probe C, etwa 1/5000 im Fall der Probe D und etwa
1/1 000 000 im Fall der Probe B betragen. Aus jedem der Substrate B, C und D bildet
man einen Dünnfilmtransistor mit polykristallinem Silicium (nachfolgend
der Einfachheit halber als Dünnfilmtransistor bezeichnet) und bestimmt die
Einschalt-Schwellenspannung des Dünnfilmtransistors und seine Alterungsstabilität.
Hierbei hat sich gezeigt, daß bezüglich dieser Eigenschaften keine Unterschiede
zwischen den Dünnfilmtransistoren auf den Substraten C und D gegenüber
einem aus Quarzglas gebildeten bestehen. Im Fall des auf dem Substrat B ausgebildeten
Dünnfilmtransistors erhöht sich die Schwellenspannung um bis zu
50% gegenüber dem auf dem Quarzglassubstrat ausgebildeten, während der
Drain-Strom nach 1000 s um 20% gegenüber demjenigen eines Dünnfilmtransistors
auf einem Quarzglassubstrat vermindert ist.
Wie aus den Beispielen ersichtlich ist, ist es möglich, mit Hilfe des erfindungsgemäßen
Verfahrens eine Alkalimetalldiffusions-Sperrschicht zu erzeugen, welche
bezüglich der Sperrwirkung der Alkalimetalldiffusion stärker wirksam ist
als eine Alkalimetalldiffusions- Sperrschicht, die in herkömmlicher Weise hergestellt
worden ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich beispielsweise zur Modifizierung
von billiger alkalihaltiger Glassubstrate zur Bildung von für elektronische Bauteile
geeigneten Substraten oder zur Verhinderung von unerwünschten Effekten
von Alkalimetallen in Substraten für elektronische Bauteile, welche aus einem
Metall gebildet sind, das Spurenmengen von Alkalimetallen als Verunreinigung
enthält.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetalldiffusions-Sperrschicht
durch Erzeugen einer die Alkalimetalldiffusion verhindernden, Phosphor enthaltenden
Sperrschicht auf der Innenseite eines Siliciumdioxid enthaltenden
Substrats durch Ionenimplantation von Phosphor, gekennzeichnet durch die
Anwendung einer der folgenden Maßnahmen (a) bis (c):
- (a) gleichzeitige oder alternierende Ionenimplantation von Phosphor und Sauerstoff und anschließende Wärmebehandlung des Substrats,
- (b) Ionenimplantation von Phosphor und anschließende Ionenimplantation von Sauerstoff unter Erhitzen des Substrats oder
- (c) Ionenimplantation von Phosphor und anschließende Wärmebehandlung des Substrats in einer gasförmigen Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung
bei einer Temperatur von mehr als 400°C durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat
mindestens eines der Materialien aus der Natronkalkgläser und Borsilikatgläser
umfassenden Gruppe umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionenimplantation
von Phosphor und Sauerstoff in der Weise bewirkt werden, daß sie im
wesentlichen in der gleichen Tiefe auf der Innenseite des Substrats dispergiert
sind.
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KR100503951B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2005-07-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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WO2020043398A1 (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | Agc Glass Europe | Chemically strengthened glass substrate with reduced invading ion surface concentration and method for making the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3647406A (en) * | 1968-11-04 | 1972-03-07 | Bell Telephone Labor Inc | Method of achieving surface refractive index changes in a glass light guide element |
GB1465077A (en) * | 1974-03-25 | 1977-02-23 | Standard Telephones Cables Ltd | Protection of glass from aqueous attack |
US4284663A (en) * | 1976-05-10 | 1981-08-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of optical waveguides by indiffusion of metals |
US4371587A (en) * | 1979-12-17 | 1983-02-01 | Hughes Aircraft Company | Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition |
DD153677A1 (de) * | 1980-10-22 | 1982-01-27 | Bernd Rauschenbach | Verfahren zur aenderung des brechungsindex von duennen glasschichten |
US4377437A (en) * | 1981-05-22 | 1983-03-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device lithography by selective ion implantation |
JPS6038858A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPS61248467A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPS6384123A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4828817A (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for producing an atomic oxygen beam |
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